JPS6022613A - ダイヤフラムの撓み検出装置 - Google Patents

ダイヤフラムの撓み検出装置

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JPS6022613A
JPS6022613A JP59098437A JP9843784A JPS6022613A JP S6022613 A JPS6022613 A JP S6022613A JP 59098437 A JP59098437 A JP 59098437A JP 9843784 A JP9843784 A JP 9843784A JP S6022613 A JPS6022613 A JP S6022613A
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    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/26Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
    • G01D5/28Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with deflection of beams of light, e.g. for direct optical indication

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ダイヤフラムの撓みを監視する装置、より詳
しく云うと光ファイバ装置を使用したダイヤフラムの撓
み検出装置に関する。
(従来技術) 光ファイバ・センサは従来のセンサに比べて優れている
ことから、光ファイバを利用した遠隔操作による感知方
法の開発に向けて多くの関心が集められている。このセ
ンサは、小形化を図り、電磁妨害を排除しかつ電気的絶
縁を完全に行うことができれば、危険なあるいは爆発が
起るような環境、高温又は高電磁揚の環境及び生体内医
学の分野において有用なセンサとして使用することがで
きるようになる。これらの用途については、ハイ・テク
ノロジィ(High Tech)第2巻,第4号,第4
9頁に掲載のジェー・ヘクト(J.Hecht)著の論
文「ファイバ・オプチックス・ターンズ・トゥー・セン
ジング」(“Fiber Optics Turns 
to Sensing”)及びアイ・イー・イー・ジャ
ーナル・オブ・クオンタム・エロクトロニクス(IEE
E J.Quantum Electron.)第18
巻,第626頁に掲載のティー・ジー・ジャイアロレン
ジ(T.G.Gial−lorcnzi)等著の論文「
オプチカル・ファイバ・センッサ・テクノロジィ」(“
Optical Fiber Sen−sor Tec
hnology”)に記載されている。
ダイヤフラムは、圧力を測定するのに最も一般的に使用
されている素子である。ダイヤフラムの撓みを測定する
のにこれまでに開発された光学的な方法は、ダイヤフラ
ムの変位による光の強度の変化を利用するものであった
。特に、これまでに聞発された光ファイバ・センサは、
ダイヤフラムの中心から反射される光の変動、ダイヤフ
ラムに取付けられたベーン(vane)又はシャッタの
動き、及びダイヤフラムにより圧縮される光ファイバの
トランスミッションの変化を利用するものである。
かかる光ファイバ・センサは、例えば、アプライド・オ
プチックス(Applied Opt.)第18巻、第
3230頁(1979年)に掲載のアール・オー・クッ
ク(R.O.Cook)等著の論文[ファイバー・オプ
チック・レバー・ディスプレイスメント・トランスデュ
ーサ」(“Fiber Optic Displace
ment Trans−duce6r”);ナサ・テク
ニカル・メモランダム(NASA Technical
 Memorandum)X−3571頁に掲載の「オ
プチカル・ゼロ・ディファレンシャル・プレッシャー・
スイっチ・アンド・イッツ・エバリュエイション・イン
・ア・マルチプル・プレッシャー・メジャリング・シス
テム」(“Optical zero−Differe
ntial Pressure Switch and
 its Evaluation in a Mult
iple−Pressure Measuring S
ystem”);アメリカ合衆国,イリノイ州,シカゴ
において1982年6月8日から10日にかけて開かれ
たゼネラル・センサ・テクノロジィ/フォース・アンド
・プレッシャー・センサーズ(Gene−ral Se
nsor Technology/Force and
 Pressure sensors)に関する会議の
会報の第79頁に掲載のティー・エー・スコット(T.
A.Scott)著の「ノン・コンタクティング・オプ
チカル・センサ」(“Non−Contacting 
Optical Sensor”);アプライド・フィ
ジカル・レターズ(Appl.Phys.Lett.)
第37巻,第145頁(1980年)に掲載のダブリュ
・ビー・スピルマン・ジュニア(W.B.Spill−
man.Jr.)等著の「シュリーレン・マルチモード
・ファイバ・オプチック・ハイドロフォン」(“Sch
lieren Multimode Fiber Op
tic Hydro−phone”);ジャーナル・オ
ブ・ジ・アコースチック・ソサイェティ・オブ・アメリ
カ(J.Acoust.Soc.Am.)第67巻,第
816頁(1980年)に掲載のジェー・エヌ・フィー
ルズ(J.N.Fields)等著の「ファイバ・オプ
チック・プレッシャー・センサ」(“Fiber−Op
tic Pressure Sensor”);及びア
プライド・オプチックス(Appl.Opt.)第19
巻,第3265頁(1980年)に掲載のジェー・エヌ
・フィールズ(J.N.Fields)等著の「“ファ
イバ・マイクロベンド・アコースチック・センサ」(“
Fiber Microbend Acoustic 
Sensor”)に記載されている、。
しかしながら、かかるタイプの光学圧力センサは、周囲
の環境条件の影響を受けるという特有の欠点を有してい
る。これらの装置は、絶対的な強度を測定するものであ
るから、出力信号は、光源強度の変動とファイバのマイ
クロベンドの損失とを原因とする強度の損失の影響を受
けることになる。さらまた、ベーン・センサ(Vane
 Sensor)や従来の反射センサのようなす、ダイ
ヤフラムまでの距離を測定する圧力感知機構は、振動や
熱膨脹のような環境を原因として生ずるダイヤフラムま
での距離の変化により強い影響を受けてしまう。
ダイヤフラムは、圧力を測定するのに使用できるほか、
温度の測定にも使用することができる。
ダイヤフラムを温度の測定に使用する場合には、ダイヤ
フラムは温度に応答して撓むことにより応答を行うよう
に適合された材料から形成される。
例えば、ダイヤフラムにバイメタル材料を使用すること
ができる。
(発明の目的) 本発明の目的は、±約7.03kg/cm2(100p
si)のダイナミック範囲を有するダイヤフラムの撓み
検出装置を提供することにある。
本発明の別の目的は、監視しようとする領域全体に亘っ
て0.25%以下の誤差で線形応答を行う撓み検出装置
を提供することにある。
本発明の別の目的は、検出可能な最小圧力が約7.03
×10−5kg/cm2(1×10−3psi)以下の
高感度な撓み検出装置を提供することにある。
本発明の別の目的は、過圧保護が約21kg/cm2(
300psi)に達する撓み検出装置を提供することに
ある。
本発明の更に別の目的は、ダイヤフラムの半径と肉厚と
の比が適当に定められた撓み検出装置を提供することに
ある。
本発明の別の目的は、比較的簡単なエレクトロニクス技
術を利用した撓み検出装置を提供することにある。
本発明の別の目的は、圧力変化に比例した出力電圧を有
する撓み検出装置を提供することにある。
本発明の別の目的は、生体内医学に使用することができ
る比較的小形の撓み検出装置を提供することにある。
本発明の更に別の目的は、可動部品を殆んど備えていな
い比較的丈夫な撓み検出装置を提供することにある。
本発明の更に別の目的は、同心的に配列された三つの別
々の部品からなる単一のファイバの束を有する製造が容
易な撓み検出装置を提供することにある。
本発明の更に別の目的は、電子回路において容易に調整
自在の零設定と補正操作を行うことができる撓み検出装
置を提供することにある。
本発明の別の目的は、光電源の強電の変動及び入力ファ
イバでの損失による影響を受けない撓み検出装置を提供
することにある。
本発明の別の目的は、比較的安価な撓み検出装置を提供
することにある。
本発明の更に別の目的は、振動と温度変化の影響を受け
ない撓み検出装置を提供することにある。
(発明の構成) 本発明者は、上記した環境条件に関する問題を極力抑え
るようにするため、ダイヤフラムの変位ではなくダイヤ
フラムの曲率の変化を利用した圧力変換器を完成した。
かかる構成の装置においては、光がダイヤフラムの中心
から半径方向へXの距離のダイヤフラムの部分に射突す
るように、光は、環状に配列されたファイバによってダ
イヤフラムの表面に伝送される。ダイヤフラムによって
反射された光は、イルミネーション・ファイバと同心を
なしかつイルミネーション・ファイバの内側及び外側の
双方に配列されたコレクション・ファイバに分配される
。内側のファイバ群は第1の複数の光ファイバを構成し
、イルミネーション・ファイバは第2の複数の光ファイ
バを構成し、イルミネーション・ファイバの外側にある
コレクション・ファイバは第3の複数の光ファイバを構
成する。ダイヤフラムの撓みは、外側のコレクション・
ファイバが受ける光と内側のコレクション・ファイバが
受ける光との比率に従って生ずる。
本発明に係る、半径rのダイヤフラムの撓みを監視する
のに適したダイヤフラムの撓み検出装置は、前記ダイヤ
フラムの中心を中心として端部どうしが全体で環状に配
列されかつ前記半径rよりも小さい半径r1を有する円
を形成するように配設された第1の複数の光ファイバと
、前記ダイヤフラムの中心を中心として端部どうしが全
体で環状に配列されかつ前記半径r及びr1に対しr>
r2>r1なる関係を有する半径r2の円を形成するよ
うに配設された第2の複数故の光ファイバと、前記ダイ
ヤフラムの中心を中心として端部どうしが全体で環状に
配列されかつ前記半径r及びr2に対しr>r3>r2
なる関係にある半径r3の円を形成するように配設され
た第3の複数の光ファイバとを備えてなり、前記第1と
第3の複数の光ファイバの端部は光捕捉特性を有しかつ
前記第2の複数の光ファイバの端部は光放出特性を結う
しくおり、前記第2の複数の光ファイバから出る光は所
定の比率に従う前記ダイヤフラムの撓みの量に比例して
前記ダイヤフラムにより反射されて前記第1及び第3の
複数の光ファイバに導入される構成に係るものである。
本発明に係るダイヤフラムの撓み検出装置はまた、環境
条件の変化に応答して撓むダイヤフラムと、一端が前記
ダイヤフラムの可撓面に対し略直角に配置された入力フ
ァイバと、前記入力ファイバの第1の側部に近接して配
置されかつ一端が前記入力ファイバの前記一端部に近接
し前記ダイヤフラムの前記可撓面に対し略直角に配置さ
れた第1のコレクション・ファイバと、前記入力ファイ
バ第2の側部に近接して配置されかつ一端が前記入力フ
ァイバの前記一端部に近接し前記ダイヤフラムの前記可
撓面に対し略直角に配置された第2のコレクション・フ
ァイバと、前記入力ファイバを介して前記ダイヤフラム
の前記可撓面に光を伝える手段と、前記第1及び第2の
コレクション・ファイバによって捕えられる光を監視し
かつ出力信号を発生する手段とを備えてなり、前記入力
ファイバから伝えられる前記光は前記ダイヤフラムの前
記可撓面から反射され、しかも前記ダイヤフラムが撓ん
だときに前記入力ファイバから伝えられた光は予め定め
られた比率に従う前記ダイヤフラムの撓みの大きさに比
例して前記ダイヤフラムから反射されて前記第1及び第
2のコレクション・ファイバによって捕えられるもので
あり、しかも前記出力信号は前記第1及び第2のコレク
ション・ファイバに捕えられた光の割合に応じて前記予
め定められた比率に基づいて計算される構成に係るもの
である。
(実施例) 第2,3及び4図は、動作状態にある本発明の検出装置
の側面図である。ダイヤフラムにかかる差圧が零のとき
(第3図)には、ダイヤフラムは平坦であり、等量の光
が内側のコレクション・ファイバ(collectio
n Fiber)18と外側のコレクション・ファイバ
に向けて反射される。正の圧力が加わる(第2図)と、
ダイヤフラムは、第2図に示すように、ファイバに対し
凸状に撓み、外側のコレクション・ファイバ24に向け
て反射する光22の量の方が多くなる。逆に、負の圧力
が加わると、ダイヤフラムは、第4図に示すように、凹
状に撓み、内側のコレクション・ファイバ28に向けて
反射する光の量が多くなる。従って、本発明の検出装置
は、圧力の大きさと向き(正又は負)の双方を明確に感
知することができる。
本発明の検出装置の説明を明確にするために、1本のイ
ルミネーション・ファイバ(illumina−tio
n fiber)と2本のコレクション・ファイバとか
らなる光ファイバを例にとって考えることにする。この
光ファイバは円筒状に配置され、対称であるため、3本
のファイバがらなる光ファイバは、実際のセンサにおい
て、これら3本のファイバの作用を合わせた作用を行う
。第5図は、湾曲したダイヤフラムの下方に端部が配置
された3本のファイバを示す。説明を簡潔にするため、
入力ファイバ29又はクラッドによって捕えられる光を
無視し、ダイヤフラムの撓み角θは照射領域全体に亘っ
て一定であると仮定する。外側の光線OA及びOB(第
5図)は、コアの屈折率(core index)がn
,でクラッドの屈折率(cladding index
)がn2の入力ファイバの内側で、臨界角〔θc=si
n−1(n2/n1))で反射する光であるから、これ
らの光線は入力ファイバのエミッタンス・アパチャ(e
mittance aperture)を画定する。光
線OCは、ダイヤフラムに直角に衝突し、もとの道を戻
る光である。従って、OAとOC間でファイバから出る
光線は外側に反射し、一方、OCとOB間の光は内側へ
反射していく。図面上の平面に限定して考えると、外側
への反射光の量(Iout)は角度α、従って、寸法a
に比例し、内側への反射光の量(Iin)は角度β即ち
寸法βに例する。
従って、次式(1) Iout/Iin=(aRI0)/(bRI0)=(r
0+z)/(r0−z) (1) が成立する。ここで I0=イルミネーション・ファイバを出るときの強さ R=ダイヤフラムの反射率 Z=ファイバの中心から光線OCがファイバを出る点ま
での距離 r0=ファイバの半径 ダイヤフラムの勾配dy/dxが小さい場合には、スネ
ルの法則(snell’s law)を利用して次式(
2) Iout/Iin=〔1+(dy/dx)tanθc/
n1〕/〔1−(dy/dx)tanθc/n1〕 (
2)が得られる。
θc=sin−1(n2/n1)であるから、信号の強
度比Iout/Iinはイルミネーション・ファイバの
コアとクラッドの屈折率及びダイヤフラムの勾配のみに
よって定まることが式(2)からわかる。
Iout/Iinはファイバの半径、ダイヤフラムまで
の距離、ダイヤフラムの反射率、及び光がイルミネーシ
ョン・ファイバを出るときの光の強さとは無関係である
から、周囲の影響を全く受けない。
荷重が均一で、縁部が固定された円形のダイヤフラムの
場合には、ダイヤフラムの撓みyの圧力依存性は、〔ア
メリカ合衆国,ニューヨーク州に所在するマグロー・ヒ
ル(McGraw−Hill)社、1975年発行〕ア
ール・ジェー・ロアーク(R.J.Roark)等著の
「フォーミュラズ・フォー・ストレス・アンド・ストレ
イン」(Formulas for Stress a
nd Strain)第5版によれば、次式(3)y(
x)=−3(r2−x2)2(1−μ2)p/(16y
t3)(3) により表すことができる。式(3)において、x=ダイ
ヤフラムの中心からの半径方向の距離r=ダイヤフラム
の半径 t=ダイヤフラムの肉厚 y=ダイヤフラムのヤング率 μ=ダイヤフラムのポアソン比 式(3)をxに関して微分してdy/dxを得ると、式
(2)は Iout/Iin=(1+AP)/(1−AP) (4
)になる。ここで Aは、 A=〔3x(r2−x2)(1−μ2)/4n■yt3
〕・tan c(5) なる式に従って、ダイヤフラムと入力ファイバの性質に
よって定められる定数である。
式(4)は、両辺の対数となり、この対数を(AP)の
べき(power)で展開すると、簡単に反転(inv
ert)することができる。先づ(AP)で整理すると
、 P=ln(Iout/Iin)/2A (6)となり、
百分率誤差(percent error)は33.3
(AP)2となる。従って、(AP)2≪1であるよう
なダイヤフラムを選べば、圧力はIoutとIinとの
比の対数に対し直線関係となり、信号の解析を極めて簡
単に行うことができる。
最近、生体内医学向けの丈夫な、小型の圧力変換器の開
発に対する関心が高まっている。概略を上記した圧力感
知即ち撓み検出装置の試験を行うため、小型のプロトタ
イプ反射センサをつくった。
ダイヤフラムは、0乃至約0.35kg/cm2(0乃
至5psi)の印加可能な医学的圧力(medical
 pre−ssurc)の範囲内で最適なセンサの性能
が得られるように構成した。500本のファイバからな
る半径が0.8mmの標準的なファイバの束即ちハンド
ル34を、第1図に示りように、イルミネーション・ス
トリップ40により外側のコレクション領域36と内側
のコレクション領域38とに分けた。それぞれの多モー
ド・ファイバのコアは、直径が70ミクロンで屈折率n
1が1.62であり、これを肉厚が3.5ミクロンで屈
折率n2が1 52のクラッドで包囲した。イルミネー
ション・リングの半径Xは402ミクロンであった。フ
ァイバの束を、エポキシ樹脂41を用いて肉厚が250
ミクロンの金属スリーブに装填し、外径がわずか2.2
mmの小型センサをつくった。半径が1.1mmのダイ
ヤフラムを127ミクロンの肉厚のポリカーボネートか
らつくり、これをエポキシ樹脂で処理し、縁部を、可変
圧力源に接続された変換器のハウジングの端部に固定し
た。次に、ファイバの束の軸線がダイヤフラムと直交し
かつこれと共線(colinear)をなすようにファ
イバの束を変換器のハウジングに挿入した。更に、イル
ミネーション・ファイバに白色光を照射し、強度Iou
t及びIinを、式(6)のアルゴリズム(algor
ithm)を満たすように構成されている電子装置に接
続された光検出器で測定した。
平均化(averaging)するためには、研磨した
ファイバの束をダイヤフラムから可能な最大距離dのと
ころに配置し、dが光を受光ファイバ即ちレセプション
・ファイバの周辺から外側へ反射させるような大きな寸
法とならないように制限するのが遊離である。最大距離
dは0.25mmであることがわかった。次に、出力信
号ln(Iout/Iin)を、印加可能な医学的圧力
の範囲においてゲージ圧Pの関数として記録した。結果
は第6図に示す通りであった。
第6図から、ln(Iout/Iin)は実際に圧力に
対して直線関係にあることがわかる。かかるデータに1
次最小2乗法を当てはめると、この直線の勾配は0.0
35psiとなり、これは、AがAexp=0.017
5psi−1である場合の実験測定値となる。式(6)
の百分率誤差は33.3(AP)2であると予測された
が、これは最大の非直線性がわずか0.25%というこ
とになる。これは、第6図に示すデータが、相関係数が
0.99995という優れた直線性を有することと一致
する。ダイヤフラムの関連するパラメータを式(5)に
代入すると、Aの予測値は0.0157psi−1とな
り、これは実験による測定値に匹敵する。理論値AとA
expとの間のわずかな差は、イルミネーション・ファ
イバのリングの肉厚が原因で生ずる。上記した簡単な理
論的解析から、反射光は全てIin又はIoutに作用
し、実際に、光の大部分はイルミネーション・リングに
対し後方へ反射されることが考えられる。これにより、
装置の感度はわずかながら増加する。本発明によれば、
光ファイバの内側の束と外側の束とによって捕えられる
光の強度(I)どうしの関係には(I3−I1)/(I
3+I1)として表すことができる。これは、ダイヤフ
ラムの撓みの変化に対し、一次関数の関係にあることが
わかった。
本発明を光ファイバの束に関して詳細に説明してきたが
、本発明は、別の実施例で具現することができる。例え
ば、本発明は、第7図に示すように、ダイヤフラムに接
近して配置された3本の光ファイバ50,51及び52
だけを使用することにより著しく簡素化することができ
る。この実施例では、ファイバ51は入力ファイバとし
て作用し、一方、ファイバ52と50は、ダイヤフラム
が圧力変化に応答して撓むとさに、それぞれ外側コレク
ション・ファイバ及び内側コレクション・ファイバとし
て作用する。第8図に示す本発明の別の実施例において
は、圧力を検出するのに6本の光ファイバが使用されて
いる。この実施例においては、ダイヤフラム66に対し
、ファイバ56は内側のコレクション・ファイバとして
作用し、ファイバ58と64は入力ファイバとして作用
し、ファイバ60と62は外側コレクション・ファイバ
として作用する。この実施例では、仮想線で示されてい
る、中央に配置されたファイバ68を設けて、各グルー
プの感知ファイバを、ダイヤフラムの両側に離隔させて
もよい。この実施例では、中央に配置されたファイバ6
8は使用されるものではなく、また、かかるファイバは
設けなくてもよい。第8図の実施例では感知ファイバを
ダイヤフラムの両側に離隔配置しているので、第7図の
実施例に比べ、検出器の信頼性を高めることができる対
称平均化技術(symmetrical averag
ing techniques)を使用することができ
るという利点がある。
第9図に示す本発明の別の実施例では、ダイヤフラム全
体を光ファイバーで監視することができるようになって
いる。この実施例では、図示のように、3組の光ファイ
バがぞれぞれ対称形に充填されている。先づ、中央に円
形に配設されたファイバ72は内側コレクション・ファ
イバとして作用する光ファイバである。中間の円形ファ
イバ74は入カファイバとして動作し、外側の環状ファ
イバ群76は外側コレクション・ファイバの態様で動作
する。本発明の更に別の実施例を第10図に示すが、こ
の実施例では、円形ではない可撓性ダイヤフラム78を
使用することができ、第10図では矩形のダイヤフラム
が使用されている。上記した円形のダイヤフラムと同様
に、入力ファイバ80と82はそれぞれ、外側コレクシ
ョン・ファイバ84及び81と内側コレクション・ファ
イバ88及び90との間の空間に配置されている。矩形
ダイヤフラム78は可撓性があるので、光は上記した実
施例と同様の態様で内側及び外側のコレクション・ファ
イバによって捕えられる。
本発明を、圧力の変化に応答して撓むダイヤフラムに関
して説明してきたが、他の因子に応答しく撓むダイヤフ
ラムを使用することができる。例えば、本発明において
は、温度変化に応答してダイヤフラムが撓むことができ
るようにすることができる。即ち、例えば、本発明を、
ダイヤフラムがバイメタル材料から形成されている温度
感知装置として具現することができる。この場合、ダイ
ヤフラムは、例えば、バイメタル・ストリップの形態を
とることができる。
上記のように、ダイヤフラムの変位の代わりにダイヤフ
ラムの曲率を利用して圧力を感知する新規な光学的技術
が本発明者により完成された。本明細書に記載のプロト
タイプの圧力センサは、小型であり、しかも光ファイバ
感知技術の電磁干渉特性の影響を受けないようになって
いる。また、ダイヤフラムの撓み測定は圧力の変動に匹
敵する環境の影響を取除くことができないが、本発明で
は、ファイバの束のダイヤフラムに対する動きを引起す
、振動と温度を原因とする悪影響を除去することができ
る。更に、光源の強さに対する出力信号の依存性は、ダ
イヤフラムに光が反射した後はなくなるので、本発明の
装置は、光源の強度の変動,入力ファイバでの損失及び
ダイヤフラムの反射率を自動的に補償することができる
。更に、リターン・ファイバの環境が略均質である場合
には、ファイバのマイクロベンドの損失(micro−
bend loss)に関連した騒音の多くを除去する
ことができる。更にまた、本発明の装置はリニア(li
near)な態様で作動するように構成することができ
る。
上記したプロトタイプの圧力変換器は生体内医学向けに
適するような大きさと圧力範囲を有するように構成され
ているが、本発明の感知装置はもっと広汎な用途を有し
ている。かかるタイプのセンサの感度及び最適圧力範囲
は、式(5)によって与えられる定数Aにより定められ
るが、この定数はダイヤフラムの材質又は肉厚を変える
ことにより容易に変えることができる。例えば、0乃至
約4.2kg/cm2(0乃至60psi)の範囲で動
作するように構成された遥かに大形のセンサは、直径が
10.4mmで肉厚が約0.3mm (12mil)の
シリコン製ダイヤフラムを使用して製造することができ
た。
このセンサもまたリニアな圧力応答性を有し、0乃至約
4.2kg/cm2の範囲における相関係数は0.99
987であった。
本発明の圧力感知装置は、小形でかつ環境によって左右
されないかかる装置が所望される分野であれば、軍事上
及び産業上の種々の分野において広く使用することがで
きる。
(発明の効果) 以上のように、本発明の装置は、ダイヤフラムの撓みが
、第3の複数の光ファイバが受ける光と第1の複数の光
ファイバとが受ける光との比率に従うものであるから、
光源の強度の変動、第2の光ファイバ内での損失及びダ
イヤフラム表面の反射率の変化を自動的に補償すること
ができる。更に、圧力は、光ファイバとダイヤフラムと
の間の距離によってではなく、ダイヤフラムの曲率によ
って測定されるので、本発明の装置は温度及び振動の影
響を受けることがない。更にまた、本発明の装置はリニ
アな態様で作動させるようにすることができるので、容
易に補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るダイヤフラムの撓み検出装置の横
断面図、第2図はダイヤフラムが光ファイバに対して凸
状に撓んだときに第1と第3の複数の光ファイバによっ
て捕えられた光の量を示す概略側面図、第3図はダイヤ
フラムが撓んでいないときに第1及び第3の複数の光フ
ァイバにより捕えられた光の量を示す概略側面図、第4
図はダイヤフラムが光ファイバに対し凹状に撓んだとき
に第1及び第3の複数の光ファイバによって捕えられた
光の量を示す概略側面図、第5図は湾曲するダイヤフラ
ムの下方に端部が配置された3本のファイバからなる光
ファイバの概略側面図、第6図は出力信号と圧力との関
係を示すグラフ図、第7図は本発明の実施例を示す概略
横断面図、第8図は本発明の別の実施例を示す概略平面
図、第9図は本発明の更に別の実施例を示す概略平面図
、第10図は本発明の更に別の実施例を示す概略平面図
である。 12・・・ダイヤフラム、14,16・・・光、18,
20・・・コレクション・ファイバ、22・・・光、2
4・・・コレクション・ファイバ、26・・・ダイヤフ
ラム、28,29,30・・・光ファイバ、32・・・
ダイヤフラム、50,51,52・・・光ファイバ、5
4・・・ダイヤフラム、56,58,60,62,64
・・・光ファイバ、66・・・ダイヤフラム、68・・
・光ファイバ、70・・・ダイヤフラム、72,74,
76・・・光ファイバ、78・・・ダイヤフラム、80
,82・・・入力ファイバ、81,84,88,90・
・・コレクション・ファイバ。 ’out 1out 1out fin(1out ’in” ’ou↑ ’in ) 
1out−6へ−

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半径rのダイヤフラムの撓みを監視するのに適た
    ダイヤフラムの撓み検出装置において、前記ダイヤフラ
    ムの中心を中心として端部どうじが全体で環状に配列さ
    れかつ前記半径rよりも小さい半径r1を有する円を形
    成するように配設された第1の複数の光ファイバと、 前記ダイヤフラムの中心を中心として端部どうしが全体
    で環状に配列されかつ前記半径r及びrlに対しr>r
    2>r1なる関係を有する半径r2の円を形成するよう
    に配設された第2の複数の光ファイバと、 前記ダイヤフラムの中心を中心として端部どうしが全体
    で環状に配列されかつ前記半径r及びr2に対しr>r
    3>r2なる関係にある半径r3の円を形成するように
    配設された第3の複数の光ファイバとを備えてなり、 前記第1と第3の複数の光ファイバの端部は光捕捉特性
    を有しかつ前記第2の複数の光ファイバの端部は光放出
    特性を有しており、前記第2の複数の光ファイバから出
    る光は所定の比率に従う前記ダイヤフラムの撓みの量に
    比例して前記ダイヤフラムにより反射されて前記第1及
    び第3の複数の光ファイバに導入されることを特徴とす
    るダイヤフラムの撓み検出装置。
  2. (2)前記第1,第2及び第3の複数の光ファイバは多
    モードの光ファイバであることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項に記載のダイヤフラムの撓み検出装置。
  3. (3)前記第1,第2及び第3の複数の光ファイバは単
    モードの光ファイバと多モードの光ファイバとの組合せ
    からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
    のダイヤフアムの撓み検出装置。
  4. (4)前記第1,第2及び第3の複数の光ファイバはハ
    ウジングによって保持されていることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項に記載のダイヤフラムの撓み検出装置
  5. (5)前記のハウジングは前記第1,第2及び第3の複
    数の光ファイバを前記ダイヤフラムの表面に対し直角に
    保持する手段を備えることを特徴とする特許請求の範囲
    第4項に記載のダイヤフラムの撓み検出装置。
  6. (6)前記ハウジングは前記第1,第2及び第3の複数
    の光ファイバを前記ダイヤフラムに対し同心をなして保
    持する手段を備えることを特徴とする特許請求の範囲第
    4項に記載のダイヤフラムの撓み検出装置。
  7. (7)前記第3と第1の複数の光ファイバによって捕え
    られる光の強度(I)の関係はln(I3/I1)とし
    て表すことができ、しかも前記ダイヤフラムの撓みの変
    化に対して一次関数の関係にあることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項に記載のダイヤフラムの撓み検出装置
  8. (8)前記第1と第3の段数の光ファイバによって捕え
    られる光の強度(I)の関係は(I3−I1)/(I3
    +I1)として表すことができ、しかも前記ダイヤフラ
    ムの撓みの変化に対して一次関数の関係にあることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項に記載のダイヤフラムの
    撓み検出装置。
  9. (9)前記ダイヤフラムはダイヤフラムにかかる圧力の
    変化に応答して撓むことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項に記載のダイヤフラムの撓み検出装置。
  10. (10)環境条件の変化に応答して撓むダイヤフラムと
    、 一端が前記ダイヤフラムの可撓面に対し略直角に配置さ
    れた入力ファイバと、 前記入力ファイバの第1の側部に近接して配置されかつ
    一端が前記入力ファイバの前記一端部に近接し前記ダイ
    ヤフラムの前記可撓面に対し略直角に配置された第1の
    コレクション・ファイバと、前記入力ファイバの第2の
    側部に近接して配置されかつ一端が前記入力ファイバの
    前記一端部に近接し前記ダイヤフラムの前記可撓面に対
    し直角に配置された第2のコレクション・ファイバと、
    前記入力ファイバを介して前記ダイヤフラムの前記可撓
    面に光を伝える手段と、 前記第1及び第2のコレクション・ファイバによって捕
    えられる光を監視しかつ出力信号を光発生する手段とを
    備えてなり、 前記入力ファイバから伝えられる前記光は前記ダイヤフ
    ラムの前記可撓面から反射され、しかも前記ダイヤフラ
    ムが撓んだときに前記入力ファイバから伝えられた光は
    予め定められた比率に従う前記ダイヤフラムの撓みの大
    きさに比例して前記ダイヤフラムから反射されて前記第
    1及び第2のコレクション・ファイバによって捕えられ
    るものであり、しかも 前記出力信号は前記第1及び第2のコレクション・ファ
    イバに捕えられた光の割合に応じて前記予め定められた
    比率に基づいて計算陣されるものであることを特徴とす
    る環境条件を監視するのに適したダイヤフラムの撓み検
    出装置。
  11. (11)前記ダイヤフラムは温度変化に応答して撓むバ
    イメタル・ストリップを備えることを特徴とする特許請
    求の範囲第10項に記載のダイヤフラムの撓み検出装置
JP59098437A 1983-05-16 1984-05-16 ダイヤフラムの撓み検出装置 Granted JPS6022613A (ja)

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US494843 1983-05-16

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JPH0311644B2 JPH0311644B2 (ja) 1991-02-18

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