JPS60222629A - 皿ばね - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野： 本発明はリング状の基体を有し、この基体から半径方向
外側および（または）内側に舌状片などのようなアーム
が拡がるたとえば自動車の摩擦クラッチに使用する皿ば
ねに関し、少なくとも個々には少なくとも舌状片、舌端
などの範囲の硬度が皿ばね基体の硬度より萬い。

従来の技術： 舌端の硬化はこの場合高周波誘導加熱硬化等によって行
われ、一般にすでにその最終硬度にもたらした皿ばねは
その舌端の範囲が付加的に硬化される。この場合この硬
化は舌端を一定時間高周波電場にさらさなければならな
いので、皿ばね材料の断面にわたって連続的に行われ、
そのためとくに舌端の範囲の破損の危険が高セなる欠点
を伴う。他の公知法によれば異なる硬度の範囲の間の移
行部で硬度が低下する。

発明が解決しようとする問題点： 本発明の目的は舌端の範囲に高い硬度が得られるにもか
かわらす破謝の危険が経済的に避けられ、かつこの部分
が他の要素たとえば解放器と接触する除の摩耗が低下さ
れる前記欠点を除去した皿ばねを得ること！ある。さら
に直接摩耗にさらされる範囲のみの所望の硬化が行われ
、したがってこの皿ばねを安価に製造し得なければなら
ない。

ｆ＆＋１−ｔ。ｇｃ＊１ｆＥ８ｆｔ６ｍ−ｆ−１１Ａｆ
！＠Ｍｔ。、ｔ、６ｍＲｔｆ問題点を解決するための手
段： 本発明によれば上記皿ばねの舌端の範囲の高量硬化によ
って達成される。この粒子線照射は電子ビーム硬化によ
って達成されるけれど、レーザ光線硬化はとくに有利か
つ経済的１あることが明らかになったこの場合−硬度は
有利に自己冷却によって行われる表面硬化によって達成
される。さらに表面および高硬度の範囲に高硬度範囲の
外部とくに皿ばね基体中にあるオーステナイト分の１０
〜４０％の残留オーステナイト分が存在するのはとくに
有ｆｔｌなことが明らかになった。

さらに少なくとも舌端の範囲でさび、腐食または酸化物
を粒子線による短時間処理によって除去するのが有利で
あり、その際さび、腐食または酸化物層は電子ビーム処
理とくにレーザビーム処理による蒸発によって除去され
る。

粒子線の照射は硬化すべき範囲へ少なくともほぼ垂直か
ら皿ばね舌端へ少なくともほぼ平行する角度で行われ、
その際角度は主目的すなわち硬化および（または）浄化
に応じて異なる。

硬化は衝撃的にすなわちいわゆるパルスレーザの使用に
よって行うことができる。照射は振動的にも行われ、さ
らにレーザまたは電子ビーム照射はストリップ状の線形
または波形に実施することが１きる。皿ばね舌状片当り
１５〜２００とくに２０〜８０の照射線を設ければ十分
〒ある。多くの場合点状の照射だけでも十分である。こ
のような皿ばねを製造する際ビームおよび（または）皿
ばねを回転する方法を使用することもできる。

さらに本発明はリング状基体を有し、他の要素を支持す
るためまたは他の要素からもしくは他の要素へトルクを
伝達するために役立つ舌状片がこの基体から拡がる皿ば
ねに関し、その特徴は舌状片が少なくとも他の要素と接
触する範囲に皿ばね基体の硬度より大きい硬度を有し、
この大きい硬度が前記実施例の少なくとも１つにより達
成されることである。この場合皿ばね基体から舌状片へ
の移行部がこの大きい硬度を有しないのがとくに有利′
″ｒ！ｒ！アリわちこの移行部には前記処理が除外され
る。

実施例： 、次に本発明の実施例を図面により説明する。

第１および２図に示す皿ばねはリング状基体２を有し、
この基体から舌状片３が半径方向内側に拡がる。このよ
うな皿ばねの舌端４の範囲はたとえば自動車の摩擦クラ
ッチに使用する場合、解放器または解放スリーブによっ
て負荷される。その際発生する大負い摩耗を低下するた
め前記のようにこの舌端を残りの皿ばね基体より高い硬
度にすることはす１に公知１ある。この場合硬化は半径
方向に比較的大きい範囲にわたりほぼ５で示す範囲まで
行われる。

本発明によりいわゆる短゛時間硬化を′電子ビーム硬化
またはレーザビーム硬化のような粒子線により実施する
場合、この処理は半径方向に比較的小さい範囲６へ制限
することが１き、この範囲は解放部材たとえば解放スリ
ーブによって解放運動およびそれに伴う皿ばねの旋回の
際負荷される範囲を超えて拡がる必要がない。さらに硬
化は表面硬化部７の形で実施するだけ１よ（、それによ
って付加的にエネルギーが暑しく節約される（現在まで
の方法の場合より著しく小さい範囲５にわたって処理す
るだけでよい。）ｄ高い硬度はこの場合自己冷却によっ
て達成される。

とくにレーザビームによる処理を範囲７内に、高い硬度
の範囲の外部とくに皿ばね基体２内にあるオーステナイ
ト分の１０〜４０％の残留オーステナイトが残るように
実施するのがとくに有利なことが明らかになった。

表面のみを硬化する皿ばねの場合弾性が完全に保留され
、さらに意外にもこのように実施した硬化により常用硬
化法たとえば誘導硬化法によるよりも高い硬度を達成し
うることが明らかになった。

粒子線とくにレーザビームによる処理はさらに処理すべ
き位置たとえば範囲６内のさび、腐食または酸化物を除
去するために使用することができ、その際この除去はこ
れらの層の蒸発によって達成される。このような層の除
去は硬化の目的といっしょにまたは浄化の目的のための
みに行うことができる。

とくにレーザビームによる処理は矢印■および■によっ
て示すように、達成すべき効果に応じて少なくともほぼ
垂直からほぼ平行または接線方向に行われる。処理は連
続的照射の形またはＡルスによって実施することができ
、処理したがって硬化も８で示すように点状に行われ、
その除個々の高い硬度の点は重なってもよい。

さらに硬化はレーザ光線および（または）皿ばねの適当
な案内によって９で示すよ゛うに波形に実施することも
でき、さらに波形に形成した個々の硬い範囲が重なるよ
うに形成することもできる。

しかし１０で示すようにストリップ状またはうず巻ばね
状の硬度経過が発生するようにレーザビームおよび（ま
たは）皿ばねを回転することもできる。

皿ばね舌状片当り１５〜２００とくに２０〜８０の照射
線（９または１０のような）を設け、または１つの皿ば
ね舌状片のレーザビームで照射した長さが５〜１００ｃ
ｒｎとくに２０〜８０副であるのが有利なことが明らか
になった。

第３および４図に一部のみを示した皿ばね１ａは基体２
ａから外側へ突出する舌状片３ａを有し、こ・の舌状片
は他の構造部材と接触する範囲６ａに残りの皿ばね基体
２ａより大きい硬度を有する。付加的硬化はこの場合前
記方法によって実施される表面硬化部７ａとして形成さ
れる。皿ばね基体の外縁１１ａは型押部または斜面１２
ａを有し、舌状片３′ａへの移行部は同様凹所１３ａを
備える。この移行部１２ａ、１３ａは高硬度への処理が
除外される。

本発明は図示の実施例に限定されず、内側およ・び（ま
たは）外側に向く舌状片またはアームを有する他のリン
グ状構造部材にも関し、これらはたとえばディスクのよ
うな少なくとも一定範囲の弾性を有し、本発明により高
い硬度へもたらした範囲を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は半径方向内側に向く舌状片を有する皿ばねの一
部平面図、第２図は第１図■−■線断面図、第３図は半
径方向外側に向く舌状片を有する皿ばねの部分平面図、
第４図は第３図■−■線断面図である。 １．１ａ・・・皿ばね、２，２ａ・・・基体、３，３手
続補正書（方式）（自発） （優先権主張臼の更正） 昭和６０年５月２７日 特許庁長官殿 １・事件の表示昭和６０年特許願第３６７４３号２、発
明の名称 皿ばね ３補正ｔする者 事件との関係特許出願人 名称ルーフ・ラメレン・ラント・クツプルングスパウ・
ゲゼルシャフト・ミント・ペンュレンクテル・ハフラン
グ４、代理人 ６、補正の対象 １、理由書２訂正願書３依頼状（コピー）４．１’ｍ５
ＴＤＳ、會べりコビ一

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、リング状の基体を有し、この基体から半径方向外側
   および（または）内側へ舌状片などが拡がり、少なくと
   も舌状片開端の範囲の硬度が皿ばね基体の硬度より大き
   い皿ばねにおいて、舌状片、舌端（３ａ１４）の範囲の
   島い硬度が粒子線照射による短時間硬化によって形成さ
   れていることを特徴とする皿ばね。 ２、舌状片、舌端（”ａ＋４）の範囲の高い硬度が電子
   ビーム硬化（ｅ、６ａ）によって形成されている特許請
   求の範囲第１項記載の皿ばね。 ３、舌状片、６端（３ａ、４）の範囲の高い硬度がレー
   ザビーム硬化によって形成されている特許請求の範囲第
   １項記載の皿ばね。 ４、為い硬度が表面硬化（７，７＆）によって形成され
   ている特許請求の範囲第１項から第３項まｆのいずれか
   １項に記載の朋ばね。 ５、高い硬度（６、６ａ、）が自己冷却によって達成さ
   れる特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれか１
   項に記載の皿ばね。 ６、表面（７，７ａ）・および高い硬度（６，６ａ）の
   範囲の残留オーステナイト分が高い硬度の範囲外のオー
   ステナイト分の１０〜４０％である特許請求の範囲ｉ１
   項から第５項までのいずれか１項に記載の皿ばね。・ ７、少なくとも舌状片、舌端（３ａ、４）の範囲のさび
   、腐食または酸化物を短時間処理によって除去した特許
   請求の範囲第１項から第６項までのいずれか１項に記載
   の皿ばね。 ８、さび、腐食または酸化物層を電子ビーム処理による
   蒸発によって除去した特許請求の範囲第７項記載の皿ば
   ね。 ９、さび、腐食または酸化物層をレーザビーム処理によ
   る蒸発によ・つて除去した特許請求の範囲第７項記載の
   皿ばね。 １０、粒子線を舌状片、舌端（３ａ、４）の硬化すべき
   範囲（６，６＆）へほぼ垂直に照射した特許請求の範囲
   第１項から第６項までのいずれか１項に記載の皿ばね。 １１粒子線を浄化すべき表面へ少なくともほぼ平行に照
   射した特許請求の範囲第７項から第９項までのいずれか
   １項に記載の皿ばね。 １２、硬化または処、理をＩＲルス状に実施した特許請
   求の範囲第１項から第１１項までのいずれか１項に記載
   の皿ばね。 １３、振動照射を実施した特許請求の範囲第１項から第
   １２項までのいずれか１項に記載の皿ばね。 １４、レーザとして／ｅルスレーザを使用した特許請求
   の範囲第１項から第１３項までのいずれか１項に記載の
   皿ばね。 １５レーザまたは電子ビームをストリップ状の線（９，
   １０）の形に照射した特許請求の範囲第１項から第１４
   項までのいずれか１項に記載の皿ばね。 １６、波形に照射した特許請求の範囲第１項から第１５
   項まフのいずれか１項に記載の皿ばね。 １７、皿ばね舌状片（４）に当り１５〜２００の照射線
   を照射した特許請求の範囲第１５項または第１６項記載
   の皿ばね。 １８、点状（８）に照射した特許請求の範囲第１項から
   第１７項までのいずれか１項に記載の皿ばね。 １９ビームおよび（または）皿ばね（１）を回転する特
   許請求の範囲第１項から第１８項までのいずれか１項に
   記載の皿ばね。 ２０、他の要素を支持するためまたは他の要素からもし
   くは他の機素ヘトルクを伝達するために役立つ舌状片が
   リング状基体から半径方向外側および（または）内側へ
   拡がり、舌状片（３ａ）が少な（ともほぼ他の要素と接
   触する範囲（７ａ）に皿ばね基体（２ａ）の硬度より大
   きい硬度を有する特許請求の範囲第１項から第１９項ま
   ｆのいずれか１項に記載の皿ばね。 ２１、皿ばね基体（２ａ）から舌状片（３ａ）への移行
   部（１２ａ、１３ａ）が凹所を備えている特許請求の範
   囲第２０項記載の皿ばね。