JPS60220538A - 扁平型カラ−陰極線管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はビームインデックス方式の扁平型カラー陰極線
管に関する。

（ロ）　従来技術 ビームインデックス方式のカラー陰極線管は良く知られ
ているようにパネル内面にインデックス螢光体と、この
インデックス螢光体と一定の関係をもつて配置された三
原色螢光体とが設けられた螢光面を単一の電子ビームで
走査したときに得られるインデックス元信号によって前
記電子ビームが所Ｖの色蛍光体を所見の電子ビーム量で
刺激することによりカラー画像を再生するようにしたも
のである。

ところでこのようなビームインデックス方式を用いた扁
平型カラー陰極線管には２つのタイプがある。その一つ
は第７図に示す如き構成となっている。亮７図において
（１１は゛電子銃（２）が収納されるネック都（３）と
、ファンネル部（４）と、螢光面（５）が内面に施され
るパネル部（６）とから構成される扁平ガラス管体でろ
つて、前記螢光面（５）は電子銃（２）の中心軸〔無偏
向時における電子ビーム（７）の進行方向〕に対し℃傾
斜して配置されるようになつ℃いる。

前記螢光面（５）はパネル（６）の内面に赤、緑、省の
三原色螢光体ストライブ（８）全繰返し配した面を設け
、その面上にアルミニツムのメタルバック層（９）を設
け、該メタルバック層（９）上にインデックス螢光体ス
トライプ（ｌＯ）ｔ−前記三原色螢光体ストライプ（８
）と一定の関係をもって設けられることにより構成され
る。

斯る扁平型陰極線管の場合、電子銃（２１から発射され
た単一の電子ビーム（７）が偏向ヨーク（１４１で偏向
され螢光面（５１を走査したときに得られるインデック
ス元はファンネル部（４）の背面側に設置された集光板
αＤに入射し、該集光板ａυにおいて集光されたインデ
ックス元はそこで受光素子の感度に合致した波長に変換
されて集光板αυの端面に設けられたフォトタイオード
（１２１に導かれ、該フォトダイオード１２におい℃電
気信号に変換されるようになっている。尚、前記集光根
囲は特開昭５７−６５６−５１号公報に記載したものが
使用できる。一方、電子ビーム（７）はメタルバック層
（９）を通過して三原色螢光体ストライプ（８）全刺激
するので、その色蛍光体ストライブの発光はパネル（６
）ヲ介して観察される訳である。ところが、このような
構成の扁平型カラー陰極線管ではメタルバックＩ！ｍＦ
９１に一介して電子ビーム（７）が三原色螢光体ストラ
イブ（８）ｔ−刺激するので再生されるカラー画像の輝
度が十分に得られないという欠点がある。特に電子銃（
２）の中ｊＪ軸に対し螢光面（５）が傾斜して配置され
ているので、電子ビーム（７）が螢光面（５）に斜めに
入射し、このためメタルバック層（９）内を通過する電
子ビームの走行距離が長くなり、電子ビームのエネルギ
ーがメタルバック層（９）内で減衰する割合が多くなっ
て、三原色螢光体ストライブ（８）の発光輝度が増々低
下することになる。

このような欠点を除去すべく構成された他のタイプの扁
平型カラー陰極線管が特開昭５７−２７５４１号公報に
記載されており、第８図はそのような扁平型カラー陰極
線管の概略構造金示している。第７図と同一部分には同
一符号を付した第８図において上記従来のものと異なる
点はパネル部（６）の内面にインデックス螢光体ストラ
イプｕｒｍ’を設け、このインデックス螢光体ストライ
プ（１１−ｆｆｌうようにメタルバック層（９）全均一
な厚みで設け、このメタルバック層（９）上に三原色螢
光体ストライブ（８）全積層して設けるようにしている
。勿論この場合ニオイテモ三原色螢光体ストライプ（８
）の配列に対し一足の関係全もってインデックス螢光体
ストライフ１１ｔｌｌが配置されている。

このように構成された扁平型カラー陰極線管では、電子
ビーム（７）が直接三原色螢光体ストライプ（８）全刺
激して発光せしめ、しかもその発光はメタルバック層（
９）で扁平ガラス管体（１）内の真空空間に向けて反射
されるので、ファンネル（４）に設けられた透明な観察
窓α３を介して明るいカラー画像を観察できるものであ
る。

しかしながら、前記螢光面（５］は第９図にもその詳細
な構造が示されてｈるように、電子ビーム（７）はメタ
ルバック層（９）を通過してインデックス螢光体ストラ
イ−ｔａＯ１２刺激するのでインデックス螢光体ストラ
イプ００１の発光が弱くなり、このためパネル部（６）
ヲ介して集光板Ｑｌ）に入射されるインデックス元の強
度が十分に得られないことになる。周知のようにビーム
インデックス方式のカラー受像機テハ、電子ビームの位
置を知るために常にインデックス信号を得る必要が６シ
、黒画面を再生するときも一定以上のビーム電流を流す
ようにしている。このため黒レベル再現時におけるイン
デックス信号を得るに必要な電子ビーム量は少ない方が
画像のコントラストラ向上させる上で好ましいものであ
る。ところが、上記したようにメタルバック層によって
電子ビームのエネルギーが減衰するので電子ビームが直
接インデックス螢光体ストライブを刺激する場合に比べ
て黒レベル再現時における鑞子ビーム遣を多くしなけれ
ばならず、このためコントラストの低下を余儀なくされ
る・し９　発明の目的 本発明は上記後者のタイプの扁平型カラー陰極線管に：
ｐける上述の欠点全解消することを目的とするものであ
る。

に）発明の構成 本発明ｔユ扁平ガラス管体の相対する第１、第２の管壁
のうち第１の管壁の内面にインデックス螢光体ストライ
ブと、メタルバックｊ−と、前記インデックス螢光体ス
トライブと一定の関係をもっとともに互いに離間して配
置されその離間部分に前記インデックス螢光体ストライ
ブが位置するように設けられた赤、緑、Ｎの三原色螢光
体ストライブとからなる螢３を面を形成し、該螢光面を
電子ビームで走査したときに前記インぞツクス螢光体ス
トライプから得られるインデックス光を前記第１の管壁
の外面側で集光するとともに前記三原色螢光体ストライ
ブの発光を前記第２の管壁の外側から観察するようにし
た扁平型カラー陰極線管において、前記三原色螢光体ス
トライブと対接するメタルバック層の厚みを、前記三原
色螢光体ストライブの発光上前記第１の管壁側に実質的
に透過せしめない厚さに設定するとともに前記インデッ
クス螢光体ストライプ上にはメタルバック層を設けない
か、或は前記三原色螢光体ストライブと対接するメタル
バック層の厚みと比較して十分に薄いメタルバンク１ｍ
を設けたことを特徴とする構成である。

（ホ）実施例 第１図は本発明の扁平型カラー陰極線管の概略構成を示
しており、扁平ガラス管体の構成、シ子銃Ｃ２）、偏向
ヨークＩ及び集光板（１１１の配置位置について（ｒＪ
、ＭＢ図のものと＠Ｕ様であるので同一符号を付してあ
り、以下本発明の特徴部分である螢光面α−の構造＊　
Ａ　−Ａ’線で断面した第２図乃至第５図及び第６図の
特性図を参照しつつ説明する。尚、第２図乃至第５図に
おい℃共通部分には同−図４’！ｃ付している。

第１図は第１の実施例を示しておυ、赤（刊、緑（Ｇ１
、青（Ｂｌの三原色蛍光体ストライブはパネル部（６１
の内面に設けられたアルミニウムのメタルバック層１６
１上に各色蛍光体ストライブ（Ｒ）（Ｇ）（Ｂ）が互い
に所定間隔離間するようにして形成されている。一方、
ｐ４７螢光体からなるインデックス螢光体ストライブ面
は三原色蛍光体ストライブ（１（Ｇ）（Ｂｌと一定の関
係をもつとともに各色蛍光体（Ｒ）（（））（Ｂｌの離
間部α秒に位置するように前記パネル部（６）の内面に
設けられており、インデックス螢光体ストライブ（１７
）上にはメタルバック層を全く施さないようにしている
。

そして、前記三原色螢光体ストライブ（■（Ｇｌ（Ｂｌ
ｋ対接するメタルバック層重ｅはその厚みを十分に厚く
、換言すれば電子ビームが三原色螢光体ストライブ（■
（（））（Ｂ）　’ｅ刺激したときの発光がメタルバッ
ク層（１６１を透過せず全部反射させるのに十分な厚み
（Ｉ！１）ｌＣ設定される。このアルミニウムのメタル
バック層（Ｌ６）の反射効果による層光体の発光輝度と
メタルバック層（１０の膜厚との関係は、電子ビームを
加速する電圧の大きさの違い、メタルバック層を施すガ
ラス面の状態やメタルバック層上に螢光体を形成する際
のメタルバック層の劣化の進み方によって一概に言えな
いが、一般的には第６図のような関係がある。従り℃、
本発明に２いては三原色螢光体（朗（２）（Ｂｌの発光
輝度を十分に得るためにメタルバック層１・の厚みを少
なくとも３００〇八〜４ｏｏｏＬ程度にするか、それ以
上の厚みに設定するようにし℃いる。

斯る構成にすれば、電子ビーム（７）による三原色蛍光
体ストライブｆＦＯｆ（））（Ｂ）の発光は全てメタル
バックｊ＠（ｍで反射さ几て観察窓（１３）に向って放
出さｎるので、前記観察窓α３１ｔ−介して明るいカラ
ー画像が観察できる。しかもインデックス螢光体ストラ
イブ（Ｌ７）の上にはメタルバック層ｔｔｅが設けられ
℃いないので電子ビームが減衰せずにインデックス螢光
体上ｎを刺激し、こｎによって強いインデックス光をパ
ネル部（６）ｔ−通して得られる。尚、（ｔ！ｌｌは透
明導電膜であって、該導電膜仕りは必要に応じてファン
ネル（４）の観察窓ａ３に設けられ、メタルバック層（
１６］と同電位（アノード電位）に保たれる０第３図は
第２の実施例を示しており、第１の実施例と異なるとこ
ろは、インデックス螢光体ストライプ面の上に、三原色
螢光体ストライプ（■（（）ｌ（Ｂ）が設けられるメタ
ルノ（ツク層（＋ｂ）の厚み（１１）に比較して十分に
薄い厚み（１２）のメタル／（ツク層任ｄ−ｉ設けてい
る。このメタルノ（ツク層＋ｕ６ｔｄ電子ビーム（７）
が通過する際、そのエネルギー損失力；可及的に少なく
、且つインデックス螢光体ストライプ（ｉηの発光を一
定以上反射する厚みに設定され、その厚み（ｊ’２）Ｕ
例えばメタルノ（ツクＩＩＩに印カロされる電圧が略６
ＫＶのとき５００χ程度以下刃；適当である。

この実施例ではメタルノ（ツク層αｄの反射効果により
パネル部（６）から大気側に放射されるインデックス光
は第１の実施例の場合に比較して１０〜２０％程度の輝
度の増加、すなわちインデックス信号散が増加される。

上記第１の実施例のようにパネル部（６）の内面に施さ
れたインデックス螢光体ストライプαη上にメタルバッ
ク層を設けないように螢光面を形成する方法としては （ａ）　インデックス螢光体ストライプを配置する部分
をマスキングをしてアルミニウムをパネル内面に蒸着す
る方法、 （ｂ）　パネル内面にアルミニ９ムを蒸着後、インデッ
クス螢光体ストライプを配置する部分のアルミニウムを
エツチングにより除去する方法、（ｃｌ　パネル内面に
アルミニワムを蒸着後、インデックス螢光体ストライプ
ｔ＆装置する部分のアルミニウムを剥離する方法、等が
める。

また、第２の実施例の如くインデックス螢光体ストライ
プ上に薄いメタルバック層を設ける場合は上記（ａＨｂ
）（ｃ）の方法で所定位置にインデックス螢光体ストラ
イプを設け、その後再びアルミニワムを蒸着させるよう
にすれば艮い。

第４図は第３の実施例を示しており、第１の実施例で示
された螢光ｌｆｉα−にＩＴＯ（酸化インジクムに酸化
すずをドープしたもの〕の薄膜の如き極めて薄い透明導
電膜■を蒸着によって螢光面（１５１の全体を覆うよう
に形成したものである。

一般に螢光体は絶縁体であるので、メタルバック層に所
定の晶電圧を印加しても、螢光体には′α圧が印加さｉ
ｔない。このため４１図の実施例の場合電子ビームが所
定の蛍光体を所だのエネルギーで刺激し嬌いが、この実
施例の如く各螢光体ストライプを覆うようにすれば、各
螢光体の表面がメタルバック層の電位と等しくなるので
螢光体の発光輝度全史に向上させることかできる。

また、上記のように螢光体を透明導゛成膜ｊで覆うこと
により、電子ビームによ／：）螢光体のイオン焼けを防
止する保護膜になるとともに螢光体ストライプの＠離を
も防止できる。

更に、前記透明導電膜（２）の膜厚を可視光の波長のＡ
にすることによシ、該透明導・成膜Ｑυが光選択吸収効
果を有しメタルバックＨ＠　ａｄによる反射と・透明導
電膜ＣＯ＋の表面〔メタルバック）＠　（ｌｔと接する
面と反対側の而〕で反射した元）；互いに干渉し弱まる
ので、この結果観察窓（１３１から入射する外部光のメ
タルバック層上ばでの反射によるコントラストの低下を
少なくできる。

尚、図示の実施例の如く、透明４電Ｉｌ！！ｊ上に更に
酸化ケイ素等の透明保護薄膜Ｃｌ１ｌを蒸着等の手段に
よシ施すことにより、螢光体と透明導電膜との熱膨張係
故の差等に起因する透明導電膜の経年劣化を防止できる
。

第５図は第４の実施例を示しており、第２の実施例で示
された螢光面α４ｖｃ前記透明導電膜山及び透明保護薄
膜−１１を設けに場合を示している。第３及び第４の実
施例における透明導は膜団及び透明保護薄膜シＤは極め
”Ｃ薄い膜厚に設足さｆＬるので、これによって′電子
ビームのエネルギーを実質的に減少させることはない。

また、特に図示はしないが上記第１〜第４の実施例にお
い℃、インデックス螢光体ストライプαＤが配置されな
い三原色螢光体ストライプ（■（Ｇｌ　（Ｅｌの離間部
分のメタルバック層（１６１上に黒色非発光物質−１か
らなるガートバンドを設けるようにしても艮い。

（へ）発明の効果 本発明の扁平型カラー陰極線管に依れば、明るいカラー
画像を再現でき、しかも少ない電子ビームはで大きな強
度のインデックス信号が得られる　プ。

ので画像のコントラストも向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の扁平型カラー陰極線管の概略構造を示
す断面図である。第２図乃至第５図は第１図の八−に線
で断面した場合における本発明の異なる実施例をそれぞ
れ示しており、第２図は第１の実施例を示す断面図、第
６図は第２の実施例を示す図、第４図は第３の実施例を
示す図、第５図は第４の実施例を示す図である。第６図
はメタルバックｊ―の膜厚と螢光体の発光輝度との関係
を示す図である。第７図は従来の扁平型カラー陰極線管
の断面図である。第８図は従来の他の扁平型カラー陰極
線管の断面図、第９図はその要部の構成を示す断面図で
ある。 ｉｌ＋・・・扁平ガラス管体、（６）・・・パネル部（
第１の管壁）、　＋７）−ｊ４子ビーム、　ａ３・・・
観察窓、圃ｕハ・・・メタルバック層、　αｎ・・・イ
ンデックス螢光体ストライプ、（Ｒ）（Ｇｌ　（Ｂ）・
・・三原色螢光体ストライ出願人　三洋電機株式会社 代理人　弁理士　佐　野　静　夫 第４図 第５図 第６図 （％） メタルハ゛叩り４Ｑ月更１１ 第７図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）扁平ガラス管体の相対する第１、第２の管壁のう
   ち第１０管壁の円面にインデックス螢光体ストライブと
   、メタルバック層と、前記インデックス螢光体ストライ
   ブと一足の関係をもつとともに互いに離間して配置さ几
   その離間部分に前記インデックス螢光体ストライブが位
   置するように設けられた赤、緑、青の三原色螢光体スト
   ライブとからなる螢光面を形成し、該螢光面を電子ビー
   ムで走査したときに前龜己インデックス螢光体ストライ
   ブから得られるインデックス光を前記第１の管壁の外面
   側で集光するとともに前記三原色螢光体ストライブの発
   光を前記第２の管壁の外側から観察するようにした扁平
   型カラー陰極線管におい℃、前記三原色螢光体ストライ
   ブと対接するメタルバック層の厚みを１前記三原色螢光
   体ストライブの発光を前記第１０管壁側に実質的に透過
   せしめない厚さに設定するとともに前記インデックス螢
   光体ストライブ上にはメタルパンク層を設けないか、或
   は前記三原色螢光体ストライブと対接するメタルバック
   層の厚みと比較し℃十分に薄いメタルバック層を設けた
   ことを特徴とする扁平型カラー陰極線管。