JPS6021960B2 - Hg↓1−↓xCd↓xTe組成層の製法 - Google Patents

Hg↓1−↓xCd↓xTe組成層の製法

Info

Publication number
JPS6021960B2
JPS6021960B2 JP56024388A JP2438881A JPS6021960B2 JP S6021960 B2 JPS6021960 B2 JP S6021960B2 JP 56024388 A JP56024388 A JP 56024388A JP 2438881 A JP2438881 A JP 2438881A JP S6021960 B2 JPS6021960 B2 JP S6021960B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
layer
manufacturing
xte
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56024388A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS56134600A (en
Inventor
アラン・デユラン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Societe Anonyme de Telecommunications SAT
Original Assignee
Societe Anonyme de Telecommunications SAT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Societe Anonyme de Telecommunications SAT filed Critical Societe Anonyme de Telecommunications SAT
Publication of JPS56134600A publication Critical patent/JPS56134600A/ja
Publication of JPS6021960B2 publication Critical patent/JPS6021960B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • H01L31/1832Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising ternary compounds, e.g. Hg Cd Te
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02Epitaxial-layer growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C30B29/48AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367Substrates
    • H01L21/0237Materials
    • H01L21/024Group 12/16 materials
    • H01L21/02411Tellurides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439Materials
    • H01L21/02469Group 12/16 materials
    • H01L21/0248Tellurides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494Structure
    • H01L21/02496Layer structure
    • H01L21/0251Graded layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/02521Materials
    • H01L21/02551Group 12/16 materials
    • H01L21/02562Tellurides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656Special treatments
    • H01L21/02664Aftertreatments
    • H01L21/02667Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/22Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
    • H01L29/221Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds including two or more compounds, e.g. alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264Inorganic materials
    • H01L31/0296Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • H01L31/02966Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe including ternary compounds, e.g. HgCdTe

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、内部均質度が非常に高くCdTe基体への遷
移が急激なHg,〜CdxTe層の取得を可能にするC
dTe基体上に形成されるHg,〜CdxTe組成の層
を製造する製造方法に関する。
Hg,〜CdxTe合金は、数値xの大きさにより親定
される比率をもつHgTeとCdTeとの混合物である
と考えてよく、その禁止帯の幅は77KにおけるCdT
eについてのEg=1.金Vから、数値xの関数として
変化する。
x=0.20の場合、禁止帯の幅は77Kで約0.1e
Vであり、分光感度の対応領域は8〜1小mである。こ
こで問題になる数値xの大きさは、基体と反対側の表面
においての組成を規定し、カドミウムの比率はこの表面
貝0ち外表面から離れるにつれて1までxだけ増大する
Hg,‐xCdxTeのェピタキシャル層は、フランス
国特許第1447257号に記載されたEDRI技術(
等温状態蒸着一拡散法、ISothennaIRegm
eEVaporation−Diff瓜ion)によっ
て得るのが適当である。
この方法は、真空室中にCdTeウェフアーとHgTe
ウェフアーとを対向しておき、一定の高温、通常500
0C〜6000○の温度にする工程から成るものである
。薄い層の場合、この方法では、表面の組成についての
数値xは多くとも0.10〜0.15であり、これは要
求値には不足する。数値xの所望値例えばx=0.20
を得るため、米国特許第3725135号によれば、或
る量の水銀を処理室内に導入することによって処理室中
に過剰な水銀蒸気圧が設定される。
しかしこの方法によって確保される内部均質度は充分で
はない。
換言すれば、表面近くの△x/△e勾配(eは層の厚さ
を示す)が過大になる。そのためソリツド材料に適用可
能な技術を後に用いることができない。その上、H封〜
CdxTe組成物の表面領域とCdTe基体との間の遷
移が非常に緩徐なため、カドミウムの比率xが徐々にx
=1まで増大してゆく中間領域の厚さが相当大きくなる
そのため、基体側の表面を放射にさらされる表面として
使用できないという不都合が生ずる。
それは表面領域に近接した中間領域の部分の組成、従っ
て禁止帯の幅が表面領域のそれに近以しているからであ
る。基体例の表面を照明する場合、問題のスペクトル帯
城に含まれる例えば8〜1小のの波長の光子は、大さは
幅の禁止帯をもつ基体を通過するが、表面領域い到達す
る前に中間領域により吸収される。
基体側の表面を照明することにはいくつかの利点がある
特に集電に必要な電気的接続はpn接合が近傍にある、
基体と反対側の表面に設けねばならないから、この電気
的接続を有する表面は放射にさらされることはないであ
ろう。ころは接合の面積を少〈し、従って活性点の密度
を高くすることを可能にする。更に放射を集中させるレ
ンズの形に基体を形成することもできる。しかし基体側
の表面を照明することは、中間領域による光子の吸収従
って中間領域の厚さを相当減少させた場合にしか試みる
ことができない。
従って本発明の目的はHghCdxTe表面層の内部均
質度が高く、この表面層と基体との間の急激な遷移を示
す(従って中間領域の厚さが非常に薄い)、CdTe基
体上の薄いHg,‐xCdxTeェピタキシャル層を製
造するにある。この目的を達成するため、本発明によれ
ば、CdTe基体上にェピタキシャル成長により形成し
たHg,‐x。
Cd刈Te層(x。は所望値xより小さい値とする)に
より形成されたウェフアーを融解処理し、次にこのウェ
フアーを急冷する。本発明は、融解範囲に含まれる所定
の温度Tにおいて、液相の日9へCdxTeと固相Hg
,★CdxTeとの間に組成差があることに存する。
第1図の状態図からわかるように、液相の組成×しは固
相の組成×sと平衡状態にあり、素成×Lと×sとの中
間組成は存在し得ない。第2図に示すプロフイルをもっ
た、組成XLより少ない組成の表面領域と、組成×Lと
×sとの中間の組成の中間領域と、組成Xsより大な組
成の領域とから成るウヱフアーを融解処理すると、表面
領域(X<×L)は液相に移行し、基体側の領域(×>
×s)は固相のままであり、中間層(XL<×く×s)
は液体部分と固体部分とに区分される。
冷却により、この状態が固定化され、液相は一たび固化
すると、融解の間液体になった複数領域の出発組成の平
均である均質な組成を呈する。このように液相の固化に
より生じた全表面部分では表面の△x/△e勾配は事実
上ゼロに等しくなる。また固相から生ずる部分は、少く
ともXsに等しい組成をもち、これにより表面部分に対
して非常に急激な遷移が実現される。所望値xが得られ
るように、所定の最初の組成プロフィルに対する融解温
度Tを定めることは容易にできる。
それは、はっきり定まったXL,Xsの値は温度Tに対
しているからである。以下に図面に示した実施例によっ
て本発明を更に詳述する。
図を参照して、第1図は、固相曲線Sと液相曲線Lとか
ら成る日&すCdxTeの状態図を示す。
一定の温度例えば800ooでは液相は組成XL=0.
2を有し、固相は組成×s=0.5を有し、組成×しと
X3との間の平衡組成は存在しないことがわかる。この
性質が、以下に説明するように、CdTe基体上にェピ
タキシャル成長した、すぐれた内部均質性と基体に対す
る急峻な組成の遷移とを示すHg,〜CdxTe層を得
るのに利用される。第2図において、破線で示した曲線
2Aは、前述したEDRI技術に従ってCdTe基体上
にェピタキシャル成長により析出した日9★CdxTe
薄層の組成プロフィルを示す。この層の厚さは2地肌で
、表面組成xは約0.13である。EDRI技法は多く
ら文献に記載されており、この薄層をなす出発層を造る
態様についての詳細な説明は必要ではない。EDRI技
法によってすぐれた半経方向の均質度は得られない、薄
層の場合には特に、内部均質度が良くないことが知られ
ており、曲線2Aにより示されるように、内部勾配△x
/△e(eは厚さを示す)は非常に大きい。
本発明による製造方法は、H乱すCdxTe層を融解範
囲に含まれる温度Tにしたのち急冷することから成るも
のである。融点Tを80ぴ0と想定する。
組成×L、 ×sは第1図の状態図により規定され、そ
れぞれ0.2および0.5に等しい。これらの数値を第
2図の組成プロフィル上にプロットすると、出発層が下
記の3つの領域:すなわち組成が0.2より4・さし、
表面領域、組成が0.5より大きい基体に隣接した内部
領域、並びに組成が0.2と0.5の間にある中間領域
に区分されることがわかる。温度を800℃にすると、
状態図からわかるように、表面領域は液体になり、内部
領域は固体のままであり、中間領域は、固体のままの部
分と液体になる部分とに区分される。
液相は明らかに均質であり、そのカドミウムの比率xは
液体の状態に移行した層の部分のカドミウム比率の平均
値である。急速な液体の固化をひき起こすが、組成を変
化させることはない。最終的に得られた組成プロフィル
は第2B図の実線曲線2Bにより示される。
組成x=0.20の表面領域の内部勾配は0である。こ
の表面領域へ厚さは約1をmである。この表面領域に続
いて、1〜2仏のの厚さに亘り組成xがx=0.20か
らx=0.50に移行する非常に急激な遷移領域がある
。内部領域は最初の組成プロフィルと変らない。このよ
うに取得されたゥェフアーは、前述の組成ブロフィルに
より、基体側の表面すなわち後側の表面を経て照明され
る赤外線検出器の製造に使用できる。禁止帯の幅が広い
CdTe基体は、問題の波長則ち8〜1小mの範囲の波
長をもつ光子を通過させ、遷移領域は厚さが非常に小さ
いので事実上光子吸収しない。光子は遷移領域のみにお
いて、遷移領域の近傍に位置されたpn接合のところで
吸収される。遷移領域は約1叫のと厚さが非常に小さい
ので、このことはいかなる問題も生じない。この実施例
において、表面領域にて得られた数値z(0.20に等
しい)は状態図から得られる組成XLに対応している。
しかしこの合致は必要ではなく、その反対に、上述した
説明から明らかなように、得られた数値xは組成×Lと
異なっていてもよい。数値xは実際には、組成Xo=「
(e)の最初のプロフィルと、融解温度Tとに依存する
温度Tは融解処理の間に液体になる層部分の厚さeしを
定め、数値xは厚さeLについての〆(e)の平均値で
あり、積分値手・岬ナ(e)肥 に対応する。
第3図に示す例は、より厚い層に関連している。
鎖線曲線3Aは、EDRI技法によって得た層(厚さ1
7&肌)の最初のプロフイルを与える。この表面表面謙
成神は約0.03である。実線曲線38は本発明による
80000における処理によって得たプロフィルを示し
ている。
均質な表面領域STは約120山肌に宜って延び組成x
=0.14〜0.15を有する。この表面領域は組成が
0.15から約0.60に変化する約55離れの厚さの
第1非常に急激な遷移領域TUに続き、次いで第2の、
それ程急激でない遷移領域UVが第1遷移領域を基体に
後続している。第3図には1点鎖線による曲線3Cも示
し、この曲線3Cは、出発層をフランス特許第7917
014号(公告N02460545に記載された碗なま
し処理にかけることにより得られたプロフィルを示す。
この場合には表面から約140〆机の厚さに亘り組成が
0.05変動しているので、僅少であるがかなりの内部
勾配が表面領域に見られる。更に、表面領域と基体との
間の中間領域では本発明により得られる層におけるより
も組成ははるかに緩徐に増大する。従ってこのウェファ
−から製造された赤外線検出器は、基体側から照明され
ることによっては作動し得ないであろう。第4図、第5
図および第6図には本発明による熱処理の実用的な実施
例が示されている。
処理は電気炉10(第4図参照)内において行われる。
加熱要素11は室12を囲み、室12の内部には処理さ
れるべきウェフアーを収容した石英管15が吊下されて
いる。室12は管状であり、石英ウールのような耐火材
料から出来ているストッパー13により両端が閉ざされ
ている。石英管15は室12の中心部に、従って温度の
一定な領域におかれている。第5図に石英管15の底部
の拡大断面図を示す。
処理すべきゥェフアーPは、石英管15の内部に積重ね
られ、環状シム16及び円板17により隔だてられてい
る。これらの要素は全て石英製である。第6図には、処
理温度800℃とした場合について、処理時間tの関数
としての温度Tの推移が示されている。
温度上昇段階は約2.8時間続き、この期間は、電気炉
の作動のみに関連する。実際の処理は約2.虫時間に亘
り温度を800℃に保つことに存する。この段階の初期
の温度は実際には800qoよりごくわずか低く、処理
終了時近くにやっと800qoの温度になる。次に炉を
停止させ、温度を急激に下降させる。これにより、融解
相の終了時の状態に組成プロフイルが固定化される。本
発明による処理は非常にすみやかであり、全体の処理時
間は5時間より少し多いし・だけである。
【図面の簡単な説明】
第1図はHgMCdxTeの状態図、第2図は薄層の場
合について本発明の製造方法により得られる組成プロフ
ィルの一例を示す図、第3図は比較的厚い層の場合に本
発明を適用する別の実施例を示す図、第4図は熱処理装
置の略説明図、第5図はゥェフアー支持装置の部分的な
側断面図、第6図は本発明による熱処理の温度推移を示
す図である。 10・・・・・・電気炉、11・・・・・・加熱要素、
12・・・・・・室、15・・・・・・石英管、16・
・・・・・環状シム、17・・・・・・円板、P・・・
・・・処理すべきウェフアー。 FIG.IFIG.2 FIG.3 FIG.4 FIG.5 FIG.6

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 CdTeの基体上に減圧等温蒸着拡散によりミクロ
    内部均一性とCdTe基体へ漸進的に組成が近づくこと
    を特徴とするHg_1_−_xCd_xTeエピタキシ
    アル層を備えたウエフアーを製造する方法において、
    CdTe基体上にエピタキシアル成長により中間体組成
    のHg_1_−_x_0Cd_xTe層(x_0<x)
    を析出させ、該中間体層を該中間体層の液相線以上の温
    度に加熱して融解し、 該融解した層を急速に冷却する
    ことを特徴とするCdTe基体上にHg_1_−_xC
    d_xTeエピタキシアル層を備えてなるウエフアーの
    製法。 2 中間体層を800℃で融解する特許請求の範囲第1
    項記載の製法。 3 加熱を2.5時間維持する特許請求の範囲第1項ま
    たは第2項記載の製法。
JP56024388A 1980-02-22 1981-02-23 Hg↓1−↓xCd↓xTe組成層の製法 Expired JPS6021960B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8004015 1980-02-22
FR8004015A FR2484469A1 (fr) 1980-02-22 1980-02-22 Procede de preparation de couches homogenes de hg1-xcdxte

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS56134600A JPS56134600A (en) 1981-10-21
JPS6021960B2 true JPS6021960B2 (ja) 1985-05-30

Family

ID=9238896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56024388A Expired JPS6021960B2 (ja) 1980-02-22 1981-02-23 Hg↓1−↓xCd↓xTe組成層の製法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4435224A (ja)
EP (1) EP0034982B1 (ja)
JP (1) JPS6021960B2 (ja)
DE (1) DE3162193D1 (ja)
FR (1) FR2484469A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2116363B (en) * 1982-03-03 1985-10-16 Philips Electronic Associated Multi-level infra-red detectors and their manufacture
FR2544131B1 (fr) * 1983-04-08 1985-07-05 Telecommunications Sa Detecteur photovoltaique en immersion optique
GB8324531D0 (en) * 1983-09-13 1983-10-12 Secr Defence Cadmium mercury telluride
US4507160A (en) * 1983-12-23 1985-03-26 Texas Instruments Incorporated Impurity reduction technique for mercury cadmium telluride
US4504334A (en) * 1983-12-23 1985-03-12 Texas Instruments Incorporated Gettering method for mercury cadmium telluride
FR2557730B1 (fr) * 1983-12-29 1987-01-16 Menn Roger Couche photoresistante a variation de composition atomique et son procede de fabrication, cellule photoresistante munie d'une telle couche et d'un filtre de longueur d'onde et arrangement de telles cellules
US4589192A (en) * 1984-11-02 1986-05-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Hybrid epitaxial growth process
US4588446A (en) * 1985-02-21 1986-05-13 Texas Instruments Incorporated Method for producing graded band gap mercury cadmium telluride
US4743310A (en) * 1985-08-26 1988-05-10 Ford Aerospace & Communications Corporation HGCDTE epitaxially grown on crystalline support
US4914495A (en) * 1985-12-05 1990-04-03 Santa Barbara Research Center Photodetector with player covered by N layer
US5004698A (en) * 1985-12-05 1991-04-02 Santa Barbara Research Center Method of making photodetector with P layer covered by N layer
US5079610A (en) * 1985-12-05 1992-01-07 Santa Barbara Research Center Structure and method of fabricating a trapping-mode
US5182217A (en) * 1985-12-05 1993-01-26 Santa Barbara Research Center Method of fabricating a trapping-mode
FR2593196B1 (fr) * 1986-01-21 1988-04-15 Telecommunications Sa Procede de preparation d'un lingot cristallin de hg1-xo cdxo te
US4740386A (en) * 1987-03-30 1988-04-26 Rockwell International Corporation Method for depositing a ternary compound having a compositional profile
US4933207A (en) * 1988-01-22 1990-06-12 Hughes Aircraft Company Laser and thermal assisted chemical vapor deposition of mercury containing compounds
JP2754765B2 (ja) * 1989-07-19 1998-05-20 富士通株式会社 化合物半導体結晶の製造方法
US5510644A (en) * 1992-03-23 1996-04-23 Martin Marietta Corporation CDTE x-ray detector for use at room temperature

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3622405A (en) * 1970-06-22 1971-11-23 Honeywell Inc Method for reducing compositional gradients in{11 {11 {11 {11 {11 {11 {11 {11 {11 {11

Also Published As

Publication number Publication date
US4435224A (en) 1984-03-06
FR2484469A1 (fr) 1981-12-18
EP0034982A1 (fr) 1981-09-02
DE3162193D1 (en) 1984-03-22
EP0034982B1 (fr) 1984-02-15
JPS56134600A (en) 1981-10-21
FR2484469B1 (ja) 1982-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6021960B2 (ja) Hg↓1−↓xCd↓xTe組成層の製法
US4846926A (en) HcCdTe epitaxially grown on crystalline support
Tufte et al. Growth and Properties of Hg1− x Cd x Te Epitaxial Layers
US5725671A (en) Apparatus for manufacturing chalcopyrite film
WO1982001671A1 (en) Process and apparatus for growing mercury cadmium telluride layer by liquid phase epitaxy from mercury-rich melt
EP0069453A1 (en) A process for forming semiconductor alloys having a desired bandgap
US3565703A (en) Silicon carbide junction diode
US2953529A (en) Semiconductive radiation-sensitive device
US4135027A (en) Semiconductor element embodying an optical coating to enhance thermal gradient zone melting processing thereof
US4863553A (en) Method of preparing radially homogenous mercury cadmium telluride crystals
US4642142A (en) Process for making mercury cadmium telluride
US3105906A (en) Germanium silicon alloy semiconductor detector for infrared radiation
US4035199A (en) Process for thermal gradient zone melting utilizing a guard ring radiation coating
US4447470A (en) Composition control of CSVPE HgCdTe
Calow et al. The Growth and Electrical Characteristics of Epitaxial Layers of Zinc Selenide on p‐Type Germanium
US4487813A (en) Composition control of CSVPE HgCdTe
Kestigian et al. Cadmium zinc telluride substrate growth, characterization, and evaluation
US4028145A (en) Stoichiometric annealing of mercury cadmium telluride
JPS6050759B2 (ja) ZnSeのエピタキシヤル成長法及び成長装置
US4743310A (en) HGCDTE epitaxially grown on crystalline support
JPH01197399A (ja) 単結晶テルル化カドミウム水銀層を作製する方法
Cohen-Solal et al. Sputtered mercury cadmium telluride photodiode∗
JPH06340499A (ja) テルル化カドミウム水銀結晶の作製方法及び赤外線検出器の製造方法
US4287527A (en) Opto-electronic devices based on bulk crystals of complex semiconductors
Colombo et al. Growth of large diameter (Hg, Cd) Te crystals by incremental quenching