JPS60189712A - 光結合器の製作方法 - Google Patents

光結合器の製作方法

Info

Publication number
JPS60189712A
JPS60189712A JP4483384A JP4483384A JPS60189712A JP S60189712 A JPS60189712 A JP S60189712A JP 4483384 A JP4483384 A JP 4483384A JP 4483384 A JP4483384 A JP 4483384A JP S60189712 A JPS60189712 A JP S60189712A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
substrate
grating
polymerizable
hydrophobic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4483384A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Nishimura
征生 西村
Mamoru Miyawaki
守 宮脇
Tetsushi Nose
哲志 野瀬
Takashi Nakagiri
孝志 中桐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP4483384A priority Critical patent/JPS60189712A/ja
Publication of JPS60189712A publication Critical patent/JPS60189712A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/124Geodesic lenses or integrated gratings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光結合器の製作方法、更に詳しくは光導波路に
グレーティングを設置した光結合器に関する。
近年、光集積回路の発達に伴って、高精度で、かつ効率
の良い光結合器が望まれている。
しかしながら、従来、所望の精度の結合器を得るために
は高度の微細加工技術を必要とするため、いきおい歩留
りの低下、したがってコスト高さを招くといった欠陥が
あった。
ここで従来のグレーティング型光結合器について説明す
る。第1図は従来の平面型グレーティング型光結合器の
断面図で、この図において2は基板であって、例えば、
ガラス、プラスチック又はニオブ酸リチウム(LiNb
O3)等の透明基板又はシリコン、セラミックス等の不
透明基板が用いられる。基板2の表面に光導波路lが配
設される。光導波路lは基板2よりも屈折率が高いもの
が用い散することによって0.5〜5W程度の膜厚の光
導波路1が得られる。或いは、屈折率が 1.5のガラ
スを基板として用いる場合には、その表面に屈折率が1
.55 (波長8328A)のガラス(例えば、コーニ
ング社商品名C−7059)をスバ・ンタリングにより
膜厚0.5〜5W程度に成膜し、光導波路lを得る。
6はグレーティングで、通常ピッチ0.3〜Ig、深さ
0.1〜0.2川である。このように構成された光結合
器に入射光3が入ると、導波路内を光4が全反射により
伝播し、グレーティング6によって回折され射出光5が
とり出される。
この場合、一般にグレーティングの製作が困難である。
平面型はレリーフ型に較べてさらに困難である。グレー
ティング6の機能をより効果的に発揮するためには完全
に矩形のグレーティングが好ましいが、そのような完全
矩形のグレーティングを得ることは一般に容易でないか
らである。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、製作が容易
で、かつ安価な光結合器の製作方法を提供することを目
的とするものである。
更に、本発明は高精度で、かつ効率の良い光結合器を提
供することを目的とするものである。
また更に、本発明はレリーフ型グレーティングしには構
築しにくい(後述する)他の構成要素(パックァ層)を
容易に構築できるようにするため、平面型グレーティン
グを有する光結合器を提供することを目的とするもので
ある。
本発明は以下に示す単分子累積法を用いることにより、
中分子累積膜を得ることを基本とし、さらにグレーティ
ングの形式を口f能にするため改良を施したものである
以下、本発明の基本となる単分子累積法およびそれによ
って形成される単分子累積膜について説明する。単分子
累積法とは水面上に形成した単分子膜を基板表面に移し
取り、1枚ずつ重ねて超薄■シを作る方法であり、発明
者にちなんでラングミュア−プロジェット(LB)法と
も呼ばれる。
ここで、単分子膜とは一分子の厚さの均一な膜をいい、
これを累積した膜を累積膜という。
かかる単分子膜及び累積膜を構成する分子は必ず同一化
学構造内に少なくとも疎水性部分と親水性部分とを併有
していることが必要である。疎水性部分として最も代表
的なものは長鎖アルキル基であって、一般に炭素数が5
〜30位いのものが用いられるが、好ましくは、炭素数
10〜25位し)である。又、アIレキル鎖の長さが適
当であれば、直鎖状アルキル基、及び枝わかれ状アルキ
ル基、共に有用である。その他の疎水性部分を構成する
基としては、例えば、ビニレン、ビニリデン、アセチレ
ン等のオレフィン系iY 化水素2i1i、フェニル、
ナフチル、アントラニルの如き縮合多環フェニル基、ビ
フェニル、ターフェニル、等の鎖状多速フェニル基等が
あり、これら1ま各々単独又は複数の組合せによる場合
や上述のアルキル基の末端や中間に位置している場合も
ある。親水性部分として最も代表的なものは、例えば、
カルボキシル基及びその金属塩並びにアミン塩、スルホ
ン酸基及びその金属塩並びにアミン塩、スルホンアミド
基、アミド基、アミノ基、イミノ基、ヒドロキシル基、
4級アミ7基、オギシアミ7基、オキシイミツ基、ジア
ゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リン酸基、
ケイ酸基、アルミン酸基、等がある。しかしながら疎水
性部分と親水性部分との任意の組合せで、常に単分子膜
及び累積膜が形成されるとは限らない。中分子累積法に
よって単分子膜及び累積膜を得るためには、後述のよう
に作製工程上、まず水面トに単分子膜を形成させなけれ
ばならないが、もし、疎水性よりも親水性の方が強けれ
ば分子は水に溶解して水溶液となり逆に疎水性の方が勝
てば2相に分離する。水面上で単分子膜ができるのは疎
水性と親水性が適度に釣合うときである。そのとき分子
は全体として浮きも沈みもせず、親木性部分を水相に向
けて気水界面に吸着されて単分子膜を形成する。したが
って、単分子膜及び累積膜を構成する分子は疎水性部分
と親水性部分が適度にバランスしていることが要求され
る。
つぎに第2図(A)、 (B)を参照してLB膜製作装
置および製作方法について説明する。ここでLB膜とは
単分子累積法によって作製ξれた単分子膜および累積膜
をいう。第2図(A)(B)に例示したLB膜製作装置
は、前述のラングミュアプロジェット法(LB法)の原
理に基づき、Kuhnの研究グループが考案したもので
ある。浅くて広い角型水槽14の内側にポリプロピレン
酸の枠15が水平しこ吊ってあり、水面23を仕切って
いる。枠15は後述のように2次元シリンダーとして機
能する。枠15の内側にはポリプロピレン酸の浮子18
が浮かべられている。浮子16の幅は枠15の内側より
僅かに狭く作ってあり2次元ピストンとして左右に滑ら
かに動けるようになっている。浮子16を右方に引張る
ために滑車18を介しておもり17が結びつけられてい
る。浮子18を停めたり左方に押し戻すのは一般に磁石
の反発力が利用される。そのために。
浮子16にに固定した磁石18と左右に動かせる対磁石
20が設けられている。即ち、押し°戻すときは、対磁
石20を磁石19に近づければ、斥力が働き、浮子16
は押し戻される。
このようなおもりや磁石19.20の代りに、回転モー
タやプーリーを用いて直接浮子1Bを左右に動かすこと
も口f能である。左右の吸引ノズル22はそれぞれ吸引
パイプ21を介して不図示の吸引ポンプに接続される。
単分子累積法に於いては単分子膜、累積膜の内部に不純
物の混入を防1卜するために、清浄な純水が使用される
が、水面23の清掃や不要になった単分子膜の迅速除去
に不図示の吸引ポンプ及び吸引ノズル22か活用される
。その場合、浮子16で不要になった中分子層等を掃き
寄せながら、吸引ノズル22で迅速にすすり出すことに
よって水面23を浄化する。こうして、清浄になった水
面23の左端に浮子16を′8せて〜5XIO−3Bo
l/Iの濃度で、ヘンゼン・クロロホルム等の揮発性溶
媒に溶かした薄い膜構成物質の溶液を数滴水面にたらす
と、溶媒が揮発したあとに単分子膜が水面23.、lこ
残される。この単分子膜は水面23Fで2次元系の挙動
を示す。分子の面密度が低いときは2次元気体の気体膜
と呼ばれ、−分子あたりの占有面積と表面圧との間に2
次元理想気体の状態方程式が成立する。占有面積と表面
圧は不図示の測定器によって自動的かつ持続的に計測さ
れる。占有面積及びその変化量は浮子16の左右の動き
からめられる。表面圧の測定器としては純水及び申分子
1りでおおわれた水面の表面張力の差から間接的にめる
方法を応用したもの、純水表面と中分子膜面を区切るよ
うに浮かべた浮子16にかかる2次元的圧力を直接測定
するもの等があり、それぞれ特色がある。気体膜の状態
から、徐々に浮子16を右方に動かし単分子膜が展開す
る水面の広がりを次第に縮めて面密度を増してゆくと、
分子間相〃作用が強まり、2次元液体の液体膜をへて2
次元固体の固体膜へと変わる。該固体膜になると、分子
の配列耐高はきれいにそろい、光学材Itに要求される
高度の秩序性及び均一な超薄膜性をもつにいたる。而し
て、該固体膜の状態を維持したまま、該中分子膜を清浄
な基板24(例えば、ガラス、セラミック、プラスチッ
ク又は金属等の基板が用いられる)の表面に移すことが
可能となる。基板24に付着した単分子膜の上にさらに
何層にでも単分子膜を累積することもできる。一般に、
累積操作に好適な単分子膜の表面圧は 15〜30dy
ne/amである。その範囲外では分子の配列配向秩序
が乱れたり、膜の剥がれが生じたりするので、不適当で
ある。もっとも、特別の場合、例えば、膜構造物質の化
学構造、及び温度条件等によっては、好適な表面圧の値
がト述の範囲からはみでる場合もあるので、−L述の範
囲は一応の目安である。単分子膜が累積操作に好適な条
件の範囲内で選ばれた一定の表面圧を常に維持できるよ
うに、対磁石20を左右に駆動させる不図示の駆動装置
が不図示の表面圧制御装置によって制御される。例えば
、累積操作過程に於いて、単分子膜が基板24に移し取
られると、当然表面圧は低下するから対磁石20を動か
して、従って浮子16を動かして、展開膜面積を圧縮し
、表面圧低下分を補正して一定表面圧を維持する操作が
自動的になされる。中分子+1!i!28(第3図参照
)を水面23]二から基板24表面に移し取る方法は大
別して2種類ある。
−は垂直浸漬法で他は水平付着法である。垂直浸漬法と
は水面23上の単分子膜26に累積操作に好適な一定の
表面圧をかけながら、膜を横切る方向、即ち、垂直方向
に基板24を上ドさせることにより、 単分子膜28を
移し取る方法である。水平付着法とは基板を水平に保ち
ながら1−から水面23にできるだけ近づけわずかに傾
けて一端から単分子膜26に触れて付着する方法である
。それぞれ向き不向きがある。垂直浸漬法の場合は、膜
を構成する分子や膜作製条件によって第3図に示すよう
に3種類の膜構造ができる。第3図(A)のように浸漬
時だけ膜が4=J着するX型、第3図(B)のように浸
漬時にも引きLげ時にも付着するY型、第3図(C)の
ように引きトげ時のみ膜が旧情するX型、等がある。
従って、X型は疎水性部分りを基板24表面に向は親木
性部分を外側に向けて付着する。X型は親水性部分Qを
基板24表面に向は疎水性部分Pを外に向けて付着する
。これに対して水平付着法の場合にはX型の累積膜しか
できないが、垂直浸漬法よりも後述する累積比のすぐれ
たX型の累積膜を比較的簡単に作りやすい。又、蛋白単
分子膜の作製にはこの水平付着法が適している。
しかしながら、いずれの方法による場合でも、基板24
表面は界面化学的に充分清浄でなければならない。基板
24の表面の清n1が不充分であれば■りの屑がれが生
じ、累積膜を作製することが困難となる。
例えば、ガラス基板はクロム酸混液中に浸し、蒸留水で
洗った後に、清浄な気流中で乾燥すると、その表面は完
全に親水性になる。
例えば、清浄にした固体表面に融解したステアリン酸鉄
(I[[)をよく塗り(=Iけて、ガーゼのような清浄
な布で強く十分にこすりとると、その後には親木基を固
体面に向けたステアリン酸鉄(m)の単分子lりが形成
され、表面は完全に疎水性になる。
累積操作をさらに具体的に明らかにするため、第4図に
従っ゛て、垂直浸漬法によりY型累積膜を作製する操作
について説明する。図示例(第4図)は親水性基板24
を用いた場合である。親水性基板24に付着する単分子
膜2Bの第1層目は第4図(A)に示すように引き上げ
王程詩に付くから、実際の操作としては、まず基板を深
く水中に漬け、それから膜構成物質の薄い溶液を滴丁す
る順序になる。それから、表面圧を上げて行き、累積膜
作製に好適な表面)Eに達した後、基板24を引きLげ
る。累積膜作製に好適な引き一]二げ(引きドげ)速度
は0.1〜10c+o/minである。ただし、膜構成
物質や改作製条件によってはこの範囲外に好適条件が存
在する場合もある。
最初の引き上げ行程で、第1暦車分子膜が親水性部分Q
を基板24の表面に向け、疎水性部分Pを外側に向けて
付着する。
次の浸漬(引き下げ)行程(第4図(B))で、第2慶
弔分子膜が疎水性部分Pを基板14表面に向は親水性部
分Qを外側に向けて付着する。なお、第1層目 2Ei
aを付けた後、充分空中で乾かし水分その他溶媒を除去
してから、2層目 26b以上を付けた方が累積膜に剥
がれが生じず、累積操作がうまくいくことが判った。3
層目26c以上は同様の操作の繰り返えしにより(第4
図(C)参照)、任意の層数の累積膜を作製することが
できる。
図示例に於けるY型膜の奇数番目の層は常に親水性の部
分Qが基板24表面に向き、疎水性部分Pが外側を向く
このようにして作製された累積膜の厚みは分子の長さく
10〜80A)に累積回数(中分子膜の層数)を乗した
ものに等1.いことが多くの実験によって確認されてい
る。膜の付き方に影響を及ぼすその他の因子としては、
(1)膜構成物質の化学構造、(2)水相のPHや含有
塩類の種類φ濃度、(3)温度、(4)基板の種類等が
ある。
例えば、純粋な直鎖脂肪酩よりも脂肪酸塩の方が安定な
累積膜を作りやすく、特にカルシウム、バリウ11、カ
ドミウム等の塩がすぐれる。この場合、水相のPHによ
って累積膜の組成や付き方が異なる。即ち、一般にPH
4以下であれば純粋な脂肪耐膜になり PII9以トだ
と金属塩の膜になり、中間のPHではこれらの混ざった
累積膜が得られる。なお、累積膜の付き方を定量的に表
示するために累積比という指標が用いられる。累積比と
は基板上の所定の面積に対する実際に水面23から移し
取られた膜面積の比をいう。なお、水面から移し取られ
た膜面積は浮子16の移動量を計測することによりめら
れる。例えば、累積比Oは全く膜が付かなかった場合、
累積比lは理想的に膜が移し取られた場合を示す。一般
には、遊#酸よりも金属塩の方が累積比が大きい。
本発明において使用される基板24は任意の適当な基板
でよく、基板寸法も特に限定されない。本発明における
LB膜の厚みは、上述した累積の繰り返えしにより 0
.5〜51j、の範囲である。本発明のグレーティング
型光結合器に適した物質は、適切な光学的特性を有し、
かつLB膜形成物質であればよい。
特に適当なもの、例えば脂肪酸、殊に10〜30個の炭
素原子を含む直鎖脂肪酸(ステアリン酸、アラキシンS
J)及びそれらの塩(カドミウム塩)。
後述する重合性LB膜である。これらの物質の屈折率は
CH2鎖の長さを適宜選択することによりあるいは金属
イオンの付加により容易に制御される。
成膜されたLB膜は公知−「1段によってパターニング
される。また本出願人の他の特許出願人(出願人番号未
定)に係る新規なパターニング形成方法によって所望の
形状にパターニングされる。パターニングされたLB膜
は導波路として機能する。
次に本発明に係る平面型グレーティングの形成方法につ
いて、第5図を参照して説明する。LB膜材料としては
光重合性のものを使用する。この場合LB膜としては前
述のY型膜を前提とする“。
まず重合性LB膜7を前述した単分子累積法により、ガ
ラス、セラミックス、プラスチックス又は醸化シリコン
等の基板2Fに成膜する。次に、光結合器の所望の形状
を得るために、光又は電子によるパターニング露光(:
JIJs図(1))の後、現像(現像M :アルコール
、クロロホルム、ベンゼン等)により末露光部のLB膜
を除去する(第5図(1)、 (2))。この最重合部
分は現像液によって溶出されない(第5図(2))。
次に重合L膜製9の一ヒに重合性LB膜10を単分子累
積法により成膜する。重合性LBIり10は重合性LB
[7と同種のものが好ましいが、光学的条件を満たすな
ら異種のものでもよい。
この場合、重合LB膜9の表面(重合性LB膜10と接
する面)が親水性なら、重合性LB膜10の表面が疎水
性になるように、或いは重合性LB膜9の表面が疎水性
なら重合性LBlliIQの表面が親水性になるように
重合性LB膜10の厚みを調整する必要がある。
前述した単分子累積法により明らかなように、LB膜の
表面は必らず、親木性か疎水性かのいずれかをとり、そ
の制御は極めて容易である。所望の形状のLB成膜の表
面に積層されたLB膜のみが残るように、前述のパター
ニング露光を施す。
その際グレーティングのパターンも、同時に又は相前後
して露光する。これを現像後、第5図(4)に示す重合
LB膜11のレリーフ・パターンが得られる。この時、
グレーティング11の四部は重合LB膜9の表面であり
、凸部はLB膜製Oの表面であるから、一方が親水性表
面のとき、他方は疎水性表面となっている。次いで重合
LB膜11のLにLBM12及び13を前述した中分子
累積法により形成する。このとき、重合LB膜11の四
部低面が親水性なら、LBBi12第1層目は親木基が
基板側を向くように付着させる。したがって、凸部では
疎水基と親木基(LBlり12の第1層目)とが向いあ
うことになる。反対に重合LB膜11の凹部低面が疎水
性なら、LBBi12第1層目は疎水性が基板側を向く
ように付着させる。LBBi12厚みがクレーティング
の深みと同じになるようにする(即ち、11の凸部の表
面と13の表面が同一面になるようにする。)第5図(
4))。LBBi12膜厚制御が極めて容易であること
は単分子を繰り返えし累積する上程をとる単分子累積法
の特徴より明らかである。
重合LBIり11上に積層されるLBI桑12及び13
は重合性であると否とを問わないが、屈折率は重合LB
膜のそれより、小であることが要求される。
次に、第5図(4)の構成のものを不図示の超音防水槽
につけ、適当な条件下で超音波を発生させると、接合力
の弱い(疎水基と親木基が向い合っているからLBBi
1212の接触面で剥離(除去)が生ずる。LBBi1
213の接触面では親水基同志(又は疎水基同志)が向
き合っているので、比較的接合力が強いため、剥離が生
じない。かくして選択的剥離(除去)により第5図に示
す断面図構造のもの形成される。LBlpJllと13
は同一平面]二に形成され、かくしてIV−筒型、すな
わち位相差型グレーティングが構築される。このような
位相差型結合器は、他の構成要素をグレーティングヒに
構築する場合に有利である。
つぎに、本発明により構成した光導波路のグレーティン
グ1−に他の構成要素を構築・実施例により、第6図を
参照して説明する。
この図において、基板32には平面型グレーティングの
形成されたLB膜製Iが着設される。LBII莫31の
グレーティング部36の門にはLBlli33が装着さ
れLBBa2O33との表面は同一平面にあって、平面
型、すなわち位相差型グレーティング36が形成されて
いる。またLBBa2Oよび33は表面の性質が同じで
ある。すなわち、LBBa2O表面が親木性なら、LB
Ba2O表面も親水性にする必要がある。反対にLBB
a2O表面が疎水性なら、L B (4f133の表面
も疎水性にする必要がある。
グレーティング」−にLBBa2O成膜されている。L
BBa2O屈折率はLBBa2O屈折率より低いことが
条件である。LBBa2OLBBa2O同一材料である
か、又は屈折率が同じものが好適である。LBBa2O
バッファ層として機能する。LB膜(バフフッ層)34
のに面には反射層35が装着される。反射層35はAt
膜を蒸着したものである。
LBBa2OLBBa2O1,に−・様に成膜されてい
てもよいが第6図のようにグレーティング−しにのみ構
築されるように選択付着してもよい。その際、重合成し
膜製の場合は、パターン露光により、非重合成し膜製の
場合は、本出願人の他の特許出願(出願番号未定)に係
るパターニング形成方法によって所望の形状にパターニ
ングされる。LBBa2O膜厚はグレーティングによっ
て回折され、直接基板側32に射出する光3B−bと、
LB脱S4側に射出し反射層35によって反射され基板
側32に射出する光36−aとが干渉によって互いに強
めあうように設定される必要がある。この場合LB膜3
4は前述のようにバッファ層として機能する。
射出光38−aと36−bとが干渉により強め合う最適
のLBBa2O膜厚条件は公知の光学的法則により容易
に導かれる。但し光の波長以下の膜厚制御が要求される
。射出光3B−aと36−bとは第6図に示すように光
路長が異なる。この光路差が波長の整数倍のとき強めあ
う。
このように、第6図に示すLB層により構成されたグレ
ーティングと光導波路とバッファ層に反射層を設けた本
発明の光結合器は基板32の反射側に射出する光を利用
できるので射出効率の向−Lを図ることができるという
効果がある。さらに本発明は安価な光結合器の製作方法
を提供し、バッファ層を容易に構築できる平面型グレー
ティングを有する光結合器を提供する。
〈実施例〉 争基板〜白板ガラス、10醜■XlO■■、0.3層曹
(S10281%、820313%、 Na2O4%、
Al2032%)・グレーティングピッチ 200A 
深さ0.1#L・LB脱Sの膜厚 0.9 IL // 11) // Q、lル ” 12.13 tt O,1色 // 14 tt O,2用 会入射光〜He−Neレーザ(8328A)・半導体レ
ーザ(8300A) ・オレフィン系(光重合性) ・ステアリン酸ビニルにγ線をあてて重合。
・末露光部アルコールに溶ける。
・−一トリコセン酸に電子線(10〜100KeV)を
あてて重合。
・電子ビーム露光装置(日本電子TEBX−’2B) ・ジアセチレン誘導体は紫外線で重合。
【図面の簡単な説明】 第1図は従来の光結合器の断面図、第2図(A)。 (B)はLB膜製作装置の斜視図および断面図、第3図
(A)、 (B)、 (C)はLB膜の3種類の構成を
説明する図、第4図(A)、 CB)、 (C)はLB
膜の形成を説明する図、第5図は(1)、 (2)、 
(3)、 (4)。 (5)は本発明の平面型グレーティングを形成する工程
説明図、第6図は本発明の実施例の断面図である。 2−m−基板 7−−− モノマL膜製 8−m−露光 9−m−重合LB膜 1O−−−モノマL膜製 11−m−重合LB膜 12、13−−− モノマL膜製 14−−− 水槽 15− 枠 1B−m−浮子 19、20−−一磁石 23−m−水面 24−m−基板 26−−− 単分子膜 31−−一 光導波路 32−m−基板 33、34−−− LB膜 35−m−反射層 特許出願人 キャノン株式会社 第 1vl 工 第 6 図 1+ 第 21!I(a) 第 2 図 (b) (A) 第 3 図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. クレーティングを設置した光導波路をLB膜によって構
    成した光結合器の製作方法において、基板上に重合性L
    B膜(7)を形成し、パターニング露光後重合したLB
    幕(9)を残して未露光部を除去し、次に該重合LB膜
    (9)上に重合性LB膜(10)を形成し、この際該重
    合し膜製(9)の該重合性LB膜(10)と接する面と
    該重合性LBM(10)の外面とは互に異なった親水性
    および疎水性表面に構成し、ついで前記重合性LB膜1
    0が所望の形状に残留するようにパターニング露光と同
    時または前後してグレーティングのパターニングを施し
    、次にグレーティングを形成した重合LB膜(11)上
    にLBjり(12)および(13)を形成し、さらにグ
    レーティンク溝上のLB!I!(13)を残し他のLB
    膜(12)を剥離することを特徴とする光結合器の製作
    方法。
JP4483384A 1984-03-10 1984-03-10 光結合器の製作方法 Pending JPS60189712A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4483384A JPS60189712A (ja) 1984-03-10 1984-03-10 光結合器の製作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4483384A JPS60189712A (ja) 1984-03-10 1984-03-10 光結合器の製作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60189712A true JPS60189712A (ja) 1985-09-27

Family

ID=12702464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4483384A Pending JPS60189712A (ja) 1984-03-10 1984-03-10 光結合器の製作方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60189712A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5410622A (en) * 1992-08-21 1995-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Optical integrated circuit having light detector

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5410622A (en) * 1992-08-21 1995-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Optical integrated circuit having light detector

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1890603B (zh) 用于制造三维纳米级结构的方法和装置
KR100776551B1 (ko) 레지스트 조성물
JP4507891B2 (ja) 液浸リソグラフィーに用いるレジスト積層体
EP1184723A2 (en) Negative resist composition, process for forming resist patterns, and process for manufacturing electronic device
KR20010081753A (ko) 부분적으로 가교화된 2층 포토레지스트용 중합체
TW201017338A (en) Patterning process
Craighead et al. Contact lithography at 157 nm with an F2 excimer laser
US4691982A (en) Optical coupler
KR19980080017A (ko) 파장 248 나노미터 미만의 노출광에 대한 투명도와 감도가 높은 화학증폭 레지스트 및 마스크 형성 방법
US4996123A (en) Optically oriented photoresist pattern forming method using organic crystal in photoresist layer with specified refracting indices formula
US20070082297A1 (en) Polymer, top coating layer, top coating composition and immersion lithography process using the same
TWI309341B (en) Polymer for immersion lithography, photoresist composition containing the same, method of manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device
Nakagawa et al. Selection of di (meth) acrylate monomers for low pollution of fluorinated mold surfaces in ultraviolet nanoimprint lithography
US20090068596A1 (en) Negative-tone,Ultraviolet Photoresists for Fabricating High Aspect Ratio Microstructures
JP2009167258A (ja) 重合性含フッ素単量体および含フッ素重合体ならびにレジストパターン形成方法
EP0022618B1 (en) Photographic or photolithographic article and method of forming a photoresist
JPS60189712A (ja) 光結合器の製作方法
US6653047B2 (en) Photoresist monomers containing fluorine-substituted benzylcarboxylate and photoresist polymers comprising the same
KR100211546B1 (ko) 신규한 포토레지스트용 공중합체
Lange et al. Photoprocessable polymer opals
US7670748B2 (en) Cyclic compound, photoresist composition and method of forming a photoresist pattern using the same
JPS60189708A (ja) 光結合器
JPS60189711A (ja) 光結合器の製作方法
JPS60189709A (ja) 光結合器
JPS60189710A (ja) 光結合器