JPS60187879A - 放射線検出器アレイ - Google Patents
放射線検出器アレイInfo
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- JPS60187879A JPS60187879A JP4360584A JP4360584A JPS60187879A JP S60187879 A JPS60187879 A JP S60187879A JP 4360584 A JP4360584 A JP 4360584A JP 4360584 A JP4360584 A JP 4360584A JP S60187879 A JPS60187879 A JP S60187879A
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- JP
- Japan
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- radiation
- semiconductor crystal
- ray
- incident
- detector array
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
- G01T1/2928—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は半導体結晶を用いた放射線検出器アレイに関
するものである。
するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体を用いた放射線検出器として、Ｓｉ、Ｇｅ等の半
導体およびＧａＡｓ、ＣｄＴｅ、Ｈｇ１等の化合物半導
体を用いた放射線検出器があり、医療用Ｘ線断層撮影装
置（以後Ｘ Ｗ＊ ＣＴと呼ぶ）の放射線検出器アレイ
として、また従来の銀塩写真フィルムに替わるＸ線撮影
装置の放射線検出器アレイとして注目されている。中で
もＣｄＴｅ、Ｈｇ Ｉ等の化合物半導体は実効原子番号
が大きく、Ｘ線に対する吸収係数が大きいために、小さ
な体積でＸ線を測定できることから、放射線検出器アレ
イとして高密度化がはかれる半導体材料である。
導体およびＧａＡｓ、ＣｄＴｅ、Ｈｇ１等の化合物半導
体を用いた放射線検出器があり、医療用Ｘ線断層撮影装
置（以後Ｘ Ｗ＊ ＣＴと呼ぶ）の放射線検出器アレイ
として、また従来の銀塩写真フィルムに替わるＸ線撮影
装置の放射線検出器アレイとして注目されている。中で
もＣｄＴｅ、Ｈｇ Ｉ等の化合物半導体は実効原子番号
が大きく、Ｘ線に対する吸収係数が大きいために、小さ
な体積でＸ線を測定できることから、放射線検出器アレ
イとして高密度化がはかれる半導体材料である。
一般にＸ線撮影において、被写体である人体は骨等のＸ
線に対して吸収の大きい硬部組織と、筋。
線に対して吸収の大きい硬部組織と、筋。
臓器等のＸ線に対して吸収の小さい軟部組織とからなっ
ており、それぞれＸ線吸収量が異なる。そこで、硬部組
織の撮影には透過力の大きい高エネルギーのＸ線を照射
して撮影し、軟部組織の撮影には透過力の小さい低エネ
ルギーのＸ線を照射して撮影する必要があり、対象患部
により撮影条件をコントロールする必要がある。
ており、それぞれＸ線吸収量が異なる。そこで、硬部組
織の撮影には透過力の大きい高エネルギーのＸ線を照射
して撮影し、軟部組織の撮影には透過力の小さい低エネ
ルギーのＸ線を照射して撮影する必要があり、対象患部
により撮影条件をコントロールする必要がある。
この撮影条件のコントロールとは、Ｘ線発生器の印加電
圧、電流およびＸ線発生器−被写体間に挿入するＡｊ！
、Ｓｎ、Ｐｂ等の金属フィルタを変えることにより照射
Ｘ線の線質をコントロールすることである。
圧、電流およびＸ線発生器−被写体間に挿入するＡｊ！
、Ｓｎ、Ｐｂ等の金属フィルタを変えることにより照射
Ｘ線の線質をコントロールすることである。
このよ・うに通常の診断のための直接Ｘ線撮影には、各
条件で数回の撮影を行なうが、複数回のＸ線撮影は患部
の被爆量の増加および苦痛の増加となり、好ましくない
。
条件で数回の撮影を行なうが、複数回のＸ線撮影は患部
の被爆量の増加および苦痛の増加となり、好ましくない
。
発明の目的
この発明は、上記の欠点を解消するもので、一つの設定
された照射条件において、入射Ｘ線スペクトルを複数の
スペクトル範囲に分解して検出し、１回のχ線照射によ
り複数のＸ線スペクトル範囲の画像を同時に得ることが
できる放射線検出器アレイを提供することを目的とする
。
された照射条件において、入射Ｘ線スペクトルを複数の
スペクトル範囲に分解して検出し、１回のχ線照射によ
り複数のＸ線スペクトル範囲の画像を同時に得ることが
できる放射線検出器アレイを提供することを目的とする
。
発明の構成
上記目的を達するために、この発明の放射線検出器アレ
イは、幅方向に長い直方体状であって上下方向を放射線
入射方向とする放射線感応型の半導体結晶の側面と平行
（電極面と垂直）に縦方向切込群を設けて半導体結晶に
複数個・の放射線検出用のチャンネルを作り、さらに個
々のチャンネルに半導体結晶の」：Ｔ：面と平行（放射
線の入射方向と垂直方向）に少なくとも１個の切込みを
入れ、入射放射線のスペクトルを異なるスペクトル範囲
に分解して同時に検出するようにしたものである。
イは、幅方向に長い直方体状であって上下方向を放射線
入射方向とする放射線感応型の半導体結晶の側面と平行
（電極面と垂直）に縦方向切込群を設けて半導体結晶に
複数個・の放射線検出用のチャンネルを作り、さらに個
々のチャンネルに半導体結晶の」：Ｔ：面と平行（放射
線の入射方向と垂直方向）に少なくとも１個の切込みを
入れ、入射放射線のスペクトルを異なるスペクトル範囲
に分解して同時に検出するようにしたものである。
実施例の説明
以下この発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図はこの発明の放射線検出器アレイの原理図である
。斜線部１は半導体結晶、その一部Ａ。
。斜線部１は半導体結晶、その一部Ａ。
Ｂは放射線有感部分、２，３．４は電極である。
また、図中１ｏ （Ｅ）は入射放射線強度、１１（Ｅ）
は放射線有感部分Ａを透過した透過放射線強度、Ｉ２
（Ｅ）は放射線有感部分Ｂを透過した透過放射線強度で
ある。この放射線強度は次式で表わされる。
は放射線有感部分Ａを透過した透過放射線強度、Ｉ２
（Ｅ）は放射線有感部分Ｂを透過した透過放射線強度で
ある。この放射線強度は次式で表わされる。
１１ （Ｅ） −１ｏ （Ｅ）−ｅｘｐ Ｉ−／ｉ （
Ｅ）ｘｌｌ・・・（１） １２ （Ｅ）＝１１ （Ｅ）ｅｘｐ （−ｐ （Ｅ）ｘ
２）＝ＩＯ（Ｅ） Ｘｅｘｐ （１１（Ｅ） （ｘ１＋ｘ２） ） −（２
）ここでμ（Ｅ）は入射放射線エネルギーＥに対する吸
収係数であり、Ｘｌ、Ｘ２は放射線有感部分Ａ、Ｂのそ
れぞれの厚さである。
Ｅ）ｘｌｌ・・・（１） １２ （Ｅ）＝１１ （Ｅ）ｅｘｐ （−ｐ （Ｅ）ｘ
２）＝ＩＯ（Ｅ） Ｘｅｘｐ （１１（Ｅ） （ｘ１＋ｘ２） ） −（２
）ここでμ（Ｅ）は入射放射線エネルギーＥに対する吸
収係数であり、Ｘｌ、Ｘ２は放射線有感部分Ａ、Ｂのそ
れぞれの厚さである。
ここで、Ｉ （Ｅ）はＥのエネルギーをもつ放射線強度
である。例えば放射性核種からの放射線の場合は特定の
エネルギーをもつ放射線であり、Ｘ線の場合は、Ｘ線管
に印加する電圧、電流に応じた特定域のエネルギーにわ
たる放射線強度スペクトル分布をもつ放射線である。
である。例えば放射性核種からの放射線の場合は特定の
エネルギーをもつ放射線であり、Ｘ線の場合は、Ｘ線管
に印加する電圧、電流に応じた特定域のエネルギーにわ
たる放射線強度スペクトル分布をもつ放射線である。
まず半導体結晶１に第１図の矢印の方向から１０（Ｅ）
の放射線が入射すると放射線有感部分Ａにより吸収され
る。吸収量は透過放射線強度を１１（Ｅ）とするとＩｏ
（Ｅ） Ｉ＋’（Ｅ）となる。
の放射線が入射すると放射線有感部分Ａにより吸収され
る。吸収量は透過放射線強度を１１（Ｅ）とするとＩｏ
（Ｅ） Ｉ＋’（Ｅ）となる。
また同様な考え方から放射線有感部分Ｂにより吸収され
る吸収量はＩ＋ （Ｅ） −１２（Ｅ）となる。
る吸収量はＩ＋ （Ｅ） −１２（Ｅ）となる。
吸収された放射線は放射線有感部分ＡおよびＢ中で電離
作用を起こし、その電荷を電極２を共通電極としてそれ
ぞれ電極３および４から取り出ずことにより、吸収量を
測定することができる。この吸収量はそれぞれ次式で表
わされる。
作用を起こし、その電荷を電極２を共通電極としてそれ
ぞれ電極３および４から取り出ずことにより、吸収量を
測定することができる。この吸収量はそれぞれ次式で表
わされる。
１ｏ （Ｅ） Ｉ＋ （Ｅ）
−Ｉｕ （Ｅ） ［１−ｅｘｐ （ｕ （Ｅ） ｘ Ｉ
ｌ コ ・ （３１１＋ （Ｅ） １２ （Ｅ） −Ｉｏ （Ｅ） ｅｘｐ （μ（Ｅ） ＸＩ ）ｘ ［
１−ｅｘｐ （ｐ （Ｅ） Ｘ２１ コ −（４］この
ように、吸収量は入射放射線強度１ｏ（ＩＦ、）。
ｌ コ ・ （３１１＋ （Ｅ） １２ （Ｅ） −Ｉｏ （Ｅ） ｅｘｐ （μ（Ｅ） ＸＩ ）ｘ ［
１−ｅｘｐ （ｐ （Ｅ） Ｘ２１ コ −（４］この
ように、吸収量は入射放射線強度１ｏ（ＩＦ、）。
半導体結晶１の吸収係数μ（Ｅ）および厚さＸの関数と
なる。この場合、半導体結晶１の吸収係数はμ（Ｅ）は
材料により、またエネルギーに依存して大きく異なる。
なる。この場合、半導体結晶１の吸収係数はμ（Ｅ）は
材料により、またエネルギーに依存して大きく異なる。
そこで、半導体結晶材料とその厚さを適当に選択するこ
とにより、放射線有感部分ＡおよびＢで吸収される放射
線のエネルギーおよび放射線量を任意に変えることがで
きる。すなわち、異なるエネルギーの放射線の入射に対
して、放射線有感部分ＡおよびＢにより検知される放射
線のエネルギーが異なることにより、入射放射線のエネ
ルギー弁別が可能となる。
とにより、放射線有感部分ＡおよびＢで吸収される放射
線のエネルギーおよび放射線量を任意に変えることがで
きる。すなわち、異なるエネルギーの放射線の入射に対
して、放射線有感部分ＡおよびＢにより検知される放射
線のエネルギーが異なることにより、入射放射線のエネ
ルギー弁別が可能となる。
第２図に代表的な半導体放射線材料Ｓｉ、Ｇｅ。
ＣｄＴｅ、ＨｇｌのＸ線エネルギーに対する吸収係数を
示す。第１表に第２図から得た代表的エネルギーに対す
る吸収係数を示す。第２図および第１表かられかるよう
に、エネルギーにより吸収係数は大きく変わり、エネル
ギーが小さくなる程吸収係数は大きくなる。また吸収係
数の値は、Ｓｉが非常に小さく、Ｇｅ、ＧａＡｓ、Ｃｄ
Ｔｅ、Ｈｇ １が大きい。例えば５０ＫｅＶの放射線に
対して１關厚の半導体結晶の吸収率を調べると、Ｓｉの
場合４．８％、ＣｄＴｅの場合９９，４％となる。すな
わち、Ｇｅ、ＣｄＴｅ、Ｈｇ Ｉ等の高原子番号の半導
体は厚さの薄い結晶で上述の放射線有感部分を作ること
ができるが、Ｓｔのように原子番号の小さい半導体は放
射線有感部分Ａ、Ｂを厚くする必要があり、この発明に
はあまり好ましくばない。
示す。第１表に第２図から得た代表的エネルギーに対す
る吸収係数を示す。第２図および第１表かられかるよう
に、エネルギーにより吸収係数は大きく変わり、エネル
ギーが小さくなる程吸収係数は大きくなる。また吸収係
数の値は、Ｓｉが非常に小さく、Ｇｅ、ＧａＡｓ、Ｃｄ
Ｔｅ、Ｈｇ １が大きい。例えば５０ＫｅＶの放射線に
対して１關厚の半導体結晶の吸収率を調べると、Ｓｉの
場合４．８％、ＣｄＴｅの場合９９，４％となる。すな
わち、Ｇｅ、ＣｄＴｅ、Ｈｇ Ｉ等の高原子番号の半導
体は厚さの薄い結晶で上述の放射線有感部分を作ること
ができるが、Ｓｔのように原子番号の小さい半導体は放
射線有感部分Ａ、Ｂを厚くする必要があり、この発明に
はあまり好ましくばない。
好ましいのは半導体結晶は、Ｇ ｅ 、 ＧａＡｓ、
ＣｄＴｅ。
ＣｄＴｅ。
Ｈｇ１等の高原子番号半導体材料である。
（以下余白）
第 １ 表
吸収係数μ（Ｅ） （ｃｍ ）
第３図はこの発明の一実施例にお＆Ｊる放射線検出器ア
レイの斜視図であり、第１図に示す構成要素と同一の構
成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。幅
方向に長い放射線感応型の半導体結晶１の後面および前
面に電極２．３を設け、側面と平行（電極に垂直に交わ
る方向）に切込み６を入れて半導体結晶１を複数のチャ
ンネルに分割し、さらに上下面に平行（電極２．３に垂
直かつ切込み６に直角方向）に切込み５を入れ、各チャ
ンネルを２つの放射線有感部分Ａ、Ｂに分割し、矢印Ｃ
方向からＸ線を入射し、放射線有感部分Ａ。
レイの斜視図であり、第１図に示す構成要素と同一の構
成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。幅
方向に長い放射線感応型の半導体結晶１の後面および前
面に電極２．３を設け、側面と平行（電極に垂直に交わ
る方向）に切込み６を入れて半導体結晶１を複数のチャ
ンネルに分割し、さらに上下面に平行（電極２．３に垂
直かつ切込み６に直角方向）に切込み５を入れ、各チャ
ンネルを２つの放射線有感部分Ａ、Ｂに分割し、矢印Ｃ
方向からＸ線を入射し、放射線有感部分Ａ。
Ｂで吸収した放射線量に比例した電荷を電極３゜４から
取出す。この放射線有感部分Ａ、Ｂの厚さＸｌ、Ｘ２を
適当に選択することにより、入射Ｘ線放射線スペクトル
を異なるスペクトル範囲に分割して検出することができ
る。
取出す。この放射線有感部分Ａ、Ｂの厚さＸｌ、Ｘ２を
適当に選択することにより、入射Ｘ線放射線スペクトル
を異なるスペクトル範囲に分割して検出することができ
る。
第４図は半導体結晶がＣｄＴｅの場合のエネルギー弁別
能力を示すものである。Ｘ線発生器に印加する管電圧が
２００ＫＶの場合のフィルムを用いない時のＸ線スペク
トルをＣｄＴｅに照射した時、放射線有感部分Ａ（厚さ
Ｑ、５ｍ＋ａ） 、 Ｂ （厚さ１、５ 鶴）における
吸収スペクトルを示したものである。第４図かられかる
ように放射線有感部分Ａでは低エネルギーを、放射線有
感部分Ｂでは高エネルギーが検出できることを示してい
る。
能力を示すものである。Ｘ線発生器に印加する管電圧が
２００ＫＶの場合のフィルムを用いない時のＸ線スペク
トルをＣｄＴｅに照射した時、放射線有感部分Ａ（厚さ
Ｑ、５ｍ＋ａ） 、 Ｂ （厚さ１、５ 鶴）における
吸収スペクトルを示したものである。第４図かられかる
ように放射線有感部分Ａでは低エネルギーを、放射線有
感部分Ｂでは高エネルギーが検出できることを示してい
る。
第５図はこの発明による放射線検出器アレイをＸ線診断
装置に応用した例を示している。１１はＸ線発生器、１
２はＸ線発生器１１から放射されるＸ線ファンビーム、
１３は放射線検出器アレイ、１３ａは低エネルギーＸ線
を検出する放射線検出器アレイ、１３ｂは高エネルギー
Ｘ線を検出する放射線検出器アレイ、１４は放射線検出
器アレイ１３の個々の検出器からの信号を増幅する増幅
器、１５は信号処理器、１６ａ、１６ｂはそれぞれ放射
線検出器アレイＬ３ａ、１３ｂの出力を表示するディス
プレイ装置であり、１７は人体である。
装置に応用した例を示している。１１はＸ線発生器、１
２はＸ線発生器１１から放射されるＸ線ファンビーム、
１３は放射線検出器アレイ、１３ａは低エネルギーＸ線
を検出する放射線検出器アレイ、１３ｂは高エネルギー
Ｘ線を検出する放射線検出器アレイ、１４は放射線検出
器アレイ１３の個々の検出器からの信号を増幅する増幅
器、１５は信号処理器、１６ａ、１６ｂはそれぞれ放射
線検出器アレイＬ３ａ、１３ｂの出力を表示するディス
プレイ装置であり、１７は人体である。
Ｘ線ファンビーム１２中に人体１７を配置すると、Ｘ線
ファンビーム１２による人体１７の一次元投影像が放射
線検出器アレイ１３により検出される。人体１７とＸ線
ファンビーム１２を含むＸ線発生器１１および放射線検
出器アレイ１３とを相対的に矢印り方向に移動させると
、人体１７の二次元投影像を放射線検出器アレイ１３に
より検出できる。この二次元投影像は、Ｘ線発生器１１
から発生ずるＸ線スペクトルのうぢ、低エネルギースペ
クトルのＸ線による投影像が放射線検出器アレイ１３ａ
により検出される。また高エネルギーＸ線クＩ・ルのＸ
線による投影像が放射線検出器アレイ１３ｂにより検出
される。低エネルギースペクトルＸ線は人体１７に対し
て吸収が大きいので、人体の軟組織に対しては非常にコ
ントラストの良好な像が得られる反面、骨等の硬組織に
対してはＸ線透過量が少なく、硬組織の影の像となり、
その部分の詳しい情報が得られない。高エネルギースペ
クトルＸ線は逆に人体に対して吸収が小さいので、軟組
織はＸ線透過量が大きく、はとんどのＸ線が透過してし
まい、情報量が非常に少なくなる反面、硬組織に対して
はコントラストの良好な像が得られる。
ファンビーム１２による人体１７の一次元投影像が放射
線検出器アレイ１３により検出される。人体１７とＸ線
ファンビーム１２を含むＸ線発生器１１および放射線検
出器アレイ１３とを相対的に矢印り方向に移動させると
、人体１７の二次元投影像を放射線検出器アレイ１３に
より検出できる。この二次元投影像は、Ｘ線発生器１１
から発生ずるＸ線スペクトルのうぢ、低エネルギースペ
クトルのＸ線による投影像が放射線検出器アレイ１３ａ
により検出される。また高エネルギーＸ線クＩ・ルのＸ
線による投影像が放射線検出器アレイ１３ｂにより検出
される。低エネルギースペクトルＸ線は人体１７に対し
て吸収が大きいので、人体の軟組織に対しては非常にコ
ントラストの良好な像が得られる反面、骨等の硬組織に
対してはＸ線透過量が少なく、硬組織の影の像となり、
その部分の詳しい情報が得られない。高エネルギースペ
クトルＸ線は逆に人体に対して吸収が小さいので、軟組
織はＸ線透過量が大きく、はとんどのＸ線が透過してし
まい、情報量が非常に少なくなる反面、硬組織に対して
はコントラストの良好な像が得られる。
このように、低エネルギースペクトルＸ線と高エネルギ
ースペクトルＸ線による画像が同時に得られることによ
り、従来の撮影方法では困難であった軟組織と硬組織の
両方のＸ線画像を同時に得ることができる。また、この
発明により得られる画像は、電気信号であるので、信号
処理器１５およびディスプレイ装置１６ａ、１６ｂによ
り両画像の重ね合わせもしくは減算等の演算処理を行な
うことにより、軟組織のみ、硬組織のみ、また両方同時
に画像表示することができ、Ｘ線画像診断の診断能力を
高めることができる。
ースペクトルＸ線による画像が同時に得られることによ
り、従来の撮影方法では困難であった軟組織と硬組織の
両方のＸ線画像を同時に得ることができる。また、この
発明により得られる画像は、電気信号であるので、信号
処理器１５およびディスプレイ装置１６ａ、１６ｂによ
り両画像の重ね合わせもしくは減算等の演算処理を行な
うことにより、軟組織のみ、硬組織のみ、また両方同時
に画像表示することができ、Ｘ線画像診断の診断能力を
高めることができる。
また、放射線検出器アレイ１３の各検出器をＸ線入射方
向に対して２分割以上の複数個に分割し、それぞれ刃な
るエネルギースペクトルＸ線に感応するようにすると、
より多くの異なる情報を持つＸ線画像を得ることができ
る。
向に対して２分割以上の複数個に分割し、それぞれ刃な
るエネルギースペクトルＸ線に感応するようにすると、
より多くの異なる情報を持つＸ線画像を得ることができ
る。
発明の効果
以上のように、この発明の放射線検出器アレイによれば
、放射線検出器アレイをＸ線入射方向に対して垂直に複
数個に分割することにより、入射Ｘ線エネルギースペク
トルの異なるＸ線エネルギースペクトルによる画像を得
ることができ、従来複数回の撮影を必要とした診断を１
回の撮影で行なうことができ、また画像処理等を行なう
ことができ、Ｘ線診断における診断能力を各段に向上さ
せることができ、ひいてはＸ線被曝の低減にも貢献する
ものである。
、放射線検出器アレイをＸ線入射方向に対して垂直に複
数個に分割することにより、入射Ｘ線エネルギースペク
トルの異なるＸ線エネルギースペクトルによる画像を得
ることができ、従来複数回の撮影を必要とした診断を１
回の撮影で行なうことができ、また画像処理等を行なう
ことができ、Ｘ線診断における診断能力を各段に向上さ
せることができ、ひいてはＸ線被曝の低減にも貢献する
ものである。
第１図はこの発明の放射線検出器の原理図、第２図は代
表的な放射線検出材料の吸収係数を示す特性図、第３図
はこの発明の一実施例における放射線検出器アレイの斜
視図、第４図はＣｄＴｅ半導体結晶のＸ線エネルギーに
対する透過率を示す特性図、第５図はこの発明の放射線
検出器アレイを用いたＸ線診断装置の一例を示す概略図
である。 １・・・半導体結晶、２，３．４・・・電極、５，６・
・・切゛込み、１３・・・放射線検出器アレイ、１１・
・・Ｘ線発生器 第１図 日 第３図 第５図
表的な放射線検出材料の吸収係数を示す特性図、第３図
はこの発明の一実施例における放射線検出器アレイの斜
視図、第４図はＣｄＴｅ半導体結晶のＸ線エネルギーに
対する透過率を示す特性図、第５図はこの発明の放射線
検出器アレイを用いたＸ線診断装置の一例を示す概略図
である。 １・・・半導体結晶、２，３．４・・・電極、５，６・
・・切゛込み、１３・・・放射線検出器アレイ、１１・
・・Ｘ線発生器 第１図 日 第３図 第５図
Claims (1)
- 幅方向に長い直方体状であって上下方向を放射線入射方
向とする放射線感応型の半導体結晶と、この半導体結晶
の前面および後面に設けた一対の電極と、前面の電極側
から前記半導体結晶の側面と平行に前記半導体結晶に設
けて前記半導体結晶を幅方向に複数のチャンネルに分割
する縦方向切込群と、前記前面の電極側から前記半導体
結晶の上下面と平行に前記半導体結晶に設けて前記半導
体結晶の各チャンネルを複数の放射線有感部分に分割す
る少なくとも１個の横方向切込とを備えた放射線検出器
アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360584A JPS60187879A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 放射線検出器アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4360584A JPS60187879A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 放射線検出器アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60187879A true JPS60187879A (ja) | 1985-09-25 |
Family
ID=12668456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4360584A Pending JPS60187879A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 放射線検出器アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60187879A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2705791A1 (fr) * | 1993-05-28 | 1994-12-02 | Schlumberger Ind Sa | Détecteur de rayons X pour l'obtention de réponses sélectives en énergie. |
| JP2010510484A (ja) * | 2006-11-17 | 2010-04-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 感光層上に複数の電極を有する放射線検出器 |
| JP2017519186A (ja) * | 2014-04-17 | 2017-07-13 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 高いアスペクト比を有することが可能である感光要素を有する放射線検出器 |
-
1984
- 1984-03-07 JP JP4360584A patent/JPS60187879A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2705791A1 (fr) * | 1993-05-28 | 1994-12-02 | Schlumberger Ind Sa | Détecteur de rayons X pour l'obtention de réponses sélectives en énergie. |
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| US8581200B2 (en) | 2006-11-17 | 2013-11-12 | Koninklijke Philips N.V. | Radiation detector with multiple electrodes on a sensitive layer |
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