JPS60182755A - Ａｌ被覆リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
Ａｌ被覆リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS60182755A JPS60182755A JP3927184A JP3927184A JPS60182755A JP S60182755 A JPS60182755 A JP S60182755A JP 3927184 A JP3927184 A JP 3927184A JP 3927184 A JP3927184 A JP 3927184A JP S60182755 A JPS60182755 A JP S60182755A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景と目的〕
本発明はＡｔ被覆リードフレームの製造方法に関するも
のである。
のである。
従来、セラミツクツぐソケージ用リードフレームとして
は一般にＦｅ−４２％Ｎ１合金の片面にＡノ、を部分的
に被覆したものが使用されている。ここで部分被覆され
たＡｔ層はｋｌ又はＡ、を合金から成る前ンデイングＱ
イヤとのｉンデイング性を担っている。
は一般にＦｅ−４２％Ｎ１合金の片面にＡノ、を部分的
に被覆したものが使用されている。ここで部分被覆され
たＡｔ層はｋｌ又はＡ、を合金から成る前ンデイングＱ
イヤとのｉンデイング性を担っている。
なお、Ａｔ被覆を部分化する理由は、リードフレームを
封止後半導体装置として使用する場合、外部リード部に
は半田濡れ性が必要とされ、そこに中口」めつきが施さ
れるからである。
封止後半導体装置として使用する場合、外部リード部に
は半田濡れ性が必要とされ、そこに中口」めつきが施さ
れるからである。
ところで、このようなり−１フレームを作製するために
、通常リードフレームの片面に所望のノミターン形状に
対応する貫通孔模様を有する遮蔽板を位置合せし、Ａノ
を真空蒸着する方法が採られている。このようにして作
製されるリードフレームの１例を第１図に、又そのＡ、
−Ａ線による断面図を第２図Ｃ（示す。
、通常リードフレームの片面に所望のノミターン形状に
対応する貫通孔模様を有する遮蔽板を位置合せし、Ａノ
を真空蒸着する方法が採られている。このようにして作
製されるリードフレームの１例を第１図に、又そのＡ、
−Ａ線による断面図を第２図Ｃ（示す。
一方、最近低温ガラスによるガラス封止時にＡ２層を介
することによりガラス封止の信頼性が大幅に向上するこ
とが明らかにされた。かかる状況下において、現在ガラ
ス封正相当部に壕でＡｔ層を被覆したＩＪ−ｈＩフレー
ムの製造方法が検討されている。例えばＦｅ−４２％Ｎ
１合金条を打抜ゾレスによりり−Ｐフレーム化し、その
両面に所望のパターン蒸着の形状に対応する貫通孔模様
を有する遮蔽板を位置合せし、両面Ａｔ蒸着を施すこと
により両面Ａｔ被覆リードフレームを作製する方法が考
えられる。しかしリードフレーム用素条を用いる真空蒸
着法では帯状金属体の片１ｎ１をＡｔ被拶させた後に他
方の面を蒸着源に対面させる際のロールの組合せが困難
であり、該素条がねじれる恐れがあり、さらに両面を別
々に蒸着するために大型の蒸着装置が必要となるという
問題かある。
することによりガラス封止の信頼性が大幅に向上するこ
とが明らかにされた。かかる状況下において、現在ガラ
ス封正相当部に壕でＡｔ層を被覆したＩＪ−ｈＩフレー
ムの製造方法が検討されている。例えばＦｅ−４２％Ｎ
１合金条を打抜ゾレスによりり−Ｐフレーム化し、その
両面に所望のパターン蒸着の形状に対応する貫通孔模様
を有する遮蔽板を位置合せし、両面Ａｔ蒸着を施すこと
により両面Ａｔ被覆リードフレームを作製する方法が考
えられる。しかしリードフレーム用素条を用いる真空蒸
着法では帯状金属体の片１ｎ１をＡｔ被拶させた後に他
方の面を蒸着源に対面させる際のロールの組合せが困難
であり、該素条がねじれる恐れがあり、さらに両面を別
々に蒸着するために大型の蒸着装置が必要となるという
問題かある。
一方、樹脂封止型のＩ Ｏ１Ｊ −ｐフレームあるいは
トランジスタ用り一１フレームにおいても使用雰囲気の
水分が樹脂とリードフレームとの境界に沿って内部に浸
透することによりゼンデイングワイヤ及びワイヤゼンデ
イング部が腐食して半導体装置の性能劣化や不良を引き
起こすという問題があり、その対策として半導体用リー
ドフレームの樹脂封正相当部の表面にＡｔ又はその合金
層を形成させた後樹脂で封止すると不良率が大幅に減少
するという事実も知られている。
トランジスタ用り一１フレームにおいても使用雰囲気の
水分が樹脂とリードフレームとの境界に沿って内部に浸
透することによりゼンデイングワイヤ及びワイヤゼンデ
イング部が腐食して半導体装置の性能劣化や不良を引き
起こすという問題があり、その対策として半導体用リー
ドフレームの樹脂封正相当部の表面にＡｔ又はその合金
層を形成させた後樹脂で封止すると不良率が大幅に減少
するという事実も知られている。
このような状況に鑑み、本発明者らはイオン化蒸着法の
リードフレームへの適用を試みだ。イオン化蒸着法とは
金属蒸気をイオン化させ、これを電場にて加速し、基板
に衝突させて蒸着させる方法であり、その特徴は大きな
密着強度′と緻密な膜質、及びつきまわりの良さにある
。本発明者らはこのようなイオン化蒸着法の特徴のうち
、つきまわりの良さに着目し、詳細な検討を行った結果
、特に困難な操作や複雑な設備を必要としないで両面Ａ
、を被覆リードフレームを製造する方法を発明したので
ある。
リードフレームへの適用を試みだ。イオン化蒸着法とは
金属蒸気をイオン化させ、これを電場にて加速し、基板
に衝突させて蒸着させる方法であり、その特徴は大きな
密着強度′と緻密な膜質、及びつきまわりの良さにある
。本発明者らはこのようなイオン化蒸着法の特徴のうち
、つきまわりの良さに着目し、詳細な検討を行った結果
、特に困難な操作や複雑な設備を必要としないで両面Ａ
、を被覆リードフレームを製造する方法を発明したので
ある。
本発明の目的は、大型の蒸着装置を必要とせず、比較的
容易な方法でガラス封止性及び樹脂封止性にすぐれた半
導体用リードフレームを提供することにある。
容易な方法でガラス封止性及び樹脂封止性にすぐれた半
導体用リードフレームを提供することにある。
すなわち、本発明の要旨とするところは、圧力１０−２
〜１０−５トルの不活性ガスプラズマによりイオン化さ
れたＡｔ蒸気をリードフレームの片面より照射すること
によって、ＡＩ、をリード部の表面のみならず、リード
部の側面及び裏面にも同時に蒸着することにある。
〜１０−５トルの不活性ガスプラズマによりイオン化さ
れたＡｔ蒸気をリードフレームの片面より照射すること
によって、ＡＩ、をリード部の表面のみならず、リード
部の側面及び裏面にも同時に蒸着することにある。
Ａｔ蒸気のイオン化方法としては直流法、高周波励起法
、熱電子活性法などを適用することができる。
、熱電子活性法などを適用することができる。
蒸着全屈としてのＡ／＝ｆｄ、純粋なＡｔの他、ＡＩ、
−８１、ＡｔＭｇ、 ＡＩ、−Ｍｇ Ｚｒ、 ＡｔＳｉ
−Ｍｎ等の希薄Ａｔ合金を使用することができる。
−８１、ＡｔＭｇ、 ＡＩ、−Ｍｇ Ｚｒ、 ＡｔＳｉ
−Ｍｎ等の希薄Ａｔ合金を使用することができる。
放電ガスとしての不活性ガスは、Ａｒ 、 Ｈｅ 、
Ｎｅ 。
Ｎｅ 。
Ｎ２ガスの他、Ａｒ＋０２等の混合ガスを用いでもよい
。
。
リードフレーム用基板の組成としては、Ｆ ｅ −Ｎ
ｉ合金（例えば３６Ｎｉ −Ｆｅ 、 ４２ Ｎｉ −
Ｆｅ等）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（例えば２９Ｎｉ １
７０ｏ Ｆｅ）、Ｓ Ｕ Ｓ等の鉄合金、Ｃｕ及びＳｎ
Ｏｕ、 Ｆｅ−ｃｕ 等の銅合金を使用することが好
ましい。なお、該基板の形状としては短冊状又はコイル
状のリードフレームが好ましい。
ｉ合金（例えば３６Ｎｉ −Ｆｅ 、 ４２ Ｎｉ −
Ｆｅ等）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（例えば２９Ｎｉ １
７０ｏ Ｆｅ）、Ｓ Ｕ Ｓ等の鉄合金、Ｃｕ及びＳｎ
Ｏｕ、 Ｆｅ−ｃｕ 等の銅合金を使用することが好
ましい。なお、該基板の形状としては短冊状又はコイル
状のリードフレームが好ましい。
リード部の幅については、例えば０．２５１ｎｍの板厚
の場合、幅２ ｊｎＩｎ以下ではリード部裏面の蒸着金
属被鞄率が１００％であり、また幅１７１１１１１以下
ではリード部裏面の蒸着金属層の膜厚、膜質は共に均一
である。
の場合、幅２ ｊｎＩｎ以下ではリード部裏面の蒸着金
属被鞄率が１００％であり、また幅１７１１１１１以下
ではリード部裏面の蒸着金属層の膜厚、膜質は共に均一
である。
実施例１
板厚０．２５７ｎ＋ｎ 、長さ２０ ｔｈｍのＦｅ −
４２％Ｎｉ板をソー１幅１〜ｓｍｍＫなるように用意し
、Ａｔをイオン化蒸着した後のＡＩ、破覆率について蒸
着源に正対する曲と裏面とを比較した。たたし、ＩＹＪ
記イオン化蒸石法の実験条件は次の通りであった。すな
わち、基板と蒸盾源の間の距：’４１１：２５０ Ｙｎ
Ｉｎ ％ Ａ−（ガス圧＝５ Ｘ １０−’ ｌ−／Ｌ
／及びＩ Ｘ １０−３ト／ｌ／、高周波用カニ５００
Ｗ、基板電圧： −５ｏｏｖ、基板温度：室温である。
４２％Ｎｉ板をソー１幅１〜ｓｍｍＫなるように用意し
、Ａｔをイオン化蒸着した後のＡＩ、破覆率について蒸
着源に正対する曲と裏面とを比較した。たたし、ＩＹＪ
記イオン化蒸石法の実験条件は次の通りであった。すな
わち、基板と蒸盾源の間の距：’４１１：２５０ Ｙｎ
Ｉｎ ％ Ａ−（ガス圧＝５ Ｘ １０−’ ｌ−／Ｌ
／及びＩ Ｘ １０−３ト／ｌ／、高周波用カニ５００
Ｗ、基板電圧： −５ｏｏｖ、基板温度：室温である。
峰の結果は第３図に示される通りであり、リート幅２
ＭＩｎ以下の板材についてはガス圧１０−２〜１０−’
ｌ−ルでイオン化蒸着を行うことによりすべて裏面捷
でＡｔが被覆されることが分った。因みに真空蒸着法に
よればリード幅目ｎｍ以下の板材でも裏面のＡｔ被覆率
は１０％に過ぎない。近時、半導体素子の高密度化に伴
ってリードフレームのリード幅及びリード間隔は微細化
の傾向にあるが、上記実験によりＡ、ｔのリードフレー
ム状打抜材への裏面蒸着が可能なことが確認されたこと
の意義は大きい。
ＭＩｎ以下の板材についてはガス圧１０−２〜１０−’
ｌ−ルでイオン化蒸着を行うことによりすべて裏面捷
でＡｔが被覆されることが分った。因みに真空蒸着法に
よればリード幅目ｎｍ以下の板材でも裏面のＡｔ被覆率
は１０％に過ぎない。近時、半導体素子の高密度化に伴
ってリードフレームのリード幅及びリード間隔は微細化
の傾向にあるが、上記実験によりＡ、ｔのリードフレー
ム状打抜材への裏面蒸着が可能なことが確認されたこと
の意義は大きい。
実施例２
下記の実験条件でＡｔの真空蒸着並びにイオン族ねを行
い、両面Ａノ、被霧１（’ｃ −４２％Ｎｉ合金り−１
・゛フレームを作製した。すなわち、基板として厚さ０
、２５ｍｍ、幅３０＋＋＋＋ｉ、長さ１５０ ｎｎｎで
、リード幅ｌ＋ｎｍ 、リード間隔１．５ ＷＩ＋ＩＩ
のＰｃ −４２％Ｎｉ合金のリードフレーム材を使用し
、その片面に同材質のマスクを取付けだ後、ｌｙｒガス
圧：５ＸｌＯ−’）ル、蒸着密度： １００Ｘ／Ｓ、蒸
着厚さ＝２μＩｎ 、基板ｌ：’Ｌ度＝２００Ｃ１蒸着
金属組成：９９．９９％Ａ？ 、高周波用カニ３００Ｗ
Ｘ基板電圧ニー５００Ｖの条件でイオン化蒸着を行った
。他方、真空蒸着においてはガス圧：５Ｘ１０−６）ル
、高周波出カニＯＷ１基板電圧０■の条件で、かつマス
クを両面に取り付けだ外はイオン化蒸着の場合と同様の
条件で２度蒸着を行つた。なお、第４図は上記実験に用
いた高周波励起法によるイオン化蒸着装置の概略図であ
る。上記実験により得られた両面ＡＩ−蒸着したｌ）
Ｐフレームのリード部の断面模式図を第５図に、本発明
に従って片面からイオン蒸着を行ったリードフレームの
り−Ｖ部の断面模式図を第６図にそれぞれ示す。第６図
から明らかなように、リード部の側面及び裏面１でＡｔ
が板枠されていることが分る。
い、両面Ａノ、被霧１（’ｃ −４２％Ｎｉ合金り−１
・゛フレームを作製した。すなわち、基板として厚さ０
、２５ｍｍ、幅３０＋＋＋＋ｉ、長さ１５０ ｎｎｎで
、リード幅ｌ＋ｎｍ 、リード間隔１．５ ＷＩ＋ＩＩ
のＰｃ −４２％Ｎｉ合金のリードフレーム材を使用し
、その片面に同材質のマスクを取付けだ後、ｌｙｒガス
圧：５ＸｌＯ−’）ル、蒸着密度： １００Ｘ／Ｓ、蒸
着厚さ＝２μＩｎ 、基板ｌ：’Ｌ度＝２００Ｃ１蒸着
金属組成：９９．９９％Ａ？ 、高周波用カニ３００Ｗ
Ｘ基板電圧ニー５００Ｖの条件でイオン化蒸着を行った
。他方、真空蒸着においてはガス圧：５Ｘ１０−６）ル
、高周波出カニＯＷ１基板電圧０■の条件で、かつマス
クを両面に取り付けだ外はイオン化蒸着の場合と同様の
条件で２度蒸着を行つた。なお、第４図は上記実験に用
いた高周波励起法によるイオン化蒸着装置の概略図であ
る。上記実験により得られた両面ＡＩ−蒸着したｌ）
Ｐフレームのリード部の断面模式図を第５図に、本発明
に従って片面からイオン蒸着を行ったリードフレームの
り−Ｖ部の断面模式図を第６図にそれぞれ示す。第６図
から明らかなように、リード部の側面及び裏面１でＡｔ
が板枠されていることが分る。
次に、−り記のとおり作製されたリードフレームについ
て、低ｔＭガラスでセラミソクケースヲ所定の位置に融
着し、そのガラス封止性（父、密性）をへ１ノウムリー
クテストで評価した。その結果、リーク発生率は本発明
による両面Ａｔ蒸着品では１１５０であるのに対し真空
蒸着法による両面Ａ／、蒸着品では８１５０であり、本
発明品の方が気密性が良好であった。その理由は、本発
明品はリード部の側面にもＡｔが被覆されているだめに
低温ガラスとＡｔとの接触面積が大きいからであると考
えられる。
て、低ｔＭガラスでセラミソクケースヲ所定の位置に融
着し、そのガラス封止性（父、密性）をへ１ノウムリー
クテストで評価した。その結果、リーク発生率は本発明
による両面Ａｔ蒸着品では１１５０であるのに対し真空
蒸着法による両面Ａ／、蒸着品では８１５０であり、本
発明品の方が気密性が良好であった。その理由は、本発
明品はリード部の側面にもＡｔが被覆されているだめに
低温ガラスとＡｔとの接触面積が大きいからであると考
えられる。
以上本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明
は基板の形状として＋７−ｈ’ｌフレームのみならず、
板幅がある程ｍ゛狭いピン状のものやコイ・フタの足な
どにも力冷用することができ、また１φ以下の銅線や鉄
線などの線材の被覆にも応用することができる。
は基板の形状として＋７−ｈ’ｌフレームのみならず、
板幅がある程ｍ゛狭いピン状のものやコイ・フタの足な
どにも力冷用することができ、また１φ以下の銅線や鉄
線などの線材の被覆にも応用することができる。
以上説□明したように本発明によれば、（１） ’）
−Ｙフレームの片面ＫＡｔをイオン化蒸着することによ
り、ジー１部の側面及び裏面にも同時にＡｔが被覆され
、（２）真空蒸着法による両面Ａｔ被稼と比較して一度
の蒸着で裏面までＡノ２が′＄、覆されるので、工程が
単純化され、かつ装置も小型でよい、（３）真空蒸着法
で両面Ａ／Ｊｉｉ枠する場合には素条のねじれか牛じ易
いが、イオン化蒸着法では両面に蒸着する必要がないの
でねじれの恐れがない、（４）イオン碁石法で作製［７
たＡ−１膜は、真空蒸着法で作製したＡｔ膜よりも密着
性、緻密性にすぐれ、ワイヤゼンデイング性も良好であ
る。
−Ｙフレームの片面ＫＡｔをイオン化蒸着することによ
り、ジー１部の側面及び裏面にも同時にＡｔが被覆され
、（２）真空蒸着法による両面Ａｔ被稼と比較して一度
の蒸着で裏面までＡノ２が′＄、覆されるので、工程が
単純化され、かつ装置も小型でよい、（３）真空蒸着法
で両面Ａ／Ｊｉｉ枠する場合には素条のねじれか牛じ易
いが、イオン化蒸着法では両面に蒸着する必要がないの
でねじれの恐れがない、（４）イオン碁石法で作製［７
たＡ−１膜は、真空蒸着法で作製したＡｔ膜よりも密着
性、緻密性にすぐれ、ワイヤゼンデイング性も良好であ
る。
第１図はＡｚ被晋ＩＪ−Ｆフレームの平面図、第２図は
従来のｋｔ被覆リードフレームのＡ、 −Ａ線断面図、
第３図はリード幅とリード部裏面へのＡｔ被覆率との関
係を示すグラフ、第４図は高周波励起方式によるイオン
化蒸着装置の概略図、第５図は真空蒸着法による両面Ａ
ｔ被覆リードフレームの八−Ａ線（ａ図）及び１３−Ｂ
線（１）図）断面図、第６図は本発明のイオン化蒸着法
による両面Ａ、を被覆リードフレームのＡ−Ａ線（ａ図
）及び＋３−Ｂ線（１１図）断面図である。 ■・・排気口、２・・真空容器、３・・基板士マスク、
４・・高Ｊｉ、Ｉ′ｅ箱、極、５・・ノ・−ス、６・・
・電子銃、７・・・加熱器、８・蒸発源、９・・直流ｉ
ｉ、源、１０・・・リード（４２合金）、１１ ・Ａ／
＝ 。 第 １ 図 ｉ 莞３１ｉｉ］ ０ ＋２３４５ リード幅 （気つ〕 第２回 （＆ ） Ｘｂ） 苑４図
従来のｋｔ被覆リードフレームのＡ、 −Ａ線断面図、
第３図はリード幅とリード部裏面へのＡｔ被覆率との関
係を示すグラフ、第４図は高周波励起方式によるイオン
化蒸着装置の概略図、第５図は真空蒸着法による両面Ａ
ｔ被覆リードフレームの八−Ａ線（ａ図）及び１３−Ｂ
線（１）図）断面図、第６図は本発明のイオン化蒸着法
による両面Ａ、を被覆リードフレームのＡ−Ａ線（ａ図
）及び＋３−Ｂ線（１１図）断面図である。 ■・・排気口、２・・真空容器、３・・基板士マスク、
４・・高Ｊｉ、Ｉ′ｅ箱、極、５・・ノ・−ス、６・・
・電子銃、７・・・加熱器、８・蒸発源、９・・直流ｉ
ｉ、源、１０・・・リード（４２合金）、１１ ・Ａ／
＝ 。 第 １ 図 ｉ 莞３１ｉｉ］ ０ ＋２３４５ リード幅 （気つ〕 第２回 （＆ ） Ｘｂ） 苑４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 り１） 圧力１Ｏ−２〜１Ｏ−５）ルの不活性ガスプラ
ズマしてよりイオン化されたＡｔ蒸気をり一］゛フレー
ムの片面より照射することによって、Ａ／をリード部の
表１ｎｉのみならず、リード部の側面及び裏面にも同時
に蒸着することを特徴とするＡノ、被覆リードフレーム
の製造方法。 （２）！Ｊ−）’部の側面のみに機械的マスクを施すこ
とにより＋７ ｒ″部の表面及び裏面の両面にＡｔを同
時に部分蒸着することを特徴とする特許請求の範、間第
（１）項記載のＡｔ被枡リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3927184A JPS60182755A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | Ａｌ被覆リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3927184A JPS60182755A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | Ａｌ被覆リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182755A true JPS60182755A (ja) | 1985-09-18 |
Family
ID=12548483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3927184A Pending JPS60182755A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | Ａｌ被覆リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182755A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100493187B1 (ko) * | 1997-11-13 | 2005-09-06 | 삼성테크윈 주식회사 | 건식도금법을이용한리드프레임과그제조방법 |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP3927184A patent/JPS60182755A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100493187B1 (ko) * | 1997-11-13 | 2005-09-06 | 삼성테크윈 주식회사 | 건식도금법을이용한리드프레임과그제조방법 |
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