JPS6017936A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用樹脂組成物

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Publication number
JPS6017936A
JPS6017936A JP58125388A JP12538883A JPS6017936A JP S6017936 A JPS6017936 A JP S6017936A JP 58125388 A JP58125388 A JP 58125388A JP 12538883 A JP12538883 A JP 12538883A JP S6017936 A JPS6017936 A JP S6017936A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
filler
particle diameter
resin
particle size
Prior art date
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Pending
Application number
JP58125388A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Koshibe
茂 越部
Giyouji Hirata
仰二 平田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Publication of JPS6017936A publication Critical patent/JPS6017936A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295Organic, e.g. plastic containing a filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、応力が均一で信頼性の高い半導体封止用樹脂
組成物に係わ夛、その特徴は粒径が回路幅よシも小さい
充填材を使用するとどろにある。
近年半導体の進歩には目を目張るものがある。
例えばメモリー用途ではメモリー容量がビット数で1に
→4に→16にと急速に大きく且つ数量も急激に多くな
ってきた。最近では64にも市場にか々り出回るように
なっただけでなく、さらには256にの販売予定やサン
プル出荷が具体的な話となってきている。この半導体の
急激な発展は、パッケージ形状を大きくすることなく半
導体素子の能力を大きくする方法が技術的に確立された
ことにょるといっても過言ではない。従来のコンビーー
タシステムを大改造すること外<ICの取)替えだけで
コンピュータの能力を大きくすることが可能となった。
即ち最終ユーザーに過大な投資を強いることが避けるこ
とができたからこそ半導体関係業界の発達があったとも
言える。又、半導体製品のコストダウンによる汎用化へ
の影響も大きい。これらコストダウンは半導体素子のコ
ストダウンと封止方法のコストダウンによるととるが大
きく、特に封止方法はハーメチック封+h (金属・セ
ラミック・ガラス)からプラスチック封止(シリコーン
・エポキシ等)への変更によるところが極めて大きい。
この封止方法の変更で問題となった又なっている点は信
頼性−例十万・何百万という半導体製品の一つ一つが同
一特性を長時間バラツキなく、且つ故障なく持続できる
か−であった。一般的にプラスチック封止はハーメチッ
ク封止より信頼性が劣るとされプラスチック化の動きと
しては、比較的信頼性要求レベルの低い民生用よシ進み
次第に高信頼性を要求される産業用にまで広がってきた
本発明で提供しようとする半導体封止用樹脂組 、放物
は従来のプラスチック封止材に比べ信頼性の点でけるか
に優れるものである。要旨とするところは、粒径が封止
しようとする半導体素子のアルミ回路幅よりも小さい充
填材を使用することを特徴とする樹脂及び充填材等より
成る半導体封止用樹脂組成物である。
一般的に、半導体封止用材料は樹脂・充填材より成りこ
れに硬化剤・硬化促進剤・離型剤・難燃剤・処理剤・顔
料等を混合する場合が多い。ここでいうところの樹脂は
シリコーン樹脂やエポキシ樹脂やポリエステル樹脂等の
ことをいう。又充填材は、シリカ命マイカ・アルミナ・
炭酸カルシウム・クレー・アスベスト等のことをいう。
さらに硬化剤は酸無水物類・アミン類・フェノールノボ
ラック類等のこと、硬化促進剤は第3級アミン類・イミ
ダゾール類・ホスフィン化合物・有機アルミニウム化合
物・有機スズ化合物等の触媒類のこと、難燃剤とはハロ
ゲン化樹脂類・アンチモン類・ホウ素化合物等の離燃性
を付与させる物質のこと、処理剤とは充填材の表面改質
剤や樹脂と充填剤のカップリング剤等のことをいう。
特に現在汎用の材料は、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂・フェノールノボラック(硬化剤)・第3級アミ
ン(硬化促進剤)・シリカ(充填材)・シランカップリ
ング剤(処理剤)・3酸化アンチモン(難燃剤)等より
構成されシリカ量としては50〜90重量部が普通であ
る。
さて、信頼性であるが故障発生した半導体製品を解析し
た結果、不良現象は例としてM回路(1)及び保護膜(
2)を有する16にピッ)・メモIJ−4C封入品につ
いて不良モデル図(第1図〜第2図)で示すと、大きな
充填材(1)の影響のため■樹脂バルク・樹脂界面のマ
イクロクラック(4)発生による水進入■回路保護膜(
パッジベージロン膜)のクラック状破損(5)による水
進入■アルミ回路のずれ(6)、ゆがみ等による回路異
常によるものが大部分であった。さらに詳細に検討した
結果これらの原因が充填材であることが判った。不良が
発生している箇所には必ず大きな充填材が存在しており
囲りに細かい充填材が少ないとと一充填材が偏在してい
ること−が判った。
・ 即ち、現在の充填材は回路幅に比べて粒径が太きす
ぎること又、粒度分布が広すぎること即ち、充填材粒径
のバラツキが犬きく応力が局部的に不均一になっている
ことが判った。例えば充填材がシリカの場合、平均粒径
は3〜8ミクロン粒径は1ミクロン以下から150ミク
ロンまでと広範囲である。これをメモリー用半導体のア
ルミ回路幅(下表)と比べてみるとよくわかる。
そこで、充填材の粒径にいろいろ水準を取シ検討した結
果、粒径が回路幅よシ小さいと上記の不5− 良が激減することが判った。
以下、充填材としてシリカを使った半導体封止用材料の
例で説明する。
使用した原料は Oエポキシ樹脂:クレゾールノボラック型エポキシ樹脂 日本化薬11EOcN−1020−650硬化剤:フェ
ノールノボラック 住友ベークライト■軟化点90℃ 0難燃剤:三酸化アンチモン 住友金属鉱山■ O処理剤:エポキシシラン Dynami t Nobe 1 、 DYNASYL
AN GLYMO・離型剤;モンタン酸塩 ヘキストジャパン■ヘキストワッ クスOP O顔 料二カーボンブラック 三菱化成■ O充填材:溶融シリカ 電気化学■ 6− 又、使用量は全て重量部であり「部」と略して用いてい
る。
実施例 エポキシ樹脂8部、硬化剤す部、充填材C部、顔料05
部、離燃剤2部、処理剤0.5部、及び離型剤05部を
100℃の加熱ロールで3分間混合し種々の成形材料を
得た。a、b、c及び充填材の種類は表−1の通シであ
る。これら成形材料の信頼性成形性及び耐クラツク性等
を評価した結果、表−1の通り粒径が封止しようとする
半導体素子の回路幅よりも小さい充填制を使用した半導
体の信頼性が抜群に良いことが判る。又成形性及び酬ク
ラック性等を考えると充填材の量は50〜90重量%が
好ましい。
尚、実施例1が現在汎用となっている材料で比較の基本
となっている。
18 流動性・硬化性・強度・熱膨張特性・耐クラツク性は実
施例1の特性を100とした時の相対値信頼性は不良数
/総数 流動性:スパイラルフロー 硬化性:バーコール硬度 強 度:曲げ強さ 熱膨張特性:熱膨張係数 耐クラック性:半導体製品の冷熱サイクルテスト時のサ
イクル数 一65℃〜150℃ 信頼性二手導体製品のプレッシャークツカーテスト 125℃−100% −2000hr
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図及び第3図は大きな充填材の影響による
半導体製品の不良モデル断面図である。 特許出願人 住友ベークライト株式会社10− 第1図 第2図 第3図 183−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 粒径が封止しようとする半導体素子の回路幅よりも小さ
    い充填材を使用することを特徴とする半導体封止用樹脂
    組成物。 ゛
JP58125388A 1983-07-12 1983-07-12 半導体封止用樹脂組成物 Pending JPS6017936A (ja)

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JP58125388A JPS6017936A (ja) 1983-07-12 1983-07-12 半導体封止用樹脂組成物

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ID=14908896

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