JPS6017846A - 電子スピン偏極率検出器 - Google Patents
電子スピン偏極率検出器Info
- Publication number
- JPS6017846A JPS6017846A JP12324083A JP12324083A JPS6017846A JP S6017846 A JPS6017846 A JP S6017846A JP 12324083 A JP12324083 A JP 12324083A JP 12324083 A JP12324083 A JP 12324083A JP S6017846 A JPS6017846 A JP S6017846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- current
- electron
- polarization
- center axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子線のスピン偏極率の2次元面内での測定に
係り、特にスピン偏極方向の検出に好適な装置に関する
ものである。
係り、特にスピン偏極方向の検出に好適な装置に関する
ものである。
磁化した強磁性体や、重原子からなる物体に電子線を照
射した場合、それらの物体に吸収される電子線量がスピ
ンに依存することを利用したスピン偏極率検出器は、]
)、T、pierce他、1%ev、Sci。
射した場合、それらの物体に吸収される電子線量がスピ
ンに依存することを利用したスピン偏極率検出器は、]
)、T、pierce他、1%ev、Sci。
Instrum、 52 (10) 1981.143
7に開示されている。
7に開示されている。
まず、この方法の概略を第1図により説明する。
第1図に示すように、多結晶の金10の表面に、その面
法線Nとαなる角度をなして電子線eを入射した場合、
該入射電子線eのスピン偏極率がゼロであれば、該入射
電子線eのエネルギーElと、多結晶金10に吸収され
る電流IABを入射電流エエNで規格化した値l5=4
AB/IINとの関係は第2図のISOで示す直線とな
る。ただし、第2図はα=25° の場合を示している
。また入射電子線eが、紙面法線nの方向に−1−10
0%または一100%偏極している場合、これらの関係
はそれぞれ第2図のIs↑及び■S↓で示す直線となる
。今ISOがゼロとなる入射エネルギーE l f:i
loとし、このEIOにおけるIs↑、lS↓の値をそ
れぞれ+1o。
法線Nとαなる角度をなして電子線eを入射した場合、
該入射電子線eのスピン偏極率がゼロであれば、該入射
電子線eのエネルギーElと、多結晶金10に吸収され
る電流IABを入射電流エエNで規格化した値l5=4
AB/IINとの関係は第2図のISOで示す直線とな
る。ただし、第2図はα=25° の場合を示している
。また入射電子線eが、紙面法線nの方向に−1−10
0%または一100%偏極している場合、これらの関係
はそれぞれ第2図のIs↑及び■S↓で示す直線となる
。今ISOがゼロとなる入射エネルギーE l f:i
loとし、このEIOにおけるIs↑、lS↓の値をそ
れぞれ+1o。
−4oとすると、エネルギーEIOで入射する偏極率が
未知の電子線に対する13=ISx を測定することに
より、紙面法線nの方向への偏極率P=ISx/工Oを
知ることができる。
未知の電子線に対する13=ISx を測定することに
より、紙面法線nの方向への偏極率P=ISx/工Oを
知ることができる。
しかしながら、この方法は、−次元方向のスピン偏極率
しか測定できないこと、多結晶金10の表面状態の変化
により、EIOが犬きく変化してしまうため、安定な測
定ができないこと、微小直流電流を高精度で測定しなけ
ればならないこと等の欠点があった。
しか測定できないこと、多結晶金10の表面状態の変化
により、EIOが犬きく変化してしまうため、安定な測
定ができないこと、微小直流電流を高精度で測定しなけ
ればならないこと等の欠点があった。
したがって、本発明の目的は、スピン偏極率の2次元向
内成分の方向と大きさを、電子線照射物体の表面状態の
変化とは殆ど無関係に高精度で測定することのできる電
子スピン偏極率検出器を提供することにある。
内成分の方向と大きさを、電子線照射物体の表面状態の
変化とは殆ど無関係に高精度で測定することのできる電
子スピン偏極率検出器を提供することにある。
従来の検出器でも、偏極率の絶体値を変えずに、偏極方
向のみを反転させることのできる電子線に対しては、電
子線照射物体の表面状態の変化に殆ど影響されずに、偏
極率測定が可能である。本発明は偏極方向を反転するか
わりに・偏極方向(1−一定にしたまま物体への照射方
向を変え、等制約に偏極方向を反転したのと同じ結果を
得ている。この方式の採用により、従来法ではできなか
った2次元面内成分の方向と大きさの測定も可能となっ
た。
向のみを反転させることのできる電子線に対しては、電
子線照射物体の表面状態の変化に殆ど影響されずに、偏
極率測定が可能である。本発明は偏極方向を反転するか
わりに・偏極方向(1−一定にしたまま物体への照射方
向を変え、等制約に偏極方向を反転したのと同じ結果を
得ている。この方式の採用により、従来法ではできなか
った2次元面内成分の方向と大きさの測定も可能となっ
た。
以下、本発明の一実施例を第3図により説明する。検出
器の中心軸9にそって入射するスピン偏極率被測定電子
線1をコリメータ2でコリメートする。図中の矢印Sは
入射電子線1のスピン偏極方向を示している。この電子
線1をジェネレータ7からの移相が90° ずれた正弦
波電圧Vr。
器の中心軸9にそって入射するスピン偏極率被測定電子
線1をコリメータ2でコリメートする。図中の矢印Sは
入射電子線1のスピン偏極方向を示している。この電子
線1をジェネレータ7からの移相が90° ずれた正弦
波電圧Vr。
vr’e印加した2対の互いに直交配置された偏向電極
3.3′間に入射し、中心軸9と電子線1のなす角αを
一定に保ったまま、中心軸9の回りに矢印Rで示すごと
く電子線1を回転される。さらにこの電子線1をリング
状偏向電極系4,4′によって作られた軸対称直流電界
Erの内部を通し、中心軸9に垂直な表面をもつ全多結
晶ターゲット6の上面に中心軸9となす角αを一定に保
ったまま入射方向のみを回転させながら入射させる。
3.3′間に入射し、中心軸9と電子線1のなす角αを
一定に保ったまま、中心軸9の回りに矢印Rで示すごと
く電子線1を回転される。さらにこの電子線1をリング
状偏向電極系4,4′によって作られた軸対称直流電界
Erの内部を通し、中心軸9に垂直な表面をもつ全多結
晶ターゲット6の上面に中心軸9となす角αを一定に保
ったまま入射方向のみを回転させながら入射させる。
ここで、スピンの方向Sは電子の運動方向と無関係に一
定であるため、回転する電子軌道1に対して静止する座
標系から見ると(すなわち、電子の入射方向が固定して
いるとすると)、中心軸9に対する電子スピン方向Sの
向きがターゲット表面と平行な面内で(つまり、中心軸
9のまわりに)回転することになる。従ってターゲット
6への吸収電流isは第4図に示すように+fmと−j
rnの間合正弦波的に変化する交流信号となる。シグナ
ルプロセッサ8によって、ジェネレータからの信号yr
で吸収電流l5t−同期検波し、isとvrの移相差Δ
ψとisの大きさfmを測定する。
定であるため、回転する電子軌道1に対して静止する座
標系から見ると(すなわち、電子の入射方向が固定して
いるとすると)、中心軸9に対する電子スピン方向Sの
向きがターゲット表面と平行な面内で(つまり、中心軸
9のまわりに)回転することになる。従ってターゲット
6への吸収電流isは第4図に示すように+fmと−j
rnの間合正弦波的に変化する交流信号となる。シグナ
ルプロセッサ8によって、ジェネレータからの信号yr
で吸収電流l5t−同期検波し、isとvrの移相差Δ
ψとisの大きさfmを測定する。
このΔψから偏極方向全算出し、このjmと、コレクタ
5で集めたターゲットからの2次′電子電流12と吸収
電流isとの和(=入射電流)との比[im/(i 2
+iS)]からスピン偏極率を算出する。
5で集めたターゲットからの2次′電子電流12と吸収
電流isとの和(=入射電流)との比[im/(i 2
+iS)]からスピン偏極率を算出する。
つまり、シグナルプロセッサ8中においては次式に従っ
て偏極方向ψおよびスピン偏極率Pがめられる。
て偏極方向ψおよびスピン偏極率Pがめられる。
ψ=Δψ
I+
ここでψは偏向電極3の面法線からビームの回転方向に
測った角度。工0は第2図に与えられているもので、タ
ーゲット6の表面状態のみに依存する定数である。
測った角度。工0は第2図に与えられているもので、タ
ーゲット6の表面状態のみに依存する定数である。
以上詳述したごとく、本発明によれば、スピン偏極率の
2次元面内成分の方向と大きさを、電子線照射物体の表
面状態とは殆ど無関係に検出できる。特に偏極方向は、
表面状態の影響を全く受けずに、単に位相を測定するだ
けで容易に検出できる。またin++定附象が交流信号
であるために、ロックイン方式を採用することによりノ
イズの影響を受けずに安定に測定できる。
2次元面内成分の方向と大きさを、電子線照射物体の表
面状態とは殆ど無関係に検出できる。特に偏極方向は、
表面状態の影響を全く受けずに、単に位相を測定するだ
けで容易に検出できる。またin++定附象が交流信号
であるために、ロックイン方式を採用することによりノ
イズの影響を受けずに安定に測定できる。
図+i】の間@デな説明
第1図および第2図は、従来法によるスピン偏極率の測
定原yUを説明するための模式図および曲線図、比3図
および第4図は、本発明による奄1子スピン偏極率検出
器の基本的な構成図およびその説明用曲線図である。
定原yUを説明するための模式図および曲線図、比3図
および第4図は、本発明による奄1子スピン偏極率検出
器の基本的な構成図およびその説明用曲線図である。
1・・・被測定電子線、2・・・コリメータ、3.3’
・・・偏向電極、4.4’・・・リング状偏向電極、5
・・・2次電子コレクタ、6・・・多結晶金ターゲツト
、7・・・第1 図 舅 Z 図 Ei (θV)
・・・偏向電極、4.4’・・・リング状偏向電極、5
・・・2次電子コレクタ、6・・・多結晶金ターゲツト
、7・・・第1 図 舅 Z 図 Ei (θV)
Claims (1)
- 1、検出器の中心軸にそって入射した電子線をコリメー
トする手段と、コリメートされた電子線を検出器の中心
軸に対して一定角度傾ける手段と、該傾斜角を一定に保
ったまま中心軸に対して電子線を回転させる手段と、該
電子線を、中心軸に対して一定の角度に保ったまま、タ
ーゲットに入射させる手段と、該ターゲットからの試料
電流を検出する手段と、該ターゲットからのすべての2
次電子電流を検出する手段と、該試料電流もしくは該2
次電子電流もしくはこれら両者の差の交流信号分と、前
記電子回転信号の移相差を検出する手段と、該交流信号
分の電流値と、該試料電流と該2次電子電流の和との比
を検出する手段と、該移相差から偏極方向を算出する手
段と、核化から偏極率を算出する手段とを有する電子ス
ピン偏極率検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12324083A JPS6017846A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 電子スピン偏極率検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12324083A JPS6017846A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 電子スピン偏極率検出器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6017846A true JPS6017846A (ja) | 1985-01-29 |
JPH0454336B2 JPH0454336B2 (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=14855666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12324083A Granted JPS6017846A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 電子スピン偏極率検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6017846A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4839520A (en) * | 1986-10-03 | 1989-06-13 | Garth Simon C J | Production of pulsed electron beams |
EP0490170A2 (en) * | 1990-11-30 | 1992-06-17 | Hitachi, Ltd. | Spin detector |
US6639218B2 (en) | 2000-05-02 | 2003-10-28 | Hokkaido University | Electron spin analyzer |
US6674073B2 (en) | 2000-04-28 | 2004-01-06 | Hokkaido University | Scattering target-holding mechanism and an electron spin analyzer |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3522961B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2004-04-26 | ダイハツ工業株式会社 | 合成樹脂製の防振マウント用ブラケット |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP12324083A patent/JPS6017846A/ja active Granted
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4839520A (en) * | 1986-10-03 | 1989-06-13 | Garth Simon C J | Production of pulsed electron beams |
EP0490170A2 (en) * | 1990-11-30 | 1992-06-17 | Hitachi, Ltd. | Spin detector |
US5166522A (en) * | 1990-11-30 | 1992-11-24 | Hitachi, Ltd. | Spin detector |
EP0490170A3 (ja) * | 1990-11-30 | 1994-02-23 | Hitachi Ltd | |
US6674073B2 (en) | 2000-04-28 | 2004-01-06 | Hokkaido University | Scattering target-holding mechanism and an electron spin analyzer |
US6639218B2 (en) | 2000-05-02 | 2003-10-28 | Hokkaido University | Electron spin analyzer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0454336B2 (ja) | 1992-08-31 |
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