JPS60177544A - 質量分析装置 - Google Patents
質量分析装置Info
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- JPS60177544A JPS60177544A JP59033270A JP3327084A JPS60177544A JP S60177544 A JPS60177544 A JP S60177544A JP 59033270 A JP59033270 A JP 59033270A JP 3327084 A JP3327084 A JP 3327084A JP S60177544 A JPS60177544 A JP S60177544A
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- slit
- ions
- mass
- ion
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/025—Detectors specially adapted to particle spectrometers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/04—Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はイオンを電界もしくは磁界によりイオンの飛翔
軌跡を曲げて質量の異なったイオンを分離して検出する
質量分析装置に関する。
軌跡を曲げて質量の異なったイオンを分離して検出する
質量分析装置に関する。
（従来技術）
質量分析とは、質量の異なったイオンを電界そして、ま
たは磁界の下で分離し、イオンの質量の分布をめること
であり、化学分析などに用いられる。質量分析装置は、
イオンを発生するためのイオン源と、このイオンを磁界
そして、または電界を適切に用いて質量の異なったイオ
ンを分離する質量分離系と、分離されたイオンを検出・
記録する検出記録系とから構成される。質量分離系とし
ては、たとえば、加速されたイオンの方向と速度（エネ
ルギー）とを、扇形一様磁界を用いて収束する単収束型
や、扇形一様磁界の池に扇形電界をも用いて収束する二
重収束型がある。
たは磁界の下で分離し、イオンの質量の分布をめること
であり、化学分析などに用いられる。質量分析装置は、
イオンを発生するためのイオン源と、このイオンを磁界
そして、または電界を適切に用いて質量の異なったイオ
ンを分離する質量分離系と、分離されたイオンを検出・
記録する検出記録系とから構成される。質量分離系とし
ては、たとえば、加速されたイオンの方向と速度（エネ
ルギー）とを、扇形一様磁界を用いて収束する単収束型
や、扇形一様磁界の池に扇形電界をも用いて収束する二
重収束型がある。
第１図に、小型二重収束型質量分析装置の一例を図式的
に示す。図示しない真空排気系により高真空に排気され
た真空容器１の中に、イオン化室２を設ける。このイオ
ン化室２の中でイオン化された粒子（通常は正イオン）
は、電極群３，３．・・・によって加速され、エネルギ
ーを得、そして、第１図において、最も左側の電極３の
スリットから粒子線４として引き出される。粒子線４は
、次いで、扇形電界を発生する電極５．５（静電アナラ
イザという）の４・で曲け゛られる。第１図において、
扇形電界は下側の方向にあり、粒子線・↓は−に方向に
曲げられる。イオン化室２でイオン化された粒子は、エ
ネルギーの広い分布を持っているか、この扇形電界の作
用の下で、扇形電界の出］」に設けられたスリット６を
通るとき、ある一定のエネルギー幅にあるイオンだけが
選び出される。スリット６を出た粒子線は、次いで、扇
形−・様磁界の１ζでローレンツ力により質量と電荷と
に応して曲げられる。第１図において、磁石ポールピー
ス而７は、図の」二側と下側とに設けられ、磁界のノｊ
向は、Ｆ向きである。扇形一様磁界を出て、入射スリッ
ト；；を経た粒子線４の強度は、検出器である増倍管９
により検出される。
に示す。図示しない真空排気系により高真空に排気され
た真空容器１の中に、イオン化室２を設ける。このイオ
ン化室２の中でイオン化された粒子（通常は正イオン）
は、電極群３，３．・・・によって加速され、エネルギ
ーを得、そして、第１図において、最も左側の電極３の
スリットから粒子線４として引き出される。粒子線４は
、次いで、扇形電界を発生する電極５．５（静電アナラ
イザという）の４・で曲け゛られる。第１図において、
扇形電界は下側の方向にあり、粒子線・↓は−に方向に
曲げられる。イオン化室２でイオン化された粒子は、エ
ネルギーの広い分布を持っているか、この扇形電界の作
用の下で、扇形電界の出］」に設けられたスリット６を
通るとき、ある一定のエネルギー幅にあるイオンだけが
選び出される。スリット６を出た粒子線は、次いで、扇
形−・様磁界の１ζでローレンツ力により質量と電荷と
に応して曲げられる。第１図において、磁石ポールピー
ス而７は、図の」二側と下側とに設けられ、磁界のノｊ
向は、Ｆ向きである。扇形一様磁界を出て、入射スリッ
ト；；を経た粒子線４の強度は、検出器である増倍管９
により検出される。
第２図は、イオン化室２と電極群３．３．・・・をさら
に詳しく図式的に示す。イオン化室２は、壁部１１と加
速電極１２とにより区画され、両者は接合されている。
に詳しく図式的に示す。イオン化室２は、壁部１１と加
速電極１２とにより区画され、両者は接合されている。
イオン源は、広く用いられている電子ｉ！ｊ撃型イオン
源である。壁部１１の外側に、熱電子を放射するフィラ
メント３と、電子を引きつけるターゲット１４とが、第
２図において上側と下側とに、それぞれ設けられる。タ
ーゲット１４と加熱されたフィラメント１３との開に正
の電圧が加えられると、壁部１１に設けられた開口を通
って、放射された熱電子のビーム１５が発生し、一定の
電流（エミッシミン電流）が流れる。グリッド１６は、
フィラメント１３に関して、ターケ゛ット１４の反対側
に設けられる。フィラメント１３とグリッド１６との間
に正の電圧が加えられていて、放射された熱電子を反発
する。また、ターゲット１４と壁部１１との間に、正の
電圧が加えられているａさらに、リペラ１７は、イオン
化室２の第２図において右側に配置した板部１７ａと、
壁部１１の左側面中央部に設けた開口を通って左側に突
外出ている試料の導入管１７ｂとから構成されているが
、リペラ１７と壁部１１との開にも正の電圧が加えられ
て、いずれも、粒子線４がイオン化室２から出射するこ
とを助ける。
源である。壁部１１の外側に、熱電子を放射するフィラ
メント３と、電子を引きつけるターゲット１４とが、第
２図において上側と下側とに、それぞれ設けられる。タ
ーゲット１４と加熱されたフィラメント１３との開に正
の電圧が加えられると、壁部１１に設けられた開口を通
って、放射された熱電子のビーム１５が発生し、一定の
電流（エミッシミン電流）が流れる。グリッド１６は、
フィラメント１３に関して、ターケ゛ット１４の反対側
に設けられる。フィラメント１３とグリッド１６との間
に正の電圧が加えられていて、放射された熱電子を反発
する。また、ターゲット１４と壁部１１との間に、正の
電圧が加えられているａさらに、リペラ１７は、イオン
化室２の第２図において右側に配置した板部１７ａと、
壁部１１の左側面中央部に設けた開口を通って左側に突
外出ている試料の導入管１７ｂとから構成されているが
、リペラ１７と壁部１１との開にも正の電圧が加えられ
て、いずれも、粒子線４がイオン化室２から出射するこ
とを助ける。
ところで、リペラ１７の導入管１７ｂを通し、外部から
予め低圧力になるように処理された気体試料や気化した
液体試料や蒸発した固体試料などか、イオン化室２に導
入されると、試料は、電子ビーム１５と衝突してイオン
となる。加速電極１２は、イオン化室２の第２図におい
て右側に配置されていて、中央部に設けた開口が呟イオ
ン化された粒子か、下記のように、電界により引き出さ
れる。なお、イオン化室内で固体試料を蒸発させイオン
化することもなされている。
予め低圧力になるように処理された気体試料や気化した
液体試料や蒸発した固体試料などか、イオン化室２に導
入されると、試料は、電子ビーム１５と衝突してイオン
となる。加速電極１２は、イオン化室２の第２図におい
て右側に配置されていて、中央部に設けた開口が呟イオ
ン化された粒子か、下記のように、電界により引き出さ
れる。なお、イオン化室内で固体試料を蒸発させイオン
化することもなされている。
加速電極１２の右側に、順次、レンス電極１８゜ハーフ
プレート１９と出射電極２ｏとが設けられている。加速
電極１２と引出し電極１８の開に加速電極１２の電位が
、例えば１００〜ｌ高くなるように正の電圧を加え、ま
たハーフプレート１９には加速電極１２の電位の、例え
ば８０％程度の正の電圧を加え、さらに出射電極２ｏは
アース電位とする。上記の電子衝撃により発生したイオ
ンは、ζ霊−極ρ中央部に設けられたスリ７Ｆを通って
引と出され、出射電極２０に設けられた出射スリット２
１から出ていく。なお、第１図では、さらに、広い間を
隔てて出射電極２０と同じ電位の電極が設けられていて
、イオンビーム４の方向をそろえ、開き角を制限する。
プレート１９と出射電極２ｏとが設けられている。加速
電極１２と引出し電極１８の開に加速電極１２の電位が
、例えば１００〜ｌ高くなるように正の電圧を加え、ま
たハーフプレート１９には加速電極１２の電位の、例え
ば８０％程度の正の電圧を加え、さらに出射電極２ｏは
アース電位とする。上記の電子衝撃により発生したイオ
ンは、ζ霊−極ρ中央部に設けられたスリ７Ｆを通って
引と出され、出射電極２０に設けられた出射スリット２
１から出ていく。なお、第１図では、さらに、広い間を
隔てて出射電極２０と同じ電位の電極が設けられていて
、イオンビーム４の方向をそろえ、開き角を制限する。
ところで、上記の如と構成を有する質量分析装置におい
ては、マススペクトルを得るため、扇形一様磁界を発生
するマグネットの励磁電流を走査する場合と、加速電圧
を走査する場合とがある。
ては、マススペクトルを得るため、扇形一様磁界を発生
するマグネットの励磁電流を走査する場合と、加速電圧
を走査する場合とがある。
たとえば、上記励磁電流を走査する場合、励磁電流Ｉを
、第３図（ａ）に示すように、通常、時間に刻してリニ
ヤに変化させると、走査開始からの時間に比例した質量
数を順次に検出することができる。このとき、増倍管９
がら得られるマススペクトラムは、たとえば、第３図（
ｃ）に示すようになる。この第３図（ｃ）にＩ）’ｕ
１１２で示すように、イオン源に通常多量に存在するＨ
２ＣやＣＯ２に対応する質量数において検出されるマス
スペクトラムがスケールオーバしてしまい、その前後の
ピークにスケールオーバしたマススペクトラムの立」ニ
リ部分が重なり、質量の分離が不明確になる。
、第３図（ａ）に示すように、通常、時間に刻してリニ
ヤに変化させると、走査開始からの時間に比例した質量
数を順次に検出することができる。このとき、増倍管９
がら得られるマススペクトラムは、たとえば、第３図（
ｃ）に示すようになる。この第３図（ｃ）にＩ）’ｕ
１１２で示すように、イオン源に通常多量に存在するＨ
２ＣやＣＯ２に対応する質量数において検出されるマス
スペクトラムがスケールオーバしてしまい、その前後の
ピークにスケールオーバしたマススペクトラムの立」ニ
リ部分が重なり、質量の分離が不明確になる。
また、上記のように、スケールオーバが生じるイオンが
増倍管９に入射すると、増倍管９の一時的な飽和により
、飽和後の増倍管９から出力するピーク値が代くなった
り、増倍管９１旧本の劣化が生じる等の問題があった。
増倍管９に入射すると、増倍管９の一時的な飽和により
、飽和後の増倍管９から出力するピーク値が代くなった
り、増倍管９１旧本の劣化が生じる等の問題があった。
（発明の目的）
本発明は上記問題を解消すべくなされたものであって、
その目的は、質量分析装置において電気（浅域変換素子
を使用した電極のスリット中調整装置と加速電界もしく
はイオンビームを曲げる磁界の走査装置とを連動させる
ことに１１）、特定のイオン種に対して電極のスリット
中を絞り、イオン検出器の飽和を防止し、測定精度の向
上と検出器の保護を図ることである。
その目的は、質量分析装置において電気（浅域変換素子
を使用した電極のスリット中調整装置と加速電界もしく
はイオンビームを曲げる磁界の走査装置とを連動させる
ことに１１）、特定のイオン種に対して電極のスリット
中を絞り、イオン検出器の飽和を防止し、測定精度の向
上と検出器の保護を図ることである。
（発明の構成）
このため、本発明は、イオンを発生するためのイオンｉ
原と、このイオンを電界もしくは磁界により質量に応し
てイオンの飛翔軌跡を曲げて質量の異なったイオンを分
離する質量分離系と、分離されたイオンを検出する検出
器とからなる質量分析装置において、加速電極の加速電
界もしくは磁界の強さを時間に対してリニヤに変化させ
る走査装置と、この走査装置から出力する走査信号か予
め設定されｔこ値となったとぎに上記イオンを制御する
電極を電気機械変換素子で変位させてイオンか通過する
」二記電極のスリン）ｒｌｌを変化させるスリット中調
整装置とを備えていることを特徴としている。
原と、このイオンを電界もしくは磁界により質量に応し
てイオンの飛翔軌跡を曲げて質量の異なったイオンを分
離する質量分離系と、分離されたイオンを検出する検出
器とからなる質量分析装置において、加速電極の加速電
界もしくは磁界の強さを時間に対してリニヤに変化させ
る走査装置と、この走査装置から出力する走査信号か予
め設定されｔこ値となったとぎに上記イオンを制御する
電極を電気機械変換素子で変位させてイオンか通過する
」二記電極のスリン）ｒｌｌを変化させるスリット中調
整装置とを備えていることを特徴としている。
（実施例）
以下、添伺図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第４図において、３１は第１図において構成を説明した
質Ｌｉ）分析装置、３２はこの質量分析装置３１の４ｍ
ｌ形一様磁界を発生させるマグネットのＷＩＪ磁電流を
時間に月してリニヤに変化させる走査装置、３３は出射
電極２０の出射スリット２１を調４１′にするスリット
中調整装置である。
質Ｌｉ）分析装置、３２はこの質量分析装置３１の４ｍ
ｌ形一様磁界を発生させるマグネットのＷＩＪ磁電流を
時間に月してリニヤに変化させる走査装置、３３は出射
電極２０の出射スリット２１を調４１′にするスリット
中調整装置である。
」１記スリット１１」調整装置３３は、走査装置３２か
ら出力する走査信号、すなわち励磁電流が予め設定され
た値となったときに、上記出射電極２（）を変位させて
出射スリット２１のスリット１１」を変化させて増倍管
９に入射するイオンのビーム量を制限するもので、その
具体的な構成例を第５図に示す。
ら出力する走査信号、すなわち励磁電流が予め設定され
た値となったときに、上記出射電極２（）を変位させて
出射スリット２１のスリット１１」を変化させて増倍管
９に入射するイオンのビーム量を制限するもので、その
具体的な構成例を第５図に示す。
第５図に示すように、」二重スワット中調整装置３３は
、電極板変位装置３４とこの電極板変位装置３４に直流
電圧を印加する電源装置３５とからなっている。」二記
電極板変位装置３４は、対向する両生表面に夫々電極膜
（図示せず。）が形成された圧電板４ ］を多数枚積層
した積層木４２をケーシング・［３内に収容し、一端を
固定端としてこのケーシング４３に固定する一力、他端
を自由端としてこの自由端に金属片４４を取り（；Ｉは
、この金属片４．、−１に出射電極２０の電極板２０ａ
を取着したものである。各圧電板４１の両生表面に夫々
形成された」１記電極膜はリード線４５および４６にヨ
１）端−ｒ−４°７．４８ｉ：接続３れ、コＪ’Ｌ ラ
端子４７ ＋４８間には、第４図の走査装置３２から出
力する走査電流が、イオン種に応して予め設定した電流
を越えると、電）座装置３５から第３図（１〕）に示す
ようなパルス状の直流電圧が印加される。
、電極板変位装置３４とこの電極板変位装置３４に直流
電圧を印加する電源装置３５とからなっている。」二記
電極板変位装置３４は、対向する両生表面に夫々電極膜
（図示せず。）が形成された圧電板４ ］を多数枚積層
した積層木４２をケーシング・［３内に収容し、一端を
固定端としてこのケーシング４３に固定する一力、他端
を自由端としてこの自由端に金属片４４を取り（；Ｉは
、この金属片４．、−１に出射電極２０の電極板２０ａ
を取着したものである。各圧電板４１の両生表面に夫々
形成された」１記電極膜はリード線４５および４６にヨ
１）端−ｒ−４°７．４８ｉ：接続３れ、コＪ’Ｌ ラ
端子４７ ＋４８間には、第４図の走査装置３２から出
力する走査電流が、イオン種に応して予め設定した電流
を越えると、電）座装置３５から第３図（１〕）に示す
ようなパルス状の直流電圧が印加される。
上記のように、端子４７．４８に電源装置３５の出力電
圧が印加されると、積層体４２の各圧電板４１には夫々
］二重出力電圧が印加され、第６図に示すように、Ｌ記
積層体４２の長さＩは電圧の印加方向に応じて八でだけ
伸縮する。
圧が印加されると、積層体４２の各圧電板４１には夫々
］二重出力電圧が印加され、第６図に示すように、Ｌ記
積層体４２の長さＩは電圧の印加方向に応じて八でだけ
伸縮する。
この変位量Δでは、圧電板４１の積層枚数を１１゜厚さ
を１．圧電歪定数をｄ３３．圧電板４１の１枚当りの変
位量をΔし、圧電板４１の厚み方向の電場をＥとすると
、次の（１）式で表わされる。
を１．圧電歪定数をｄ３３．圧電板４１の１枚当りの変
位量をΔし、圧電板４１の厚み方向の電場をＥとすると
、次の（１）式で表わされる。
Δ夕＝ ｎ・ΔＬ
＝ ｎ・し・ｄ３３・Ｅ＝、＋２・４３・Ｅ・・・（１
）また、−に配電源装置３５の出力電圧を＼・′とすれ
ば、上記電界Ｅは次の（２）式で表わされる。
）また、−に配電源装置３５の出力電圧を＼・′とすれ
ば、上記電界Ｅは次の（２）式で表わされる。
ｌ己＝■／１ ・・・（２）
この（１）式および（２）式から、電ｉ原装置３５の出
力電圧Ｖを変化させることにより、上記変位量へ夕を変
化させることができる。これにより、積層体４２の自由
端に収り刊けられた電極板２０ａ、は上記出力電圧＼パ
によりΔｐだけ変位し、出射スリット２１の中心からの
振分けＩｌｌ Ｉｌｌが変化する。
力電圧Ｖを変化させることにより、上記変位量へ夕を変
化させることができる。これにより、積層体４２の自由
端に収り刊けられた電極板２０ａ、は上記出力電圧＼パ
によりΔｐだけ変位し、出射スリット２１の中心からの
振分けＩｌｌ Ｉｌｌが変化する。
出射電極２（）の電極板２＋１１３も−１−記と同様に
、１−記入リット中調整装置３３の図示しないいま一つ
のスリン） ｌ＋調整装置によりΔＣだけ変位し、出射
スリット２１の中心からの振分は中ｕ１２が変化する。
、１−記入リット中調整装置３３の図示しないいま一つ
のスリン） ｌ＋調整装置によりΔＣだけ変位し、出射
スリット２１の中心からの振分は中ｕ１２が変化する。
従って、第３図（ｃ）にｌｌｕ １１２に示すように、
スケールオーバか発生側る特定のイオンの質量数、すな
わち、走査装置３２から出力する励磁電流（走査信号）
の上記質量数に対応する値を予め検出しておき、励磁電
流がこの値に等しくなった時点で、ス’） ｙ ） Ｉ
ＩＩ調整装置３３の電ｉ原装置３５から第３図（Ｉ＋）
に示すようなパルス状の直流電圧か電極板変位装置３４
の端子４７．４８開に印加されるように走査装置３２の
走査プログラムを設定しておけば、出射電極２０の出射
スリット２１のスリット中か狭められる。これにより、
上記出射スリット２１を通過するイオンビームか絞られ
、」二重出則スリント２１のスリン） ｒ１３が完全に
零となると、第３図（ｄ）に点線で示すように、上記特
定のイオンの検出はカットされ、増倍管９の飽和は回避
される。従って、上記特定のイオンの質量数の１ｉｉｊ
後の質量数を有するイオン種も検出することかできる。
スケールオーバか発生側る特定のイオンの質量数、すな
わち、走査装置３２から出力する励磁電流（走査信号）
の上記質量数に対応する値を予め検出しておき、励磁電
流がこの値に等しくなった時点で、ス’） ｙ ） Ｉ
ＩＩ調整装置３３の電ｉ原装置３５から第３図（Ｉ＋）
に示すようなパルス状の直流電圧か電極板変位装置３４
の端子４７．４８開に印加されるように走査装置３２の
走査プログラムを設定しておけば、出射電極２０の出射
スリット２１のスリット中か狭められる。これにより、
上記出射スリット２１を通過するイオンビームか絞られ
、」二重出則スリント２１のスリン） ｒ１３が完全に
零となると、第３図（ｄ）に点線で示すように、上記特
定のイオンの検出はカットされ、増倍管９の飽和は回避
される。従って、上記特定のイオンの質量数の１ｉｉｊ
後の質量数を有するイオン種も検出することかできる。
上記実施例において、第４図に点線で示すように、スリ
ン）Ｉｌｌ調整装置３３により、入射入りント８のスリ
ット中を調整するようにしてもよい。
ン）Ｉｌｌ調整装置３３により、入射入りント８のスリ
ット中を調整するようにしてもよい。
本発明は四重極型の質量分析装置にも適用することがで
外る。また、本発明は加速電極１２の加速電圧を走査す
るものにも適用することができる。
外る。また、本発明は加速電極１２の加速電圧を走査す
るものにも適用することができる。
（発明の効果）
以−１二、詳述したことからも明らかなように、本発明
によれば、質量分（ｈ装置において、スケールオーバか
発生する特定のイオン種に対して電気（浅域変換素子を
使用してイオンビームが通過する電極のスリット［１］
を絞ることができるので、質量分析装置の検出記録系を
構成する増倍管の飽和を回避することができ、特定のイ
オン種の質量数の前後の質量数を有するイオン種も精度
よく検出でと、検出記録系の寿命も長くなる。
によれば、質量分（ｈ装置において、スケールオーバか
発生する特定のイオン種に対して電気（浅域変換素子を
使用してイオンビームが通過する電極のスリット［１］
を絞ることができるので、質量分析装置の検出記録系を
構成する増倍管の飽和を回避することができ、特定のイ
オン種の質量数の前後の質量数を有するイオン種も精度
よく検出でと、検出記録系の寿命も長くなる。
第１図は従来の二重収束型質量分析装置の構成を示す模
式図、第２図は電子衝撃型イオン源の模式図、第３図（
ａ）は走査信号（Ｗｈ磁電流）の説明図、第３図（ｂ）
は本発明に係る質量分析装置の直流電源の出力電圧の説
明図、第３図（ｃ）は従来の質量分析装置によるマスス
ペクトラムの説明図、第３図（ｄ）は本発明に係る質量
分析装置によるマススペクトラムの説明図、第４図は本
発明に係る質量分析装置のブロック図、第５図はスリッ
ト中調整装置の説明図、第６図は積層体の変位の説明図
である。 ８・・・入射スリット、１２・・・加速電極、２１・・
・出射スリット、３１・・・質量分析装置、３２・・・
走査装置、３３・・・スリット中調整装置特許出願人
株式会社杓１１製作所 代理 人 弁理士 肖 山 葆 はが２名第２図 ３ 第３図 Ｔ ｌｓ＠ｃ１ ｍ／ａ ｍ／ａ 第５図 第６図 ２
式図、第２図は電子衝撃型イオン源の模式図、第３図（
ａ）は走査信号（Ｗｈ磁電流）の説明図、第３図（ｂ）
は本発明に係る質量分析装置の直流電源の出力電圧の説
明図、第３図（ｃ）は従来の質量分析装置によるマスス
ペクトラムの説明図、第３図（ｄ）は本発明に係る質量
分析装置によるマススペクトラムの説明図、第４図は本
発明に係る質量分析装置のブロック図、第５図はスリッ
ト中調整装置の説明図、第６図は積層体の変位の説明図
である。 ８・・・入射スリット、１２・・・加速電極、２１・・
・出射スリット、３１・・・質量分析装置、３２・・・
走査装置、３３・・・スリット中調整装置特許出願人
株式会社杓１１製作所 代理 人 弁理士 肖 山 葆 はが２名第２図 ３ 第３図 Ｔ ｌｓ＠ｃ１ ｍ／ａ ｍ／ａ 第５図 第６図 ２
Claims (1)
- （１）イオンを発生するためのイオン源と、このイオン
を電界もしくは磁界により質量に応じてイオンの飛翔軌
跡を曲げて質量の異なったイオンを分離する質量分離系
と、分離されたイオンを検出する検出器とからなる質量
分析装置において、加速電極の加速電界もしくは磁界の
強さを時間に月してリニヤに変化させる走査装置と、こ
の走査装置から出力する走査信号が予め設定された値と
なくたときに上記イオンを制御する電極を電気（開成変
換素子で変位させてイオンが通過［る」１記電極のスリ
ット（１」を変化させるスリット中調整装置とを備えて
いることを特徴とする質量分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033270A JPS60177544A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59033270A JPS60177544A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 質量分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177544A true JPS60177544A (ja) | 1985-09-11 |
Family
ID=12381831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59033270A Pending JPS60177544A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | 質量分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177544A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013532886A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-08-19 | イオン−トフ テクノロジーズ ゲーエムベーハー | イオン又は後にイオン化される中性粒子を試料から検出する方法、質量分析計、及びその使用 |
-
1984
- 1984-02-22 JP JP59033270A patent/JPS60177544A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013532886A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-08-19 | イオン−トフ テクノロジーズ ゲーエムベーハー | イオン又は後にイオン化される中性粒子を試料から検出する方法、質量分析計、及びその使用 |
| JP2015084347A (ja) * | 2010-07-30 | 2015-04-30 | イオン−トフ テクノロジーズ ゲーエムベーハー | イオン又は後にイオン化される中性粒子を試料から検出する方法、質量分析計、及びその使用 |
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