JPS60166264A - 炭化けい素の焼結法 - Google Patents
炭化けい素の焼結法Info
- Publication number
- JPS60166264A JPS60166264A JP59023824A JP2382484A JPS60166264A JP S60166264 A JPS60166264 A JP S60166264A JP 59023824 A JP59023824 A JP 59023824A JP 2382484 A JP2382484 A JP 2382484A JP S60166264 A JPS60166264 A JP S60166264A
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- Japan
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- silicon carbide
- sintering
- plasma
- pressure
- powder
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炭化けい素の焼結法、更に詳しくはプラスi利
用による炭化けい素の焼結法に関する。
用による炭化けい素の焼結法に関する。
従来、炭化けい素の焼結法としては、(1)炭化けい素
の分解解離温度(2800℃)以下の温度、通常210
0℃附近の温度で約1時間熱処理して焼結すふ方法、(
2)圧力下で加熱処理(ホットプレス)す−る方法が行
われている。従来法では(1) (2)共に焼結助剤を
必要としていた。
の分解解離温度(2800℃)以下の温度、通常210
0℃附近の温度で約1時間熱処理して焼結すふ方法、(
2)圧力下で加熱処理(ホットプレス)す−る方法が行
われている。従来法では(1) (2)共に焼結助剤を
必要としていた。
しかし、前記(1)の方法は焼結時間を長く必要とする
欠点があシ、また前記(2)の方法は加圧装置を必要と
し、その操作も面倒である等の欠点があった。
欠点があシ、また前記(2)の方法は加圧装置を必要と
し、その操作も面倒である等の欠点があった。
本発明は従来法における欠点を解消せんとする果、プラ
ズマの超高温を利用すれば、焼結助剤を必要とせず、1
分内の短時間でも焼結することができ、かつ緻密な焼結
体が得られることを知見した。この知見に基いて本発明
を完成したものである。
ズマの超高温を利用すれば、焼結助剤を必要とせず、1
分内の短時間でも焼結することができ、かつ緻密な焼結
体が得られることを知見した。この知見に基いて本発明
を完成したものである。
本発明の要旨は、炭化けい素粉末または炭化けい素粉末
に焼結助剤を混合したものを加圧成形し、該成形体を非
酸化雰囲気のプラズマ中にさらし、焼呻することを特徴
とする炭化けい素の焼結法にあ−る。
に焼結助剤を混合したものを加圧成形し、該成形体を非
酸化雰囲気のプラズマ中にさらし、焼呻することを特徴
とする炭化けい素の焼結法にあ−る。
本発明において用いる炭化けい素は、α相炭化けい素、
β相炭化けい素、非晶質炭化けい素笹−い下であること
が望ましく、粒度分布はシャープ−で・あることが好ま
しい。焼結助剤は必ずしも必要とし4い。しかし、炭化
けい素粉末の種類にょシ、オー(墨いはプロセッシング
を容易にする場合、また物理的特性を制御したい場合等
においては焼結助絢−を混合して使用する。
β相炭化けい素、非晶質炭化けい素笹−い下であること
が望ましく、粒度分布はシャープ−で・あることが好ま
しい。焼結助剤は必ずしも必要とし4い。しかし、炭化
けい素粉末の種類にょシ、オー(墨いはプロセッシング
を容易にする場合、また物理的特性を制御したい場合等
においては焼結助絢−を混合して使用する。
焼結助剤としては、例えば、Bs0sA/、Beの元素
あるいはその化合物、例えば、B2O−BN、BP r
AjN 、 IB2. i2B、 、 Al、G5.
BeO等が挙げられる。しかし、これらに限定される
ものではなく、焼結を促進する助剤であればよい。これ
ら。
あるいはその化合物、例えば、B2O−BN、BP r
AjN 、 IB2. i2B、 、 Al、G5.
BeO等が挙げられる。しかし、これらに限定される
ものではなく、焼結を促進する助剤であればよい。これ
ら。
炭化けい素粉末またはこれに焼結助剤を混合した5もの
を成形して使用する。成形は密度の高いものであること
が好ましい。
を成形して使用する。成形は密度の高いものであること
が好ましい。
プラズマ発生方法は雰囲気制御とエンタルピー制御が可
能であることが好ましい。その方法としては、高周波誘
導法(400kHz 〜3 GHz ) 、直流アーク
法、交流アーク法、レーザー法等いずれの方法でもよい
。このうち、高周波誘導による無極放電を利用して作っ
たアルゴンプラズマは、雰囲気、9清浄さ、電力、圧力
などによるエンタルピー制−1御が容易である点で最も
好ましい。また水素ブ゛ラ−・ズマ、炭化水素プラズマ
、またはこの混合ブラ糟→でもよいが、雰囲気は非酸化
性であることが必要で、中性あるいは還元性であればよ
い。
能であることが好ましい。その方法としては、高周波誘
導法(400kHz 〜3 GHz ) 、直流アーク
法、交流アーク法、レーザー法等いずれの方法でもよい
。このうち、高周波誘導による無極放電を利用して作っ
たアルゴンプラズマは、雰囲気、9清浄さ、電力、圧力
などによるエンタルピー制−1御が容易である点で最も
好ましい。また水素ブ゛ラ−・ズマ、炭化水素プラズマ
、またはこの混合ブラ糟→でもよいが、雰囲気は非酸化
性であることが必要で、中性あるいは還元性であればよ
い。
雰囲気の圧力はプラズマの安定する2気圧〜ITorr
の圧力範囲で制御する。圧力が高いとプラズマ温度は上
がるが、プラズマは不安定となり、圧力が低いと蒸発が
激しくなるので、好ましくはI Torr〜1気圧がよ
い。
の圧力範囲で制御する。圧力が高いとプラズマ温度は上
がるが、プラズマは不安定となり、圧力が低いと蒸発が
激しくなるので、好ましくはI Torr〜1気圧がよ
い。
従って、本発明において使用するプラズマ炉としては、
I Torrまで制御できる真空排気系を備(t、J、
Thものを用い、その圧力を制御することによシ、【発
速度の制御と発生エンタルピー量の制御を行う。このプ
ラズマ部は試料の最大直径より大きく、且つ試料を挿入
してもプラズマが安定に持続することができる十分のパ
ワーのある発生電源を用いることが望ましい。
I Torrまで制御できる真空排気系を備(t、J、
Thものを用い、その圧力を制御することによシ、【発
速度の制御と発生エンタルピー量の制御を行う。このプ
ラズマ部は試料の最大直径より大きく、且つ試料を挿入
してもプラズマが安定に持続することができる十分のパ
ワーのある発生電源を用いることが望ましい。
焼結の程度は、焼結体の密度、あるいは走査1g−発明
の方法によると、 (1) プラズマによる超高温、高エンタルピーを利用
するため、焼結時間が極めて短縮し得られる、例えば従
来法では1時間の焼成時間が必要であったのに対し、1
分内でも焼結することができる。
の方法によると、 (1) プラズマによる超高温、高エンタルピーを利用
するため、焼結時間が極めて短縮し得られる、例えば従
来法では1時間の焼成時間が必要であったのに対し、1
分内でも焼結することができる。
(2) 成形体をプラズマ中を通過させるだけで焼結で
きるので、パイプのような長尺のものも容易に焼結する
ことができる。
きるので、パイプのような長尺のものも容易に焼結する
ことができる。
(5) 装置が簡単になる。すなわち、従来法では均熱
帯容積が成形体容積を十分にカバーする太き、きのもの
が必要であったのに対し、成形物を移着することができ
るので、小さい簡単な装置で焼成することができる。
帯容積が成形体容積を十分にカバーする太き、きのもの
が必要であったのに対し、成形物を移着することができ
るので、小さい簡単な装置で焼成することができる。
(4)緻密な焼結体が容易に得られる。即ち、従来の焼
結法の焼結温度域(2000〜2300℃)では焼結機
構は表面拡散や蒸発−凝縮であったが、1万度附近の高
温では粒界拡散や体積拡散が支配的になシ緻密化を促進
することができる。
結法の焼結温度域(2000〜2300℃)では焼結機
構は表面拡散や蒸発−凝縮であったが、1万度附近の高
温では粒界拡散や体積拡散が支配的になシ緻密化を促進
することができる。
、−)、超高温処理のため、粒成長の原因である表面拡
散や蒸発凝縮が抑制されるので、粒成長を抑制すること
ができる。
散や蒸発凝縮が抑制されるので、粒成長を抑制すること
ができる。
(6) プラズマ温度、発生するエンタルピー量を供給
電力のみならずガス圧力でも制御するため、制御範囲が
広がシ焼結条件を容易に変更し得られる。
電力のみならずガス圧力でも制御するため、制御範囲が
広がシ焼結条件を容易に変更し得られる。
(7) エネルギーが少なくてすむ。即ち従来法では大
きな均熱帯容積を必要とし、また、断熱材を含め、先ず
炉を温め、かつ焼結時間も長く必、青。
きな均熱帯容積を必要とし、また、断熱材を含め、先ず
炉を温め、かつ焼結時間も長く必、青。
エネルギーが少なくてすむ。
(g) 超高温焼結であるため、焼結助剤を用いず焼結
することができる。
することができる。
等の従来法では得られない優れた作用効果を奏し得られ
る。
る。
実施ガニ。
平均粒径Q、5 μmのI −SiO粉末に、0.5重
量−の非晶質B1及び1.0重量%(Cに換算して)の
−7エノールを加え、これらをポリエチレン製ポ=ルミ
ルを用いて、エタノール中で24時間混合し声。混合粉
末を乾燥してエタノールを追出しだ。
量−の非晶質B1及び1.0重量%(Cに換算して)の
−7エノールを加え、これらをポリエチレン製ポ=ルミ
ルを用いて、エタノール中で24時間混合し声。混合粉
末を乾燥してエタノールを追出しだ。
との粉末を金型に入れ、300 Ky/ctrr2で一
軸加圧によシ1次成形した後、2000 K9/cm2
の静水圧によ92次成形し、十分乾燥させた。
軸加圧によシ1次成形した後、2000 K9/cm2
の静水圧によ92次成形し、十分乾燥させた。
アルゴンガスを流量600 vd/ minで流し、ガ
ス圧力50 Torrに設定し、陽極電圧7kV、陽極
電流1.5 A 、グリッド電流70m1周波数3.6
MHzの高周波をワークコイルに流し、無極放電を利用
してアルゴンプラズマヲ作ツタ。
ス圧力50 Torrに設定し、陽極電圧7kV、陽極
電流1.5 A 、グリッド電流70m1周波数3.6
MHzの高周波をワークコイルに流し、無極放電を利用
してアルゴンプラズマヲ作ツタ。
このアルゴンプラズマ中に前記成形体を挿入し、60秒
間保持し焼結体を作った。得られた焼結体の平均密度は
理論密度の96.5%であった。
間保持し焼結体を作った。得られた焼結体の平均密度は
理論密度の96.5%であった。
実施例2゜
実施例1において、炭化けい素単味で、他は同じ条件で
焼結した。得られた焼結体の平均密度は理論密度の80
%であった。
焼結した。得られた焼結体の平均密度は理論密度の80
%であった。
実施例3゜
粉末原料、成形は実施例1と同様なものを使用し、アル
ゴンガスを2.5 j/minの流量で流し、ガヌ主力
を1気圧に設定し、陽極電圧7kV、陽極電流1.6
A 、グリッド電流70mA、周波数3.6 M)Iz
の高周波をワークコイルに流しアルゴンプラズマを作っ
た。
ゴンガスを2.5 j/minの流量で流し、ガヌ主力
を1気圧に設定し、陽極電圧7kV、陽極電流1.6
A 、グリッド電流70mA、周波数3.6 M)Iz
の高周波をワークコイルに流しアルゴンプラズマを作っ
た。
このアルゴンプラズマ中に炭素棒を支えとし、前記炭化
けい素粉末成形体を挿入し、2分間保持し焼結体を作っ
た。得られた焼結体の平均密度は理論密度の75%であ
った。
けい素粉末成形体を挿入し、2分間保持し焼結体を作っ
た。得られた焼結体の平均密度は理論密度の75%であ
った。
実施例4゜
炭化けい素粉末成形体は実施例1と同じものを使用した
。
。
この成形体をBN粉末に埋めて支えた。
アルゴンガス流量を1.3 l/minで流し、ガス圧
を大気圧忙設定し、陽極電圧7.OkV、陽極電流1.
65 A、グリッド電流70 mA、周波数3.6MH
zでアルゴンプラズマを作った。前記BN粉末に埋めた
成形体をアルゴンプラズマ中に挿入し、2分間保持して
焼結体を作った。得られた焼結体の平均密度は理論密度
の90%であった。
を大気圧忙設定し、陽極電圧7.OkV、陽極電流1.
65 A、グリッド電流70 mA、周波数3.6MH
zでアルゴンプラズマを作った。前記BN粉末に埋めた
成形体をアルゴンプラズマ中に挿入し、2分間保持して
焼結体を作った。得られた焼結体の平均密度は理論密度
の90%であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 炭化けい素粉末または炭化けい素粉末に焼結助剤
を混合したものを加圧成形し、該成形体を非酸化雰囲気
のプラズマ中にさらし焼結することを特徴とする炭化け
い素の焼結法。 2、 非酸化雰囲気の圧力を2気圧〜I TOrrの範
囲で制御する特許請求の範囲第1項記載の炭化けい素の
焼結法。 −3,炭化けい素粉末の平均粒径が1μm以下である特
許請求の範囲第1項記載の炭化けい素の焼結法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59023824A JPS60166264A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 炭化けい素の焼結法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59023824A JPS60166264A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 炭化けい素の焼結法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60166264A true JPS60166264A (ja) | 1985-08-29 |
JPS6359988B2 JPS6359988B2 (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=12121107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59023824A Granted JPS60166264A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 炭化けい素の焼結法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60166264A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0197702A2 (en) * | 1985-04-01 | 1986-10-15 | The Carborundum Company | Plasma arc sintering of silicon carbide |
JPS62260773A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-13 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 高密度炭化けい素焼結体及びその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5874578A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-05-06 | ステンカー・コーポレーション | 直接加熱ガスを使用する耐火物の焼結方法 |
JPS5925902A (ja) * | 1982-07-31 | 1984-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 焼結法 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59023824A patent/JPS60166264A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5874578A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-05-06 | ステンカー・コーポレーション | 直接加熱ガスを使用する耐火物の焼結方法 |
JPS5925902A (ja) * | 1982-07-31 | 1984-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 焼結法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0197702A2 (en) * | 1985-04-01 | 1986-10-15 | The Carborundum Company | Plasma arc sintering of silicon carbide |
JPS62260773A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-13 | 科学技術庁無機材質研究所長 | 高密度炭化けい素焼結体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6359988B2 (ja) | 1988-11-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |