JPS60165877A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS60165877A JPS60165877A JP59023181A JP2318184A JPS60165877A JP S60165877 A JPS60165877 A JP S60165877A JP 59023181 A JP59023181 A JP 59023181A JP 2318184 A JP2318184 A JP 2318184A JP S60165877 A JPS60165877 A JP S60165877A
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- JP
- Japan
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- drain
- conversion element
- diffusion layer
- solid
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、テレビカメラ等に用いられる固体撮像装置に
関するものである。
関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、様々な方式の固体撮像装置が産業用、民生用のテ
レビカメラ等に実用化されている〇以下図面を錠前しな
がら従来の固体撮像装置について説明を行う。
レビカメラ等に実用化されている〇以下図面を錠前しな
がら従来の固体撮像装置について説明を行う。
第１図（ａ）は従来の固体撮像装置の光電変換部の一部
の平面図を示すものであり、第１図６は第１図（＆）の
Ａ−Ａ′における断面図を示すものである。
の平面図を示すものであり、第１図６は第１図（＆）の
Ａ−Ａ′における断面図を示すものである。
第１図において１は光信号を信号電荷に変換する光電変
換素子７．２は光電変換素子１に蓄えられた信号電荷を
読み出すだめの電荷読み出しゲート、３は光電変換素子
１に蓄えられた信号電荷を読み出すだめの電荷読み出し
線、４は光電変換素子１に蓄えられた信号電荷を読み出
すための電荷読み出しドレインである。
換素子７．２は光電変換素子１に蓄えられた信号電荷を
読み出すだめの電荷読み出しゲート、３は光電変換素子
１に蓄えられた信号電荷を読み出すだめの電荷読み出し
線、４は光電変換素子１に蓄えられた信号電荷を読み出
すための電荷読み出しドレインである。
以上のように構成され固体撮像装置について、以下その
動作について説明する。
動作について説明する。
まず、入射した光は光電変換素子１において信号電荷に
変換され、光電変換素子１に蓄積される。
変換され、光電変換素子１に蓄積される。
次に読み出しゲート２に電圧を加えることによって、光
電変換素子１に蓄積された信号電荷は読み出しドレイン
４、読み出し線３全通して外部へ読み出される。
電変換素子１に蓄積された信号電荷は読み出しドレイン
４、読み出し線３全通して外部へ読み出される。
しかしながら、上記のような構成では、入射光は光電変
換素子１においてのみ信号電荷に変換されるのではなく
、基板の内部及び読み出しドレイン４においても信号電
荷に変換されてしまい、信号電荷を含まない光電変換素
子１を読み出している時でも読み出しドレイン４の信号
電荷を読み出してしまう。このため信号のない時に擬似
信号（スミャ）が発生する。
換素子１においてのみ信号電荷に変換されるのではなく
、基板の内部及び読み出しドレイン４においても信号電
荷に変換されてしまい、信号電荷を含まない光電変換素
子１を読み出している時でも読み出しドレイン４の信号
電荷を読み出してしまう。このため信号のない時に擬似
信号（スミャ）が発生する。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、上記スミャ現象の少ない固体
撮像装置を提供するものである。
撮像装置を提供するものである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明は、スミャの発生する
読み出しドレインの拡散層の深さを、光電変換素子の拡
散層深さより浅くすることにより構成されている。
読み出しドレインの拡散層の深さを、光電変換素子の拡
散層深さより浅くすることにより構成されている。
この構成によって読み出しドレインにおいて信号電荷に
変換される光信号量は減少し、また基板の内部で変換さ
れた信号電荷が読み出しドレインへ流れ込む割合も減少
してスミャが減少することとなる。
変換される光信号量は減少し、また基板の内部で変換さ
れた信号電荷が読み出しドレインへ流れ込む割合も減少
してスミャが減少することとなる。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第２図（ａ）は本発明の一実施例における固体撮像装置
の光電変換部の一部の平面図を示すものであり、第２図
（ｂ）は第２図（ａ）のＡ −Ａ’における断面図を示
すものである。第２図において１１は光電変換素子、１
２ｉｊ：読み出しゲート、１３は読み出し線、１４は第
１図の構成と同じ読み出しドレイン４であるが、拡散層
の深さ方向への深さが第１図に比べて浅くなっている。
の光電変換部の一部の平面図を示すものであり、第２図
（ｂ）は第２図（ａ）のＡ −Ａ’における断面図を示
すものである。第２図において１１は光電変換素子、１
２ｉｊ：読み出しゲート、１３は読み出し線、１４は第
１図の構成と同じ読み出しドレイン４であるが、拡散層
の深さ方向への深さが第１図に比べて浅くなっている。
以上のように構成された固体撮像装置について以下その
動作について説明する。まず光電変換素子１１に蓄積さ
れた信号電荷を読み出しドレイン１４、読み出し線１３
を通して外部へ読み出すのは従来例と同じであるが、光
電変換素子１１に比べて読み出しドレイン１４の拡散層
の深さが浅いために、基板の内部で変換された信号電荷
が読み出しドレイン１４へ流れ込む率が小さくなる。捷
た読み出しドレイン１４で変換される信号電荷も減少す
る。
動作について説明する。まず光電変換素子１１に蓄積さ
れた信号電荷を読み出しドレイン１４、読み出し線１３
を通して外部へ読み出すのは従来例と同じであるが、光
電変換素子１１に比べて読み出しドレイン１４の拡散層
の深さが浅いために、基板の内部で変換された信号電荷
が読み出しドレイン１４へ流れ込む率が小さくなる。捷
た読み出しドレイン１４で変換される信号電荷も減少す
る。
以上のように本実施例によれば、読み出しドレイン１４
の拡散層の深さ全光電変換素子１の深さより浅くするこ
とによりスミヤ金低減することができる。
の拡散層の深さ全光電変換素子１の深さより浅くするこ
とによりスミヤ金低減することができる。
発明の効果
以上のように本発明は、光電変換素子の拡散層の深さが
、読み出しドレインの拡散層の深さよりも深いことよシ
、スミヤ金低減することができ、その効果は大なるもの
がある。
、読み出しドレインの拡散層の深さよりも深いことよシ
、スミヤ金低減することができ、その効果は大なるもの
がある。
第１図（ａ）は従来の固体撮像装置の光電変換部の一部
の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’にお
ける断面図、第２図（ａ）は本発明の実施ｆｊｌにおけ
る光電変換部の一部の平面図、第２図（ｂ）は第２図（
１Ｌ）のＡ−Ａ′における断面図である。 １１・・・・・−光電変換素子、１２・川・・読み出し
ゲート、１３・・・・・・読み出し線、１４・・・・・
・読み出しドレイン。 第１図 （α２ ？ （ｂ〕 ／２４
の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’にお
ける断面図、第２図（ａ）は本発明の実施ｆｊｌにおけ
る光電変換部の一部の平面図、第２図（ｂ）は第２図（
１Ｌ）のＡ−Ａ′における断面図である。 １１・・・・・−光電変換素子、１２・川・・読み出し
ゲート、１３・・・・・・読み出し線、１４・・・・・
・読み出しドレイン。 第１図 （α２ ？ （ｂ〕 ／２４
Claims (2)
- （１）半導体基板上に複数個の光電変換素子と同党電変
換素子に蓄積された信号電荷を読み出す電荷読み出し手
段を有し、前記光電変換素子の拡散層の深さが、前記電
荷読み出し手段の拡散層の深さよシ深いことを特徴とす
る固体ｌｆ＆ （ａ装置。 - （２）光電変換素子がリンネ純物層で形成され、電荷読
み出し手段がヒ素不純物層で形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59023181A JPS60165877A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59023181A JPS60165877A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165877A true JPS60165877A (ja) | 1985-08-29 |
Family
ID=12103470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59023181A Pending JPS60165877A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165877A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57173274A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-25 | Nec Corp | Solid-state image pickup device |
-
1984
- 1984-02-09 JP JP59023181A patent/JPS60165877A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57173274A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-25 | Nec Corp | Solid-state image pickup device |
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