JPS60164225A - 温度検知装置 - Google Patents
温度検知装置Info
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- JPS60164225A JPS60164225A JP1960784A JP1960784A JPS60164225A JP S60164225 A JPS60164225 A JP S60164225A JP 1960784 A JP1960784 A JP 1960784A JP 1960784 A JP1960784 A JP 1960784A JP S60164225 A JPS60164225 A JP S60164225A
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- Japan
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- fluorescent
- temperature
- light
- optical fiber
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
- G01K11/32—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in transmittance, scattering or luminescence in optical fibres
- G01K11/3206—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in transmittance, scattering or luminescence in optical fibres at discrete locations in the fibre, e.g. using Bragg scattering
- G01K11/3213—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in transmittance, scattering or luminescence in optical fibres at discrete locations in the fibre, e.g. using Bragg scattering using changes in luminescence, e.g. at the distal end of the fibres
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、悪環境条件下でも正確に温度を測定できる、
光ファイバを用いた温度検知装置に関する。
光ファイバを用いた温度検知装置に関する。
（従来技術とその問題点）
近年、光ファイバの無誘導性、フレキシビリティ、耐環
境性を用いて、他の方法では測定困難であった悪環境条
件下で遠隔的に測定可能な温度測定装置が提案されてい
る。
境性を用いて、他の方法では測定困難であった悪環境条
件下で遠隔的に測定可能な温度測定装置が提案されてい
る。
第１図は、螢光物質の放射強度の温度依存性から温度を
測定するファイバを用いた従来装置の構成図である。第
１図において、螢光物質１は、第１のビームスプリッタ
−４，レンズ３．光ファイ 、バ２を介して励起光源６
からの励起光によシ励起される。励起により生じた螢光
は、光ファイバ２を逆に戻シ、第１のビームスピリツタ
−４によシ励起光源６の光路から分離されて、第２のビ
ームスピリツタ−５に入射される。螢光は第２のビーム
スプリッタ−５によりさらに２つに分岐され、放射強度
の温度依存性の少い螢光成分と温度依存性の顕著な螢光
成分の２つが各々、第１及び第２の干渉フィルター７及
び８によシ選択されて、第１及び第２の光検出器によシ
受光される。
測定するファイバを用いた従来装置の構成図である。第
１図において、螢光物質１は、第１のビームスプリッタ
−４，レンズ３．光ファイ 、バ２を介して励起光源６
からの励起光によシ励起される。励起により生じた螢光
は、光ファイバ２を逆に戻シ、第１のビームスピリツタ
−４によシ励起光源６の光路から分離されて、第２のビ
ームスピリツタ−５に入射される。螢光は第２のビーム
スプリッタ−５によりさらに２つに分岐され、放射強度
の温度依存性の少い螢光成分と温度依存性の顕著な螢光
成分の２つが各々、第１及び第２の干渉フィルター７及
び８によシ選択されて、第１及び第２の光検出器によシ
受光される。
第１及び第２の光検出器９及び１０の出力の強変死をめ
る割算回路１１の出力を、温度換算回路によシ温度を示
す値に変換することにょシ、螢光物質１の温度が測定で
きる。この装置では、前記放射強度の温度依存性の異な
る２つの螢光成分の強度比を測定することにょ）、励起
光の強度変動、光ファイバ２の曲げ損失、光フアイバー
結合部の損失変動による誤差を抑えた温度測定が可能と
なる利点があるが、以下に示すような重大な欠点もある
。
る割算回路１１の出力を、温度換算回路によシ温度を示
す値に変換することにょシ、螢光物質１の温度が測定で
きる。この装置では、前記放射強度の温度依存性の異な
る２つの螢光成分の強度比を測定することにょ）、励起
光の強度変動、光ファイバ２の曲げ損失、光フアイバー
結合部の損失変動による誤差を抑えた温度測定が可能と
なる利点があるが、以下に示すような重大な欠点もある
。
第１に放射強度の温度依存性の異なる２つの螢光成分が
必要であるため、使用できる螢光物質１がきわめて限ら
れる。従来、この螢光物質１としては（Ｇｄ Ｏ，９９
Ｅｕｏ、ｏｘ ）２０２８のみが報告されている。この
螢光物質１は紫外域に励起帯を持ち、螢光は可視域に発
生する。しかしこの波長域では、光フアイバ中の損失が
大きく長尺ファイバの使用が困難である。検出する２つ
の螢光波長での光ファイバ２の損失が異なるため、光フ
ァイバ長にょシ螢光の強度比と温度の関係が変化するな
どの欠点を生じていた。
必要であるため、使用できる螢光物質１がきわめて限ら
れる。従来、この螢光物質１としては（Ｇｄ Ｏ，９９
Ｅｕｏ、ｏｘ ）２０２８のみが報告されている。この
螢光物質１は紫外域に励起帯を持ち、螢光は可視域に発
生する。しかしこの波長域では、光フアイバ中の損失が
大きく長尺ファイバの使用が困難である。検出する２つ
の螢光波長での光ファイバ２の損失が異なるため、光フ
ァイバ長にょシ螢光の強度比と温度の関係が変化するな
どの欠点を生じていた。
第２に、２つの螢光波長を分離するためには、干渉フィ
ルター７．８などの狭帯域フィルターが、不可欠である
ため、これらのフィルターの損失によ）光検出器９，１
０の受光効率が低下し、高いＳ／Ｎ比を得ることが困難
であること、また干渉フィルター７．８の経時変化によ
シフイルター中心波長がシフトし、測定温度に誤差を生
じ易いなどの欠点も生じていた。
ルター７．８などの狭帯域フィルターが、不可欠である
ため、これらのフィルターの損失によ）光検出器９，１
０の受光効率が低下し、高いＳ／Ｎ比を得ることが困難
であること、また干渉フィルター７．８の経時変化によ
シフイルター中心波長がシフトし、測定温度に誤差を生
じ易いなどの欠点も生じていた。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記欠点を解消した使用可能な螢光物
質１の制限が緩く、長尺光ファイバも使用可能で、経時
変化が少く、高いＳ／Ｎ比で螢光を受光できる温度検知
装置を提供することである。
質１の制限が緩く、長尺光ファイバも使用可能で、経時
変化が少く、高いＳ／Ｎ比で螢光を受光できる温度検知
装置を提供することである。
本発明の温度検知装置は、螢光物質と、前記螢光物質を
パルス的に励起する励起光源と、前記励起光源からの励
起光を前記螢光物質に導く又は螢光物質からの螢光を導
く光ファイバと、前記螢光物質からの螢光を検出する光
検出器と、前記、光検出器に接続される螢光寿命測定ユ
ニットと、前記螢光寿命測定ユニットの出力と前記螢光
物質の螢光寿命の温度依存性とから温度をめる温度換算
回路とを備える構成となっている。
パルス的に励起する励起光源と、前記励起光源からの励
起光を前記螢光物質に導く又は螢光物質からの螢光を導
く光ファイバと、前記螢光物質からの螢光を検出する光
検出器と、前記、光検出器に接続される螢光寿命測定ユ
ニットと、前記螢光寿命測定ユニットの出力と前記螢光
物質の螢光寿命の温度依存性とから温度をめる温度換算
回路とを備える構成となっている。
（発明の作用効果）
次に本発明の温度検知装置の実施例を図面を用いて詳細
に説明する。第２図は、励起用光ファイバと検出用光フ
ァイバを同一の光ファイバとした場合の本発明の一実施
例の構成図であシ、以下の点を除いて構成、名称は第１
図と同一である。第２図において、光検出器１０の出力
は螢光寿命測定ユニット１３に接続され、温度換算回路
１４によシ、螢光寿命の温度依存性から温度がめられる
。
に説明する。第２図は、励起用光ファイバと検出用光フ
ァイバを同一の光ファイバとした場合の本発明の一実施
例の構成図であシ、以下の点を除いて構成、名称は第１
図と同一である。第２図において、光検出器１０の出力
は螢光寿命測定ユニット１３に接続され、温度換算回路
１４によシ、螢光寿命の温度依存性から温度がめられる
。
一方励起光源６は、螢光物質１の螢光寿命と同程度のパ
ルス幅の光パルスを出力する。
ルス幅の光パルスを出力する。
第３図Ａ、Ｂ、Ｏは、励起光強度と螢光強度と力の時間
波形である。螢光は、励起の始まりと共に立ち上がシ、
励起が終了した後は、指数関数的に減少する。螢光寿命
をτて表わした時の螢光の％葉面ＪＬａ （１）式でＡ
ｔｓ＊ｖ＜７°′５る。
波形である。螢光は、励起の始まりと共に立ち上がシ、
励起が終了した後は、指数関数的に減少する。螢光寿命
をτて表わした時の螢光の％葉面ＪＬａ （１）式でＡ
ｔｓ＊ｖ＜７°′５る。
Ａ＝Ａ６ｅ ” （１）
α）式においてＡは螢光強度、ｔは時間でｓｂ、Ａｏは
定数である。螢光寿命τの測定は、最も簡単には時刻ｔ
１での螢光強度ＡｌとΔを時間経過後の螢光強度Ａ２と
の比をめることにより知ることができる。またさらに高
精度の測定を行う場合には螢光減衰曲線の波形記憶を行
い、その波形もしくはその波形を対数変換した波形から
最小２乗法で螢光寿命をめることもできる。
定数である。螢光寿命τの測定は、最も簡単には時刻ｔ
１での螢光強度ＡｌとΔを時間経過後の螢光強度Ａ２と
の比をめることにより知ることができる。またさらに高
精度の測定を行う場合には螢光減衰曲線の波形記憶を行
い、その波形もしくはその波形を対数変換した波形から
最小２乗法で螢光寿命をめることもできる。
次に一光寿命の温度依存性について説明する。
第４図は最近波長可変固体レーザとして実用化されつつ
あるアレキサンドライト（Ｂｅ ｋＡ ２０４ ：Ｃｒ
３＋ ）の螢光寿命の温度依存性を示している。
あるアレキサンドライト（Ｂｅ ｋＡ ２０４ ：Ｃｒ
３＋ ）の螢光寿命の温度依存性を示している。
固体レーザ物質は通常、高融点で硬度が高く、高い熱伝
導性を有し、化学的にも安定なことから温度検知材料と
して必要な特性を満たしている。さらにその螢光寿命は
数１００〜数ｍｓと長く螢光寿命の測定が容易である利
点がある。しかしながら螢光寿命の温度依存性に関して
は°、その変化が常温付近ではレーザ発振特性に大きな
影響を及はさないためにアレキサンドライト出現以前に
はあまシ関心を持たれていなかりた。アレキサンドライ
トは高温にな仝はどレーザとしての増幅率が増加すると
いう特徴を有しておシ、図４に示すような広い温度範囲
に渡る螢光の温度依存性が測定されている。
導性を有し、化学的にも安定なことから温度検知材料と
して必要な特性を満たしている。さらにその螢光寿命は
数１００〜数ｍｓと長く螢光寿命の測定が容易である利
点がある。しかしながら螢光寿命の温度依存性に関して
は°、その変化が常温付近ではレーザ発振特性に大きな
影響を及はさないためにアレキサンドライト出現以前に
はあまシ関心を持たれていなかりた。アレキサンドライ
トは高温にな仝はどレーザとしての増幅率が増加すると
いう特徴を有しておシ、図４に示すような広い温度範囲
に渡る螢光の温度依存性が測定されている。
図よシ、１５０に付近から５００に付近まで螢光寿命ｔ
：温度と共に指数関数的に減小していること、即ち、螢
光寿命を測定すれば一童的に精度良く温度を決めうろこ
とがわかる。螢光物質１をアレキサンドライトとした場
合、励起光源６は数ｍｓの光パルスを発生する光変調器
を備えたＡｒレーザもしくはＫｒレーザ、光ファイバ２
には石英がラスファイバー、光検出器９にはＳｉフォト
ダイオードが適当である。Ｓｉフォトダイオードはアレ
キサンドライトの螢光波長０．７μｍ付近での高い感度
と、アレキサンドライトの螢光寿命よシも十分に速い数
ｎｓ程度の応答速度を有していることから１５０Ｋから
５００Ｋに渡る広い温度範囲の温度を高い精度でめるこ
とができる。
：温度と共に指数関数的に減小していること、即ち、螢
光寿命を測定すれば一童的に精度良く温度を決めうろこ
とがわかる。螢光物質１をアレキサンドライトとした場
合、励起光源６は数ｍｓの光パルスを発生する光変調器
を備えたＡｒレーザもしくはＫｒレーザ、光ファイバ２
には石英がラスファイバー、光検出器９にはＳｉフォト
ダイオードが適当である。Ｓｉフォトダイオードはアレ
キサンドライトの螢光波長０．７μｍ付近での高い感度
と、アレキサンドライトの螢光寿命よシも十分に速い数
ｎｓ程度の応答速度を有していることから１５０Ｋから
５００Ｋに渡る広い温度範囲の温度を高い精度でめるこ
とができる。
強度Ａ’。、とＡ１とＡ１２をＡ／Ｄ変換によシサンプ
リングしてマイクロコンピュータに入力し、１ｔ−Ｌｒ
ｉ−・（Ａ１ ”ｏｓ ＞の演算を行い結果金山４−
ＡＩ。８ 力する。この式は式（１）よ請求められる螢光寿ｉ示し
ている。なお励起開始直前の出力信号強度Ａ’。、は光
検出器９に入射する螢光以外の迷光や、光検出器９自身
のオフセット電圧から成夛、”１やＡ“２からＧｓを差
し引くことにより、螢光強度Ａ１．Ａ２がめられる。”
ｏｓを差し引くことによシ、高温測定時の輻射光や、光
検出器９のドリフト成分による螢光寿命測定精度の低下
を抑えることができ、実用性の高い温度検知装置を笑現
することができる。温度換算回路１４はマイクロコンピ
ー−ターで構成され、その動作は以下の坤シである。あ
らかじめ記憶されている螢光寿命と温度の関係に従い、
螢光寿命測定ユニット１３の出力に対応する温度を出力
する。
リングしてマイクロコンピュータに入力し、１ｔ−Ｌｒ
ｉ−・（Ａ１ ”ｏｓ ＞の演算を行い結果金山４−
ＡＩ。８ 力する。この式は式（１）よ請求められる螢光寿ｉ示し
ている。なお励起開始直前の出力信号強度Ａ’。、は光
検出器９に入射する螢光以外の迷光や、光検出器９自身
のオフセット電圧から成夛、”１やＡ“２からＧｓを差
し引くことにより、螢光強度Ａ１．Ａ２がめられる。”
ｏｓを差し引くことによシ、高温測定時の輻射光や、光
検出器９のドリフト成分による螢光寿命測定精度の低下
を抑えることができ、実用性の高い温度検知装置を笑現
することができる。温度換算回路１４はマイクロコンピ
ー−ターで構成され、その動作は以下の坤シである。あ
らかじめ記憶されている螢光寿命と温度の関係に従い、
螢光寿命測定ユニット１３の出力に対応する温度を出力
する。
本発明による他の利点として１回の温度測定時間が螢光
物質１の螢光寿命程度の短い時間で行いうることか挙げ
られる。これは検知部に熱伝導率が高く、化学的に安定
な螢光物質を用いることによシ、従来装置では省くこと
の困難であった防護管などを除外し、被測温体と螢光物
質の間の熱抵抗を少くすることによシ可能となる。特に
流速の大きい流体などの温度変動を知シたい場合などに
も有用である。また従来装置で温度精度の劣化原因とな
った干渉フィルター７．８が不要であ一層、同時忙励起
光源６の強度変動や、光ファイバの曲げ損失、光学系の
ミスアライメントによる強度変動等に基づく誤差が入ら
ない利点もある。
物質１の螢光寿命程度の短い時間で行いうることか挙げ
られる。これは検知部に熱伝導率が高く、化学的に安定
な螢光物質を用いることによシ、従来装置では省くこと
の困難であった防護管などを除外し、被測温体と螢光物
質の間の熱抵抗を少くすることによシ可能となる。特に
流速の大きい流体などの温度変動を知シたい場合などに
も有用である。また従来装置で温度精度の劣化原因とな
った干渉フィルター７．８が不要であ一層、同時忙励起
光源６の強度変動や、光ファイバの曲げ損失、光学系の
ミスアライメントによる強度変動等に基づく誤差が入ら
ない利点もある。
以上本発明の一実施例を説明したが、本発明の目的を逸
脱することなく、いくつかの変形が考え・られる。螢光
寿命は、螢光の発光準位におけるフォノンとの相互作用
による非発光過程と螢光の放出過程との２つのエネルギ
ー散逸過程によって決まる。このうち螢光の放出過程は
温度依存性が少いが、フォノンとの相互作用による非発
送過程のるため近以的に ｅ Ｊｙ で表わされる温度
依存性を含む。Ｅはフォノンのエネルギー、ｋｌｔｉｙ
Ｗルッマン定数、Ｔは絶対温度である。この依存性は第
４図に示した通シアレキサンドライトの場合にはよくあ
てはまってお）、他の螢光物質の場合にも本質的に同じ
であるため、固体レーザ物質として知られてｂる希土類
イオンを含む結晶やガラス材料も本発明に使用する螢光
物質工として有効である。これらの螢光物質は、螢光の
発光準位のエネルギーが各々異るので、これらの螢光物
質を組み合わせれば、広い温度範囲をカバーする温度検
知が可能となる。固体レーザ物質を用いる場合、螢光寿
命の温度依存性を更に大きくシ、特性を改善するために
、螢光イオンの濃度を増加させること、螢光を消光させ
る働きを持つイオンを付加することなどが有効である。
脱することなく、いくつかの変形が考え・られる。螢光
寿命は、螢光の発光準位におけるフォノンとの相互作用
による非発光過程と螢光の放出過程との２つのエネルギ
ー散逸過程によって決まる。このうち螢光の放出過程は
温度依存性が少いが、フォノンとの相互作用による非発
送過程のるため近以的に ｅ Ｊｙ で表わされる温度
依存性を含む。Ｅはフォノンのエネルギー、ｋｌｔｉｙ
Ｗルッマン定数、Ｔは絶対温度である。この依存性は第
４図に示した通シアレキサンドライトの場合にはよくあ
てはまってお）、他の螢光物質の場合にも本質的に同じ
であるため、固体レーザ物質として知られてｂる希土類
イオンを含む結晶やガラス材料も本発明に使用する螢光
物質工として有効である。これらの螢光物質は、螢光の
発光準位のエネルギーが各々異るので、これらの螢光物
質を組み合わせれば、広い温度範囲をカバーする温度検
知が可能となる。固体レーザ物質を用いる場合、螢光寿
命の温度依存性を更に大きくシ、特性を改善するために
、螢光イオンの濃度を増加させること、螢光を消光させ
る働きを持つイオンを付加することなどが有効である。
螢光寿命の温度依存性を大きくすれば一層高い温度精度
を得ることが可能となる。
を得ることが可能となる。
第２図に示す構成図において、光ファイバ２として長尺
なものを用いたい場合、光ファイバの伝送損失の低い０
．８μｍを１μｍにそれぞれ励起波長と螢光波長を選べ
るＮｄイオンを含む結晶を螢光物質１として用いればよ
い。その場合、励起光源６として、光源寿命が長く、励
起光強度を増やしうるＧａＡｔＡｓ半導体レーザを、光
検出器９として１μｍ付近でも高感度な８ｉフオトダイ
オードを用いることができるので、検出時のＳ／Ｎ比を
高く取れる利点と装置を小形化できる利点もある。
なものを用いたい場合、光ファイバの伝送損失の低い０
．８μｍを１μｍにそれぞれ励起波長と螢光波長を選べ
るＮｄイオンを含む結晶を螢光物質１として用いればよ
い。その場合、励起光源６として、光源寿命が長く、励
起光強度を増やしうるＧａＡｔＡｓ半導体レーザを、光
検出器９として１μｍ付近でも高感度な８ｉフオトダイ
オードを用いることができるので、検出時のＳ／Ｎ比を
高く取れる利点と装置を小形化できる利点もある。
本発明による他の一実施例として、光ファイバ２の先端
部に希土類イオンなどの螢光イオンをドープすることＫ
よシ、光ファイバ２と螢光物質１を一体化すれば、構造
的に頑丈で構成が単純となる結果、故障が少い温度検知
装置を提供することが可能となる。
部に希土類イオンなどの螢光イオンをドープすることＫ
よシ、光ファイバ２と螢光物質１を一体化すれば、構造
的に頑丈で構成が単純となる結果、故障が少い温度検知
装置を提供することが可能となる。
本発明によるさらに他の実施例として、励起用光ファイ
バと検出用ファイバを分離してもよい。
バと検出用ファイバを分離してもよい。
すなわち第２図の螢光物質１から光検出器までもう１本
の光ファイバ（検出用）を設置する。この場合光源６か
らの光はビームスプリッタ４を介すことなく直接レンズ
３よシ光７アイｙ２に入射させればよいのでビームスプ
リ、りは不要となる。
の光ファイバ（検出用）を設置する。この場合光源６か
らの光はビームスプリッタ４を介すことなく直接レンズ
３よシ光７アイｙ２に入射させればよいのでビームスプ
リ、りは不要となる。
この場合検出用光ファイバのＮＡを大きくすれば、螢光
を高効率に光検出器１０に導くことが可能となシ、一層
高い温度精度を得ることが可能となる。
を高効率に光検出器１０に導くことが可能となシ、一層
高い温度精度を得ることが可能となる。
螢光物質１からの螢光を光ファイバを介さず直接検知で
きる位置に光検出器を設置できれば、やけシビームスプ
リッタ４は不要となる。又、逆に光源６からの光を直接
螢光物質に照射し、螢光物質からの螢光を光ファイバを
介して検出する構成としてもよい。
きる位置に光検出器を設置できれば、やけシビームスプ
リッタ４は不要となる。又、逆に光源６からの光を直接
螢光物質に照射し、螢光物質からの螢光を光ファイバを
介して検出する構成としてもよい。
第１図は従来装置の実施例を示す構成図でめｐ１第２図
は本発明による一実施例の構成図であシ、第３図Ａ、Ｂ
、０は第２図に示す構成での動作のタイミングを示す図
であシ、Ａは励起強度、Ｂは螢光強度、Ｃは光検出器出
力の時間変化を示す図である。 第４図はアレキサンドライトの螢光寿命の温度依存性を
示す図である。 図において１は螢光物質、２は光ファイノ（。 ３はレンズ、４は第１のビームスプリッタ−９５は第２
のビームスプリッタ−１６は励起光源。 ７及び８は各々第１及び第２の干渉フィルター。 ９及び１０は各々、第１及び第２の光検出器。 １１は割算回路、１２は温度換算回路。 １３は螢光寿命測定ユニットであシ、１４は温度換算回
路である。 代理人弁理士 内原 ・踊、 オ １ 図 ７２ 図 オ ３ 図 時間（１）
は本発明による一実施例の構成図であシ、第３図Ａ、Ｂ
、０は第２図に示す構成での動作のタイミングを示す図
であシ、Ａは励起強度、Ｂは螢光強度、Ｃは光検出器出
力の時間変化を示す図である。 第４図はアレキサンドライトの螢光寿命の温度依存性を
示す図である。 図において１は螢光物質、２は光ファイノ（。 ３はレンズ、４は第１のビームスプリッタ−９５は第２
のビームスプリッタ−１６は励起光源。 ７及び８は各々第１及び第２の干渉フィルター。 ９及び１０は各々、第１及び第２の光検出器。 １１は割算回路、１２は温度換算回路。 １３は螢光寿命測定ユニットであシ、１４は温度換算回
路である。 代理人弁理士 内原 ・踊、 オ １ 図 ７２ 図 オ ３ 図 時間（１）
Claims (1)
- 螢光物質と、前記螢光物質をパルス的に励起する励起光
源と、前記励起光・源からの励起光を前記螢光物質に導
く、又は螢光物質からの螢光を導く光ファイバと、前記
螢光物質螢光を検知する光検出器と、前記光検出器に接
続される螢光寿命測定ユニットと、前記螢光寿命測定ユ
ニットの出力と前記螢光物質の螢光寿命の温度依存性と
から温度をめる温度換算回路とを備えることを特徴とす
る温度検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1960784A JPS60164225A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 温度検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1960784A JPS60164225A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 温度検知装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60164225A true JPS60164225A (ja) | 1985-08-27 |
Family
ID=12003878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1960784A Pending JPS60164225A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 温度検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60164225A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5351268A (en) * | 1990-12-04 | 1994-09-27 | Luxtron Corporation | Modular luminescence-based measuring system using fast digital signal processing |
| JP2016166543A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | 富士電機株式会社 | 被処理部材の硬化処理方法及び硬化処理装置 |
| CN114608807A (zh) * | 2022-02-25 | 2022-06-10 | 武汉睿芯特种光纤有限责任公司 | 用于增益光纤的多波长荧光寿命测量装置 |
-
1984
- 1984-02-06 JP JP1960784A patent/JPS60164225A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5351268A (en) * | 1990-12-04 | 1994-09-27 | Luxtron Corporation | Modular luminescence-based measuring system using fast digital signal processing |
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| CN114608807B (zh) * | 2022-02-25 | 2024-03-29 | 武汉睿芯特种光纤有限责任公司 | 用于增益光纤的多波长荧光寿命测量装置 |
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