JPS60163437A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS60163437A JPS60163437A JP1885484A JP1885484A JPS60163437A JP S60163437 A JPS60163437 A JP S60163437A JP 1885484 A JP1885484 A JP 1885484A JP 1885484 A JP1885484 A JP 1885484A JP S60163437 A JPS60163437 A JP S60163437A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し２、特に半導体基
板を回転させ、該基板上に回転する円筒型ブラシを接触
させて、該半導体基板上に付着シ、タゴミを除去するい
わゆるブラシスクラバーに関するものである。
板を回転させ、該基板上に回転する円筒型ブラシを接触
させて、該半導体基板上に付着シ、タゴミを除去するい
わゆるブラシスクラバーに関するものである。
近年半導体デバイスはＬＳＩからＶＬＳ Ｉへと年々集
積密度を上げ、より微細なパターン形成が請求されて来
ている。微細パターン形成に於て特に注意をはらって行
なわなければならないことは、半導体デバイス製造工程
でのゴミの発生防止と、半導体基板上に付着したゴミの
除去にある。次に、半導体基板上に付着したゴミと、そ
のゴミが後工程でおよぼす影響について図を用いて説明
する。
積密度を上げ、より微細なパターン形成が請求されて来
ている。微細パターン形成に於て特に注意をはらって行
なわなければならないことは、半導体デバイス製造工程
でのゴミの発生防止と、半導体基板上に付着したゴミの
除去にある。次に、半導体基板上に付着したゴミと、そ
のゴミが後工程でおよぼす影響について図を用いて説明
する。
第１図（→はシリコン基板１上に形成した二酸化シリコ
ン膜２上に周知の写真食刻技術で巾２〜３゜μのポリシ
リコン配線３を形成し、しかる後気相成長法によりリン
ガラス層４を形成した半導体基板の断面を示している。
ン膜２上に周知の写真食刻技術で巾２〜３゜μのポリシ
リコン配線３を形成し、しかる後気相成長法によりリン
ガラス層４を形成した半導体基板の断面を示している。
ここで図中５は、気相成長後にリンガラス層上に利殖し
たゴミを示している。第１図（ｂ）はその後に形成され
るＭ配線とポリシリコン配線とを接続させるため、リン
ガラス層上に開孔（コンタクトホール）を設ける工程を
示す図面図である。第１図（ｂ）の６はコンタクトホー
ル７の形成されたフォトレジストパターンで、ゴミ５０
周辺でレジストが薄くなっていることを示している。第
１図（Ｃ）はフォトレジストパターン６に従ってバッフ
アート酸を用いてリンガラス層４をエツチングし２だ後
の断面図を示す。ここでゴミ５の位置した部分のリンガ
ラス層は前述しまた通りゴミ周辺のフォトレジスト膜厚
が薄いため、フォトレジストをエツチングし、たエツチ
ング液がゴミ下部のリンガラス層までもエツチングして
し、まつ／こ様子を示し７ている。従って、図（ｃ）中
７は所望のコンタクトホールであり、図（Ｃ）中８は不
所望の開孔パターンをである。第１図（カはリンガラス
層４のコンタクトホール７を介してポリシリコン配線３
と接続されるＭ配線を写真食刻法で形成し７た後の半導
体基板の断面図である。図で９および１０はそれぞれ所
望の接続および配線であるが、１１はゴミ５の／ζめフ
ォトレジスト６でリンガラス層４をカバーしきれずに開
孔した不所望の開孔部を介してポリシリコン配線３と接
続したいわゆる配線間ショートの様子を示し２ている。
たゴミを示している。第１図（ｂ）はその後に形成され
るＭ配線とポリシリコン配線とを接続させるため、リン
ガラス層上に開孔（コンタクトホール）を設ける工程を
示す図面図である。第１図（ｂ）の６はコンタクトホー
ル７の形成されたフォトレジストパターンで、ゴミ５０
周辺でレジストが薄くなっていることを示している。第
１図（Ｃ）はフォトレジストパターン６に従ってバッフ
アート酸を用いてリンガラス層４をエツチングし２だ後
の断面図を示す。ここでゴミ５の位置した部分のリンガ
ラス層は前述しまた通りゴミ周辺のフォトレジスト膜厚
が薄いため、フォトレジストをエツチングし、たエツチ
ング液がゴミ下部のリンガラス層までもエツチングして
し、まつ／こ様子を示し７ている。従って、図（ｃ）中
７は所望のコンタクトホールであり、図（Ｃ）中８は不
所望の開孔パターンをである。第１図（カはリンガラス
層４のコンタクトホール７を介してポリシリコン配線３
と接続されるＭ配線を写真食刻法で形成し７た後の半導
体基板の断面図である。図で９および１０はそれぞれ所
望の接続および配線であるが、１１はゴミ５の／ζめフ
ォトレジスト６でリンガラス層４をカバーしきれずに開
孔した不所望の開孔部を介してポリシリコン配線３と接
続したいわゆる配線間ショートの様子を示し２ている。
このように、気相成長工程等の製造工程で発生したゴミ
は配線間のショート、あるいは配線オープンの発生原因
となり、半導体デバイスの製造歩留りを大きく低下させ
ている。このゴミを除去する方法の一つに回転させた半
導体基板上に、ナイロン、アクリル等の材料で作られ／
ζ円円筒型ブラシ回転しこれを接触させて基板上のゴミ
を除去する、いわゆるブラシスクラバーを用いる方法が
ある。次にブラシスクラバーにおける従来技術の欠点を
具体例を用いて説明する。第２図（ａ）は従来技術のブ
ラシスクラバーで、回転する半導体基板１２上に回転す
る円筒型ブラシ１３を接触させ、配管１４に設けた多数
の噴出孔１５ 、１５・・・から洗浄水をブラシ１３に
供給し２て、ゴミを除去する方法を示シ７フζものであ
る。また図中１６は噴出し７穴水流を示す。第２図（ｂ
）は第２図＜＞で示した従来方法の水洗用配管とスクラ
ブブラシとの断面を示したものである。
は配線間のショート、あるいは配線オープンの発生原因
となり、半導体デバイスの製造歩留りを大きく低下させ
ている。このゴミを除去する方法の一つに回転させた半
導体基板上に、ナイロン、アクリル等の材料で作られ／
ζ円円筒型ブラシ回転しこれを接触させて基板上のゴミ
を除去する、いわゆるブラシスクラバーを用いる方法が
ある。次にブラシスクラバーにおける従来技術の欠点を
具体例を用いて説明する。第２図（ａ）は従来技術のブ
ラシスクラバーで、回転する半導体基板１２上に回転す
る円筒型ブラシ１３を接触させ、配管１４に設けた多数
の噴出孔１５ 、１５・・・から洗浄水をブラシ１３に
供給し２て、ゴミを除去する方法を示シ７フζものであ
る。また図中１６は噴出し７穴水流を示す。第２図（ｂ
）は第２図＜＞で示した従来方法の水洗用配管とスクラ
ブブラシとの断面を示したものである。
図（ｂ）中１７は噴出された洗浄水によりブラシが摩耗
した摩耗部を示し２ている。次にこのような状態で半導
体基板のスクラブ（ゴミ除去）を行なった場合の結果を
示す。
した摩耗部を示し２ている。次にこのような状態で半導
体基板のスクラブ（ゴミ除去）を行なった場合の結果を
示す。
第３図はスクラブによりゴミが除去された良品デバイス
の得られた領域１８と前述のブラシ摩耗で除去効果が減
少したことによりゴミが残り配線のオープンあるいはシ
ョートにより不良デバイスチップを生じた領域１９とに
分布した例を示している。
の得られた領域１８と前述のブラシ摩耗で除去効果が減
少したことによりゴミが残り配線のオープンあるいはシ
ョートにより不良デバイスチップを生じた領域１９とに
分布した例を示している。
このように従来方法のスクラブブラシ水洗方法では、ブ
ラシに水洗水が強くあたる部分は他の部分よりその植毛
の摩耗が早くブラシ面が不均一となるため、半導体基板
上のゴミの除去に分布を生じさせ、この結果半導体基板
上に形成されるデバイスの歩留りを低下させるという欠
点があった。
ラシに水洗水が強くあたる部分は他の部分よりその植毛
の摩耗が早くブラシ面が不均一となるため、半導体基板
上のゴミの除去に分布を生じさせ、この結果半導体基板
上に形成されるデバイスの歩留りを低下させるという欠
点があった。
本発明の目的はブラシスクラバーに於ける上記欠点を除
去し７、半導体基板上に利殖しまたゴミを均一に取り除
くことによって、配線のオープンあるいはショート等を
防ぎ、半導体デバイスの歩留りを向上させる半導体製造
装置を提供するものであるＯ 〔発明の構成〕 本発明は半導体基板を回転させ、該基板上に回転する円
筒型ブラシを接触させて、該半導体基板上に付着したゴ
ミを取り除くブラシスクラバーにおいて、円筒型ブラシ
に洗浄水を供給する配管に、円筒型ブラシの回転軸と平
行な線状のすり割を入れ、該すり割を洗浄水の噴出口と
しプζことを特徴とする半導体製造装置である。
去し７、半導体基板上に利殖しまたゴミを均一に取り除
くことによって、配線のオープンあるいはショート等を
防ぎ、半導体デバイスの歩留りを向上させる半導体製造
装置を提供するものであるＯ 〔発明の構成〕 本発明は半導体基板を回転させ、該基板上に回転する円
筒型ブラシを接触させて、該半導体基板上に付着したゴ
ミを取り除くブラシスクラバーにおいて、円筒型ブラシ
に洗浄水を供給する配管に、円筒型ブラシの回転軸と平
行な線状のすり割を入れ、該すり割を洗浄水の噴出口と
しプζことを特徴とする半導体製造装置である。
次に、本発明の実施例を図によって説明する。
第３図（α）は本発明の一実施例を示すもので、ブラシ
１３に洗浄水を供給する配管２０に、ブラシの回転軸２
３と平行な線状のすり割を入れ、該すり割を洗浄水の噴
出口２１としたものである。この実施例では、すり割は
ブラシ１３の長さに相当する範囲に設けである。これに
より噴出口２１からの洗浄水２２はブラシ１３の全長範
囲でまんべんなく均一にブラシ面に噴き付けられる。し
７たがって、ブラシは洗浄水による摩耗バラツキが発生
し７ないため、半導体基板上に付着し７たゴミの除去効
果が常に均一となり、その結果ゴミが原因となった配線
のオープンあるいはショートが減少し、半導体デバイス
の歩留シを飛躍的に向上することができる。
１３に洗浄水を供給する配管２０に、ブラシの回転軸２
３と平行な線状のすり割を入れ、該すり割を洗浄水の噴
出口２１としたものである。この実施例では、すり割は
ブラシ１３の長さに相当する範囲に設けである。これに
より噴出口２１からの洗浄水２２はブラシ１３の全長範
囲でまんべんなく均一にブラシ面に噴き付けられる。し
７たがって、ブラシは洗浄水による摩耗バラツキが発生
し７ないため、半導体基板上に付着し７たゴミの除去効
果が常に均一となり、その結果ゴミが原因となった配線
のオープンあるいはショートが減少し、半導体デバイス
の歩留シを飛躍的に向上することができる。
第３図（ｂ）は本発明の他の実施例を示すものである。
すなわち、前実施例では円筒型配管の側部にすり割を入
れ／ｉ：が、本実施例では配管の先端を扇状に拡開し２
、該先端に、ブラシの回転軸２３と平行な線状のすり割
を入れ、該すり割を洗浄水の噴出口２４としたもので、
前述の実施例と同様に洗浄水をブラシ面に均一にＩ賞出
させることによって、ブラシの不均一摩耗を防止するよ
うに１７だものである。
れ／ｉ：が、本実施例では配管の先端を扇状に拡開し２
、該先端に、ブラシの回転軸２３と平行な線状のすり割
を入れ、該すり割を洗浄水の噴出口２４としたもので、
前述の実施例と同様に洗浄水をブラシ面に均一にＩ賞出
させることによって、ブラシの不均一摩耗を防止するよ
うに１７だものである。
以上説明しｌｃ様に本発明はスクラブ用ブラシを水洗す
るプζめに、スクラブプランの回転軸と平行な線状の噴
出口を設けたことにより、ブラシの摩耗バラツキを防止
し２て、気相成長後等に半導体基板上に付着したゴミを
均一に取り除くことができ、その後の写真食刻工程で発
生する不所望の開孔を未然に防ぐことにより半導体デバ
イスの歩留りを向上させるという利点がある。
るプζめに、スクラブプランの回転軸と平行な線状の噴
出口を設けたことにより、ブラシの摩耗バラツキを防止
し２て、気相成長後等に半導体基板上に付着したゴミを
均一に取り除くことができ、その後の写真食刻工程で発
生する不所望の開孔を未然に防ぐことにより半導体デバ
イスの歩留りを向上させるという利点がある。
第１図（α） 、 （ｂ） 、 （ｃ） 、 （ｄ）は
半導体基板上に付着しｉｔゴミとそのゴミが後工程に及
ばず影響について説明する半導体基板の断面図、第２図
（ｔｚ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）は従来技術における
ブラシスクラバーの水洗方法とその効果について述べる
説明図、第３図（α） 、 （Ｉｌｌ）は本発明の実施
例を示す構成図である。 ｌ・・・シリコン基板、２・・・二酸化シリコン膜、３
・・ポリシリコン配線、４・・・ＣＶＤリンガラス層、
５・ゴミ、６・・・フォトレジストパターン、７・・・
コンタクトホール、８・・・不所望の開孔パターン、９
・・・所望のＡ４−ポリシリ配線コンタクト、１０・・
・所望のＡｄ配線、１１・・・不所望のＡｌ〜ポリシリ
配線コンタクト（ショート）、■２・・・半導体基板、
１３・・・円ｋ”Ｊ型ブラシスクラブ、１４・・・水洗
用配管、１５・・・噴出口、１６・・・噴出水流、１７
・・・ブラシ摩耗部、１８・・・良品デバイス領域、１
９・・・不良デバイス領域、２０ 、２５・・・配管、
２１゜２２・・・噴出口 特許出願人 日本電気株式会社 第１図 ＜Ｑ） Ｃｂ） 第１図 （す。 （ｄ） ＣＧ） 第３図
半導体基板上に付着しｉｔゴミとそのゴミが後工程に及
ばず影響について説明する半導体基板の断面図、第２図
（ｔｚ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）は従来技術における
ブラシスクラバーの水洗方法とその効果について述べる
説明図、第３図（α） 、 （Ｉｌｌ）は本発明の実施
例を示す構成図である。 ｌ・・・シリコン基板、２・・・二酸化シリコン膜、３
・・ポリシリコン配線、４・・・ＣＶＤリンガラス層、
５・ゴミ、６・・・フォトレジストパターン、７・・・
コンタクトホール、８・・・不所望の開孔パターン、９
・・・所望のＡ４−ポリシリ配線コンタクト、１０・・
・所望のＡｄ配線、１１・・・不所望のＡｌ〜ポリシリ
配線コンタクト（ショート）、■２・・・半導体基板、
１３・・・円ｋ”Ｊ型ブラシスクラブ、１４・・・水洗
用配管、１５・・・噴出口、１６・・・噴出水流、１７
・・・ブラシ摩耗部、１８・・・良品デバイス領域、１
９・・・不良デバイス領域、２０ 、２５・・・配管、
２１゜２２・・・噴出口 特許出願人 日本電気株式会社 第１図 ＜Ｑ） Ｃｂ） 第１図 （す。 （ｄ） ＣＧ） 第３図
Claims (1)
- （１）半導体基板を回転させ、該基板上に回転する円筒
型ブラシを接触させて、該半導体基板上のゴミを取り除
くブラシスクラバーにおいて、円筒型ブラシに洗浄水を
供給する配管に、円筒型ブラシの回転軸と平行な線状の
すり割を入れ、該ずり割を洗浄水の噴出口としたことを
特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1885484A JPS60163437A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1885484A JPS60163437A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163437A true JPS60163437A (ja) | 1985-08-26 |
Family
ID=11983122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1885484A Pending JPS60163437A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163437A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5904301A (en) * | 1996-03-25 | 1999-05-18 | Ebara Corporation | Spraying device |
-
1984
- 1984-02-03 JP JP1885484A patent/JPS60163437A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5904301A (en) * | 1996-03-25 | 1999-05-18 | Ebara Corporation | Spraying device |
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