JPS60162375A - Reading device - Google Patents

Reading device

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Publication number
JPS60162375A
JPS60162375A JP59017943A JP1794384A JPS60162375A JP S60162375 A JPS60162375 A JP S60162375A JP 59017943 A JP59017943 A JP 59017943A JP 1794384 A JP1794384 A JP 1794384A JP S60162375 A JPS60162375 A JP S60162375A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
protective layer
light
layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59017943A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Fukui
毅 福井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP59017943A priority Critical patent/JPS60162375A/en
Publication of JPS60162375A publication Critical patent/JPS60162375A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent the deterioration of reading performance of a device which reads originals optically by using SiOxNy (x>0, y>0) to form a protecting layer. CONSTITUTION:The 1st electrode 2 is formed on a substrate 1, and a photoelectric conductor 3 is formed on the electrode 2. Then a 2nd electrode 4 is formed on the conductor 3 with a light transmitting material, and a protecting layer 8 is formed on the electrode 4. The layer 8 is formed with SiOxNy (x>0, y>0) and therefore excels in the wear resistance with high hardness and reduced flaws. Furthermore the transparency is kept satisfactory for a long period of time with a small refractive index for the layer 8. Thus the incident angle at which the total reflection is caused in increased at the interface of air between the layer 8 and the original 9. This reduces the generation of noises.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、たとえばファクシミリ送信機などにおいて、
原稿像を光学的に読取るための読取り装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides, for example, a facsimile transmitter, etc.
The present invention relates to a reading device for optically reading a document image.

従来から、読取り装置は、たとえば第1電極と虚光性第
2電極とによって、光導電体をサンドインチにして透光
性基板上に形成し、基板側に配置され九光源からの光を
、第1電極と光導電体と第2電極とに形成された光通過
孔に通過させ、光源とは反対側に配置されている原稿に
よる反射光を、光通過孔の近傍で光導電体によって受光
するように構成される。このような構成を有する読取り
装置では、前記第2電極上に保護層を形成し、原稿の走
行時における摩耗、損傷を防ぐ必要がある。
Conventionally, a reading device is formed by forming a photoconductor in a sandwich on a transparent substrate using, for example, a first electrode and a photosensitive second electrode, and transmitting light from nine light sources disposed on the substrate side. The light passes through a light passing hole formed in the first electrode, the photoconductor, and the second electrode, and the reflected light from the document placed on the opposite side of the light source is received by the photoconductor near the light passing hole. configured to do so. In a reading device having such a configuration, it is necessary to form a protective layer on the second electrode to prevent wear and damage during traveling of the document.

本発明の目的は、耐摩耗性に優れた保護層を有する読取
り装置を提供することである。
An object of the present invention is to provide a reading device having a protective layer with excellent wear resistance.

第1図は本発明の一実施例の断面図である。透光性の透
明材料、たとえばガラスなどからなる基板1上には、共
通電極である第1*極2が形成される。この第1電極2
は、クロムやアルミニウムなどが蒸着されて形成される
。第1電極2上には、フォトダイオードを形成するだめ
のアモルファスシリコン半導体などの光導電体3が形成
される。
FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of the present invention. A first *pole 2, which is a common electrode, is formed on a substrate 1 made of a light-transmitting transparent material, such as glass. This first electrode 2
is formed by vapor-depositing chromium, aluminum, etc. A photoconductor 3, such as an amorphous silicon semiconductor, is formed on the first electrode 2 to form a photodiode.

この光導電体3上には、透光性の透明材料から成る第2
電極4が、スパッタまだは蒸着などによって形成される
。第2電極4には、クロムの蒸着などによって引出し電
極5が形成される。
On this photoconductor 3, a second photoconductor made of a light-transmitting transparent material is provided.
The electrode 4 is formed by sputtering, vapor deposition, or the like. An extraction electrode 5 is formed on the second electrode 4 by vapor deposition of chromium or the like.

第2図はこのような構成の平面図である。第1電極2と
光導電体3と第2電極4とには、光通過孔6が形成され
る。基板1側には、光源7が配置される。光源7からの
光は、光通過孔6を通過する。第2電極4などの上には
、保護層8が形成される。保護軸8側には、読取られる
べき原稿9が配置されて走行される。光源7からの光は
、光通過孔6を経て原稿9に照射され、原稿9の反射光
は、光通過孔6近傍で光導電体3によって受光される。
FIG. 2 is a plan view of such a configuration. A light passage hole 6 is formed in the first electrode 2, the photoconductor 3, and the second electrode 4. A light source 7 is arranged on the substrate 1 side. The light from the light source 7 passes through the light passage hole 6. A protective layer 8 is formed on the second electrode 4 and the like. A document 9 to be read is placed and run on the protection shaft 8 side. The light from the light source 7 is irradiated onto the original 9 through the light passage hole 6, and the reflected light from the original 9 is received by the photoconductor 3 near the light passage hole 6.

こうして光di孔6の近傍にフォトダイオードが形成さ
れる。この7オトグイオードは、糸@9の走行方向に直
角な幅方向に沿って複数個配列され、原稿9の走行に伴
い順次的に院取り動作か行なわれる。
In this way, a photodiode is formed near the optical di hole 6. A plurality of these 7 Otogiodes are arranged along the width direction perpendicular to the running direction of the thread @ 9, and as the document 9 runs, a trimming operation is performed sequentially.

保護層8hSiO,N、 (x>O,y>O)から成る
。このような組成を有する保護層8け、高硬度であって
蘭摩耗性に優れている。しかも保護層8には傷が入りに
<<、透明度が良好に長期間にわたって維持される。ま
た、保護層8は、耐亀裂性に優れており、また化学的に
安定である。さらに1だ、保護層8f″i第1電極2、
第2電極4、光導電体3、敢出し電極5および基板1と
の密有性が優れている。
Protective layer 8h consists of SiO, N, (x>O, y>O). The protective layer having such a composition has high hardness and excellent wear resistance. In addition, the protective layer 8 maintains good transparency over a long period of time even though it is scratched. Furthermore, the protective layer 8 has excellent crack resistance and is chemically stable. Further 1, protective layer 8f''i first electrode 2,
The second electrode 4, photoconductor 3, exposed electrode 5, and substrate 1 have excellent tightness.

しかも保護層8は、屈折率がたとえば1.6〜1゜7堀
陰であって比較的小さい値を封する。保護層8が小さい
屈折率を有することによって、光源7から光通過孔6を
経て原稿9に光が照射され、その光がW、槁9によって
反射して、光導電体3によって受光される光導電体3の
入射光量は大さくなる。このような状態になる理由は、
保護層8の屈折率が小さけれは、光通過孔6における基
板1と保護層8との境界における保護層8の入射光量が
増え、また保護層8と原稿9側の大気との境界において
、原稿9側に照射される光量が大きく、原種9側の大気
から、保護層8に入る光量が大きくなる。さらにまた保
護層8と第2電極4との境界において、保護層8から第
2電極4に入射する光量が大きくなるからである。保護
層8の屈折率が小さいことに起因して、保護層8と原稿
9側の大気との境界における光の反射量が小さくなる。
Moreover, the protective layer 8 has a relatively small refractive index of, for example, 1.6 to 1.7°. Since the protective layer 8 has a small refractive index, light is irradiated from the light source 7 to the original 9 through the light passing hole 6, and the light is reflected by the W and 9 and received by the photoconductor 3. The amount of light incident on the conductor 3 increases. The reason for this situation is
If the refractive index of the protective layer 8 is small, the amount of light incident on the protective layer 8 at the boundary between the substrate 1 and the protective layer 8 in the light passing hole 6 increases, and the amount of light incident on the protective layer 8 at the boundary between the protective layer 8 and the atmosphere on the document 9 side increases. The amount of light irradiated to the seed 9 side is large, and the amount of light entering the protective layer 8 from the atmosphere on the seed 9 side becomes large. Furthermore, at the boundary between the protective layer 8 and the second electrode 4, the amount of light that enters the second electrode 4 from the protective layer 8 increases. Due to the small refractive index of the protective layer 8, the amount of light reflected at the boundary between the protective layer 8 and the atmosphere on the document 9 side becomes small.

したがってフォトダイオードの迷光による電流が低減さ
れることになる。また、*@9が黒色であって光を吸収
する場合には、前述の反射光量が小さいことに起因して
ノイズの発生が抑えられる。
Therefore, the current due to stray light in the photodiode is reduced. Further, when *@9 is black and absorbs light, noise generation is suppressed due to the small amount of reflected light described above.

保護層8の屈折率が小さいことによって、保護層8と原
稿9側の大気との境界において、全反射を生じる入射角
は大きくなる。したがって前述のように迷光による電流
とノイズ成分の小さいフォトダイオードが有利に実現さ
れる。
Since the refractive index of the protective layer 8 is small, the angle of incidence at which total reflection occurs at the boundary between the protective layer 8 and the atmosphere on the document 9 side becomes large. Therefore, as described above, a photodiode with small current and noise components due to stray light can be advantageously realized.

前述のような組成を有する保護層8ば、また光透過率が
良好である。
The protective layer 8 having the composition as described above also has good light transmittance.

保護層8tfi、、第3図に示されるように基板1側で
x/y 饋が大キ<、糸摘9側に近つくにつれてそのx
/y mが小さくなるように構成される。本件発明者の
実願によれば、 0.15 > x > 1.90 −=il10.15
>y>1.3 ・・・f2) が好ましいことが中jつた。
Protective layer 8tfi, as shown in FIG.
/y m is configured to be small. According to the inventor's actual application, 0.15 > x > 1.90 -=il10.15
>y>1.3...f2) is preferred.

基板1側でx/y 憧が大さくなることによって、Si
O2の分子の一部がSi20として働き、光導電体3の
境界と大きな強度で密看する。またこのX/y値の大き
い捏、屈折率が小さく、透明度が良好であり、好都合で
ある。x/y 値が大きくなることによって、内部残留
応力が小さく歪が小さくなる。第2電極4の厚みは、小
さい値を何する。
By increasing the x/y distance on the substrate 1 side, the Si
A part of the O2 molecules acts as Si20 and closely contacts the boundary of the photoconductor 3 with great intensity. In addition, kneading with a large X/y value has a small refractive index and good transparency, which is advantageous. The larger the x/y value, the smaller the internal residual stress and the smaller the strain. What is the smallest value for the thickness of the second electrode 4?

したがって保護層8の歪によって第2電極4か破壊する
ことはなく、この保護層8によって第2電極4が充分に
保護されることになる。
Therefore, the second electrode 4 will not be destroyed due to the distortion of the protective layer 8, and the second electrode 4 will be sufficiently protected by the protective layer 8.

保護層8は、11?、槁9側でx/y 僑か小さくなっ
ており、したがって耐摩耗性が良好となる。X/y値を
小さくするにつれて、内部残照応力が大・きくて歪みが
大きく、また屈折率および光透過率が悪化し、着色を生
じるけれども、このような鎖酸はx / y 値を、そ
の厚み方向に沿って変化することによって、可及的に低
減することができる。
Protective layer 8 is 11? , the x/y ratio is smaller on the 9th side, so the wear resistance is better. As the X/y value decreases, the internal afterglow stress increases and distortion increases, and the refractive index and light transmittance deteriorate, resulting in coloring. It can be reduced as much as possible by changing along the thickness direction.

保護層8は、在来のドライプロセス、たとえば−スパッ
タリング、プラズマCVD(化学気4′目成長法)およ
び蒸着などによって形成される。スパッタリングによっ
て保護層8を形成する際には、純粋の窒化グイ素を用い
、ターゲット、サンプルhの距離を15〜30 mm 
K設定し、アルゴンと酸素とのガス内でサンプルを回転
させ、画周波電力1.5〜3.8kW、スパッタリング
時の圧力5.OX 10 ”Torrでプレスパツタを
行なったのちに、スパッタを行なう。プレスパツタ前に
は、基板1などの加熱を行なうようにしてもよい。
The protective layer 8 is formed by conventional dry processes, such as sputtering, plasma CVD (chemical vapor deposition) and vapor deposition. When forming the protective layer 8 by sputtering, pure phosphoric nitride is used, and the distance between the target and the sample h is set at 15 to 30 mm.
The sample was rotated in a gas of argon and oxygen, the image frequency power was 1.5 to 3.8 kW, and the pressure during sputtering was 5. After press sputtering is performed at OX 10'' Torr, sputtering is performed. The substrate 1 etc. may be heated before press sputtering.

プラズマCVD法によって保護層8を形成する際には、
5sH4とN2 との混合ガスを用い、Si基板1は3
00°Cに保ち、反応中の圧力はI Torrとする。
When forming the protective layer 8 by plasma CVD method,
Using a mixed gas of 5sH4 and N2, the Si substrate 1 was
The temperature was kept at 00°C and the pressure during the reaction was I Torr.

これによってアモルファスの保護層8が形成される。This forms an amorphous protective layer 8.

第4図は、本件発明者の実験による酸素分圧に依存した
保護層8の内部残留応力を示す。酸素分圧を犬きくする
ことによって、内部残留応力が低減されることが判る。
FIG. 4 shows the internal residual stress of the protective layer 8 depending on the oxygen partial pressure according to experiments conducted by the inventor of the present invention. It can be seen that internal residual stress is reduced by increasing the oxygen partial pressure.

第5凶は、酸素分圧に依存した光透過率の関係を示す本
件発明者の実験結果を示すグラフである。
The fifth problem is a graph showing the experimental results of the present inventor showing the relationship between the light transmittance and the oxygen partial pressure.

第5図+1)では光の波長は540 nmであり、第5
凶(2)では光の波長け570 nmである。光透過率
は、空気を100%とする。この実験結果によれば、酸
素分圧を増加することによって光透過率が向上すること
がわかる。
In Figure 5+1), the wavelength of light is 540 nm, and
In case (2), the wavelength of light is 570 nm. The light transmittance is based on air being 100%. According to the experimental results, it can be seen that the light transmittance is improved by increasing the oxygen partial pressure.

上述の実施例では、保護層8のx/y 値は厚み方向に
y化されたけれども、本発明の他の実施例として、x/
y 値は厚み方向に一定の値に定められてもよい。本発
明は、基板上に受光素子を形成し、この父光素子上に原
稿に臨む保護軸を形成した院収り装置全般について、実
施可能である。
In the above embodiment, the x/y value of the protective layer 8 was changed to y in the thickness direction, but in another embodiment of the present invention, the x/y value
The y value may be set to a constant value in the thickness direction. The present invention can be implemented in general hospital storage devices in which a light receiving element is formed on a substrate and a protective shaft facing a document is formed on the light receiving element.

以上のように本発明によれば高硬度で耐摩耗性の優れた
保護層が形成され、これによって原稿による損傷が防が
れる。保護層が嶋硬度であることによって傷が入りに<
<、透明度が良好に長期間にわたって維持され、したが
って読取り性能の低下が防がれる。
As described above, according to the present invention, a protective layer with high hardness and excellent wear resistance is formed, thereby preventing damage caused by originals. The protective layer has Shima hardness, which prevents scratches.
<Transparency is maintained well over a long period of time, thus preventing deterioration in reading performance.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は第1図に
示された実施例の簡略化した平面図、第3図は保護層8
のx/y 値の厚み方向の変化を示す図、第4図は本件
発明者の実験結果を示す酸素分圧に依存した内部残留応
力を示すグラフ、第5゛図は本件発明者の実験結果を示
す酸素分圧に依存した光透過率を示すグラフである。 1・・・基板、2・・・第1電極、3・・・光導電体、
4・・・第2電極、5・・・収出し電極、6・・・光通
過孔、7・・・光源、8・・・保護層、9・・・原槁 代理人 弁理士 四教圭−即 !A1図
1 is a sectional view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a simplified plan view of the embodiment shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a protective layer 8.
Figure 4 is a graph showing the internal residual stress depending on oxygen partial pressure, which shows the experimental results of the inventor, and Figure 5 shows the experimental results of the inventor. 2 is a graph showing light transmittance dependent on oxygen partial pressure. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Substrate, 2... First electrode, 3... Photoconductor,
4...Second electrode, 5...Extraction electrode, 6...Light passage hole, 7...Light source, 8...Protective layer, 9...Matsumoto Hara, patent attorney, Kei Shikyo - Immediately! A1 diagram

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 基板上に受光素子を形成し、この受光素子上に原稿に臨
む保護層を形成し、この保護層は、SiOx N y 
(x > O、y > 0 )から成ることを特徴とす
る読取り装置。
A light receiving element is formed on the substrate, and a protective layer facing the original is formed on the light receiving element, and this protective layer is made of SiOx N y
(x > O, y > 0).
JP59017943A 1984-02-01 1984-02-01 Reading device Pending JPS60162375A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59017943A JPS60162375A (en) 1984-02-01 1984-02-01 Reading device

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JP59017943A JPS60162375A (en) 1984-02-01 1984-02-01 Reading device

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JPS60162375A true JPS60162375A (en) 1985-08-24

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JP59017943A Pending JPS60162375A (en) 1984-02-01 1984-02-01 Reading device

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JP (1) JPS60162375A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6464266A (en) * 1987-05-22 1989-03-10 Oki Electric Ind Co Ltd Completely close contact type image sensor
EP0313381A2 (en) * 1987-10-21 1989-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image sensor
US5067835A (en) * 1989-11-27 1991-11-26 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Printing apparatus

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