JPS60158176U - 半導体x線検出器 - Google Patents

半導体x線検出器

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Publication number
JPS60158176U
JPS60158176U JP4557284U JP4557284U JPS60158176U JP S60158176 U JPS60158176 U JP S60158176U JP 4557284 U JP4557284 U JP 4557284U JP 4557284 U JP4557284 U JP 4557284U JP S60158176 U JPS60158176 U JP S60158176U
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JP
Japan
Prior art keywords
ray detector
substrate
semiconductor layer
amorphous semiconductor
semiconductor
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Pending
Application number
JP4557284U
Other languages
English (en)
Inventor
駒井 徳蔵
片山 智視
土井 泰敬
Original Assignee
株式会社島津製作所
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Publication date
Application filed by 株式会社島津製作所 filed Critical 株式会社島津製作所
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例にかかる半導体X線検出器
の平面図、第2図は第1図のA−A線断面図である。 1・・・基板、2・・・非晶質半導体層、3・・・保護
板、4・・・蛍光体膜。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)X線写真撮影フィルムを実質的に覆う程の面積を
    有する均一な厚さでしかも均一なX線吸収率をもつ基板
    と、この基板上の特定の位置に特定形状の面積を有する
    よう形成された非晶質半導体層と、上記基板と略同等の
    面積を有し上記非晶質半導体層側において上記基板に重
    ねられる遮光性の保護板と、この保護板の上記非晶質半
    導体層に対面する側の面において少な(とも上記非晶質
    半導体層に対応するだけの面積を有するよう形成された
    蛍光体膜とを備えてなる半導体X線検出器。
  2. (2)  上記保護板には上記非晶質半導体層に対応す
    る面積の凹部が形成され、上記蛍光体膜はこの凹部内に
    のみ形成され、この蛍光体膜が形成された部分と他の部
    分とで厚さが同じになるようにされていることを特徴と
    する実用新案登録請求の範囲第1項記載の半導体X線検
    出器。
JP4557284U 1984-03-29 1984-03-29 半導体x線検出器 Pending JPS60158176U (ja)

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JP4557284U JPS60158176U (ja) 1984-03-29 1984-03-29 半導体x線検出器

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JPS60158176U true JPS60158176U (ja) 1985-10-21

Family

ID=30559189

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JP4557284U Pending JPS60158176U (ja) 1984-03-29 1984-03-29 半導体x線検出器

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