JPS60152006A - Chip type surge absorber - Google Patents
Chip type surge absorberInfo
- Publication number
- JPS60152006A JPS60152006A JP806484A JP806484A JPS60152006A JP S60152006 A JPS60152006 A JP S60152006A JP 806484 A JP806484 A JP 806484A JP 806484 A JP806484 A JP 806484A JP S60152006 A JPS60152006 A JP S60152006A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surge absorber
- type surge
- voltage
- chip
- chip type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電気機器、電子機器を異常電圧から保護する
だめのチップ型サージ吸収器に関するもので、実使用時
における漏れ電流をカットし、過電圧が印加された際の
バリスタ素子の破壊を未然に防ぎ、かつ小型のチップ型
サージ吸収器を提供するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a chip-type surge absorber that protects electrical equipment and electronic equipment from abnormal voltage. The purpose of the present invention is to provide a small-sized chip-type surge absorber that prevents the varistor element from being destroyed when a voltage is applied.
従来例の構成とその問題点 近年、電子部品のチップ化が急速に進み、ＩＣ。Conventional configuration and its problems In recent years, the conversion of electronic components into chips has progressed rapidly, and ICs have become increasingly popular.
トランジスタなどの半導体電子部品をサージ電圧から保
護するバリスタ素子を用いだザーシ吸収ｚ：；において
も小型化、チップ化が進行している。Ｊ：ころが一般に
バリスタ素子は電圧か印加されるとその電圧に応じて漏
れ電流が増加し、消費′重力が上がるという問題点を有
していた。寸だ、ペリスタ素子に定格以上の電圧が連続
的に印加されると素子が発熱し、特性の劣化もしくは最
ｊともの場合は焼損に至るという問題点を有していた。In the field of thermal absorption, which uses varistor elements to protect semiconductor electronic components such as transistors from surge voltages, miniaturization and chipping are progressing. J: Generally, varistor elements have a problem in that when a voltage is applied, leakage current increases in accordance with the voltage, and the power consumption increases. In fact, if a voltage higher than the rated voltage is continuously applied to the pelistal element, the element generates heat, resulting in deterioration of characteristics or, in extreme cases, burnout.
発明の目的
本発明は前記欠点に鑑みてなされたものであり、チップ
型バリスタの一方の電極に直接、重列にギャップを形成
することにより、小型でしかも８（１れ電流のないチッ
プ型サージ吸収器を提供しようとするものである。OBJECTS OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks, and provides a chip-type varistor that is small and has no leakage current by forming a gap directly in one electrode of the chip-type varistor in an overlapping row. The aim is to provide an absorber.
発明の構成
この目的を達成するために本発明のチップ型′リーシ吸
収器は、板状バリスタ素子の両端ｊｆｉｉに設けられた
電極と、その電極の一方の」二部を少なくとも被覆する
ように設けられた高抵抗層と、この高抵抗層を介しその
上部にさらに電極を設けることにより形成されたギャッ
プとから構成されている。Structure of the Invention In order to achieve this object, the chip-type ``Lishi absorber'' of the present invention includes electrodes provided at both ends of a plate-shaped varistor element, and an electrode provided so as to cover at least two parts of one of the electrodes. A gap is formed by further providing an electrode on top of the high-resistance layer via the high-resistance layer.
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について図面全参照しなから説
明する。第１図は本発明の一実施例におけるチップ型サ
ージ吸収器の斜視図であ如、第２図は断面図である。図
において、１は板状バリスタ素子で、例えは酸化亜鉛を
主成分とした焼結体である。２及び２２Ｌは板状バリス
タ素子１の両端面に設けられた電極で、通電軸、 Ｎｉ
、 Ｐ、１ すどのメッキ処理などにより形成されて
いる。３は板状バリスタ素子１と柱状の端面電極２ａの
上部に設けられた高抵抗層で、バリスタ素子１と端面電
極２との間にも設けられており、例えば樹脂のコーティ
ング、ガラス焼イ」けなどにより形成されている。この
高抵抗層３は電極２．２１Ｌの少なくとも一方を被覆す
るように設けられる。４は電極２との間に直列にギャッ
プを形成するよう高抵抗層３上に設けられた電極である
。第１図において、人の部分かギャップを形成している
。DESCRIPTION OF EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to all the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a chip type surge absorber according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view. In the figure, 1 is a plate-shaped varistor element, for example, a sintered body containing zinc oxide as a main component. 2 and 22L are electrodes provided on both end surfaces of the plate-shaped varistor element 1, and the current-carrying shaft, Ni
, P, 1 It is formed by plating the door. Reference numeral 3 denotes a high resistance layer provided above the plate-shaped varistor element 1 and the columnar end electrode 2a, and is also provided between the varistor element 1 and the end electrode 2. It is formed by This high resistance layer 3 is provided so as to cover at least one of the electrodes 2.21L. 4 is an electrode provided on the high resistance layer 3 so as to form a gap in series with the electrode 2; In Figure 1, the human part forms a gap.
以上のように構成されたチップ型サージ吸収器について
、炒子その動作を説明する。第３図は本発明によるチッ
プ型サージ吸収器の等価回路である。すなわち、バリス
タ素子Ｂと前記放電用気中ギヘ・ツブＡが直列に接続さ
れた形になる。第４図は本発明によるチップ型サージ吸
収器のｆｌＩｌ−ｌ １’Ｊ（％’、 ＩＪＥ−放電電
流特性を示している。第４図において、バリスタ素子Ｂ
の漏れ電流は印加される１Ｌ川により破線孔からｂのよ
うに増大する。ところか本発明によるチップ型ザーシ吸
収器ｄハリヌク素子Ｂに文１し直列にギャップＡか形成
されているので、サージ電圧がギャップ放電電圧２点Ｃ
ＶＣＪＪ〕る寸で回路はオープンの状態で電流は流え！
、ない。The operation of the chip type surge absorber constructed as described above will be explained. FIG. 3 is an equivalent circuit of the chip type surge absorber according to the present invention. That is, the varistor element B and the discharge air socket A are connected in series. FIG. 4 shows the flIl-l 1'J(%', IJE-discharge current characteristics) of the chip-type surge absorber according to the present invention.
The leakage current increases as shown in b from the broken line hole due to the applied 1L river. However, since the gap A is formed in series with the chip-type solar absorber D Harinuk element B according to the present invention, the surge voltage is reduced to the gap discharge voltage 2 points C.
VCJJ], the circuit is open and current flows!
,do not have.
そして、キャップ放電電圧以」二の電圧になると曲線す
に沿ってパリヌタ特性を示す。従って、キＡ・ノブ人の
距帛１１を適当に調節しておくことにより、ある一定の
電圧までは漏れ電流を冗今にカットすることができる。When the voltage is higher than the cap discharge voltage, a parinuta characteristic is exhibited along the curve. Therefore, by appropriately adjusting the distance 11 of the KIA/Nobuman, it is possible to redundantly cut the leakage current up to a certain voltage.
ｉｋ、バリスタ素子の特ｌＩ４−は定格以」二のシーン
１１１゜圧か印加されることにより劣化し、この劣化鰯
定常的に電流かハリスフ素子に流れることにより促１ｆ
ｆ−される。ところが本発明のチップ型サージ吸収器Ｃ
：ｊ、異常ザーシ印加後、回路かオープン状態であるの
で劣化か進行しない。寸だ、バリスタ素子は通常定格以
上の回路電圧で使用するとバリスフ電圧の低下などの劣
化かおこるか、本発明のチップ型サージ吸収器は放電用
気中ギャップの間隔を調整することにより定格電圧かギ
ャップ放電電圧まで上がるため、バリスタ素子の劣化を
防ぐことができる。ik, the characteristics of the varistor element are deteriorated by applying pressure beyond the rating, and this deterioration is accelerated by constant current flowing through the varistor element.
f- be done. However, the chip type surge absorber C of the present invention
:j, After applying abnormal power, the circuit is open, so the deterioration does not progress. However, if a varistor element is used at a circuit voltage higher than the rated voltage, it will deteriorate, such as a drop in the varistor voltage.The chip type surge absorber of the present invention can adjust the rated voltage by adjusting the interval of the discharge air gap. Since the voltage increases to the gap discharge voltage, deterioration of the varistor element can be prevented.
発明の効果
以上のように本発明のチップ型サージ吸収器はギャップ
の間隔を適当に調節しておくことによシ、実使用時にお
いて漏れ電流がないため消費電力が少なく、異常電圧が
印加された後バリスタ素子の発熱による劣化を防ぎ、さ
らにギャップとバリスタ素子か一体化していることによ
シ、小型化、高牲能化か図れるものである。Effects of the Invention As described above, by appropriately adjusting the gap interval, the chip type surge absorber of the present invention has no leakage current during actual use, reduces power consumption, and prevents abnormal voltage from being applied. This prevents the varistor element from deteriorating due to heat generation, and since the gap and the varistor element are integrated, it is possible to achieve miniaturization and high performance.
一シ吸収器の斜視図、第２図は固り１面図、第３図は同
チップ型サージ吸収器の熔価回路の１けｌ路図。
第４図は同チップ型サージ吸収器の〜−工特性の模式図
である。
１・−板状バリスタ素子、２．２２Ｌ・一端面電極、３
・ 高抵抗層、４・ ギャップを形成している電極。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 面
３
第３図
第 ４ 図
−旬ＩFIG. 2 is a perspective view of the chip-type surge absorber, FIG. 3 is a one-dimensional diagram of the circuit of the chip-type surge absorber. FIG. 4 is a schematic diagram of the mechanical characteristics of the same chip type surge absorber. 1.-Plate varistor element, 2.22L, one end surface electrode, 3
・ High resistance layer, 4. Electrode forming the gap. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person
1 Page 3 Figure 3 Figure 4 - Shun I
Claims (1)
設けられた電極と、前記電極の一方の上部を少なくとも
被覆するよう設けられた高抵抗層と、前記高抵抗層上部
に設けた電極と前記高抵抗層下部の電極間に直列に設け
られたギャップとからなるチップ型サージ吸収器。A plate-shaped varistor element, electrodes provided on both end surfaces of the plate-shaped varistor element, a high-resistance layer provided to cover at least an upper part of one of the electrodes, and an electrode provided on the upper part of the high-resistance layer. A chip type surge absorber comprising a gap provided in series between electrodes under the high resistance layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP806484A JPS60152006A (en) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | Chip type surge absorber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP806484A JPS60152006A (en) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | Chip type surge absorber |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60152006A true JPS60152006A (en) | 1985-08-10 |
| JPH0422004B2 JPH0422004B2 (en) | 1992-04-15 |
Family
ID=11682912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP806484A Granted JPS60152006A (en) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | Chip type surge absorber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60152006A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02139435U (en) * | 1989-04-21 | 1990-11-21 | ||
| JPH03198301A (en) * | 1989-12-27 | 1991-08-29 | Mitsubishi Materials Corp | Surge absorber for small-sized power source |
| US6589829B2 (en) | 1991-03-27 | 2003-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
-
1984
- 1984-01-19 JP JP806484A patent/JPS60152006A/en active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02139435U (en) * | 1989-04-21 | 1990-11-21 | ||
| JPH03198301A (en) * | 1989-12-27 | 1991-08-29 | Mitsubishi Materials Corp | Surge absorber for small-sized power source |
| US6589829B2 (en) | 1991-03-27 | 2003-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0422004B2 (en) | 1992-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60152006A (en) | Chip type surge absorber | |
| EP1278283A2 (en) | Device for protecting electronic components | |
| US7375943B2 (en) | Tri-phase surge protector and its manufacturing method | |
| JPS60258905A (en) | Electric device | |
| US6849921B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPS60205980A (en) | Chip type surge absorber | |
| JPS60205981A (en) | Chip type surge absorber | |
| JPS595601A (en) | Multipolar voltage nonlinear resistor | |
| JPS60151987A (en) | Chip type surge absorber | |
| JP2001223061A (en) | Electronic component and electronic device | |
| JP3487115B2 (en) | Electrostatic protection circuit and semiconductor device having electrostatic protection circuit | |
| JP2634978B2 (en) | Lead frame with protection element | |
| JPS62213175A (en) | Compound semiconductor device | |
| JPS583385B2 (en) | Kaden Atsuhogososhi | |
| JPH0514104A (en) | Noise filter | |
| JPS5899221A (en) | Surge absorber | |
| JPS5889035A (en) | Surge absorber | |
| JPS61111502A (en) | Chip varister | |
| JPS60202908A (en) | Chip type surge absorber | |
| JPS61121302A (en) | Surge absorber | |
| JPS60216505A (en) | Surge absorber | |
| JPS5886705A (en) | Ceramic electronic part | |
| JPS5990378A (en) | High voltag surge absorber and method of absorbing high voltage surge by same absorber | |
| JPH0322401A (en) | Varistor | |
| JPH08213542A (en) | Semiconductor device |