JPS60151215A - 結晶性シリコホスホアルミネート - Google Patents

結晶性シリコホスホアルミネート

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JPS60151215A
JPS60151215A JP26652084A JP26652084A JPS60151215A JP S60151215 A JPS60151215 A JP S60151215A JP 26652084 A JP26652084 A JP 26652084A JP 26652084 A JP26652084 A JP 26652084A JP S60151215 A JPS60151215 A JP S60151215A
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JP
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group
diffraction pattern
less
aluminum
crystalline material
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JP26652084A
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ジエラード デローアン エリック
ボン バルモス ローランド
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ExxonMobil Oil Corp
Original Assignee
Mobil Oil Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、“MCM−3”と呼ばれ、その骨組み構造に
アルミニウム、珪素及び燐を含有する新規な合成の結晶
性シリコホスホアルミネート(5ilicophosp
boaluninate)物質及び、有機化合物の接触
転化反応でのその利用に関する。本発明の結晶性物質は
イオン父換特性を示しており、容易に触媒的に活性な物
質に変換出来る。
〈従来の技術〉 天然のものも、合成のものもゼオライト物質は、種々の
タイプの炭化水素転化反応に対して触媒特性を有してい
ることがこれ迄に示されている。ある種のゼオライト物
質は、より小さな多数の孔路又は細孔によって相互連絡
が可能な多数の小さなキャビティーがある、X線回折に
依って特定される明確な結晶構造を有する規則正しい、
多孔質の結晶性アルミノシリケートである。各特定のゼ
オライト中では、これらのキャビティー及び細孔の大き
さが均一である。これらの細孔の寸法は、より大きな寸
法の分子を退ける一力で、ある寸法の吸着分子を受入れ
るので、これらの物質は“モレキュラー・シーブ(分子
篩)゛として知られる様になり、これらの特性を応用す
る様々の方法で利用されている。
か\るモレキュラー・シーブには、天然品、合成品を問
わず、非常に様々の陽イオン含有結晶性アルミノシリケ
ートが包含されている。これらのアルミノシリケートは
、その中で酸素原子を共有することに依って四面体が架
槁し、(アルミニウム+珪素)原子の酩酊と酸素原子と
の比が1:2となる5i04とAt04の強固な三次元
(網状体の)骨組み構造として記述出来る。アルミニウ
ムを含有する四面体のイオン原子価は、カチオン例えば
アルカリ金属又はアルカリ土類金属カチオンの結晶内混
在に依ってバランスしている。この事はアルミニウムと
種々のカチオン例えばCa/2、Sr/2、Na%K又
はLiの数との比が1に等しいことで示すことが出来る
。あるタイプのカチオンを周知のイオン父撲の技術を利
用して、全くでも部分的にでも他のタイプのカチオンと
交換させることがijl能である。か5るカチオン交換
の手段に依って、カチオンを適切に選択すれば、所定の
アルミノシリケートの性状変更が可能である。
脱水前には、四面体間の空間は水の分子で占められてい
る。
先行技術の方法により、非常に様々の合成ゼオライトが
形成されている。ゼオライトはゼオライトA(米国特許
第2.882,243号)、ゼオライトX(米国411
ト第2.882゜244号)、ゼオライトY(米国特許
第3,130.007号)、ゼオライトZK−5(米し
!i1%許第3,247,195号)、ゼオライトZK
−4(米国%許第3,314,752号)、ゼオライト
ZSM−5(米国特許第3,702,886号)、ゼオ
ライトZSM−11(米国特許第3,709,979号
)、ゼオライトZSM−12(米国%許第3.832.
449号)、ゼオライトZSM、−20(米国特許第3
,972,983号)、ゼオライトZSM、−35(米
国特許第4,016,245号)、ゼオライトZSM−
38(米国時π[第4,046,859号)、及びゼオ
ライトZSM−23(米国特許第4,076,842号
)とそのいくつかを挙げることによって示される様に、
文字又は便利な記号によって命名される様になっている
本発明のシリコホスホアルミネートはアルミノシリケー
ト・ゼオライトでは無い、然しそれはイオン交換特性を
有している密(dense )又はノー化(1ayer
ed )構造を持つ結晶性物質である。
燐酸アルミニウムは例えば米国特許第4,310,44
0号及び14,385,994号で教示されている。燐
酸アルミニウム物質は電気的中性の格子を持ち、そして
従ってイオン交換体としであるいは触媒成分としては有
効では無い。米国特許第3,801,704号は酸性を
与えるためにある方法で処理した燐酸アルミニウムを教
示する。
カナダ特許第911,416号;第911,417号及
び第911.418号の燐置換したゼオライトは“アル
ミノシリコホスフェート(aluminostlico
phosphate ) ”ゼオライトと呼ばれている
。その中の燐の若干は吸蔵されたものであり、構造的で
は無いことが明かとなっている。
米国特許第4,363,748号はシリカと燐酸アルミ
ニウムーカルシウム−セリウム(aluminu+n−
calcium−ceriurn phoshate 
)の組合わせを酸化脱水素用の低酸活性触媒として記載
している。英国時♂[第2,068,253号はシリカ
と燐酸アルミニウムーカルシウム−タングステン(a 
lumin i um−ca lc ium−tung
s ten phosphate )との組合わせを酸
化脱水素用の低酸活性触媒として開示している。米国特
許第4,228,036号はアルミナ−燐酸アルミニウ
ムーシリカ・マトリックを分解触媒として使用するため
のゼオライトと混合する無定形物体として教示している
。米国特許第3,213.035号は燐酸を用いての処
理に依るアルミノシリケート触媒の硬度改質を教示して
いる。
この触媒は無定形である。
米国特許第2,876,266号は、予備成型されたシ
リケート又はアルミノシリケートに依る燐酸の吸収によ
って調製された無定形物質の活性な珪燐酸(silic
ophosphoricacid)6るいは塩相を記載
している。
燐酸アルミニウムは米国特許第4,365,095号:
第4゜361.705号;第4,222,896号;第
4,210,560号;第4,179,358号;第4
,158,621号;第4,071゜471号;第4,
014,945号;第3,904,550号及びいるの
で、それらは触媒担体あるいはマ) l)ツクスとして
使用される。ここに合成された結晶性シリコホスホアル
ミネートはイオン交換特性を有しており、そして容易か
つ都合良く固有の触媒活性を有する物質に変換される。
〈本発明の特徴〉 本発明は以下“MCM−3”と呼ぶ、アルミニウム、珪
素及び燐を含有する新規な合成の結晶性シリコホスホア
ルミネート物質及び、有機、例えば炭化水素、化合物の
接触転化反応での触媒成分としてのその利用に関する。
無水の結晶性MCM−3は一般式: %式% 〔但し、Mは原子価Inのカチオンであり、Nは原子価
0のアニオンであシ、そしてXとyは−1よυ犬で+1
よシ小であり且つ (1)xが0の場合には、yは0では無く、(2) y
が0の場合には、XはOでは無く、(3) At/Pの
原子比が1より犬なる場合には、(x+y )は0.0
01より大であり且つy+o、6xは04より小であわ
、且つ (4)At/Pの原子比が1より小なる場合には、(x
+y)は0001よシ太であり且つx+o、5yは0.
5より小である、 の諸関係を満足する数である〕を有する。
上の組成で、Xがyより大な時は、シリコホスホアルミ
ネートは酸性触媒として可能性ある用途を有するカチオ
ン交換体でおる。Xがyより小な時は、シリコホスホア
ルミネートは塩基性触媒として可能性おる用途を有する
アニオン交換体である。か\るMCM−3結晶性物質は
、そのか焼した形態で、不文の表1−Bに示す様な特有
のX線回折パターンを有する。
MCM−3の合成したま\(“合成したまま゛とは合成
反応後、反応混合物よl別し、水洗、乾燥した状態を指
す)の形態では、シリコホスホアルミネートは捕捉され
た有機物質、A1及び水分子も含有し得る。従ってそれ
は一般式: %式% 〔但し、■は、MCM−3の合成中に使用された有機指
向剤又は溶媒より生じそしてMCM73の微孔性空隙を
うめている吸着1機物質、Aのモル数であり、この物質
はか焼によって除去することが可能であり、Wは例えば
Oから約で、不文の表1−Aに示す様な特有のX線回折
パターンを有する。
本発明の結晶性シリコホスホアルミネートはそれを既知
の燐酸アルミニウムから区別する、触媒及びイオン交換
特性を併せて示す独特の物質である。
本発明のシリコホスホアルミネート物質は1より小の、
例えば約0.001乃至約0.99の珪素/(アルミニ
ウム及び燐)原子比で独特且つ有用な触媒及び吸着特性
を示す。
1より大なアルミニウム/燐原子比を持って合成された
時は、結晶性シリコホスホアルミネートは1,5より大
で、そして通常1.6乃至600の範囲のアルミニウム
/珪素原子比を示す。アルミニウム/燐原子比が1より
小の時は、1/アルミニウム原子比だけを示し、そして
珪素を含有しない事が良く知られている。また燐置換し
たゼオライト組成物、時には“アルミノシリコホスフェ
ート・ゼオライト“と呼ばれる、は066乃至8.0の
珪素/アルミニウム原子比及び0より犬で1.0迄の燐
/アルミニウム原子比を有する。
合成したま5のMCM−3の当初のカチオンは当業者に
良く知られている方法によって、少くとも一部は他のイ
オンとのイオン交換によって置換出来る。好ましい置換
カチオンには金属には金属イオン、水素イオン、水素前
駆体例えばアンモニウムイオン及びその混合物が包含さ
れる。特に好ましいカチオンはMCM−3を、特に炭化
水素転化反応に関して、触媒的に活性とするものである
。これらには水素、稀土類金鵡、元素の周期律表の第1
A族、第1IA族、第111A族、第1VA族、第1B
族、第JIB族、第用B族、第1VB族及び第■族の金
属が包含される。
典型的なイオン交換力法は合成MCM−3を一種又は二
種以上の所望の置換カチオンの塩と接触させることであ
る。
か\る塩の例にはハロゲン化物例えば塩化物、硝酸塩及
び硫酸塩がある。
本発明の結晶性MCM−3は、イオン父換前でも後でも
、有効に熱処理出来る。この熱処理は空気、窒素、水素
、スチーム等の様な雰囲気中でシリコホスホアルミネー
トを約300℃乃至約1100℃の、好ま・シ<は約3
50℃乃至約750℃の温度に、約1時間乃至約20時
間の間加熱することに依って実施される。との熱処理に
減圧または加圧も利用出来るが、便利さの点で常圧が望
ましい。
MCM−3はそれを他の結晶性物質と区別する明確なX
線回折パターンを示す。合成したま\のMCM−3のX
線回折パターンは次の特有の値を有する:表]−A 519±(105m 4.30±0.05 vs 3.93±0.04 m 3.85±003 W 3.58±004 5 3.04±0.03 W 2.91±002 W 2.63±0.02 W 表1−BはMCM−3のか焼(窒素中450℃、常圧、
4時間)した形態のMCM−3の特有の回折線を示して
い衣1−B 5.18±0.05in 430士0.05 vS 395±0.05 W 3.84±005 W 3.58±0.05 m−5 304±0.02 W 291±0.02 W 2.63±002 W これらのX線回折データは銅のに−Q照射線を使用し、
理学(Rigaku )X線システムを用いて収集した
。2θ0(θはブラッグの角)で表わしたピークの位置
は、002゜の2θ間隔及び各ステップで1秒間の計測
時間のステップ走査により測定した。オングストローム
単位(A)で測った格子面間隔、d及び、バックグラン
ドを差引いた、線の相対強度I/I。(■oは最強の線
の強度の1/100である)はプロフィル・フイツテン
グ法を用いて導いた。相対強度は記号vS=極めて強い
(75−100%)、S=強い(50−74%)、【n
−中位(25−49%)及びW−弱い(0−24%)を
用いて示した。とのXi回折パターンは本発明に依って
合成されたすべての種類のMCM−3組成物に特有のも
のであることを理解されたい。シリコホスホアルミネー
トのカチオンを他のイオンを用いてイオン交換しても、
格子面間隔に若干の僅かなシフト及び相対強度に変化が
あるが実質上同じX線回折パターンを示す。個々の試料
の珪素/アルミニウム及び燐/アルミニウムの比並びに
熱履歴の度合いによって、その他の僅かな変化が起り得
る。
本発明の結晶性MCM−3物質は、有機カチオン含有型
あるいはイオン交換から得られる水素イオン前駆体型の
上記熱処理に依って乾燥した、水素型へ変換させること
が可能である。
一般に、本発明のシリコホスホアルミネートは、アルミ
ニウム、燐及び珪素及び(一種又は二種以上の)有機指
向剤の語源、及び実質上水と混り合わない有機溶媒を含
む二相反応混合物から製造出来る。酸化物及び有機成分
で表わした二相合成混合物の総括モル組成は次の通りで
ある。
(A)a : (MzO)b : (AtzOa)c 
: (SiO2)d : (PzOs)e : (m媒
)f:(アニオン源)g:Dtzo)。
但しa / (c+d+e )は4より小であり、b/
(c+d+e)は2より小であり、d / (c + 
e )は2より小であり、f/(c+d+e)は0.1
乃至15であり、g / (c+d+e )は2より小
であり、そしてh/(c+d+e)は3乃至150であ
る。
″溶媒1は有機溶媒であり、そして“A”は有機化合物
あるいは物質例えば有機指向剤あるいは有機溶媒から誘
導されたものである。アニオンは必ずしも別個に二相系
に添加されないが、然し他の成分曽の一種又は二種以上
から生成物結晶中に現われることもあろうし、あるいは
なかろう。
反応条件は毎時5℃乃至200℃の速度で、約80℃乃
至約300℃の温度へと、そしてMCM−3の結晶が形
成される迄その温度に約5時間乃至約500時間の間、
前述の反応混合物を注意深く加熱することよシ成る。よ
り好ましい温度範囲は約100℃乃至約200℃であり
、か\る範囲の温度での時間は約24時間乃至約168
時間である。
反応混合物の加熱及び所望の温度に保持している間、p
Hは約2乃至約9に注意深く制御されなければならぬ。
pHの制御は添加した有機及び/又は無機塩基の濃度を
調節することによって達成出来る。
反応は所望のMCM−3の結晶が形成される迄、実行す
る。結晶性生成物は、全体を室温に冷却し、濾過し、乾
燥する前に水洗する仁とに依って、同上物を反応媒体か
ら分離して回収される。
上の反応混合物組成は適当な成分を供給する物質を利用
して調製出来る。水相成分は元素珪素、燐あるいはアル
ミニウムの諸諒から、有機相に含まれていないものを含
むことが可能である。有機相は有機溶媒及び少くとも一
種の元素珪素、燐又はアルミニウムの反応条件下で水相
に不溶の源を含む。水相は又、必要な有機及び/又は無
機指向剤を含む。
有用なアルミニウムの源には、非限定的な例として、既
知の形態の酸化あるいは水酸化アルミニウム、有機ある
いは無機塩あるいは化合物が包含される。有用な珪素の
源には、非限定的な例として、既知の形態の二酸化珪素
あるいは珪酸、珪素のアルコキシ−あるいは他の化合物
が包含される。有用な燐の源には、非限定的な例として
、既知の形卯 !酸あるいは酸化燐、燐酸塩及び亜燐酸塩、及び燐の有
機誘導体が包含される。有機溶媒はc、、 ””’CI
OアルコールR4’ M+X−あるいは(R3M+RM
”R3)X2〔但し、Rあるいはビは1乃至20個の炭
素原子のアルキル、1乃至20個の炭素原子のヘテロア
ルキル、アリール、ヘテロアリール、3乃至6個の炭素
原子のシクロアルキル、3乃至6個の炭素原子のシクロ
ヘテロアルキル、あるいはそれを組合わせたものであり
;Mは四配位元素(例えば窒素、燐、ヒ累、アンチモン
あるいはビスマス)おるいは脂環式、複素脂環式あるい
は複素芳香族構造中のへテロ原子(例えばN、0、S、
Se、P、As等)であり;そしてXはアニオン(例え
ば、フッ化物、塩化物、臭化物、沃化物、水酸化物、酢
酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩等)である〕ニウム化合物
より成る群から選ぶことが出来る。
Mが脂環式、複素脂環式あるいは複素芳香族構造中のへ
テロ原子の時は、か\る構造は、非限定的な例として、
〔但し、Rは1乃至20個の炭素原子のアルキル、1乃
至20個の炭素原子のヘテロアルキル、アリール、ヘテ
ロアリール、3乃至6個の炭素原子のシクロアルキルあ
るいは3乃至6個の炭素原子のシクロヘテロアルキルで
ある〕であっても良い。
本発明の方法に特に好ましい指向剤には、Rが1乃至4
個の炭素原子でおり、Mが窒素であり、そしてXがハロ
ゲン化物あるいは水酸化物である上で定義されたオニウ
ム化合物が包含される。これらの非限定的例には、テト
ラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、ナト2エ
テルアンモニウムハイドロオキサイド及びナトラフ0ロ
ピルアンモニウムブロマイドがある。
適当な組成物の無機の水酸化物あるいは塩も補足の指向
剤として使用することが出来、非限定な例はCs0H1
KOH1CsCI、KCI及び類似物である。
本発明に依って製造されたMCM−3結晶は極めて様々
の粒子サイズに形成出来る。一般的に言うと、粒子は粉
末、顆粒、あるいは成型品、例えば2メツシユ(タイラ
ー)の篩は充分に通りそして400メツシユ(タイラー
)の篩に留る粒子サイズを有する押出成型品、の形態に
出来る。触媒を例えば押出成型に依って、成型する場合
には、触媒を乾燥する前に押出成型するかあるいは部分
乾燥して押出成型することが出来る。
新規なMCM−3結晶を種々の有機転化プロセスで使用
される温度及び他の諸条件に抵抗性を有する他物質即ち
マトリックスと複合させることが望ましい。か\る物質
には活性及び不活性物質及び合成らるいは天然産のゼオ
ライト並びに無機物質例えば粘土、シリカ及び/又は金
属酸化物例えばアルミナがある。後者は天然産のもので
も、あるいはゲル状沈殿の形でも、あるいはシリカ及び
金属酸化物の混合物を含んだゲルであっても良い。MC
M−3を含有する触媒組成は一般には約1乃至9ON量
チのMCM−3物質及び約10乃至99重量%のマトリ
ックス物質より成る。
より特には、か\る触媒は約2乃至80重量%の新規M
CM−3結晶及び約20乃至98重量膚のマトリックス
より成る。
新規なMCM−3結晶と組合わせて活性な物質を使用す
ると、ある種の有機転化プロセスでは触媒全体としての
転化率及び/又は選択率を変える傾向がある。不活性な
物質は所定の反応で転化量を制御する稀釈剤として適切
にmノ<ので、反応の速度を制御する他の手段を利用す
ること無く、生成物を経済的且つ規則的に得ることが出
来る。これらの物質は、生産的な操業条件下での触媒の
破砕強度を改善するために天然産粘土例えばベントナイ
ト及びカオリン中に包含させても良い。該物質、即ち粘
土、酸化物等は触媒のパインターとして働く。商業生産
上での使用では触媒が粉末状物質に崩壊するのを防止す
るのが望ましいので、良好な破砕強度を有する触媒を提
供するのが望ましいであろう。
これらの粘土バインダーは通常、触媒全体の破砕強度を
改善する目的のためにだけ使用されている。
この新規結晶と複合出来る天然産粘土にはモンモリオナ
イト及びカオリン族が包含され、この族にはサブベント
ナイト、及びデキシー、マクナミー、ジョージャ及びフ
ロリダ白土として知られているカオリンあるいは主要鉱
物成分がハロイサイト、カオリナイト、ジョカイト、ナ
クライト、あるいはアナウキサイトであるその他の鉱物
が包含される。
か\る粘土は採掘したま\の粗製の状態でも、か焼して
酸処理あるいは化学変性したものでも使用出来る。
前述の物質以外に、結晶性MCM−3は多孔性マトリッ
クス物質例えば燐酸アルミニウム、シリカ−アルミナ、
シリカーマグネンア、シリカ−ジルコニア、シリカ−ト
リア、シリカ−ベリリア、シリカ−チタニア並びに三元
組成物例えばシリカ−アルミナ−トリア、ンリカーアル
ミナージルコニア、シリカ−アルミナ−マグネシア及び
シリカーマグネンアージルコニアと複合出来る。微粉砕
した結晶性物質と無機酸化物ゲル・マトリックスの相対
比率は、複合物の約1乃至約90重黛チの範囲及びより
普通には、特に複合物がビードの形態で製造される時に
は、約2乃至約80重本発明の新規なMCM−3物質の
触媒として活性な形態を触媒成分として使用すると、該
触媒はおそらく付加的な水素化成分を含有しており、改
質原料を約370℃乃至約540℃の温度、約1o o
 ps+g乃至約1000+)Sig(791から69
96 kPa )の、好ましくは約200pSig乃至
約700psigf1480から4928kPa)の圧
力、約0.1乃至約10の、好ましくは約0.5乃至約
4の液空間速度、及び約1乃至約20の、好ましくは約
4乃至約12の水素/炭化水素モル比を用いて改質出来
る。
本発明のMCM−3物質から成る触媒は、水素化成分例
えば白金が与えられている時には、ローパラフィンの水
添異性化にも使用出来る。か\る水添異性化は約90℃
乃至約375℃の、好ましくは約145℃乃至約290
℃の温度で、約0.01乃至約2の、好ましぐは約0.
25乃至約0.50の液空間速度及び約1:1乃至約5
:1の水素/炭化水素のモル比を用いて実施される。更
に、か\る触媒は約200℃乃至約480℃の温度を使
用して、オレフィンあるいは芳香族の異性化用に使用出
来る。
か\る触媒は軽油の流動点降下にも使用出来る。この反
応は約10乃至約30の液空間速度及び約425℃乃至
約595℃の温度で実施される。
金属例えば白金を含有した、本発明のMCM−3から成
る触媒を利用して達成出来るその他の反応には、水素化
−説水素反応及び脱硫反応、オレフィン重合(オリゴメ
リゼーション)及びその他の有機化合物転化反応、例え
ばアルコール(例えばメタノール)あるいはエーテル(
例えばジメチルエーテル)の炭化水素への転化、及びア
ルキル化剤(例えばエチレン)の共存下での芳香族のア
ルキル化があ本発明の特性及びその実施方法をより完全
に例示するために、以下の実施例を示す。
< 実n[i 1+lIン アルファー値を試族・硝した時は、アルファー値は標準
触媒と比較したその触媒の接触分解活性の大略の指標で
あり、そしてアルファー値は相対速度定数(単位時間当
り、触媒容積当りのn−ヘキサン転化速度)を示すこと
に注目されたい。嶋活性シリカーアルミナ分解触媒の活
性をアルファーの1(速度定数−o、o 165ec−
’ )にとって基準にし、である。ゼオライトHzSM
−5の場合には、1のアルファー値を与えるのに、僅か
174 ppmの四面体的に配位されたAt20aLか
必要としなかった。アルファー試験は、米国特許第3,
354,078号及びザ・ジャーナル・オブ・キャタリ
シス(The Journal of Catalys
is )第4巻、第522−529貞(1965年8月
)に記載されている。
イオン交換能を試験した時には、シリコホスホアルミネ
ートのアンモニウム型の温度をプログラム制御した分解
中に発生する気態のアンモニアをスルファミン酸沼液を
用いて滴定することに依って測定している。この方法は
ジー・ティー・カー(G、 T、 Kerr )及びニ
ー−ダブリュー・チェスター(A、 W、 Ches 
ter )によってサーモシミ力・アクタ(1’her
mochimica Acta )第3巻、第11−3
−124貞f1971年)に記載されている。
実施例1 1−へキサノール602及びS i fOc2Hs )
410 ?から成る有機相及び、H3PO4(85%)
 234 y、 klz037 ?、テトラプロピルア
ンモニウムノーイドロオキサイド(TPAOH。
25%)84r及び水(HzO)30fから成る水相を
用いて二相合成反応混合物を調製した。反応混合物は全
体として12.4%St、52.0%P及び35.6%
Atの原子チを含む組成であった。指向剤はテトラプロ
ピルアンモニウムハイドロオキザイドであった。
反応混合物を50℃/ h rで150℃に加熱し、そ
してその温度は72時間、シリコホスホアルミネートの
結晶が形成される迄保持した。開始時のpHは5と7の
間であった。
結晶性生成物を反応混合物から濾過に依つ1分離し、水
洗して80℃で乾燥した。合成したシリコホスホアルミ
ネートの試料を次にX線分析にかけて表2に示された回
折線を示すこ七が明かとなった。
表2 5.1933 17.059 43.924.8933
 1)t、114 15.904.5500 1.94
93 1.004.2976 20.650 100.
003.9617 22.423 23.283.91
45 22.697 63.053.8453 23.
111 14.343.6884 24.109 28
.923.5868 24.802 49,123.3
852 26.305 4.703.0406 29.
349 20.042.9094 30.705 12
.742.858 B 31.262 14.052.
7565 32.454 12.24実施例2 実施例1の結晶性シリコホスホアルミネートの一部を窒
素中450℃で4時間か焼して、次にX線分析を行った
結果は表3に示されている。
表3 5.1824 17.095 37.514.3753
 20.280 ’ 74,094.3051 20.
614 100.004.1315 21.490 6
2.074.0762 21.785 71.293.
9479 22.503 20.763.8590 2
3.028 32.683.5834 24.826 
48.963.0348 29.407 22.382
.9015 30.791 10.76実施例3 実施例2のか焼したシリコホスホアルミネートの一部を
Nu4NOaの1M溶液とアンモニウム交換させた。温
度をプログラム制御した昇温脱離時に発生した気態のア
ンモニアの滴定から0.05meνりのイオン交換能で
あることが示された。
実施例4 St(Ogt)410 ?及びヘキサノール601から
成る有機相、及びH3PO4(85%)23.1f、k
lz0310 f 。
ローヘキシルアミン10.1f及び93?の水より成る
水相を用いで二相合成反応混合物を14製した。反応混
合物は全体として10.8%Si、45%P及び44.
2チΔtの原子チを含んでいる組成を有していた。指向
剤はローヘキシルアミンであった。反応開始時のpHは
5と7の間であった。
反応混合物を50℃/ b rで130℃に加熱し、そ
の温度に24時間保持した。次に180Cに加熱して、
144時間保持した。この時にはスピニング装置に依っ
て800rprnで混合した。結晶性生成物全濾過に依
り反応混合物から分離し、水洗して80℃で乾燥した。
生成物の結晶性シリコホスホアルミネートは13.4%
Si、44.1%P及び42.5チhtの原子チを含め
た組成を有していた33合成したま\のシリコホスホア
ルミネートの試料を次にX線分析にかけた。このものは
表4に示された回折線を示す結晶性モレキュラージ〜ブ
であることが明かとなった。
表4 5.1780 17.110 37.274.9833
 17.784 3.364.6558 19.046
 6.764.3015 20.631 100.00
4.0879 21.722 12.743.9459
 22.514 25.743.8454 23.11
1 1?、013.5816 24.839 50.1
63.4759 25.607 4.973.2515
 27.408 3.053.0407 29.349
 20.442.9121 30.676 11.52
2−8486 31.376 2.982.6267 
34.105 7.89実施例5 実施例4の結晶性シリコホスホアルミネートの一部を窒
素中450℃で4時間か焼して、次にX線分析を行った
結果は表5に示されている。
表5 5.1817 17.098 35.554.9710
 17.828 4.254.2994 20.642
 100.003.9492 22.495 23.8
63.8436 23.121 13.363.582
8 24.830 48.183.2534 27.3
91 2.623.0410 29.345 19.4
32.9113 30.684 13.162.627
4 34.095 5.852.5947 34.54
0 2.14実施例6 実施例4の結晶性シリコホスホアルミネートの一部を実
施例5と同様にか焼して、I M NH4NO3の溶液
を用いてアンモニウム父換させた。アンモニアの発生か
ら測定されたイオン父換龍は0.28meq/fと測定
された。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、MCM−3と呼ばれ且つ合成したままで測定したX
    線回折パターンが本明細書の表1−Aに示された特有の
    X線回折パターンを示すことを特徴とする珪素、燐及び
    アルミニウムを含む合成の結晶性物質。 20、か焼抜に測定したX線回折パターンが本明細書の
    表1−Hに示された特有のX?1M回折パターンを示す
    特許請求の範囲第1項記載の合成の結晶性物質。 3 次式: %式% ) 〔但し、Mは原子価Inのカチオンであり、Nは原子価
    nのアニオンであり、Aは有機指向剤あるいは水と混り
    合わない有機溶媒であり、vttihのモル数であり、
    WはH2Oのモル数であり、そしてX及びyは−1より
    大で+1より小であり且つ (1) XがOの場合には、yは0では無く、(2) 
    yがOの場合には、XはOでは無く、(3)At/Pの
    原子比が1より犬なる場合には、x+yは0001より
    犬であり且つy + 0.6 xViO,4より小であ
    り、且つ (4)At/Pの原子比が1より小なる場合には、x+
    yは0001よυ大であり且つX+0.5yは0.5よ
    り小である、 の諸関係を満足する数である〕の組成を有する特許請求
    の範囲第1項記載の合成の結晶性物質。 4、無水の状態で次式: コ銭n’ < At02); −y ’ t PO2)
    ;−x ’ (S i02 )x4y ”夛%〔但し、
    Mは原子価mのカチオンであり、Nは原子価nのアニオ
    ンであり、そしてX及びyは−1より犬で+1より小で
    あり且つ (1)Xが0の場合には、yはOでは無く、(21yが
    0の場合には、Xは0では無く、(3)At/Pの原子
    比が1より犬なる場合には、x+yは0001より犬で
    あり且りy+o、6xは04より小であり、且つ (4) At/Pの原子比が1より小なる場合には、x
    +yは0001より犬であり且つx+05yは05より
    小であ′る、 の諸関係を満足する数である〕の組成を有する特許請求
    の範囲第2項記載の合成の結晶性物質。 5、当初のカチオンを少くとも一部分、水素及び水素前
    駆体、稀土類金属及び元素の周期律表の第1A族、第U
    p、族、第111A族、第1VA族、第1B族、第11
    B族、第111B族、第1VB族及び第■11族の金属
    より成る群から選ばれた少くともlのカチオンを用いて
    置換した特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれかに
    記載の結晶性物質。 6、MCM−3と呼ばれ且つ合成したま\で測定したX
    線回折パターンが本明細書の表1−Aに示された特有の
    X1回折パターンを示すことを特徴とする珪素、燐及び
    アルミニウムを含む合成の結晶性物質の当初のカチオン
    を少くとも一部分、水素及び水素前駆体、稀土類金属及
    び元素の周期律表の第1A族、第11A族、第111A
    族、第1VA族、第1B族、第11B族、第111B族
    、第11/B族及び第■族の金属より成る群から選ばれ
    た少くとも1のカチオンを用いて置換し、且つ熱処理を
    行って得られた結晶性物質。 7、MCM−3と呼ばれ且つ合成したま\で測定したX
    線回折パターンが本明細書の表1−Aに示された特有の
    xi回折パターンを示すことを特徴とする珪素、燐及び
    アルミニウムを含む合成の結晶性物質からなる触媒。 8、有機化合物転化用である!許請求の範囲第7項記載
    の触媒。
JP26652084A 1983-12-19 1984-12-19 結晶性シリコホスホアルミネート Pending JPS60151215A (ja)

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