JPS60147170A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS60147170A JPS60147170A JP59002721A JP272184A JPS60147170A JP S60147170 A JPS60147170 A JP S60147170A JP 59002721 A JP59002721 A JP 59002721A JP 272184 A JP272184 A JP 272184A JP S60147170 A JPS60147170 A JP S60147170A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 241000270666 Testudines Species 0.000 claims description 2
- 241000270708 Testudinidae Species 0.000 claims 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 229910002064 alloy oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009940 knitting Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、太陽電池などとして用いる光起電力装置に係
り、特にそれの光透過性電極の構成に関するものである
。
り、特にそれの光透過性電極の構成に関するものである
。
従来のこの梱光起電力装置を第1図とともに説明する。
1枚のガラス2!1e也l上に、IjT定の間隔をあけ
て複数の四角形をした透明・電極2が電子ビーム蒸着法
により形成される。そして各透明電極2の上に、P型半
纒体腺と1減半導体膜とN型半導体展の積層体からなる
光゛−変侠素子3がプラズマCVi)法により、さらに
谷光蝋震挾索子3の上にアルミニウム電極4が電子ビー
ム蒸着法により形成される。
て複数の四角形をした透明・電極2が電子ビーム蒸着法
により形成される。そして各透明電極2の上に、P型半
纒体腺と1減半導体膜とN型半導体展の積層体からなる
光゛−変侠素子3がプラズマCVi)法により、さらに
谷光蝋震挾索子3の上にアルミニウム電極4が電子ビー
ム蒸着法により形成される。
アルミニウム電極4を図に示すように隣の透明電極2の
端縁篇呈部まで延設することにより、複数の発電素子X
、、X、、X、が互に直列接続される。
端縁篇呈部まで延設することにより、複数の発電素子X
、、X、、X、が互に直列接続される。
前−記透明電極2には、インジウムとスズの合金酸化物
からなるIT(Jやば化スズなどの材料が用いられるが
、これら化合@は金属に比べて1気尋伝率が桁違いに低
く、しかも光の透過性を良くする必要性から換゛厚が極
めて薄いことから、透明電極2のシート抵抗は50Ω/
口前後と高い。
からなるIT(Jやば化スズなどの材料が用いられるが
、これら化合@は金属に比べて1気尋伝率が桁違いに低
く、しかも光の透過性を良くする必要性から換゛厚が極
めて薄いことから、透明電極2のシート抵抗は50Ω/
口前後と高い。
しかも5例えは1つの発電系子Xlの透明電極2をとり
た場合、平面形状は四角形で、それの一端2aが電流取
出側となっており、他端2b−から順次集電して一部2
aに電気を尋いている。ところで透明電極2の電匹流造
断面槓はいずれの一所も等しいため、他I4i!2bか
ら一端2aに行くに従って’arAt密度が徐々に増加
し、%流取出側である一端2aで最も^い。このように
透明電極2の電流取出経路の一部でta密度が高いこと
と、前 2述のように透明電極2自体の同市電気抵抗値
が大きいことが相挾りて抵抗ロスが非常に大きく、所望
の電力を取出すことができない。
た場合、平面形状は四角形で、それの一端2aが電流取
出側となっており、他端2b−から順次集電して一部2
aに電気を尋いている。ところで透明電極2の電匹流造
断面槓はいずれの一所も等しいため、他I4i!2bか
ら一端2aに行くに従って’arAt密度が徐々に増加
し、%流取出側である一端2aで最も^い。このように
透明電極2の電流取出経路の一部でta密度が高いこと
と、前 2述のように透明電極2自体の同市電気抵抗値
が大きいことが相挾りて抵抗ロスが非常に大きく、所望
の電力を取出すことができない。
このような電力損失を減少させるためには、発電要素を
多数に分割して透明電極201個当りの面積を小さくす
る方法が有効である。例えば100−の光起電力面積を
もつ場合で電力損失を1%以下に抑えるためには、第1
図に示す従来の構造では7分割以上に1−る必要がある
。ところが分割数が増加すると、発[8子と発電系子と
の間の起電力に関与しない面積が増え、結局、単位面積
当りの発%駄が減少する、また、低電圧が必要な場合に
は分割&1ILt−増やすことができす、電力損失を無
祝せさるを得ないなどの欠点を有している。
多数に分割して透明電極201個当りの面積を小さくす
る方法が有効である。例えば100−の光起電力面積を
もつ場合で電力損失を1%以下に抑えるためには、第1
図に示す従来の構造では7分割以上に1−る必要がある
。ところが分割数が増加すると、発[8子と発電系子と
の間の起電力に関与しない面積が増え、結局、単位面積
当りの発%駄が減少する、また、低電圧が必要な場合に
は分割&1ILt−増やすことができす、電力損失を無
祝せさるを得ないなどの欠点を有している。
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、
発電系子の分割数が少なく、シかも″電力損失の小さい
光起電力装置を提供するにある。
発電系子の分割数が少なく、シかも″電力損失の小さい
光起電力装置を提供するにある。
この目的奮遅成するため、本発明は、ガラス基板などの
絶縁基板上に形成される透明電極などの光透過性の第1
の電極と、その第lの電極の上に形成される半導体膜な
どの光電変換素子と、その光電変換素子の上に形成され
るアルミニウム電極などの第2の電極とからなる発%累
子を絶縁基板上に少なくとも1つ設け、前記第1の電極
の端部が当該発電素子の電流取出側にtxっている光起
電力装置においで、前記第1の電極を流れる紙流方向に
沿って、例えば尚該第1の電極のトータル電流流通断面
積を順次増大するなどして、当該iiの電極の電気抵抗
を実効的に順次小さくしたことを%徴とするものである
。
絶縁基板上に形成される透明電極などの光透過性の第1
の電極と、その第lの電極の上に形成される半導体膜な
どの光電変換素子と、その光電変換素子の上に形成され
るアルミニウム電極などの第2の電極とからなる発%累
子を絶縁基板上に少なくとも1つ設け、前記第1の電極
の端部が当該発電素子の電流取出側にtxっている光起
電力装置においで、前記第1の電極を流れる紙流方向に
沿って、例えば尚該第1の電極のトータル電流流通断面
積を順次増大するなどして、当該iiの電極の電気抵抗
を実効的に順次小さくしたことを%徴とするものである
。
次に本発明の実施例を図とともに説明する。第2−は本
発明の一実施例を説明するための一部を断面にした斜視
図、第3図はその実施例に係る光−起電力装置の発tg
子の分割状態を示す説明図である。
発明の一実施例を説明するための一部を断面にした斜視
図、第3図はその実施例に係る光−起電力装置の発tg
子の分割状態を示す説明図である。
ガラス基板11上で光起電力装置の外周部に当る個所に
は、金属からなる四角形で環状の良′亀尋博膜12が最
初形成される。この良電尋博映12の内−には、l ’
l’ 0やば化スズなどからなる透明電極13が仮数所
定の間隔をおいて形成される。
は、金属からなる四角形で環状の良′亀尋博膜12が最
初形成される。この良電尋博映12の内−には、l ’
l’ 0やば化スズなどからなる透明電極13が仮数所
定の間隔をおいて形成される。
最も内側に形成される透明電極13aは四角形をしてお
り、それより外側の透明を極13b、13Cは前記透明
′電極13aを順次取り囲むように四角形の環状をして
いる。なお、最外周の透明電極13cの外周部は、その
全艮にわたって前記鼠電纒博腺12の内周部と皇合しで
いる。
り、それより外側の透明を極13b、13Cは前記透明
′電極13aを順次取り囲むように四角形の環状をして
いる。なお、最外周の透明電極13cの外周部は、その
全艮にわたって前記鼠電纒博腺12の内周部と皇合しで
いる。
’4透明市極13の上には、P型半導体膜と1mm半体
農とINN型半体体膜3ノー構造をしだ光′−変?A素
子14が形成される。図に示すように最も内−に形成さ
れた透明電極13a上には、それの外周部を回定の幅だ
け除いて中央部に光電変換素子14が形成される。この
透明電極13aより外側′う・ の透明“l&極x3b、13c上には、外周部全長にわ
たってJツ[にの幅だけ除いて光′亀震換糸子14がそ
れぞれ設けられる。しかるのち各光2震俣索子14の上
にアルミニウム電極15が形成される。
農とINN型半体体膜3ノー構造をしだ光′−変?A素
子14が形成される。図に示すように最も内−に形成さ
れた透明電極13a上には、それの外周部を回定の幅だ
け除いて中央部に光電変換素子14が形成される。この
透明電極13aより外側′う・ の透明“l&極x3b、13c上には、外周部全長にわ
たってJツ[にの幅だけ除いて光′亀震換糸子14がそ
れぞれ設けられる。しかるのち各光2震俣索子14の上
にアルミニウム電極15が形成される。
図に示′1−如く透明゛電極13b上に設けられるアル
ミニウム電極15の内周部は、それの内側に形成されて
いる透明°電極13aの外周部上まで地びている。また
、透明電極13c上に設けられるアルミニウム電極15
の内周部は、それの内側に形成されている透明電極13
bの外周部上まで延びている。
ミニウム電極15の内周部は、それの内側に形成されて
いる透明°電極13aの外周部上まで地びている。また
、透明電極13c上に設けられるアルミニウム電極15
の内周部は、それの内側に形成されている透明電極13
bの外周部上まで延びている。
このようにして第、3図’に示すような3個に分割され
た発′#L素子A、、 A、、 A、が形成され、これ
らは前述のようにアルミニウムq惨15によって直例に
接続される。なお各発電素子AI 、At + 八*の
光起電力面積は、それぞれ等しくなるように設計されて
−いる。しかるのち発゛砥木子A1におけるアルミニウ
ム電極15の中心位H71らびに良vL4博膜12の一
端に、それぞれリード蛛16の一端が接続されている。
た発′#L素子A、、 A、、 A、が形成され、これ
らは前述のようにアルミニウムq惨15によって直例に
接続される。なお各発電素子AI 、At + 八*の
光起電力面積は、それぞれ等しくなるように設計されて
−いる。しかるのち発゛砥木子A1におけるアルミニウ
ム電極15の中心位H71らびに良vL4博膜12の一
端に、それぞれリード蛛16の一端が接続されている。
前述のように各発′亀素子とも透明゛亀伶13の外周部
全体が当該発電素子の電流取出−になっているから、透
明電極13を流れる′IIi流方向にI’dつ、て必然
的にトータル電流流通−1面積が順次増大し。
全体が当該発電素子の電流取出−になっているから、透
明電極13を流れる′IIi流方向にI’dつ、て必然
的にトータル電流流通−1面積が順次増大し。
結局、電流の方向に沿って電気抵抗が実効的に小さくな
っている。換言すれば、透明電極13を流れる電気の電
流密度が尋しい所を結ぶ線、つまり等を光密度曲線の長
さが電流の方向にrsつて順次長くなるようにM4rf
i、されている。
っている。換言すれば、透明電極13を流れる電気の電
流密度が尋しい所を結ぶ線、つまり等を光密度曲線の長
さが電流の方向にrsつて順次長くなるようにM4rf
i、されている。
この実施例では、艮電導薄膜12を最初に形成したが、
アルミニウム′電極15を形成するときに同時に形成し
てもよい。
アルミニウム′電極15を形成するときに同時に形成し
てもよい。
第4図は発2高子Aの他の分割例を示す図で、この例の
場合は中央に平面形状が円形の発電素子A、が設けられ
、他の円塊状発′&IL*子A、〜A、はこれを順次取
り囲むように同心円上に設けられている。
場合は中央に平面形状が円形の発電素子A、が設けられ
、他の円塊状発′&IL*子A、〜A、はこれを順次取
り囲むように同心円上に設けられている。
第51は発′亀素子の分割数と゛電力損失との関係を示
す特性図で、曲線イは第1図を用いて説明した従来のも
のの特性曲線1曲線口は第3図を用いて説明した本発明
のものの特性曲線1曲軸ハは第4図を用いて説明した同
じく本発明のものの特性曲−である。
す特性図で、曲線イは第1図を用いて説明した従来のも
のの特性曲線1曲線口は第3図を用いて説明した本発明
のものの特性曲線1曲軸ハは第4図を用いて説明した同
じく本発明のものの特性曲−である。
この図から明らかなように、光起電力装置の電力損失を
15J6以下に抑えるためには、従来の場合には7分割
以上にする必貴があり、そのために南効起岨力面積が減
少する。一方、本発明のものでは3〜4分割することで
隣み、結局、M効起胤力凹績が従来のものよりも増大す
る。
15J6以下に抑えるためには、従来の場合には7分割
以上にする必貴があり、そのために南効起岨力面積が減
少する。一方、本発明のものでは3〜4分割することで
隣み、結局、M効起胤力凹績が従来のものよりも増大す
る。
本発明は前述のような構成になっており、少ない分割数
で光透過性%極少での電力損失を改告することができ、
有効局1力oIi積の増大によって後れた起電力時性が
得られる。
で光透過性%極少での電力損失を改告することができ、
有効局1力oIi積の増大によって後れた起電力時性が
得られる。
第1図は従来の光起電力装置の一部を断面にした斜視図
、第2図は本発明の一実施例に保る元起′亀力装置の一
部を断面にした斜視図、第3図はその光起電力装置の分
割状態を不す平[111概略図、°第4図は光起電力装
置の他の分解例を不す平面航路図、第5図は分割数と電
力損失との関係を示す脣性図である。 11・・・・・・カラス4&、12・・・・・・良゛亀
導薄腺。
、第2図は本発明の一実施例に保る元起′亀力装置の一
部を断面にした斜視図、第3図はその光起電力装置の分
割状態を不す平[111概略図、°第4図は光起電力装
置の他の分解例を不す平面航路図、第5図は分割数と電
力損失との関係を示す脣性図である。 11・・・・・・カラス4&、12・・・・・・良゛亀
導薄腺。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (υ 絶縁基板上に形成される光透過性の第lの電極と
、そのIAIのa極の上に形成される光亀褒侠素子と、
その元−変挾素子の上にル成される第2の一極とからな
る発電系子を光透過性の杷に基板上に少なくとも1つ設
け、前記第lの電極の端部が当該発電系子の′屯流取出
側になっている光起電力挟置において、前記第lの′電
極を流れる一流方向に沿って当該1141の′t4L極
の電気抵抗が実効的に順次小さくなるように?tttl
J311.されていることt−吋徴とする光起°亀カー
?装置。 (2) 特許請求の範囲@(1)項記載において、01
1記第1の電極を流れる一流の方向に沿って当該第lの
′a極のトータル電流流造断面槓が11次増加1−るよ
うに構成することにより、紀lの電極の電気抵抗が順次
小さくなりていること″に特徴と1−る光起゛−力装置
。 (3)%許請求の範囲第(1)M記載において、前記第
1の一極の上面で外周部を除くほぼ中火に九′区変換糸
子ならびに第2の電極が順へ形成され、前記m1の電極
の外周部全体が当該発電系子の屯流取出側になっている
ことを特敵と1−る光起電力装置。 (4) 時計−累の範囲第(1)項記載においで、口1
1犯絶縁基板上に設けられた第1の発′−5糸子の外周
にその第1の発電系子を囲むように塊状の第20発′也
糸子が設けられ、Mtl記第lの発電系子ならひに第2
のづも亀糸子のそれぞれの外周部が当該発電系子の電訛
取出側となっており、第20%′喝糸子における第2の
電極の内M1端が第1の発電系、子における第1の1極
の外周部に車台して電気的に接続されていることを特徴
と1−る光起電力装置。 (5) %I−f請求の範囲第(1)項記載において、
前記絶縁基板上に仮数の前記発電系子が直列接続されて
設けられ、その発゛−素子のうち、元起゛域カーkII
i、から外部へ電力を取り出すためのリード部材と1気
的に接続されるべき発′a素子の第lの′a極の外JN
部に良゛亀導体が接続され、その艮胤専体と前記す−ド
部材が接続されることを脣畝とする元起′亀力装置。 (6) %Irf請求の範囲第(5)項記載において、
前記良電導体が当該発電素子の第1の′wL極の外周部
全体と接続されていることを%徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59002721A JPS60147170A (ja) | 1984-01-12 | 1984-01-12 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59002721A JPS60147170A (ja) | 1984-01-12 | 1984-01-12 | 光起電力装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60147170A true JPS60147170A (ja) | 1985-08-03 |
Family
ID=11537169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59002721A Pending JPS60147170A (ja) | 1984-01-12 | 1984-01-12 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60147170A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0444693A2 (en) * | 1990-03-02 | 1991-09-04 | Mitutoyo Corporation | Portable type measuring instrument with solar batteries |
EP1930948A1 (de) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | SCHOTT Solar GmbH | Elektrodenanordnung für ein Photovoltaisches Modul in Reihenschaltung |
-
1984
- 1984-01-12 JP JP59002721A patent/JPS60147170A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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