JPS60143351A - Photosensitive body - Google Patents

Photosensitive body

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JPS60143351A
JPS60143351A JP58249505A JP24950583A JPS60143351A JP S60143351 A JPS60143351 A JP S60143351A JP 58249505 A JP58249505 A JP 58249505A JP 24950583 A JP24950583 A JP 24950583A JP S60143351 A JPS60143351 A JP S60143351A
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JP
Japan
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group
phase
carrier
ctl
org
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JP58249505A
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Japanese (ja)
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Yoshiaki Takei
武居 良明
Yoshihide Fujimaki
藤巻 義英
Hiroyuki Nomori
野守 弘之
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Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To improve sensitivity of a photosensitive body and its stability against UV rays by incorporating a specified amine deriv. and an org. polymer semiconductor having condensed aromatic rings or hetero rings on the side chains in a carrier transfer phase. CONSTITUTION:A photosensitive layer 4 is composed of a carrier generating phase 2, and a carrier transfer phase (CTL)3 contg. an org. polymer semiconductor having condensed aromatic or hetero rings on the side chains, and an amine deriv. represented by the formula in which Ar<1>, Ar<2> are each optionally substd. phenyl, or the like; and Ar<3> is optionally substd. phenyl, naphthyl, heterocyclic, or the like. Here, the phase means a so-called layer and also the phase in which each constituent material is in contact with each other. Since said org. polymer semiconductor is used together with said amine deriv. as a carrier transfer material, light sensitization is effectively executed, a discharging curve has a sharply cut toe, especially, sensitivity in a low electric field is enhanced, and a fog-free good image can be obtained. Since said semiconductor has high light absorptivity, deterioration of the amine deriv. can be prevented and the UV stability of the CTL3 can be enhanced.

Description

【発明の詳細な説明】 1、産業上の利用分野 本発明は、キャリア発生相とキャリア輸送相とからなる
感光層を有する感光体、例えば電子写真感光体に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION 1. Industrial Application Field The present invention relates to a photoreceptor, such as an electrophotographic photoreceptor, having a photosensitive layer comprising a carrier generation phase and a carrier transport phase.

2、従来技術 従来から知られている電子写真感光体によれば、可視光
を吸収して荷電キャリア(以下、単に「キャリア」とい
う。)を発生するキャリア発生物質(以下、「CGM」
ということがある。)を含有して成るキャリア発生層(
以下、「CGL」ということかある。)と、このCGL
において発生した正又は負のキャリアの何れか一方又は
両方を輸送するキャリア輸送物質(以下、「CTM」と
いうことがおる。)を含有して成るキャリア輸送層(以
下、「CTL」ということがある。)とを組合せること
によシ感光層を構成せしめている〇このように、キャリ
アの発生と、その輸送という必要な2つの基礎的機能を
、感光層を構成する別個の層に夫々分担せしめることに
よシ、感光層の構成に用い得る物質の選択範囲が広範と
なる上、各機能を最適に果す物質又は物質系を独立に選
定することが可能となる。 又、これによシ、電子写真
プロセスにおいて要求される緒特性、例えば帯電せしめ
たときの表面電位が高く、電荷保持能が大きく、光感度
が高く、シかも反復使用における安定性が大きい等の優
れた特性を有する電子写真感光体を得ることが可能とな
る。
2. Prior Art According to conventionally known electrophotographic photoreceptors, a carrier-generating substance (hereinafter referred to as "CGM") that absorbs visible light and generates charge carriers (hereinafter simply referred to as "carriers") is used.
There is a thing. ) containing a carrier generation layer (
Hereafter, it may be referred to as "CGL". ) and this CGL
A carrier transport layer (hereinafter sometimes referred to as "CTL") containing a carrier transport material (hereinafter sometimes referred to as "CTM") that transports either or both of positive and negative carriers generated in .) In this way, the two necessary basic functions of carrier generation and carrier transport are assigned to the separate layers that make up the photosensitive layer. By doing so, the selection range of materials that can be used to form the photosensitive layer is widened, and it becomes possible to independently select materials or material systems that optimally perform each function. In addition, this also allows for the characteristics required in the electrophotographic process, such as high surface potential when charged, high charge retention capacity, high photosensitivity, and high stability during repeated use. It becomes possible to obtain an electrophotographic photoreceptor having excellent characteristics.

上記のような感光層を構成するCTMの種類としては、
例えばアミン誘導体(特願昭56−8044号)が提案
されている。 アミン誘導体は種々の長所を有している
が、なお改善されるべき問題を含んでいることが分った
。 即ち、アミン誘導体を単独でC’TMとして使用す
る場合、放電曲線の裾切れが不充分であシ、低電界領域
での感度が低くなシ易いことに加え、紫外光に対する安
定性が不足し、紫外光照射によって感度が低下し易いの
で、複写機のメンテナンス時に螢光灯や日光の下ではそ
れらの紫外光成分によって感光体が劣化し易いことであ
る。
The types of CTM constituting the above photosensitive layer are as follows:
For example, amine derivatives (Japanese Patent Application No. 56-8044) have been proposed. Although amine derivatives have various advantages, it has been found that they still contain problems that need to be improved. That is, when an amine derivative is used alone as a C'TM, the tail of the discharge curve is insufficiently cut, the sensitivity in the low electric field region is likely to be low, and the stability against ultraviolet light is insufficient. Since the sensitivity tends to decrease due to irradiation with ultraviolet light, the photoreceptor is likely to be deteriorated by ultraviolet light components when the copying machine is maintained under fluorescent lights or sunlight.

3、発明の目的 本発明の目的は、感光体の感度と紫外光安定性を向上さ
せることにある。
3. Object of the invention The object of the invention is to improve the sensitivity and ultraviolet light stability of a photoreceptor.

4、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、キャリア発生相とキャリア輸送層とか
らなる感光層を有する感光体において、下記一般式(A
)で表わされるアミン誘導体と、側鎖に縮合芳香環又は
複素環を有する高分子有機半導体とが前記キャリア輸送
層に含有されていることを特徴とする感光体に係るもの
である。
4. Structure of the invention and its effects, that is, the present invention provides a photoreceptor having a photoreceptor layer consisting of a carrier generation phase and a carrier transport layer, which has the following general formula (A
) and a polymeric organic semiconductor having a fused aromatic ring or a heterocycle in its side chain are contained in the carrier transport layer.

一般式〔A〕: 〔但、この一般式中、Ar”、 Ar” :置換若しく
は未置換のフェニル基を表わし、置換基としてはハロゲ
ン原子、アルキル基、ニトロ基、アルコキシ基を用いる
General formula [A]: [However, in this general formula, Ar", Ar" represents a substituted or unsubstituted phenyl group, and a halogen atom, an alkyl group, a nitro group, or an alkoxy group is used as a substituent.

Ar”:置換若しくは未置換のフェニル基、ナフチル基
、アントリル基、フルオレニル基、複素環基を表わし、
置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、水酸基、アリールオキシ基、アIJ−ル基、アミノ
基、ニトロ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ナフチル
基、アンスリル基及び置換アミノ基を用いる。 但し、
置換アミノ基の置換基としてアシル基、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基を用いる。〕 ここで、上記の「相」とはいわゆる層をなしている場合
の他、各構成物質が互いに接し合うフェイズをなしてい
る場合も包含する。
Ar": represents a substituted or unsubstituted phenyl group, naphthyl group, anthryl group, fluorenyl group, heterocyclic group,
As the substituent, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aryl group, an amino group, a nitro group, a piperidino group, a morpholino group, a naphthyl group, an anthryl group, and a substituted amino group are used. however,
An acyl group, an alkyl group, an aryl group, or an aralkyl group is used as a substituent for the substituted amino group. ] Here, the above-mentioned "phase" includes not only the case where the material forms a so-called layer, but also the case where the constituent substances form a phase in which they are in contact with each other.

本発明によれば、CTMとして、上記のアミン誘導体と
共に上記高分子有機半導体を使用してい・るので、この
高分子有機半導体が紫外光吸収によって光キャリアを生
成する性質を有していて、光増感に効果的に寄与する。
According to the present invention, since the above-mentioned polymeric organic semiconductor is used together with the above-mentioned amine derivative as the CTM, the polymeric organic semiconductor has the property of generating photocarriers by absorbing ultraviolet light. Effectively contributes to sensitization.

 このため、放電曲線の裾切れが良くなム特に低電界領
域での感度が向上する。 この結果、導電性又は絶縁性
−成分を得ることができる。 −成分現像プロセスにお
いてバイアス電圧を印加すると、いわゆるフリンジ現象
によって画像端部の鮮明度が低下し、滲みを生じるが、
本発明によればそうした問題はなくなる。
Therefore, the tail of the discharge curve is well cut, and the sensitivity is improved, especially in the low electric field region. As a result, a conductive or insulating component can be obtained. - When a bias voltage is applied during the component development process, the sharpness of the edge of the image decreases due to the so-called fringing phenomenon, causing blurring.
According to the present invention, such problems are eliminated.

また、上記高分子有機半導体は紫外光領域の吸光度が高
くて大部分の紫外光を吸収し、紫外光に対して一種のフ
ィルター効果を有するので、上記アミン誘導体の劣化を
防止する作用があシ、cTLの紫外光安定性を向上させ
ることができる。
In addition, the polymeric organic semiconductor has a high absorbance in the ultraviolet light region and absorbs most of the ultraviolet light, and has a kind of filter effect on the ultraviolet light, so it can prevent the deterioration of the amine derivative. , can improve the ultraviolet light stability of cTL.

なお、本発明において、後述の電子受容性物質又はルイ
ス酸をCTL及びCGLの少なくとも一方に添加すれば
、電荷移動錯体を形成するため、増感効果をよシ向上さ
せることができる。
In the present invention, if an electron-accepting substance or a Lewis acid, which will be described later, is added to at least one of CTL and CGL, a charge transfer complex is formed, so that the sensitization effect can be further improved.

5、実施例 以下、本発明を実施例について更に詳細に説明する。5. Examples Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.

まず、本発明においてCTMとして使用する上記一般式
(A)のアミン誘導体を例示すると、例えば次の構造式
を有するものを挙げることができるが、これらに限定さ
れるものではない。
First, examples of the amine derivatives of the general formula (A) used as the CTM in the present invention include those having the following structural formula, but the invention is not limited thereto.

(A−1) (A−2) (A−3) (A−4) (A−5) (A−6) (A−7) (A−8) (A−9) (A−10) (A−11) (A−12) (A−13) (A−14) Hs0 (A−15) (A−16) (A−17) (A−18) (A−19) (A−2(+) (A−21> (A−22) (A−23,) (A−24) (A−25) (A −26) (A−27) (A−28) (A−29) (A−30) (A−31) (A−32) (A−33) また、本発明においてCTMとして、上記のアミン誘導
体と併用して使用する上記高分子有機半導体としては、
例えば次に例示するものを挙げることができるが、これ
らに限定されるものではな(B−6)−+CH−CH2
+F1 Hi Hz (B−10) (B−11) (B−12) (B−13) C=0 (B−14) (B−15) 1 Js (B−16) (B−17) (B−19) (B−20) 本発明のCTLに用いられる高分子有機半導体のうちポ
リ−N−ビニルカルバゾール又はその誘導体が効果が犬
であり、好ましく用いられる0かかるポリ−N−ビニル
カルバゾール誘導体とは、その繰シ返し単位における全
部又は一部のカルノ(ゾール環が種々の置換基、例えば
アルキル基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシ基又は)
−ロゲン原子によって置換されたものである0 また、本発明において、CGMとしては可視光を吸収し
てフリーキャリアを発生するものであれば、無機顔料及
び有機色素の何れをも用いることができる。 無定形セ
レン、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テ
ルル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セ
レン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機
顔料の他、次の代表例で示されるような有機色素を用い
てもよい。
(A-1) (A-2) (A-3) (A-4) (A-5) (A-6) (A-7) (A-8) (A-9) (A-10) (A-11) (A-12) (A-13) (A-14) Hs0 (A-15) (A-16) (A-17) (A-18) (A-19) (A-2 (+) (A-21> (A-22) (A-23,) (A-24) (A-25) (A-26) (A-27) (A-28) (A-29) ( A-30) (A-31) (A-32) (A-33) In addition, the polymeric organic semiconductor used in combination with the above amine derivative as CTM in the present invention includes:
Examples include, but are not limited to, the following examples: (B-6)-+CH-CH2
+F1 Hi Hz (B-10) (B-11) (B-12) (B-13) C=0 (B-14) (B-15) 1 Js (B-16) (B-17) (B -19) (B-20) Among the polymeric organic semiconductors used in the CTL of the present invention, poly-N-vinylcarbazole or its derivatives are effective, and the poly-N-vinylcarbazole derivatives and the preferably used poly-N-vinylcarbazole derivatives are the most effective. is a carno (sol ring containing various substituents, such as an alkyl group, a nitro group, an amino group, a hydroxy group or
- 0 substituted by a rogene atom Furthermore, in the present invention, any inorganic pigment or organic pigment can be used as the CGM as long as it absorbs visible light and generates free carriers. In addition to inorganic pigments such as amorphous selenium, trigonal selenium, selenium-arsenic alloy, selenium-tellurium alloy, cadmium sulfide, cadmium selenide, cadmium selenide sulfide, mercury sulfide, lead oxide, lead sulfide, the following representative examples Organic dyes such as those shown in may also be used.

(1)モノアゾ色素、ポリアゾ色素、金属錯塩アゾ色素
、ピラゾロンアゾ色素、スチルベンアゾ色素及びチアゾ
ールアゾ色素等のアゾ系色素(2)ペリレン酸無水物及
びペリレン酸イミド等のペリレン系色素 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びインビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系乃至多環キノン系色素 (4) インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイ
ンジゴイド系色素 (5)金属のフタロシアニン及び無金属フタロシアニン
等の7タロシアニン系色素 (6) ジフェニルメタン色素、トリフェニルメタン色
素、キサンチン色素及びアクリジン色素等のカルボニウ
ム系色素 (7) アジン色素、オキサジン色素及びチアジン色素
等のキノンイミン系色素 (8) シアニン色素及びアゾメチン色素等のメチン系
色素 (9) キノリン系色素 an ニトロ系色素 αυ ニトロソ系色素 Q2 ベンゾキノン及びナフトキノン系色素03 ナフ
タルイミド系色素 I ビスベンズイミダゾール誘導体等のヘリノン系色素 αつ キナクリドン系色素 次に、図面によって本発明を具体的に説明する。
(1) Azo dyes such as monoazo dyes, polyazo dyes, metal complex azo dyes, pyrazolone azo dyes, stilbene azo dyes, and thiazole azo dyes (2) Perylene dyes such as perylenic anhydride and perylenic acid imide (3) Anthraquinone derivatives, anthanthrone derivatives, dibenzpyrenequinone derivatives, pyranthrone derivatives,
Anthraquinone to polycyclic quinone dyes such as violanthrone derivatives and inviolanthrone derivatives (4) Indigoid dyes such as indigo derivatives and thioindigo derivatives (5) Heptalocyanine dyes such as metal phthalocyanine and metal-free phthalocyanine (6) Diphenylmethane Carbonium dyes such as triphenylmethane dyes, xanthine dyes and acridine dyes (7) Quinoneimine dyes such as azine dyes, oxazine dyes and thiazine dyes (8) Methine dyes such as cyanine dyes and azomethine dyes (9) Quinoline Nitro dye αυ Nitroso dye Q2 Benzoquinone and naphthoquinone dye 03 Naphthalimide dye I Helinone dye α such as bisbenzimidazole derivative Quinacridone dye Next, the present invention will be specifically explained with reference to the drawings.

本発明の感光体は利えば第1図に示すように構成される
。 即ち、導電性支持体l上に既述したCGMを主成分
として含有するCGL2を形成せしめ、このキャリア発
生層2上に前述のスチリル化合物及び高分子有機半導体
を主成分として含有するCTLaを積層し、CGL2と
CTLaとで感光層4を構成する。
The photoreceptor of the present invention is preferably constructed as shown in FIG. That is, CGL 2 containing the above-mentioned CGM as a main component is formed on a conductive support 1, and CTLa containing the above-mentioned styryl compound and polymeric organic semiconductor as main components is laminated on this carrier generation layer 2. , CGL2 and CTLa constitute the photosensitive layer 4.

ここで、導電性支持体1の材質としては、例えばアルミ
ニウム、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、銀、インジ
ウム、錫、白金、金、ステンレス鋼、真鍮等の金属のシ
ートを用いることができるが、これらに限定されるもの
ではなく、例えば第2図に示すように絶縁性基体IA上
に導電層IBを設けて導電性支持体1を構成せしめるこ
ともできる。 この場ばにおいて、基体IAとしては紙
、プラスチックシート等の可撓性を有し、しかも曲げ、
引張シ等の応力に対しても十分な強度を有するものが適
当である。 又、導電層IBは、金属シートをラミネー
トし或いは金属を真空蒸着せしめることにより、又はそ
の他の方法によって設けることができる。
Here, as the material of the conductive support 1, for example, a sheet of metal such as aluminum, nickel, copper, zinc, palladium, silver, indium, tin, platinum, gold, stainless steel, brass, etc. can be used. The present invention is not limited to these, and for example, as shown in FIG. 2, a conductive layer IB may be provided on an insulating substrate IA to constitute the conductive support 1. In this case, the substrate IA is made of paper, plastic sheet, etc., which is flexible and bendable.
It is appropriate that the material has sufficient strength against stress such as tensile stress. The conductive layer IB can also be provided by laminating metal sheets, vacuum depositing metals, or by other methods.

CGL2は、上述のCGM単独により、又はこれに適当
なバインダー樹脂を加えたものにより、或いは更に特定
乃至非特定の極性のキャリアに対する移動度の大きい物
質(即ちキャリア輸送物質)を添加したものにより形成
することができる。
CGL2 is formed by the above-mentioned CGM alone, by adding an appropriate binder resin to it, or by adding a substance having high mobility for carriers of specific or non-specific polarity (i.e., a carrier transporting substance). can do.

具体的な形成法としては、前記支持体上にCGMを真空
蒸着せしめる方法、CGMを適当な溶剤に単独で若しく
は適当なバインダー樹脂と共に溶解若しくは分散せしめ
たものを塗布して乾燥せしめる方法を挙げることができ
る。
Specific forming methods include a method in which CGM is vacuum-deposited on the support, and a method in which CGM is dissolved or dispersed in a suitable solvent alone or together with a suitable binder resin and then applied and dried. I can do it.

この後者の方法においては、バインダー樹脂若しくはキ
ャリア輸送物質を添加してもよく、その場合における、
キャリア発生物質:バインダー樹脂:キャリア輸送物質
の割合は、重量比で1: (θ〜100) : (0〜
500 )、特にi:(o−io):(0〜50)であ
ることが好ましい。
In this latter method, binder resins or carrier transport substances may be added, in which case
The ratio of carrier generating substance: binder resin: carrier transporting substance is 1: (θ~100): (0~
500), particularly i:(o-io):(0-50).

上記方法で使用する溶媒或いは分散媒としては、例えば
n−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン
、インプロパツールアミン、モノエタノールアミン、ト
リ、エタノールアミン、トリエチレンジアミン、N、N
−ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キシレン
、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、ジクロロメ
タン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、
エタノール、インプロパツール、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、ジメチルスルホキシド、その他を用いることができ
る。
Examples of the solvent or dispersion medium used in the above method include n-butylamine, diethylamine, ethylenediamine, impropaturamine, monoethanolamine, triethanolamine, triethylenediamine, N,N
-dimethylformamide, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, benzene, toluene, xylene, chloroform, 1,2-dichloroethane, dichloromethane, tetrahydrofuran, dioxane, methanol,
Ethanol, improper tool, ethyl acetate, butyl acetate, dimethyl sulfoxide, and others can be used.

また、バインダー樹脂としては、例えばポリエチレン、
ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化
ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレ
タン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキ
ッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラ
ミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型
樹脂、並びにこれらの樹脂の繰シ返し単位のうちの2つ
以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイ
ン酸共貢合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール等の高分子有機半導体を挙げる仁とがで
きる。 そして、このバインダー樹脂のCGMに対する
割合は、0〜100重量%、特に0〜10重量%の範囲
である。
Further, as the binder resin, for example, polyethylene,
Addition polymer resins and polyaddition resins such as polypropylene, acrylic resin, methacrylic resin, vinyl chloride resin, vinyl acetate resin, epoxy resin, polyurethane resin, phenol resin, polyester resin, alkyd resin, polycarbonate resin, silicone resin, melamine resin, etc. , polycondensation type resins, and copolymer resins containing two or more of the repeating units of these resins, such as vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resins, vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer resins In addition to insulating resins such as composite resins, polymeric organic semiconductors such as poly-N-vinylcarbazole can be used. The proportion of this binder resin to CGM is in the range of 0 to 100% by weight, particularly 0 to 10% by weight.

前記CGL2には、必要に応じて適宜のCTMを添加し
てもよい。
An appropriate CTM may be added to the CGL2 as necessary.

更に、このCGLには感度の向上、残留電位乃至反復使
用時の疲労低減等を目的として、一種又は二種以上の電
子受容性物質を含有せしめることができる。
Furthermore, this CGL can contain one or more electron-accepting substances for the purpose of improving sensitivity, reducing residual potential or fatigue during repeated use, etc.

ここに用いることのできる電子受容性物質としては、例
えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、
テトラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、
4−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、o−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン
、11 3t 5 ) リニトロンベンゼン、バラニト
ロベンゾニトリル、ビクリルクロライド、キノンクロル
イミド、クロ2二、ル、フルマニル、ジクロロジシアノ
バラベンゾキノン、アントラキノン、ジニトロアントラ
キノン、2,7−シニトロフルオレノン、2,4.7−
ドリニトロンルオレノン、2.4,5.7−テトラニト
ロフルオレノン、9−フルオレニリデン〔ジシアノメチ
レンマロノジニトリル〕、ポリニトロ−9−フルオレニ
リデン−(ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、ヒフ
リン酸、0−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3
,5−ジニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5
−ニトロサリチル酸、3,5−ジニトロサリチル酸、フ
タル酸、メリット酸、その他の電子親和力の大きい化合
物を挙げることができる。 また、電子受容性物質の添
加割合は、重量比でCGM:電子受容性物質= 100
 : 0.01〜200好ましくは100:0.1〜1
00である。
Examples of electron-accepting substances that can be used here include succinic anhydride, maleic anhydride, dibromaleic anhydride, phthalic anhydride, tetrachlorophthalic anhydride,
Tetrabromo phthalic anhydride, 3-nitro phthalic anhydride,
4-nitrophthalic anhydride, pyromellitic anhydride, mellitic anhydride, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, o-dinitrobenzene, m-dinitrobenzene, 11 3t 5) linitrobenzene, varanitrobenzonitrile, bicri chloride, quinone chlorimide, chloride, flumanil, dichlorodicyanobarabenzoquinone, anthraquinone, dinitroanthraquinone, 2,7-sinitrofluorenone, 2,4.7-
Dolinitrone fluorenone, 2.4,5.7-tetranitrofluorenone, 9-fluorenylidene [dicyanomethylene malonodinitrile], polynitro-9-fluorenylidene (dicyanomethylene malonodinitrile), hyfuric acid, 0-nitrobenzoic acid , p-nitrobenzoic acid, 3
, 5-dinitrobenzoic acid, pentafluorobenzoic acid, 5
Examples include -nitrosalicylic acid, 3,5-dinitrosalicylic acid, phthalic acid, mellitic acid, and other compounds with high electron affinity. The addition ratio of the electron-accepting substance is CGM:electron-accepting substance=100 by weight.
: 0.01-200 preferably 100:0.1-1
It is 00.

以上のようにして形成される前記CGL2の厚さは、好
ましくはo、oos〜20pm、特に好ましくは、0.
05〜5μmである。 0.005μm未満では充分な
光感度が得られず、また20μmを越えると充分な電荷
保持性が得られない。
The thickness of the CGL 2 formed as described above is preferably o.oos to 20 pm, particularly preferably 0.00 pm to 20 pm.
05-5 μm. If it is less than 0.005 μm, sufficient photosensitivity cannot be obtained, and if it exceeds 20 μm, sufficient charge retention cannot be obtained.

また、前記CTL3は、既述の化合物を、上述のCGL
2と同様にして(即ち、単独で或いは上述のバインダー
樹脂と共に溶解、分散せしめたものを塗布、乾燥して)
形成することができる。
In addition, the above-mentioned CTL3 can be used to convert the above-mentioned compound into the above-mentioned CGL.
In the same manner as 2 (i.e., apply alone or dissolved and dispersed with the above-mentioned binder resin, and dry)
can be formed.

そして、他のCTMを含有せしめてもよい。Further, other CTMs may be included.

この場合、バインダー樹脂と全CTMとの配合割合は、
バインダー樹脂100重量部当シ全CTMを10〜50
0重量部とするのが好ましく、バインダー樹脂としてポ
リカーボネート樹脂いる場合はその100重量部当シ2
0〜200重量部の全CTMを用いると、優れた電子写
真特性が得られるので好ましい。
In this case, the blending ratio of binder resin and total CTM is
100 parts by weight of binder resin, total CTM 10-50
It is preferable to set the amount to 0 parts by weight, and if a polycarbonate resin is used as the binder resin, 100 parts by weight of the polycarbonate resin is used.
It is preferred to use 0 to 200 parts by weight of total CTM as this provides excellent electrophotographic properties.

更に、とのCTLには感度の向上、残留電位乃至反復使
用時の疲労を更に低減する目的で前述した電子受容性物
質を添加することもできる。 この電子受容性物質をC
GL及びCT IVIの両層に加える場合、各層に加え
る電子受容性物質は全く同一あるいは一部同一であって
もよく、場合によっては全く別でおってもかまわガい。
Furthermore, the above-mentioned electron-accepting substance can be added to the CTL for the purpose of improving sensitivity and further reducing residual potential or fatigue during repeated use. This electron-accepting substance is C
When added to both the GL and CT IVI layers, the electron-accepting substances added to each layer may be completely or partially the same, or may be completely different depending on the case.

 なお、電子受容性物質は、CGL、CTLのいずれか
一方に添加してもよい。
Note that the electron-accepting substance may be added to either CGL or CTL.

CTLへの電子受容性物質の添加割合は重量比で全CT
M:電子受容性物質= ioo : o、oi〜100
好ましくは100:0.1〜50である。
The addition ratio of electron-accepting substances to CTL is the total CT in terms of weight ratio.
M: Electron accepting substance = ioo: o, oi~100
Preferably it is 100:0.1-50.

このようにして形成されるCTL3の厚さは2〜100
μm好ましくは5〜30μmである。
The thickness of CTL3 formed in this way is 2 to 100
μm Preferably 5 to 30 μm.

以上、本発明を第1図又は第2図に示した具体的構成例
に従って説明したが、本発明においては、CGLと組み
合わせられるCTLとして既述の構成成分を含有せしめ
ればそれで充分でア9、電子写真感光体として機械的構
成は任意に選姶できる。
The present invention has been described above according to the specific configuration example shown in FIG. 1 or FIG. The mechanical structure of the electrophotographic photoreceptor can be arbitrarily selected.

例えば、第3図に示すように、導電性支持体1上に適当
な中間層5を設け、これを介してCGL2を形成し、そ
の上にCTL3を形成してもよい。
For example, as shown in FIG. 3, a suitable intermediate layer 5 may be provided on the conductive support 1, the CGL 2 may be formed thereon, and the CTL 3 may be formed thereon.

この中間層5には、感光層4の帯電時において導電性支
持体1から感光層4にフリーキャリアが注入されること
を阻止する機能、並びに感光層4を導電性支持体に対し
て一体的に接着せしめる接着層としての機能を有せしめ
ることができる。 かかる中間層5の材質としては、酸
化アルミニウム、酸化インジウム等の金属酸化物、アク
リル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニ
ル樹脂、エホキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フエ/ −
ル樹脂、ホリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、シリコン樹脂、メジミン樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル
−無水マレイン酸共重合体樹脂等の高分子物質を用いる
ことができる。
This intermediate layer 5 has a function of preventing free carriers from being injected from the conductive support 1 into the photosensitive layer 4 when the photosensitive layer 4 is charged, and also has the function of preventing the photosensitive layer 4 from being injected into the photosensitive layer 4 integrally with the conductive support. It can have a function as an adhesive layer for adhering to. Materials for the intermediate layer 5 include metal oxides such as aluminum oxide and indium oxide, acrylic resins, methacrylic resins, vinyl chloride resins, vinyl acetate resins, epoxy resins, polyurethane resins, and Fe/-
Use polymeric substances such as polyester resin, polyester resin, alkyd resin, polycarbonate resin, silicone resin, medimine resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin, vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer resin, etc. I can do it.

又、第4図に示すように、導電性支持体1上に、前記中
間層5を介して又は介さずに、CTL3を形成してその
上にCGL2を形成して感光層4を構成せしめてもよい
Further, as shown in FIG. 4, a CTL 3 is formed on the conductive support 1 with or without the intermediate layer 5 interposed therebetween, and a CGL 2 is formed thereon to constitute a photosensitive layer 4. Good too.

また、第5図は、上記のCGMを上記CTMが含有され
たキャリア輸送相中に分散せしめてなる(即ち、キャリ
ア発生物質相とキャリア輸送物質相との混合層からなる
)単層の感光層4を形成した例を示す。
Further, FIG. 5 shows a single-layer photosensitive layer formed by dispersing the above CGM in a carrier transport phase containing the above CTM (that is, consisting of a mixed layer of a carrier generating substance phase and a carrier transport substance phase). An example of forming 4 is shown below.

以下、本発明を具体的な実施例について更に詳細に説明
する。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples.

実施列1 アルミニウムを蒸着した厚さ100μmのポリエチレン
テレフタレートよ9成る導電性支持体上に、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体[エスレックM
F−104(漬水化学工業(株)製)よ9成る厚さ約0
.1μmの中間層を設け、2〜3 X lo ’ To
rrの真空雰囲気中にて蒸発源温度350°Cで3分間
、多環キノン系色素である4、1〇−ジブロムアントア
ントロン(モノライトレッド2 Y C,1,A 59
300 )を前記中間層上に蒸着して厚さ約0.5μm
のCGLを形成した。
Example 1 A vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer [S-LEC M
F-104 (manufactured by Tsukimizu Kagaku Kogyo Co., Ltd.), thickness of approximately 0
.. Provide 1 μm intermediate layer, 2-3 X lo' To
4,10-dibromanthanthrone (Monolite Red 2 Y C,1,A 59
300) on the intermediate layer to a thickness of about 0.5 μm.
CGL was formed.

一方、次の手順によ、9CTL形成用塗布液を調製した
。 高分子有機半導体として上述の(B−6)で示され
るポリ−N−ビニルカルバゾール「ルビカンM170J
 (BASF社製)51Fをモノクロルベンゼン50−
に溶解した。次に、アミン誘導体(A−9)6fとポリ
カーボネート樹脂[)(ンライトL−1250J(量大
化成社製)3.5tとを1゜2−ジクロルエタン40−
に溶解し、得られた溶液を前記モノクロルベンゼン溶液
に加えて充分混合し、調製を完了した0 得られた溶液を前記CGL上にドクターブレードを用い
て塗布し、80°Cで1時間乾燥させて、厚さ13μm
のCTLを形成し、以って本発明の電子写真感光体(試
料A 1 ’)を作成した。
On the other hand, a coating solution for forming 9CTL was prepared according to the following procedure. Poly-N-vinylcarbazole "Rubican M170J" shown in (B-6) above as a polymeric organic semiconductor
(manufactured by BASF) 51F to monochlorobenzene 50-
dissolved in. Next, 6f of the amine derivative (A-9) and 3.5 tons of polycarbonate resin [2] (Nrite L-1250J (manufactured by Yondai Kasei Co., Ltd.) were mixed in 1°2-dichloroethane 40-
Add the obtained solution to the monochlorobenzene solution and mix thoroughly to complete the preparation. Apply the obtained solution on the CGL using a doctor blade and dry at 80 ° C for 1 hour. , thickness 13μm
A CTL was formed, thereby producing an electrophotographic photoreceptor (sample A1') of the present invention.

実施例2 実施例1におけるCTL形成用塗布液の調製に際し、ア
ミン誘導体として例示化合物(A−9)の代わシに例示
化合物(A−15)を用い、更に電子受容性物質として
2. 4. 7−)ジニトロ−9−フルオレノン0.0
51Fを加えた他は実施例1と同様にして、厚さ約0.
5μmのCGL及び厚さ13μmのCTLを形成して本
発明の電子写真感光体(試料A 2 )を作成した0 実施列3 ポリカーボネート樹脂2fとテトラブロム無水フタル酸
0.2tとを1,2−ジクロルエタン10〇−に溶解さ
せた溶液に、4.10−ジブロムアントアントロン4t
を加えて超音波分散を行ない、この分散液を実施例1と
同じ中間層を有する導電性支持体上に塗布し、厚さ1μ
mのCGLを形成した〇 一方、次の方法によ、j9cTL形成用塗布液を調製し
た。 ポリ−N−ビニルカルバゾール5tをモノクロル
ベンゼン50コに溶解した。次に、アミン誘導体(A−
33)6Fとピクリルクロライド0.02fとポリカー
ボネート樹脂3.51とを1,2−ジクロルエタン40
7!に溶解し、得られた溶液を前記モノクロルベンゼン
溶液に加えて充分混合し、調製を完了した。
Example 2 In preparing the coating solution for CTL formation in Example 1, Exemplified Compound (A-15) was used as the amine derivative in place of Exemplified Compound (A-9), and 2. 4. 7-) Dinitro-9-fluorenone 0.0
The procedure was the same as in Example 1 except that 51F was added, and the thickness was about 0.
An electrophotographic photoreceptor (sample A 2 ) of the present invention was prepared by forming a CGL of 5 μm and a CTL of 13 μm.Run 3 Polycarbonate resin 2f and tetrabromophthalic anhydride 0.2t were mixed in 1,2-dichloroethane. 4.10-dibromanthanthrone 4t in a solution dissolved in 100-
was added and subjected to ultrasonic dispersion, and this dispersion was applied onto a conductive support having the same intermediate layer as in Example 1 to a thickness of 1 μm.
On the other hand, a coating solution for forming j9cTL was prepared by the following method. 5 tons of poly-N-vinylcarbazole was dissolved in 50 tons of monochlorobenzene. Next, the amine derivative (A-
33) 6F, picryl chloride 0.02f and polycarbonate resin 3.51% in 1,2-dichloroethane 40%
7! The resulting solution was added to the monochlorobenzene solution and thoroughly mixed to complete the preparation.

得られた溶液を前記CGL上にドクターブレードを用い
て塗布し、80°Cで1時間乾燥させて、厚さ13μm
のCTLを形成し、以って本発明の電子写真感光体(試
料扁3)を作成した。
The resulting solution was applied onto the CGL using a doctor blade and dried at 80°C for 1 hour to form a layer with a thickness of 13 μm.
CTL was formed, and thereby an electrophotographic photoreceptor (sample plate 3) of the present invention was prepared.

実施列4 実施例2における多環キノン系色素の代わシにペリレン
系色素であるN、N’−ジメチルペリレン−3,4,9
,10−テトラカルボン酸ジイミド(パリオゲンマルー
ン3920 C91,A71130) tl−用いた他
は実施例2と同様にして、厚さ約0.5μmのCGL及
び厚さ13μmのCTLを形成して本発明の電子写真感
光体(試料A4)を作成した。
Example 4 Instead of the polycyclic quinone dye in Example 2, N,N'-dimethylperylene-3,4,9, which is a perylene dye, was used.
, 10-tetracarboxylic acid diimide (Paliogen Maroon 3920 C91, A71130) tl- was used in the same manner as in Example 2 to form a CGL with a thickness of about 0.5 μm and a CTL with a thickness of 13 μm to form a CGL with a thickness of about 13 μm. An electrophotographic photoreceptor (sample A4) was prepared.

実施例5 アルミニウムを蒸着した厚さ100μmのポリエチレン
テレフタレートよ9成る導電性支持体上に、2〜3X1
0−Torrの真空雰囲気中にて蒸発源温度300’ 
Cで1分間セレンを蒸着し、厚さ1μmの無定形セレン
よ9成るキャリア発生層を形成した0次に、高分子有機
半導体としてPVK (B−6)に代えて(B−10)
を用いた他は実施例2で用いたのと同じCTL形成溶液
を塗布し、40°Cで24時間真空乾燥させて厚さ13
μmのCTLを形成し、本発明の電子写真感光体(試料
A 5 )を作成した0比較例1 アミン誘導体(A−9)x5tとポリカーボネート樹脂
15Fとを1,2−ジクロルエタン10〇−に溶解し高
分子有機半導体を含まないCTL形成溶液を作成した。
Example 5 On a conductive support made of 100 μm thick polyethylene terephthalate coated with aluminum, 2 to 3×1
Evaporation source temperature 300' in a vacuum atmosphere of 0-Torr
Selenium was evaporated at C for 1 minute to form a carrier generation layer consisting of amorphous selenium 9 with a thickness of 1 μm. Next, PVK (B-6) was replaced with (B-10) as the polymeric organic semiconductor.
The same CTL forming solution as used in Example 2 was applied except that a
Comparative Example 1 Amine derivative (A-9) x 5t and polycarbonate resin 15F were dissolved in 1,2-dichloroethane 100- A CTL forming solution containing no polymeric organic semiconductor was prepared.

 この溶液を実施例1と同じCGL上に塗布し、厚さ1
2μmのCTLを形成し、以って比較用の電子写真感光
体(比較試料屋1)を作成した。
This solution was applied onto the same CGL as in Example 1 to a thickness of 1
A CTL of 2 μm was formed, and an electrophotographic photoreceptor for comparison (Comparative Sample Shop 1) was prepared.

比較例2 ポリ−N−ビニルカルバシー、LL/10f′f:モノ
クロルベンゼン100艷に溶解させた溶液と、ポリカー
ボネート樹脂1.51を1,2−ジクロルエタン10−
に溶解させた溶液を混合して前記一般式で示されるアミ
ン誘導体を含まないCTL形成溶液を作成した。 この
溶液を実施例1と同じCGL上に塗布し、厚さ13μm
のCTLi形成し、比較用の電子写真感光体(比較試料
A 2 )を作成した。
Comparative Example 2 Poly-N-vinyl carbacy, LL/10f'f: A solution dissolved in 100 g of monochlorobenzene and 1.5 l of polycarbonate resin in 1,2-dichloroethane 10-
A CTL-forming solution containing no amine derivative represented by the above general formula was prepared by mixing the solution dissolved in . This solution was applied onto the same CGL as in Example 1 to a thickness of 13 μm.
CTLi was formed to prepare a comparative electrophotographic photoreceptor (comparative sample A 2 ).

比較列3 比較例1に於けるCTL形成溶液の調整に際し、更ニ2
. 4.’7−ドリニトロー9−フルオレノン0.31
を加えた他は比較例1と同様にして、厚さ12μmのC
TLを形成し、比較用の電子写真感光体(比較試料A 
3 )を作成した。
Comparison row 3 When preparing the CTL forming solution in Comparative Example 1,
.. 4. '7-Dolinitro 9-Fluorenone 0.31
A 12 μm thick C
TL was formed and a comparative electrophotographic photoreceptor (comparative sample A
3) was created.

比較例4 高分子有機半導体として次の構造式で表わされる化合物
を用いた他は実施例2と同様にして、厚さ13μmのC
TI、f、形成し、比較用の電子写真感光体(比較試料
&4)を作成した。
Comparative Example 4 A 13 μm thick C
A comparative electrophotographic photoreceptor (comparative sample &4) was prepared.

以上の実施例及び比較列で得られた試料A1〜A5及び
比較試料A1−扁4をエレクトロメータS P −42
8型((株)川口電機製作新製)に装着し、帯電器の放
電極に対する印加電圧fニー 6 KVとして5秒間帯
電縁作を行ない、この帯電操作直後に於ける感光層表面
の表面電位全V。、表面電位を一500Mから−50(
V)−jで減衰せしめるのに必要な露光量をE ’::
 (J−ux−sec )及びao (JALK・8e
C)露光後の残留電位をVR(V)とし、これらを測定
した0 次に、紫外光に対する安定性を調べる為に、各試料に超
高圧水銀灯rSHL−100UVJ (東芝(株)製)
を用い、光源−試料間距離5crnで60秒間紫外光を
照射し、その後再び上述と同様の測定を行なった。 結
果は下記表に示す通シである。
Samples A1 to A5 obtained in the above examples and comparison rows and comparative sample A1-Ban 4 were measured using an electrometer SP-42.
8 type (newly manufactured by Kawaguchi Electric Co., Ltd.), a charging operation was performed for 5 seconds with an applied voltage of 6 KV to the discharge electrode of the charger, and the surface potential of the photosensitive layer surface immediately after this charging operation was determined. All V. , surface potential from -500M to -50(
V) -j is the amount of exposure required to attenuate E'::
(J-ux-sec) and ao (JALK・8e
C) The residual potential after exposure was defined as VR (V), and these were measured.Next, in order to examine the stability against ultraviolet light, each sample was exposed to an ultra-high pressure mercury lamp rSHL-100UVJ (manufactured by Toshiba Corporation).
Ultraviolet light was irradiated for 60 seconds with a light source-sample distance of 5 crn, and then the same measurements as above were performed again. The results are shown in the table below.

上記表中、下段()内は紫外光照射後の特性を示す。In the table above, the numbers in parentheses at the bottom indicate the characteristics after irradiation with ultraviolet light.

この結果から明らかなように、本発明の感光体は、光感
度が良好で、しかも紫外光に対し著しく優れた安定性を
示すことが分る。
As is clear from the results, the photoreceptor of the present invention has good photosensitivity and exhibits extremely excellent stability against ultraviolet light.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図面は本発明の実施例を示すものであって、第1図、第
2図、第3図、第4図、第5図は電子写真感光体の5例
の各断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 1・・・・・・・・・・・・・・基板 2・・・・・・・・・・・・・・キャリア発生層(CG
 L)3・・・・・・・・・・・・・・・キャリア輸送
層(CTL)4・・・−・・・・・・・−・−感光層で
ある。 代理人 弁理士 逢 坂 宏(他1名)帖4図 第5図
The drawings show embodiments of the present invention, and FIGS. 1, 2, 3, 4, and 5 are sectional views of five examples of electrophotographic photoreceptors. In addition, in the symbols shown in the drawings, 1......Substrate 2......Carrier generation layer (CG
L) 3...Carrier transport layer (CTL) 4...--Photosensitive layer. Agent: Patent attorney Hiroshi Aisaka (and 1 other person) Book 4, Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、 キャリア発生相とキャリア輸送相とからなる感光
層を有する感光体において、下記一般式CA)で表わさ
れるアミン誘導体と、側鎖に縮合芳香環又は複素環を有
する高分子有機半導体とが前記キャリア輸送相に含有さ
れていることを特徴とする感光体。 一般式〔A〕: 〔但、この一般式中Ar” 、Ar” : 置換若しく
は未置換のフェニル基を表わし、置換基としてはハロゲ
ン原子、アルキル基、ニトロ基、アルコキシ基を用いる
。 Ar” :置換若しくは未置換のフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、フルオレニル基、複素環基を表わし
、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン
原子、水酸基、アリールオキシ基、アリール基、アミノ
基、ニトロ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ナフチル
基、アンスリル基及び置換アミノ基を用いる。 但し、
置換アミノ基の置換基としてアシル基、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基を用いる。〕
[Scope of Claims] 1. A photoreceptor having a photosensitive layer consisting of a carrier generation phase and a carrier transport phase, comprising an amine derivative represented by the following general formula CA) and a polymer having a fused aromatic ring or a heterocycle in the side chain. A photoreceptor characterized in that the carrier transport phase contains a molecular organic semiconductor. General formula [A]: [However, in this general formula, Ar", Ar": represents a substituted or unsubstituted phenyl group, and a halogen atom, an alkyl group, a nitro group, or an alkoxy group is used as a substituent. Ar”: Represents a substituted or unsubstituted phenyl group, naphthyl group, anthryl group, fluorenyl group, or heterocyclic group, and substituents include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aryl group, and an amino group. , nitro group, piperidino group, morpholino group, naphthyl group, anthryl group and substituted amino group. However,
An acyl group, an alkyl group, an aryl group, or an aralkyl group is used as a substituent for the substituted amino group. ]
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