JPS60136750A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［技術分野］ 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線　１１■
視光線、赤外光線、ＸＩ、ａ、γ線等を示す）のような
＋１！：磁波に感受性のある光導電部材に関する。 ［従来技術］ 固体撮像装置、あるいは像形成分野における電子写真用
像形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する
光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比［光電流（ｉｐ
）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、更には
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。 殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点である。 このような観点に立脚して、最近注目されているＸ［型
材料にアモルファスシリコン（以後ａ−３ｉと表記する
）があり、例えば独国公開第２７４８！１６７号公報、
同第２１１５５７１８号公報には電子写真用像形成部材
への応用が、また、独国公開第２！３３３４１１号公報
には光電変換読取装置への応用がそれぞれ記載されてい
る。 しかしながら、従来のａ−Ｓｉで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の
電気的、光学的、光導電的特性、および耐温性等の使用
環境特性の点、更には経時的安定性の点において、総合
的な特性向−１−を図る必要があるという更に改善され
るべき問題点があるのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同峙に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰り返し使用し
続けると、繰り返し使用による疲労の蓄積が起って、残
像が生ずる所謂ゴースト現象を発するようになったり、
あるいは高速で繰り返し使用すると応答性が次第に低下
したりする等の不都合な点が少なくなかった。 更には、　ａ−５ｉは可視光領域の′Ｓ波長側に比べて
、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が
比較的小さく、現在実用化されている半導体レーザーと
のマツチングに於いで、また通常使用されているハロゲ
ンランプや蛍光灯を光源とする場合長波長側の光を有効
に使用し得ないという点に於いて、それぞれ改良される
べき余地が残っている。あるいは、照射される光が光導
電層中に於いて十分吸収されずに支持体に到達する光の
ｊ−が多くなると、支持体自体が光導電層を透過してく
る光に対する反射率が高い場合には、光導電層内に於い
て多重反射による干渉が起って、画像の「ポケ」が生ず
る一要因となる。この影響は、解像度を上げるために照
射スポットを小さくする程大きくなり、殊に半導体レー
ザーを光源とする場合には大きな問題となっている。 更に、　ａ−９ｉ材料で光導電層を構成する場合には、
その電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原
子あるいはフッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子、お
よび電気伝導型の制御のためにホウ素原子やリン原子等
が、あるいはその他の特性改良のために他の原子が、各
々構成原子として光導電層中に含有されるが、これ等の
構成原子の含有の様相いかんによっては、形成した層の
電気的あるいは光導電的特性に問題が生ずる場合がある
。 すなわち、例えば形成した光導電層中に光照射によって
発生したフォトキャリアの該層中でのノミ命が１−分で
ないことに基づき十分な画像濃度が得られなかったり、
あるいは暗部に於いて、支持体側からの電荷の注入の阻
止が十分でないことに基づく問題等を生ず°る場合が多
い。 従って、　ａ−５ｉ材料そのものの特性の改良が図られ
る一方で、光導電部材を設計する際に、■−記したよう
な所望の電気的及び光学的特性が得られるよう工夫され
る必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−５ｉに
関し゛電子写真用像形成部材や固体撮像装置ｉｉ、、読
取装′ｉＩＬ等に使用される光導電部材としての適用性
とその応用性という観点から総括的に鋭意研究検討を続
けた結果、シリコン（Ｓｉ）を母体とする非晶質材料、
殊にシリコン原子（Ｓｉ）をｆす体とし、水素原子（Ｈ
）または／＼ロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なく
とも含有するアモルファス材料、すなわち所謂水素化ア
モルファスシリコン、ハロゲン化アモルファスシリコン
あるし）はハロゲン含有水素化アモルファスシリコン〔
以後これ等を総称的にａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）と表記する〕
と、シリコン原子（Ｓｉ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）
とを母体とする非晶質材料、殊にこれらの原子を母体と
し、水素ｊ１（子（Ｈ）またはハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルファス材料、す
なｈ　チ所３ｉ　水素化アモルファスシリコンゲルマニ
ウム、ハロゲン化アモルファスシリコンゲルマニウムあ
るいはハロゲン含有水素化アモルファスシリコンゲルマ
ニウム（以後これ等を総称的にａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）
と表記する〕とから構成される光導電部材を、以降に説
明するようにその層構造を特定化して作成された光導電
部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、
従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌
駕していること、殊に電子写真用の光導電部材として著
しく優れた特性を有していることおよび長波長側に於け
る吸収スペクトル特性に優れていることを見出した点に
基づくものである。 ［発明の目的］ 本発明は、電気的、光学的、光導電的特性がん時安定し
て、殆ど使用環境の影響を受けない全環境型であり、長
波長側の光感受特性に優れるとともに耐光疲労特性に勇
しく長け、繰り返し使用に際しても劣化現象を起さず、
残留電位が全くまたは殆ど観測されない光導電部材を提
供することを主たる目的とする。 未発明の別の１」的は、全１町視光域に於いて光感度か
晶く、殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、かつ
光１Ｌ：答の速い光導電部材を提供することである。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通當の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ？１）る程度に静電像形成のための１１１電処理の際
の電荷保持能が充分あり、優れた電子写真特性を右する
光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフζ−ンが
鮮明に出てかつ解像度が高く１画像欠陥、画像流れの生
じない高品質画像を得ることが容易にできる電子写真用
の光導電部材を提供することである。 本発明の更にもう一つの目的は、暗抵抗が十分高く、十
分な受容電位が得られる光導電部材を提供することであ
り、また、各層間の電着性を良くし、生産性を向」ニす
ることにある。 本発明の更にもう一つの目的は、高光感度性。 高ＳＮ比特性を有する光導電部材を提供することでもあ
る６ ［発明の構成］ すなわち本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、この支持体上に設けられ、光導電性を有する光受容
層とを有する光導電部材に於いて、　＋ｉｉｊ記光受霧
光受容層記支持体側から、シリコンＩ＋ｒＣ子を含む非
晶質材料で構成された第１の層（Ｉ）と、シリコン原子
とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第
２の層（ＩＩ　）と、シリコン原子と窒素原子とを含む
非晶質材料で構成された第３の層（［１１）とから構成
され、かつ前記第１の層（Ｉ）および第２の層（ＩＩ　
）の少なくとも一方に、酩素原子が含有されていること
を特徴とする光導電部材である。 前記第２の層（ＩＩ　）中に於けるゲルマニウム原子の
分１１ｊ状態は、層厚方向および支持体の表面に平行な
面内に於いて均一である。水素原子及び／又はハロゲン
原子は、前記第１の層ＣＩ）中および＋１；１記第２の
層（１１）ｒｌ＋の少なくともいずれか一力に含有され
ていることか好ましい。また、前記第１の層（Ｉ）中お
よび前記第２の層（ｒｒ　）中の少なくともいづれか一
力には伝導性を支配する物γ′ｌが含イ１されているこ
とが好ましい。 光受容層がに記したような層構造を取るようにして構成
された本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総て？
解決することができ、極めて優れた１Ｌ気的、光゛ｉ：
的、光導電的特性、電気的耐圧性および使用環５３１特
性を示す。 殊に、電ｒ写Ｊ′↓用像形成部材として適用させた場合
には１画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電
気的特性が安定しており、高感度↑、高ＳＮ比を有する
ものであって、耐光疲労、繰り返し使用特性に長け、画
像濃度が高く、／＼−フト−ンが鮮明に１１で、かつ解
像度の高い、高品質の画像を安定して繰り返し得ること
ができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、
かつ光応答が速い。 ［発明を実施するための最良の形態］ 以下、図面に従って、本発明の光導電部材について詳細
に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明するため
に層構造を模式的に示した図である。 本発明の光導電部材１００は、第１図に示されるよう光
導電部材用の支持体ｌＯ１」−に、１−分な体積抵抗と
光導電性を有する光受容層１０２を有する。光受容層１
０２は、前記支持体側からａ−９ｉ（）１．　Ｘ）から
なる第１の層（Ｉ）１０３、ａ−ＳｉＧｅ（）１．　Ｘ
）からなる第２の層（ＩＩ）１０４、ａ−ＳｉＮ（Ｈ、
Ｘ）からなる第３の層（［１１）１０５を有して構成さ
れる。光導電性は、第１の層（Ｉ）および第２のＷ（Ｉ
Ｉ）のいずれに荷わせてもよいが、いずれにしても入射
される光が到達する層が光導電性を有するよう層設計さ
れる必要がある。 また、この場合、第１の層（Ｉ）および第２の層（ＩＩ
　）の両名がそれぞれ所望の光に対して光導電性を有し
、かつ十分な量のフォトキャリアを発生しくする層とし
て設計されるのが望ましい。 未発１ＪＩの光導電部材に於いては、高光感度化と高暗
抵抗化、または、支持体と光受容層との間のまたは光受
容層を構成する各層間の密着性の改良を９する為に、第
１の層（Ｉ）及び第２の層（ＩＩ　）の少なくとも一方
に酸素原子が含有されている。 第１の層ＣＩ’）及び第２の層（ＩＩ　）の少なくとも
一方に含イ１される酸素原子は、これらの層の全層領域
に刃部なく含有されていても良いし、あるいは部分的に
偏在させて含有されていても良い。 酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（０）が光受容層の層
厚方向に於いては、均一であっても、不拘＝−であって
も良い。 本発明に於いて、このように第１の層（Ｉ）及び第２の
層（１１）の少なくとも一方の層中に設けられたＳ素原
子を含有する領域（０）は、光感度と１１ｒｆ抵抗の向
」二を計ることを上たる［］的とする場合には、これら
の層の全層領域を占めるように設けられる。また、支持
体と第１の層（Ｉ）との密着面及び光受容層を構成する
各層間の密着面の中の所望の密着面の密７ｉ性の強化を
計ることを１゜ｉ的とする場合には、例えば、支持体と
第１の層ＣＩ）との密着性を強化したい場合には、第１
の層（Ｉ）の支持体側端部層領域を、また第１の層（Ｉ
）と第２の層（，１１）との密ノ、性を強化したい場合
には、第１の層（Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）の層界面及
び層界面近傍の領域を、第２の層（１１）と第３の層（
ＩＩＩ）との左前性の強化を目的とする場合には、第２
の層（ＩＩ　）の第３の層（ｍ）側端部層領域を占める
ように設ける等、′＆：着性の強化ス１ろうとする層界
面及び層界面近傍の領域を占めるように設けられる。 前者の場合には１層領域（０）中に含有される酸素原子
の含有量は、高光感度を維持するために比較的少なくさ
れ、後者の場合には１層間の密着性を強化するために比
較的多くされるのが望ましい。また、前者と後者の［１
的を同時に達成するためには、支持体側に於いて比較的
多く分４Ｊさせ、光受容層の１］山表面側の層領域中に
於いて比較的低濃度に分１ｉさせて層領域（０）を形成
させれば良い。 更に、支持体または第１の層（１）からの電６Ｘ＋の７
１入を防１１−シて、みかけ卜の暗抵抗を」ニげろごと
をＩＩ的とする場合は、第１の層（Ｉ）の支持体側に酸
素原子を分布させるか、第１の層（Ｉ）と第２の層（Ｉ
Ｉ　＞の界面及び／又は界面近傍に於いてｌＸ；　Ｌ　
ＩＩ’（に分ンＩｊさせるのが望ましい。 なお、本発明に於いては、上記のような層領域（０）は
、１つのみに限られることはなく、」−記の］ｉ的にＩ
４′；、　Ｕて光受容層中に複数の層領域（０）を設け
ても良い。 本発明に於いて、このように第１の層（Ｉ）及び第２の
層（ＩＩ　）の少なくとも一方の層中に設けられる層領
域（０）に含有される酸素原子の含有星は、上記のよう
な目的を達成できるような層領域（０）自体に要求され
る特性、更に層領域（０）が支持体に直に接触して設け
られる場合には該支持体との接触界面に於いて要求され
る特性、あるいは層領域（０）に直に他の層領域が接触
して設けられる場合には、故地の層領域の有する特性及
び層領域（０）と他の層領域との接触界面に於いて要求
される特性等の有機的関連性に於いて、適宜選択するこ
とができる。 層領域（０）中に含有される酸素原子の星は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応して所望に従って適
宜状められるが、好ましくは０．００１〜５０ａｔｏｍ
ｉｃ％、より好ましくは０．００２−４０ａｔｏｍｉｃ
％、最適には０．００３−３０ａｔｏｍｉｃ％とされる
のが好ましい。 本発明の先主導部材に於いては、第１の層（Ｉ）及び第
２の層（ＩＩ　）の少なくとも一方に伝導性を支配する
物質（Ｃ）を含有させることによって、含イ１される層
の伝導性を所望に従って制御することができる。該物質
（Ｃ）は、第１の層（Ｉ）および第２の層（ＩＩ　）の
少なくとも一方に於いて、層厚方向には均一でも不均一
・でもいずれの分４５状態であってもよいように含有さ
れる。また、物質（Ｃ）の含イ１される層領域（ＰＮ）
に於いて、その層厚方向に、物質（Ｃ）は連続的に、均
一あるいは不均一な分布状態となるように含有される。 例えば第２の層（ＩＩ　）の層厚をｆ：ｆＳｌの層（Ｉ
）の層厚より厚くシ、主に第２の層（１１）を重荷発生
層と電荷輸送層としての機能を持たせるようにして用い
る場合には、伝導性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層
（Ｉ）では支持体側で多くなるような分４ｊ状１几とな
るようにすることが望ましく、また伝・ｑ性を支配する
物質（ｃ）は第２の層（ＩＩ　）では、第１の層（１）
と第２の層（ＩＩ　）との界面または界面近くで多くな
るような分布状態とすることか望ましい。 このような伝導性を支配する物質（Ｃ）としては、所謂
、半導体分野でいわれる不純物を挙げることかでき、本
発明に於いては、ｓＩまたはＧｅに対してｐ型伝導特性
を与えるＰ型不純物およびｎ型化４特性を与えるｎ型不
純物を挙げることができる。共体的には、ｐ型不純物と
しては、周期律表第■族に属する原子（第■１族原子）
、例えばＢ。 Ａ１、Ｇａ、　Ｉｎ、ＴＩ等があり、殊に好適に用いら
れるのはＢ　、　Ｇａである。ｎ型不純物としては、周
期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ族原子）、例えばＰ　
、　Ａｓ、Ｓｂ、　Ｂｉ、等があり、殊に好適に用いら
れるのはＰ　、　Ａｓである。 本発明に於いて、光受容層中に設けられる伝導性を支配
する物質（Ｃ）の含有されている層領域（ＰＮ）中に含
有される伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、該層
領域（ＰＮ）に要求される伝導特性、あるいは該層ダ１
域（ＰＭ）が支持体に直に接して設けられる場合には、
該支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的
関連性に於いて適宜選択することができる。また、前記
層領域（ＰＮ）に直に接して１τ９けられる他の層領域
の特性や、故地の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考１Ｍシて伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有￥
が適宜選択される。 本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導性
を支配する物質（Ｃ）の含有量、とじては、好ましくは
０．００１−５Ｘ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐａ＋、よ
り好ましくは０．５−　１Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐＩＩ＋、最適には　１〜５Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍとされるのか望ましい。 本発明に於いては、層領域（ＰＮ）に於ける伝導性を支
配する物質（Ｃ）の含有ニーを、好ましくは３０ａｔｏ
ｍｉｃ　ＰＰｍ以ｊ二、より好ましくは５０ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以１：、／＋ＱＪには　１００１００ａｔｏ
　ｐｐｍ以Ｊニにすることによって５例えば該物質（Ｃ
）が前記Ｐ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が
■極性に帯電処理を受けた際に、支持体側からの光受容
層中への゛ボ：Ｓ゛の１１人を効果的にト１］止するこ
とができ、−力、前記物質（Ｃ）が前記ｎ型不純物の場
合には、光受容層の１１山表血かθ極性に帯電処理を受
けた際に、支１５体側からの光受容層中へのＪｌ、（孔
の注入を効果的に３１１１１することができる。 １−記のような場合には、前記層領域（ＰＮ）を除いた
部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に含有される
伝導性を支配する物質（Ｃ）の極性とは別の極性の伝導
性を支配する物’ｊｔ（Ｃ：）を含有させてもよいし、
あるいは同極性の伝４性を支配する物質（Ｃ）を、層領
域（ＰＭ）に含有される腋よりも一段と少ない星にして
含有させてもよい。 このような場合、前記層領域（Ｚ）に含有される前記伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域（
ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含イｊ♀、
に応じて適宜決定されるものであるが、好ましくは０．
００１〜ＩＯ００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましく
は０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には０
．１−２０１−２００ａｔ　ｐｐｍとされるのが望まし
い。 未発りｊに於いて１層領域（ＰＮ）および層領域（Ｚ）
に同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合
には、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましく
は３０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以卜゛とするのが望ましい
。」ニ記した場合の他に、本発明に於いては、光受容層
中に一方の極性を有する伝導性を支配する物質（Ｃ）を
含有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配
する物質（Ｇ）を含有させた層領域とを直に接するよう
に設けて、該接触領域に所謂空乏層を設けることもでき
る。すなわち、例えば光受容層中（、二前記のｐ型不純
物を含有する層領域と前記のｎ型不純物を含イ１する層
領域とを直に接するように設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成
して、空乏層をａＱけることができる。 未発明に於いて、心安に応じて第１の層（Ｉ）中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフン素
、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるか、特にフン素、塩
素をｌｌ’ｆ適なものとして挙げることかできる。 未発明において、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第１
の層（Ｉ）を形成するには、例えばグロー放電１人、ス
パッタリングｊ去、あるいはイオンブレーティング法イ
・の放心現象を利用する真空堆積法が適用される。 例えばグロー放’ｉｆｆ法によって、ａ−９ｉ（Ｈ，ｘ
）−ｃ’構成される第１の層（Ｉ）を形成するには、基
本的にはパ／リコン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳｉ供給
用の原料カスとノ（に、水素原子（Ｈ）導入用の原料ガ
ス及Ｕ／又はハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料カスを、
その内部を減圧にし得る１４Ｆ積ゴ５内に所定の混合比
とガス流１ｊｔになるようにして導入して、該ｔ１Ｆ積
室内にグロー放電を生起させこれ等の力スのプラズブ雰
囲気を形成することによって、イ・め所定位置に設置さ
れて０る支ｎ体表面」ユにａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）から構成
される第１の層（Ｉ）をＪ杉或する。 また、スパッタリング法で形成する場合にＣよ、例えば
＾「、Ｈｅ等の不活性カスまた１士これ等の力スをヘー
スとした混合カスの雰囲気中でＳｉまた１ま５１０２、
あるいはこれらの混合物で構成されたターゲットをスパ
ッタリングする際、水素原子（）ｌ）及び／又はハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用のカスをスノ＜・ンタリング用の堆
積室に導入してやれＩｆ良し）。 本発明に於いて、第１の層（１）を形成するのに使用さ
れる原料ガスとなる出発物質として（±、次のものが有
効なものとして挙げられる。 先ず、Ｓ　ｉ　（Ｊｊ給１［１の原料カスとなる出発物
質としては、ＳｉＨ４，Ｓ寛２Ｈ６、５ｉ３ＨＢ　、　
５ｉ４Ｈ＋。等の力゛ス状ｍ、のまたはガス化し得る水
素化ケイ素（シラン類）が有効に使用されるものとして
挙１プられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効
率の良さ等の点で５ｉＨａ、　５ｉ２）１６か好ましい
ものとして挙ｔずられる。 Ｓｉ供給用の原料カスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化ケイ素の他に、／＼ロゲン原子（Ｘ）を含
むケイ素化合物、所謂ｌ＼ロケン原子で置換されたシラ
ン誘導体、具体的に１士例え１ｆｓｉＦｎ、５ｉ７Ｆ６
　、５ｉＣｌ、＋　、　ＳｉＢｒ４　ｈＪノ／＼ｏケン
化ケイ素を好ましいものとして挙げることができ、更に
Ｉｆ、５１Ｈ７Ｆ７、ＳｉＨ＋］２．５ｉＨ２ＧＩ２　
、５ｉＨＣ１３，５ｉＨ２Ｂｒ７　。 ５ｉ）ＩＢｒＨｌ等の／＼ロゲン置換水素化ケイ素、等
々の力′ス状８のあるいはカス化し得る。水素原−ｒ−
を構成安上の一つとするハロゲン化物も有効な第１の層
（１）形成用の出発物質として挙げること力（できる。 これらの）＼ロケン原子（Ｘ）を含むケイ素イし合物を
使用する場合にも、前述したように層ｌ形成条ヂＩ−の
適ｐＪな選択によって、形成される第１の層（１）中に
ＳＲ共に／＼ロゲン原子（Ｘ）を導入することができる
。 本発明に於いて、第１の層（Ｉ）を形成するのに使用さ
れるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記のものの他に、例えばフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンガス、ＣＩＦ　、　Ｃ
ｌＦ３、ＢｒＦ　、　ＢｒＦ３、日ｒＦ５、ＩＦ５．　
ＩＦ７、ＩＣＩ　、ＩＢｒ等ハロゲン間化合物、ＩＦ、
　ＭＣＩ　、　ＨＢｒ　、　［等（７）　ハロゲン化水
素を挙げることができる。 本発明に於いて第１の層（１）を構成する層領域の所望
の層領域中に酸素原子を含有する層領域（０）を設ける
場合には、上記の出発物質を用いて第１の層（Ｉ）を形
成する際に酸素原子導入用の出発物質をその量を制御さ
せながら併用して、形成される層中に含有させれば良い
。 第１の層（Ｉ）中に含有される酸素原子は、第１の層（
Ｉ）の全領域に刃傷なく含有されていても良いし、また
の一層領域のみに含有されていても良い。 また、酸素原子の分布状％）ｊＧ（０）は、第１の層（
Ｉ）の層厚方向に於いて均一であっても、不均一であっ
ても良い。 本発明に於いて、第１の層（Ｉ）に設けられる酸素原子
の含有されている層領域（０Ｉ）は、光感度と暗抵抗の
向上を目的とする場合には、第１の層（Ｉ）全層領域を
占めるように設けられ、基板との、更には第２の層（Ｉ
Ｉ　）　との密着性の強化を泪る場合には、基板若しく
は第３の層（ｍ）または両方の側の端部層領域を占める
ように設けられる。 このように第１の層（Ｉ）中に設けられる層領域（０■
）に含有される酸素原子の含右祉は、　Ｏｉｊ述したよ
うな１−１的を達成できるような層領域（０■）自体に
要求される特性、支持体との接触界面に於いて要求され
る特性、あるいは層領域（０工）に直に接触して設けら
れる他の層領域の有する特性及び層領域（０■）と他の
層領域との接触界面に於いて要求される特性等の有機的
関連性に於いて、適宜選択することができる。 層領域（０Ｉ）中に含有される酸素原子の場は、形成さ
れる先導ＴＬ部材に要求される特性に応じて所望に従っ
て適宜法められるが、好ましくは０．００１〜５０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好ましくは、０．００２−４０ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適には０．００３−３０ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが好ましい。 層領域（０■）を形成するのにグロー放電法を適用する
場合には、」ニ記のＰＰＪｌのｅ　（Ｉ）形成用の出発
物質の中から所望に応じて選択されたものに更に酸素原
子導入用の出発物質が加えられる。そのようなｌＩ＃素
原素原子用入用発物質としては、少なくとも酸素原子を
構成原子として有するガス状の物質またはカス化するこ
とのできる物質をガス化したものの中の大概のものを使
用することができる。 使用する原料ガスの組合せとしては、 （ａ）シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと必要に
応じて水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用する、（ｂ）シリコ／原−ｒ−（Ｓｉ）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスと、／＼ロケン原子
（×）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）を
構成原ｆとする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用する、 （Ｃ）シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料カス
と、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とす
る原料カスとを、所望の混合比で混合する、 （ｄ）シリコン原子（Ｓｉ）を構成原ｆ−とする原料カ
スと、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水−＋
、原子（Ｈ）との３つの原子を構成原ｆとする）５；（
料カスとを所望の混合比で混合して使用する 等の組合せを挙げることができる。 層領域（０■）を形成するために使用される酸素原子（
０）供給用の原料カスとして有効に使用される出発物質
としては、０を構成原子とする、あるいは０と１１とを
構成原ｆとする、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）
、−・酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二
酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四二
酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、Ｅ
Ｍ化窒素（Ｎ３０）　、　シＩＪ　コｙ原子（Ｓｉ）！
：酎耐原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする
１例えばジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ３）、トリシ
ロキサン（Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低級シ
ロキサン等を挙げることができる。 スパッタリング法によって、酸素原子を含有する第１の
層（Ｉ）を形成する場合には、単結晶または多結晶のＳ
ｉウェーハーまたは５ｉ０２ウエーハー、またはＳｉと
５ｉ０２が混合されて含有されているウェーハーをター
ゲットとして、これらを１６カス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行なえば良い。 例えば、Ｓ１ウエーハーをターゲットとして使用する場
合、酸素原子と必要に応じて水素原ｆ及び／またはハロ
ゲン原子を導入するための原＃−１カスを必要に応じて
稀釈ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これらガスのカスプラズマを形成させて前記ｓｌウェ
ーハーをスパッタリングすれば良い。 また、Ｓｉと５ｉ０２とは別々のターゲットとして、あ
るいはＳｉと５１０２とが混合された一枚のターゲット
とじて使用する場合には、スパッター用のカスとしての
稀釈ガスの雰囲気中でまたは少なくとも水素原子（）Ｉ
）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含
有するカス雰囲気中でスパッタリングすることによって
所望の層領域中に酸素原子を含有する層領域（０工）が
設けられた第１の層（Ｉ）を形成することができる。 なお、酸素原子導入用のガスとしては、前述したグロー
放電法に於いて酸素原子導入用のガスとして挙げたもの
かスパッタリング用のカスとしても利用することができ
る。 第１の層ＣＩ）を構成する層領域中に伝導性を支配する
物質（Ｃ）、例えば第■族原子または第Ｖ族原子を構造
的に導入するには１層形成の際に、第■族原子導入用の
出発物質または第Ｖ族原ｆ−導入用の出発物質をガス状
態で堆積室中に第１の層（Ｉ）を形成するための他の出
発物質と共に導入してやればよい。このような第■族原
子導入用の出発物賀用となり得るものとしては、常温常
圧でカス状のまたは少なくとも層形成条件下で容易にガ
ス化し得るものが採用されるのが望ましい。 このような第■族原子導入用の出発物質としては、具体
的には、ホウ素原子導入用としては、８２Ｈ，、Ｂ、Ｈ
，。、８５　Ｎ９、Ｂｓ　Ｈ＋　４）Ｂ６　Ｈ＋。、Ｂ
６Ｈ１２，８ＧＨＩ４等の水素化ホウ素、ＢＦ３　、　
ＢＣｌ２　、　ＢＢｒ３等のハロゲン化ホウ素等が挙げ
られる。また、この他、他の第ｍ族原子導入用として、
ＡｌＣｌ３　、　ＧａＧ１３、Ｇａ（ＣＨ３）：＋、Ｉ
ｒ＋Ｃ：１３　、　Ｔｉｃ：１３等を挙げることができ
る。 第Ｖ放原子導入用の出発物質として１本発明に於いて有
効に使用されるのは、リノ原子導入用としては、ＰＨ３
、Ｐ２Ｈ４等の水素化リン、ＰＨ，Ｉ　。 ＰＦ３　、　ＰＦｓ　、　ＰＣｌ３、ＰＣｌ５、ＰＢｒ
３、ＰＢｒ３、ＰＩ３等のハロゲン化リン等が挙げられ
る。この他、ＡＳＨ３゜ＡｓＦ３、ＡｓＣ：１３　、　
ＡｓＢｒ３　、　ＡｓＦ５、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３゜Ｓｂ
Ｆ５．５ｂＣ１３，５ｂＣ１９、ＢｉＨ３，Ｂ１Ｇ１３
　、Ｂ１Ｂｒ３　等も’ＪｒＶ族原子導人用導入発物質
の有効なものとして挙げることができる。 本発明に於いて、第１の層（Ｉ）に含イ１される伝導性
を支配する物質（Ｃ）の含有層は、該第１の層（Ｉ）に
要求される伝導特性、あ、るいは該層（Ｉ）に直に接し
て設けられる他の層の特性や、故地の層との接触界面に
於は特性等との関係等、有機的関連性の上で適宜選択さ
れる。 本発明に於いて、第１の層（１）中に含有される化４性
を支配する物質の含有層としては、好ましくは０．００
１−５Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好まし
くは０．５−　１Ｘ　１０’　ａｔｏＩｌｌｉｃ　ｐｐ
ｍ、最適には　１〜５Ｘ　１０’　ａｔｏのＩＣｐｐｍ
とされるのが望ましい。 未発１１に於いて、第１の層（Ｉ）中に含有されてもよ
い水素原ｉ’−（Ｈ）の量、ハロゲン原子（Ｘ）の早ま
たは水、も原ｆ・とハロケン原子との品の和（Ｈ＋Ｘ）
は、　ｌｌｆましくはｌ−４０ａｔｏｍｉｃ％、より好
適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。 第１の層（Ｉ）中に含有されてもよい水素原子（Ｈ）及
び／又はハロゲン原子（Ｘ）の敏を制御するには、例え
ば支持体温度、水素原子（Ｈ）やハロゲン原子（Ｘ）を
含有させるために使用される出発物質の堆積装置系内へ
導入する量、あるいは放電電力等を制御してやればよい
。 本発明の第１の層（Ｉ）の層厚は、該第１の層（Ｉ）が
主に支持体と第２の層（ＩＩ　）との密着層として働く
か、または密着層と電荷輸送層として働くかによって所
望によって適宜決定される。 前者の場合には、好ましくは１ｏｏｏＡ〜５０鱗、より
好ましくは２０００八〜３０μ、最適には２０００Ａ〜
１０μとされるのが望ましい。後渚の場合には、好まし
くは１〜１００μｓ、より好ましくは１〜８０胛、最適
には２〜５０μとされるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於いては、第１の層（Ｉ）１０３
」二にシリコン原子とケルマニウム原子とを含む第２の
層（ＩＩ）１０４が形成される。 第１の層（Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）とは、その各々が
シリコン原子という共通の構成原子を有してなる非晶質
材料を主成分とするものなので、その積層界面において
化学的な安定性が十分確保されている。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には第１の層（Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）または
第２の層（ＩＩ　）と第３の層（ｍ）との密着性、ある
いは第１の層（１）と第２の層（ＩＩ　）と第３の層（
ｍ）との密着性の改良を計るｌ」的で、第２の層（１１
）中には、酸素原子が含イ１されていることが望ましい
。 第２の層（ＩＩ　）中に含有される酸素原子は、第２の
層（ＩＩ　）の全領域に刃傷なく含有されていても良い
し、またの−・層領域のみに含有されていても良い。 また、酸素原子の分布状態Ｃ（０）は、第２の層の層厚
方向に於いて均一であっても、不均一であっても良い。 本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）に設けられる酸素
ＪＧ（子の含有されている層領域（０１１）は、光感瓜
と暗抵抗の向」ニを目的とする場合には、第２の層（Ｉ
Ｉ　）全層領域を占めるように設けられ、第１の層（Ｉ
）との、及び／または第３の層（ＩＩＩ）とのに前件の
強化を計る場合には、（７１の層（Ｉ）及び／または第
３の層（ＩＩＩ）側の端部層領域を占めるように設けら
れる。 このように第２の層（ＩＩ　）中に設けられる層領域（
０１１）に含有される酸素原子の含有量は、前述したよ
うな目的を達成できるように層領域（Ｏｌｌ）自体に要
求される特性、第１の層（Ｉ）や第３の層（ｍ）との接
触界面に於いて要求される特性、あるいは第１の層（Ｉ
）や第３の層（ｍ）層の有する特性等との有機的関連性
に於いて、適宜選択することができる。 層領域（Ｏｌｌ）中に含有される酸素原子の量は、形成
される光導電部材に要求される特性に応じて所望に従っ
て適宜法められるが、好ましくは、０．００１−５０　
ａｔｏｍｉｃ駕、より好ましくは、　０．００２−４０
　ａｔｏｍｉｃ＄最適には０．００３−３０　ａｔｏｍ
ｉｃ＄とされるのが好ましい。 本発明の光導電部材に於いては、第１の層（Ｉ）の層厚
が薄い場合にはゲルマニウム原子の含有される第２の層
（ＩＩ　）には、伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有さ
せた層領域（ＰＮ）を第１の層（１）側に局在的に設け
ることにより、該層領域（ＰＮ）を所謂電荷注入阻止層
として機能させることができる。 すなわち、伝導性を支配する物質（Ｃ）が含有される層
領域（ＰＮ）に於ける該物質の含有量を、好ましくは３
０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好ましくは５０ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以」ニ、最適にはＩｏｏａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以」−にすることによって、例えば該含有され
る物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、光受容層
の自由表面か■極性に帯電処理を受けた際に支持体側か
ら光受容層中への電子の注入を効果的に阻ｌ−すること
ができ、また、前記含有される物質（Ｃ）が１１ｊ記の
ｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が（→極性
にイｉシ電処理を受けた際に支持体側から光受容層中へ
の１Ｆ孔の注入を効果的に阻止することができる。 に記のような場合には、第２の層（ＩＩ　）に於いて前
記層領域（ＰＭ）を除いた部分の層領域（２１１）には
、層領域（ＰＭ）に含有される伝導性を支配する物質（
Ｃ）の極性とは別の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有
させてもよいし、あるいは同極性の伝導性を支配する物
質（Ｃ）を層領域（ＰＭ）に含有させる量よりも一段と
少ない量にして含有させてもよい。 このような場合、前記層領域（Ｚｌｌ）に含有される前
記伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領
域（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量
に応じて適宜決定されるものであるが。 好ましくは０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ
、より好ましくは０．０５−５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ、最適には０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐＰＩＩと
されるのが望ましい。 本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）に設けられる層領
域（ＰＮ）および層領域（ＺＩＩ）に同種の伝導性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合には、前記層領域（
２１１，）に含有される前記伝導性を支配する物Ｊ　（
Ｃ）の含有量としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃｐ
ｐｍ以下とするのが望ましい。」ニ記した場合の他に１
本発明に於いては、第２の層（ＩＩ　）中に、−力の極
性を有する伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させた層
領域と、他方の極性を有する伝導性を支配する物質（Ｃ
）を含有させた層領域とを直に接するように設けて、該
接触領域に所謂空乏層を設けることもできる。すなわち
、例えば第２の層（１１）中に前記のｐ型不純物を含有
する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直
に接するように設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏
層を設けることができる。 本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）中に含有されるケ
ルマニウム原ｆ−の含有量としては１本発明の目的が効
果的に達成されるように所望に従って適宜状められるが
、ｔｌ’ｒましくは１〜９’、５ＸＩＯ５ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ、より好ましくは　＋ｏｏ−ｓｘ＋ｏｓａｔｏ
ｍｉｃ　ｐＰｍ、最適には５００〜７ＸＩ０５ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍとされるのか望ましい。 本発明に於いて、必要に紀、して第２の層（［１）中に
含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるが、特にフッ素
、塩素を好適なものとして挙げることができる。 本発明において、ａ−３ｉ（ｉｅ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層（１１）を形成するには、例えばグロー放電
法、スパッタリング法、あるいはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法が適用される。 例えばグロー放電法によッテ、ａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２の層（１■）を形成するには、基本的
にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原
料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ
供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）　”
４人用の原料ガス及び／又は／＼ロゲン原子（Ｘ）導入
用の原料カスを、その内部を減圧にし得る堆積室内に所
定の混合比とガス流量になるようにして導入して、該堆
積室内にグロー放電を生起させこれ等のガスのプラズマ
雰囲気を形成することによって、予め所定位置に設置さ
れている第１の層（Ｉ）がその表面に形成された支持体
上にａ−ＳｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から構成される第２の層（
ＩＩ　）を形成する。 また、スパッタリング法で形成する場合には。 例えばＡｒ、　Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成された
ターゲット、該ターゲットとＧｅで構成されたターゲッ
トとの二枚のターゲット、あるいはＳｌとＧｅとの混合
されたターゲットを使用して、必要に応してＡｒ、　Ｈ
ｅ等の希釈カスで希釈されたＧｅ供給用の原ネ４カスや
必要に応して水素原子（Ｈ）導入用のｂ；（料カス及び
／又はハロケン原子（Ｘ）導入用の原料ガスをスパッタ
リング用の堆積室に導入し、所望のカスプラズマ雰囲気
を形成して前記のターゲットをスパッタリングしてやれ
ばよい。 イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は中結晶シリコンと多結晶ゲルマこラム又は単結
晶ゲルマニウムとをそれぞれ蒸発源として／ｈＪホード
に収容し、この蒸発源を抵抗加熱〃１、あるいはエレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔
蒸発物を所定のカスプラズマ雰囲気中を通過させる以外
はスパッタリングの場合と同様にして実施できる。 本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）を形成するのに使
用される原料ガスとなる出発物質としては。 次のものが有効なものとして挙げられる。 先ず、Ｓｉ供給用の原料ガスとなる出発物質としては、
５ｉ）１４、Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ１
゜等のガス状１Ｌ、のまたはガス化し得る水素化ケイ素
（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、
殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓ１供給効率の良さ等の
点でＳｉＨ４，５ｉ７８６がクイましいものとして挙げ
られる。Ｇｅ供給用の原料ガスとなる出発物質としては
、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、Ｇｅ４Ｈ１０
、Ｇｅ５Ｈ＋２、Ｇｅ（、Ｈ２４、Ｇｅ７Ｈｕ、、ｃｅ
８”１８、Ｇｅ５Ｈ＋２等のガス状態のまたはガス化し
得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率
の良さ等の点でＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢが＆
Ｔましいものとして挙（ヂられる。 本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）を形成するのに使
用されるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料カスとなる有
効な出発物質としては、多くのハロゲン化合物が挙げら
れ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましくは挙げ
られる。また、更には、シリコン原子とハロゲン原子と
を構成要素とするガス状態のまたはガス化し得る／＼ロ
ゲン原子を含む水素化ケイ素も有効に使用されるものと
して挙げられる。 本発明に於いて、第２の層（ｎ　）を形成するのに好適
に使用されるハロゲン化合物としては、其体的には、フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンガス、ＣＩＦ　
、　ＣｌＦ３、ＢｒＦ　、’ＢｒＦ３、ＢｒＦ、。 ＩＦｓ　、　ＩＦ７．　ＩＣ；ｌ　、　ＩＢｒ　’Ｊの
ハロケン間化合物を挙げることができる。 ハロゲン原ｆ（Ｘ）を含むケイ素化合物、所謂ハロケン
原子で置換されたシラン誘導体としては、耳体的には、
ＳｉＦ４．５ｉ２Ｆ　６　、５ｉｌ１４、ｓｉｓ、等の
ハロゲン化ケイ素が好ましいものとして挙げることがで
きる。 このようなハロゲン原子（×）を含むケイ素化合物を使
用して、グロー放電法によって本発明の光導電部材の第
２の層（’ＩＩ）を形成する場合には、Ｇｅ供給用の原
料ガスと共にＳｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
ケイ素ガスを使用しなくとも、第１の層（１）がその表
面に形成された支持体上にａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から
構成される第２の層（ｎ　）を形成す−ることかできる
。 グロー放電法に従って、／＼ロゲン原子（Ｘ）を含む第
２の層（ｎ　）を形成する場合、基本的には、例えばＳ
１供舶用の原料ガスとなるＩ＼ロゲン化ケイ素と、Ｇｅ
供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウムと、Ａｒ、
　Ｈｅ等のガスとを、所定の混合比とガス流量になるよ
うにして４人して、第２の層（ＩＩ　）を形成する堆積
室に導入し、グロー放電を生起させこれ等のカスのプラ
ズマ雰囲気を形成することによって、第１の層（Ｉ）が
その表面に形成された支持体上にｉ２の層（ＩＩ　）を
形成することができる。また、水素原子の導入割合の制
御をより容易にするために、これらのガスに更に水素ガ
スまたは水素原子を含むケイ素化合物のカスも所望量混
合して第２の層（ＩＩ　）を形成してもよい。また、各
カスは、単独種のみでなく、所定の混合比で複数使用し
てもさしつかえない。 スパッタリング法、イオンブレーティング法のいずれの
場合にも、形成される層中に／Ｘロゲン原子（×）を導
入するには、前記のｌ＼ロゲン化物またはハロゲン原子
を含むケイ素化合物の力スを１１１積室中に導入し、該
カスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。 また、水素１１χ子を導入する場合には、水素原ｆ導入
用のカス、例えばＨ２、あるいは前記のシラン類及び／
又は水素化ゲルマニウム等のガスをスパッタリング川の
堆積室に導入し、該カスのプラズマ雰囲気を形成してや
ればよい。 本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）の形成の際のハロ
ケン原ｒ−導人川の原料カスとして、前記の／＼ロケン
化物またはハロゲン原子を含むケイ素化合物か有効なも
のとして使用されるが、その他に、ＨＦ、　ＨＣＩ　、
　ＨＢｒ　、旧等ノ／＼ロケン化水素、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｆ
７．５ｉＨ２１２，５ｉＨ７ＣＩ７．５ｉＨＣ１３、Ｓ
ｉＨ，Ｂｒ２．５ｉＨ７Ｂｒ、　５ｉＨＢｒ３等（７）
ハロゲ゛／置換水素化ケイ素、およびＧｅＨＦ３　、　
ＧｅＨＢｒ３、ＧｅＨ３Ｆ　、　ＧｅＨＣｌ３、ＧｅＨ
７０１２、、ＧｅＨＢｒ３　、ＧｅＨＢｒ３　、ＧｅＨ
Ｂｒ３　、　ＧｅＨＢｒ３ＧｅＨＩ３　、ＧｅＨ２Ｉ２
、ＧｅＨ３＋等の水素化／＼ロゲン化ゲルマニウム、等
の水素原子を構成要素の一つとするハロゲン化物、　Ｇ
ｅＦ４、ＧｅＣ：ｌ＋　、　ＧｅＢｒ＋　、　Ｇｅ１ｎ
、ＧｅＦｎ、ＧｅＣ１２、ＧｅＢｒ２　、　Ｇｅ１２等
のハロゲン化ゲルマニウム、等々のガス状態のあるいは
ガス化し得る。水素原子を構成要素の一つとする／＼ロ
ゲン化物も有効な第２の層口Ｉ）形成用の出発物質とし
て挙げることができるに れらの物質のうち、水素原子を含むｌ＼ロゲン化物は、
第２の層（ＩＩ　）の形成の際に、該層中にハロゲン原
子の導入と同時に電気的あるいは光導電的特性の制御に
極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明に於い
ては好適な／＼ロゲン原子導入用の原料として使用され
る。 水素原子を第２の層（ＩＩ　）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＨ２あるいはＳ　ｉ　Ｈａ、Ｓｉ２Ｈ６
，５ｉ３Ｈｏ、　５ｉａＨ＋ｏ等の水素化ケイ素をＧｅ
を供給するためのゲルマニウムまたはゲルマニウム化合
物と、あるいはＧｅＣ２、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ５ＨＢ　、
Ｇｅ４Ｈ１６、Ｇｅｔ、ＨＫ２．　Ｇｅ６Ｈ，４，Ｇｅ
フＨＨ６、ＧｅＪｌＢ、　Ｇｅｇ）１２６等の水素化ゲ
ルマニウムを８１を供給するためのシリコンまたはシリ
コン化合物とを、堆積室中に共存させて、放電を生起さ
せることによっても実施できる。 本発明の＆Ｔましい例に於いて、形成される光導電部材
の第２の層（ＩＩ　）中に含有されてもよい水素原子（
）ｌ）の量、／＼ロゲン原子（Ｘ）の量または水素原子
とハロゲン原子との量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０
．１）ｌ−４０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５
〜３０ａｔｏｌＩＩｉｃ％、最適には０．１−２１−２
５ａｔｏ％とされるのか望ましい。 第２の層（ＩＩ　）中に含有されてもよい水素原子（Ｈ
）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、
例えば支持体温度、水素原子（Ｈ）や／＼ロゲン原子（
Ｘ）を含有させるために使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する星、あるいは放電電力等を制御してやれ
ばよい。 第２の層（ＩＩ　）中に、伝η性を支配する物質（Ｃ）
１例えば第ｍ族原子または第Ｖ族原子を構造的に導入す
るには、第１の層（１）の形成法を説明した場合と同様
に、層形成の際に前記した第■族原子導入用の出発物質
または第Ｖ族原子導入用の出発物質をカス状態で堆積室
中に、第２の層（ＩＩ　）を形成するための他の出発物
質と共ビ導入してやればよい。 本発明の光導電部材に於ける第２の層（１■）の層厚は
、該第２の層（ＩＩ　）を主としてフォトキャリアの発
生層として用いる場合には、フォトキャリアの励起光源
に対する第２の！（ＩＩ）の吸収係数を考慮して適宜法
められ、好ましくは１０００八〜５０ｕ、より好ましく
は１００ＯＡ〜３０鱗、最適には１００ＣＩＡ〜２０牌
とされるのが望ましい。また、第２の層（１１）を主に
フォトキャリアの発生と輸送のための層として用いる場
合には、フォトキャリアが効率よく輸送されるように所
望によって適宜決定され、好ましくは１〜１ＱＱｕ、よ
り好ましくは１〜８０μｓ、　Ｆｊｉ、適には２〜５０
μとされるのが望ましい。 本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）に酸素原子の含有
された層領域（０■）を設けるには、上述したような第
２の層（ｎ　）の形成の際に、酸素原子導入用の出発物
質を併用して、形成される層中にその量を制御しながら
含有させてやれば良い。 層領域（０１１）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した第２の層（１１）形成用の出発物質
の中から所望に応して選択されたものに更に酸躬原子導
入用の出発物質が加えられる。そのようなｍ素原子導入
用の出発物質としては、少なくともＳ素原子−を構成原
子として有するカス状の物質またはカス化することので
きる物質をカス化したものの中の大概のものな使用する
ことができる。 Ｄ’＋を才（カスの組合せの例としては。 （ａ）シリコノＪｊ；ｊ子（Ｓｌ）を構成原子とする原
料カスと、ゲルマニウム原ｆ＜Ｇｅ）を＃６或原子とす
る原料ガスと、酸素原子（０）を構成原子とする原料カ
スと、感賞に応して水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲ
ン原子ＣＸ）を構成原子とする原料カスとを所望の混合
比で混合して使用する、 （ｂ）シリコン原ｉ’（ｓｉ）と水素原子（）ｌ）とを
構成原ｆ・とする原料ガスと、ハロゲン原子（Ｘ）を構
成原子とする原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）を
構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する、 （Ｃ）シリコン原子（Ｓｉ）とハロゲン原子（Ｘ）とを
構國原子とする原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）
とハロゲン原子（Ｘ）とを構成原子とする原料ガスと、
酸素原子（０）を構成原ｆとする原料ガスと、水素原子
（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用する、 （Ｃ）シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）と水素原子（）］）とを構構成子と
する原料ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）を構成原子
とする原料ガスとを所望の混合比で混合使用する、 （ｄ）シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）を構成原子とする原料カ
スと、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原
子（Ｈ）との３つの原子を構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用する 等の組合せを挙げることができる。 層領域（０１１）を形成するために使用される酸素原子
（０）供給用の原料カスとしてイーｆ効に使用される出
発物質としては、０を構成原子とする、あるいは０と　
Ｈとを構成原子とする、例えば酸素（０２）、オソン（
０３）、−・醇化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）
、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ７０３）
　、四三酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０
５）、二酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｌ）と
ｍ　Ｊ　ｈ；＜　ｒ、　（ｏ　）と水素原子（Ｈ）とを
構成原子とする、例えばジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ５ｉ
Ｈ３）、トリシロキサン　（Ｈ３ＳｉＯ３ｉ）１７０Ｓ
ｉ）＋３）　”ｊの低級シロキサン等を挙げることがで
きる。 スパッタリング法によって、酸素原子を含有する第２の
層（ＩＩ　）を形成する場合には、単結晶または多結晶
のＳｌウェーハーまたは５１０２ウエーハー、またはＳ
ｌと８１０２が混合されて含有されているウェーハーを
ターゲットとして、これらを稀ガス雰囲気中でスパッタ
リングすることによって行なえば良い。 例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用する場
合、酸素ＴＸ−ｆ−とゲルマニウム原子と必要に応じて
水素原子及び／またはハロゲン原子を導入するための原
料ガスを必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパッター
用の堆積室中に導入し、これらカスのカスプラズマを形
成させて前記Ｓｉウェーハーをスパッタリングすれば良
い。 また、Ｓｌと５ｉ０２とは別々のターゲットとして、あ
るいはＳｉと５１０２とが混合された一枚のターゲット
として使用する場合には、スパッター用のカスとしての
ゲルマニウム原（’−（Ｇｅ）を構成原子とする原料ガ
スを含む稀釈カスの雰囲気中で、または少なくともゲル
マニウム原子（Ｇｅ）を構成原子とする原料カスと水素
原子（１１）構成原子として含有するガス及び／または
／＼ロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含イＩするカス
との雰囲気中でスパッタリングすることによって所望の
層領域中に酸素原子を含イＪする層領域（０１１）か設
けられた第２の層（ＩＩ　）を形成することができる。 なお、酸素貯：子Ｊｎ人用めカスとしては、前述したグ
ロー放電法に於いて酩素原子４人用のガスとして挙げた
ものがスパッタリング用のカスとしても利用することが
できる。 本発明に於いて、第１の層（Ｉ）及び第２の層（１１）
を形成する際に、酸素原子の含有された層イ１１域（０
）をこれらの層の少なくとも一方に設ける場合、該層領
域（０）に金石される酸素原子の分布Ｃ度Ｃ（０）を層
厚方向に変化させて、所望の層厚方向での分４ｉ状Ｆ８
　（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を得るためには、グ
ロー成上の場合には１分ｔＩｉ　ｅ度Ｃ（０）を変化さ
せるへき酸４、原ｒ−導入用の出発物質からなるカスを
、その流ｈ；、を所望の変化率曲線に従って適宜変化さ
せながら、用積室内に導入してこれらの層を形成する方
Ｉノ、を適用することができる。 スパッタリングによる場合には、スノくンタリンク用の
ターゲットとして、例えばＳｉと５１０２との混合され
たターゲットを使用する際には、Ｓｌと５ｉ０２との程
合比を、ターゲットの層厚方向に於いて予め変化させて
おくことによって所望の層厚方向での酸素原子の分布状
態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を得ることかできる
。 未発明の光導電部材の第２の層（ＩＩ）１０４Ｊ。 に形成される第３の層（ｍ）１０５は、自由表面をイ１
し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性
、使用環境特性、耐久性において本発明の目的を達成す
るために設けられる。第２の層（１１）と第３の層（Ｉ
ＩＩ）とは、その各々がシリコン原子という共通の構成
原子を４１してなる非晶質材料を主成分とするものなの
で、その積層界面において化学的な安定性がト分確保さ
れている。 本発明に於ける第３の層（ＩＩＩ）は、シリコン原ｒｌ
ｓｉ）と窒素原／−（Ｎ）と、必要に応じて水素原子（
）Ｉ）及び／又はハロケン原子（Ｘ）を含イ了する非晶
質な主成分とする材料（以後、ａ−（ＳｌｙＪ　−Ｘ　
）ｙ　（ＨｌＸ）＋−７と記す、イリし、０　＜　ｘ、
ｙ＜　１）で構成される。 ａ−（ＳｉＸＪ　−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｌ−ｖで構
成される第３の層（ＩＩＩ）の形成は、グロー放電法、
スパッタリンク法、イオン・インプランテーション１大
、イオンブレーティング法、エレクトロンビーム法等に
よって実施される。これらの製造法は、製造条件、設ソ
１■資木投ドの負荷程度、製造規模、作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望する特性を有する光導電部材な製造
するための条件の制御が比較的容易であり、かつシリコ
ン原ｒ−と共に窒素原子やハロケン原子を、作製する第
３の層（ｍ）中に導入するのが容易に行える等の利点か
ら、グロー放′１シ法あるいはスパッタリング法が好適
に採用される。また、グロー放電法とスパッタリング法
とを同一装置系内で併用して第３の層（ｍ）を形成して
もよい。 グロー放心法によって第３の層（ｍ）を形成するには、
　ａ　（ＳｌつＮ＋−ｘ）ｙ（）１．Ｘ）＋−ｙ形成用
の原料ガスを、必要に応じて８４釈ガスと所疋の混合比
で混合し、第２の層（１１）が形成された支持体の設置
しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入されたカス
をグロー放電を生起させることによりガスプラズマ化し
て、前記支持体上の第２の層（ＩＩ　）Ｌにａ−（Ｓｔ
ｙ　Ｎ、　−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）＋−ｙを堆積させれ
ばよい。 本発明に於いて、ａ−（Ｓ＋ｘＮ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，ＸＬ
−ｙ形成用の原料カスとしては、シリコン原子（Ｓｉ）
、窒素原子（Ｎ）、水素原−ｒ−（Ｈ）及びハロゲン原
子（Ｘ）の中の少なくとも一つをその構成原子として含
有するカス状の物質又はガス化し得る物質をガス化した
ものの内の大概のものが使用され得る。 Ｓｌ、Ｎ、Ｉ（、Ｘの中の一つとして５１を構成原子と
する原料カスを使用する場合には、例えば、Ｓｉを構成
原子とする原料ガスと、Ｎを構成原子とするＩＩ１（料
ガスと、必要に応してＨを構成原子とする原料カス及び
／又はＸを構成片ｆ−とする原料カスとを所望の混合比
で混合して使用するか、あるいは、Ｓｉを構成原子とす
る原木１カスと、Ｎ及びＨを構成原子とする原ネ゛ｌカ
ス及び／又はＮ及びＸを構成原子とする原木１カスとを
所望の混合比で混合して使用するか、あるいはまた、Ｓ
ｉを構成原子とする原料カスと、Ｓｌ、Ｎ及びＨの玉つ
を構成原子とする原料カス又はＳｌ、Ｎ及びＸの三つを
構成原子とする原料カスとを所望の混合比で混合して使
用する例か挙げられる。 あるいは側法として、ＳｌとＨとを構成原子とする原料
カスと、Ｎを構成原子とする原料カスとを４４合して使
用してもよいし、あるいはＳｌとＸとを構成片ｒ−とす
る原料カスと、Ｎを構成原子とする原本Ｉカスとを混合
して使用してもよい。 本発明に於いて、第３の層（ＩＩＩ）中に含有されても
よいハロゲン原子（Ｘ）として好適なものは、Ｆ　、　
、Ｃ１，Ｂｒ、ｌであり、殊にＦ　、　ＣＩをか望まし
いものである。 本発明に於いて、第３の層（ＩＩＩ）形成用の原料カス
となる出発物質としては、ＳｌとＨとを構成片ｒとする
Ｓ　ｉ　Ｈ４、Ｓｉ２Ｈ６、５１３１（、、５ｉ４Ｈ１
ｏ　等のカス状のまたはカス化し得る本土化ケイ素（シ
ラン類）が４１効に使用されるものとして挙げられ、殊
に層作成作業の扱いやすさ、Ｓ１供給効率の良さ等の点
からＳ　ｉ　Ｈ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙
げられる。 これらの出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって、形成される第３の層（ｍ）中にＳ
ｉと共にＨも導入し得る。 Ｓｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
を記の水素化ケイ素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む
ケイ素化合物、所謂ハロゲン原子で置換されたシラン誘
導体、具体的には例えばＳｉＦ４．５ｉ７Ｆ　６　、５
ｉＧＩ、＋　、　ＳｉＢｒ４等のハロゲン化ケイ素が好
ましいものとして挙げられることかでき、更ニハ、Ｓｉ
Ｈ２Ｆ２．５ｉＨ２１２，５ｉＨ２１１：１２　、５ｉ
ｔ（Ｃ１０。 ＳｉＨ２Ｂｒ７　、５ｉ）ｌＢｒ３等のハロゲン置換水
素化ケイ素１等々のガス状態のあるいはガス化し得る、
水素原子を構成要素の一つとするハロゲン化物も有効な
第３の層（ｍ）形成用の出発物質として挙げることがで
きる。 これらのハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物を使用
する場合にも、前述したように層形成条件の適切な選択
によって、形成される第３の層（ＩＩＩ）中にＳｉと共
にハロゲン原子（Ｘ）を導入することができる。 本発明に於いて、第３の層（ｍ）を形成するのに使用さ
れるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記のものの他に、例えばフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンガス、ＧＩＦ　、　Ｃ
ｌＦ３、Ｂｒｊ、ＢｒＦ３、ＢｒＦｒ、。 ＩＦ３　、　ＩＦ７　、ｌｃ：ｌ　、　ＴＢｒ等ハロゲ
ン間化合物、ＨＦ、　ＨＣ：Ｉ　、　ＨＢｒ　、旧等の
ハロゲン化水素を挙げることかできる。 本発明に於いて、第３の層（ｍ）を形成するのに使用さ
れる窒素原子（Ｎ）供給用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質としては、Ｎを構成原子とする、あるい
はＮとＨとを構成原子とする、例えば窒素（８２）　、
アンモニア（ＮＨ３）　、ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ２）
、アジ化水素（）ｌＮ３）　、アジ化アンモニウム（８
Ｈ２Ｎ３）　’Ｊのカス状のまたはカス化し得る窒素、
窒化物、アシ化物等の窒素化合物を挙げることができる
。この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えてハロゲン原
子（×）の導入もできるという点から、三フッ化窒素（
Ｆ３Ｎ）四フッ化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素
化合物を挙げることができる。 これ等の第３の層（ｍ）形成物質は、形成される第３の
層（ｍ）中に、所定の組成比でシリコン原子、窒素原子
及び必要に応して／＼ロゲン原子及び／又は水素原子が
含有されるように、第３の層（ｍ）の形成の際に所望に
従って選択されて使用される。　− スパッタリング法によって第３の層（ｍ）を形成するに
は、例えば次のような方法か採用できる。 第１の方法は、例えばＡｒ、ｌ（ｅ等の不活性ガスまた
はこれらのガスをベースとした混合ガス雰囲気中でＳｉ
で構成されたターゲットをスバ・ツタリングする際、窒
素原子（Ｎ）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原
子（）Ｉ）導入用の及び／又は／＼ロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスと共にスパッタリンを行う堆積室内に導
入してやればよい。 また、第２の方法は、スパッタリング用のターゲットと
して、Ｓｉで構成されたターゲ−／　卜か、Ｓｌで構成
されたターケントと５ｉ３Ｎａで構成されたターゲット
との二枚か、あるし）はＳｉと５１３Ｎ４で構成された
ターケントを使用することによって、第３の層（ＩＩＩ
Ｉ）中に窒素原子（Ｎ）を導入することカーできる。こ
の際、１ｉｉｊ記の窒素原子（Ｎ）４人用の原料カスを
併せて使用すれば、その流量を制御することによって第
３の層（ｍ）中に導入される窒素ＨＸ子（Ｎ）の量を任
意に制御することが容易である。 Ｎ　、　ＨおよびＸの導入用の原料カスとなる物質とし
ては、先述したグロー放電の例で示した第３の層（ｍ）
形成用の物質がスノくツタリング法の場合にも有効な物
質として使用され得る。 本発明に於いて、第３の層（ｍ）をグロー放電法又はス
パッタリング法で形成する際に使用される楓釈ガスとし
ては、所謂昂カス、例えＩｆｔ（ｅ、Ｎｅ、　Ａｒ等が
好適なものとして挙げることができる。 本発すｊに於ける第３の層（ｍ）は、その要求される特
性が所望通りに与えられるよう

【こ注意深く形成される
。 即ち、Ｓｉ、’Ｎ、必要に応じてＨ及び／又はＸを構成
原ｒ−とする物質は、その作成条件によって構造的には
結晶からアモルファスまでの形態を取り、心気的性質と
しては、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を
、また光導電的性質から非光導電的性質までの間の性質
を各々示すので、本発明に於いては、目的に応した所望
の特性を有するａ−（Ｓｉｘ　Ｎ、　−ｘ　’）ｖ　（
Ｈ，Ｘ）＋−ｙが形成されるように、所望に従ってその
作成条件の選択が厳密に成される。例えば、第３の層（
ｍ）を電気的耐圧性の向上を主な目的として設ける場合
には、ａ−（Ｓｔ、　Ｎ、　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　
Ｉ−ｙは使用環境において電気絶縁性的挙動の顕著な非
晶質材料として作成される。 また、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として第３の層（ｍ）が設けられる場合には」ニ
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され；照射される
光に対しである程度の感度を右する非晶質材料としてａ
−（ＳＩｘＮ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙが作成される
。 第２の層（ＩＩ　）の表面上にａ−（Ｓｉ、　Ｎ、　−
１１）ｙ　（ＨｌＸ）＋−ｙから成る第３の層（ｍ）を
形成する際、層形成中の支持体温度は、形成される層の
構造及び４、シ性を左右する重要な因子の一つであって
、本発明においては、目的とする特性を有するａ−（Ｓ
ｉＸＮ＋−Ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　＋−アが所望通りに作
成され得るように層作成時の支持体温度が厳密に制御さ
れるのが望ましい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるだめ
の第３の層（ｍ）の形成法に合わせて適宜最適範囲が選
択されて、第３のＩｔ　（ｍ）の形成か実行されるが、
好ましくは、２０〜４００°Ｃ１より好適には５０〜３
５０℃、最適には１００〜３００℃とされるのが望まし
い。第３の層（ＩＩＩ）の形成には、層を構成する原子
の組成比の微妙な制御が他の方法に比へて比較的容易で
あること等のために、グロー放電法やスパッタリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第２の層を
形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の
際の放電パワーが作成されるａ　（Ｓｉｘ　Ｎ＋　−ｘ
　）ｙ　（ＨｌＸ）＋、、ｙの特性を左右する重要な因
子の一つとして挙げることができる。 本発明に於ける目的が効果的に達成されるための特性を
イ〕するａ−（ＳｉｘＮ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙが
生産性よく効果的に作成されるための放電ノくワー条件
としては、好ましくは１０〜３００Ｗ、より好適に１±
２０〜２５０Ｗ　、最適には５０〜２００Ｗとされるの
が望ましい。 ｊｔ＋積室内のカス圧としては、ｏｆましくは０，０１
〜Ｉ　Ｔｏｒｒ、好適には、０．１−０．５Ｔｏｒｒ程
度とされるのが望ましい。 本発明に於いては第３の層（ＩＩＩ）を作成するための
支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクタ
ーは、独立的に別／／に決められるもノテなく、所望特
性のａ−（Ｓｉｘ　Ｎ＋　−ｘ　）ｙ　（Ｈ５ＸＬ−−
から成る第３の層（ｍ）が形成されるように相カー的有
機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決
められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第３の層（ｍ）　ｊこ含有
される窒素原子の量は、第３の層（ＩＩＩ）のｆ［成条
件と同様、本発明の目的を達成されるｙ所望の特性が得
られる第３の層（ｍ）が形成されるための重要な因子の
一つである。未発明にお（する第３の層（ｍ）に含有さ
れる窒素原子の量４、第３の層（ＩＩＩ）を構成する非
晶質材料の特性に応して適宜所望に応して決められるも
のである。 即ち、前記一般式ａ−（ＳｌｘＮ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）
＋−ｙ　テ示される非晶質材料は、大別すると、シリコ
ン原子と窒素原子とで構成される非晶質材料（以後、ｄ
−Ｓｉａ１１＋−ａ　と記す。但し、０＜ａ＜１）、　
シリコン原子 材料（以後、ａ−（ＳｉｂＮ＋−ｂ）ｃ）Ｉｔ−ｅと記
す。但し、０＜ｂ、ｃ＜ｌ）、シリコン原子と窒素原子
と／＼ロケン原子と心霊に応して水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、ａ−（ＳｉｄＮ＋−、Ｉ）ｅ（Ｈ
，Ｘ）＋−ａと記す。但し、Ｏ＜ｄ、ｅ＜１）に分類さ
れる。 本発明に於いて、第３の層（ｍ）かａ−５ｉＢＮ　１−
　ａ’で構成される場合、第３の層（ＩＩＩ）に含有さ
れる窒素原子のｈｔ−は、好ましくは、ｌＸｌ０−３〜
６０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜５０ａｔｏｍｉ
ｃ％、最適には１０〜４５ａｔｏｎ＋ｉｃ％とされるの
が望ましいものである。即ち、先のａ−Ｓｉ６Ｎ　Ｈ−
ｔｌのａの表示で行えば。 ａが々ｆましくは０．４〜０．９９９９９、より好適に
は０．５〜０．９９、最適には０．５５〜０．９である
。 一方、本発明に於いて、第３の層（ｍ）かａ−（Ｓｉ、
　Ｎ、　−ｂ　）ｅ　Ｈ＋−ｃで構成される場合、ｆｔ
ＩＪ３の層（ｍ）に含有される窒素原子の量は、好まし
くはＩＸ　１０’−８０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましく
はＩ−５ｌ−５０ａｔｏ％、最適には１０〜５０ａｔｏ
ｍｉｃ％とされるのか望ましいものである。水素原子の
含有ｈ１としては、好ましくは１〜４０ａｔｏｍｉｃ％
、より好ましくは２〜３５ａｔｏｉｉｃ％、＠適には５
−３５−３０ａｔｏ％とされるのが望ましく、これ等の
範囲に水素含有量がある場合に形成される光導電部材は
、実際面において優れたものとして充分適用させ得るも
のである。 即ち、先のａ−（ＳｉｂＮ＋−ｂ）、：Ｈ＋−ｃの表示
で行えば。 ｂが好ましくは０．４５〜０．９９９９９、より好適に
は０．４５〜０．８９、最適には０．４５〜０．９．　
ｃが好ましくはｏ、ｅ〜０９８８、より好適には０．６
５〜０．９８、最適には０．７〜０．９５であるのが望
ましい。 第３の層（ｍ）が、ａ−（ＳｉＪ＋−１）ｅ（Ｈ，ＸＬ
−ａ　テ構成される場合には、第３の層（■）中に含有
される窒素原子の含有量としては、好ましくは、１　Ｘ
　１０’　−８０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜６
０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０−５５ａｔｏｍｉｃ％
とされるのか望ましいものである。ハロゲン原子の含有
量としては、好ましくは、１〜２０ａｔｏＩＩｌｉｃ％
、より好適には　ｌ−１１−１８ａｊｏ％、最適には２
〜１５ａｔｏｍｉｃ％とされるのか望ましく、これ等の
範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作成される光導
電部材を実際面に充分適用させ得るものである。必要に
応じて含有される水素原子の含有量としては、好ましく
は１１１ａｔｏｍｉｃ％以ト°、より好適には１３ａｔ
ｏｍｉｃ％以下とされるのか望ましいものである。 即ち、先（７）　ａ−（Ｓｉ７　ＮＩ−ａ　）。（Ｈ，
Ｘ）＋−ｅ　（’）　ｄ、　ｅの表示で行えば、ｄが好
ましくは、０．４〜０．９Ｅ１９９９より好適には０．
４〜０．８９、最適には０．４５〜０．９、ｅが好まし
くは０．８〜０．９８、より好適にＬ±０．８２〜０．
９９、最適には０．８５〜０．８８であるのが望ましし
１゜本発明に於ける第３の層（ｍ）の層厚の数イ肯範囲
は、本発明の目的を効果的に達成するための重要な因子
の一つである。本発明の目的を効果的に達成するように
、所期の目的に応じて適宜所望に従って決められる。 また、第３の層（ｍ）の層厚は、該第３の層（ＩＩＩ）
中に含有される窒素原子の量や第１の層（Ｉ’）および
第２の層（ＩＩ　）の層厚との関係においても、各々の
層に要求される特性に応じた有機的な関連性の下に所望
に従って適宜決定される必要がある。更に加え得るに、
生産性や猾生産を加味した経済性の点においても考慮さ
れるの力く望ましい。 本発明に於けるｆＪＳ３の層（ｍ）の層厚としては、好
ましくは０．００３〜３０牌、より好適１二Ｃ±０．０
０４−２０ｕ、最適には０．００５−１１０３ｔとされ
るのが望ましいものである。 本発明において使用される支持体１０１としては、導電
性でも電気絶縁性であっても良１．Ｎ。導ｔＥ性支持体
としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ１、Ｃｒ
、　Ｍｏ、Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ　、Ｔｉ、Ｐｔ
、　Ｐｄ　等の金属又はこれ等の合金か挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネ−１・、セルロースアセテ−１・、ポ
リプロピレン、ポリ塩化ビニル、ボ１ノ１ス蟲化ヒニリ
テン、ポリスチレン、ボｌノアミド等の合成樹脂のフィ
ルム又はソート、カラス、セラミ、７り、紙等が通常使
用される。これ等の゛市気絶縁性支）１体は、ａｆ適に
は少なくともその一１ｊの表面が導゛１シ処理され、該
４゛屯処理された表１６１供１１’ｉこイ但の層か設け
られるのか望ましし）。 すなわち、例えばカラスであれ１ｆ、その表ｏ’ｉｉに
　ＮｉＣ：ｒ、Ａ１．　Ｃｒ、Ｈａ、　Ａｕ、　Ｉｒ、
　Ｎｄ、　Ｔａ、Ｖ　、Ｔ１、　ｐｔ、Ｉｎ２Ｏ３、５
ｎ０７　、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋　５ｎＯ７）　等　
力）も成る薄１１りを設けることによって導電性力）イ
・ｊ与され、或いはポリエステルフィルム等の合成ｍ　
Ｉ＋旨フィルムであれば、ＮｉＣｒ、Ａ１．　Ａｇ、　
Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ。 Ａｕ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ　
、Ｔｉ、　Ｐｔ等の金属のン１１１漠を真空蒸着、電イ
ーヒームＡ着、スパフタリング等でその表面に、没け、
または前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面に導電性が伺与される。 支持体の形状としては、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば第１図の光導電部材１００を電子写真
用像形成部材として使用するのであれば、連続高速複写
の場合には、無端へルト状又は円筒状とするのか望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光導電部材としてτＪ（１（
ｉ性か要求される場合には、支持体としての機能か１分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。しか
しながら、このような場合支持体の製造り及び取扱い」
ニ、更には機械的強度等の点から、通常は、１０坤以」
二とされる。 次に、本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。 第２図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装置
を示す。 図中の１１０２〜１１０６のカスボンベには１本発明の
光導電部材の光導電層を形成するための原料カスか電封
されており、その−例として、例えば１１０２は、Ｈｅ
で希釈された５ｉ）１４カス（純度９８．９８９％、以
下’ＳｉＨ４／Ｈｅカスと略す）ポンｌ＼、１１０３は
Ｈｅ　テａ釈されたＧｅＨａカス（純度９９．８９９％
、以下ＧｅＨ４／’Ｈｅカスと略す）ホンへ、１１０４
はＨｅで肴、釈されたＳｉｌ’４カス（純度９９Ｊ！１
９％、以’ｆ−Ｓ　ｉ　Ｆ４　／　Ｈｅカスと略す）ホ
ンへ、　＋１０５はＨｅで６釈されたＮＨＡカス（純度
９Ｌ９８９％、以下ＮＨ：＋／）Ｈｅカスと略す）ホン
へ、１１０６はＨｅカス（純度９９．９９９％）ホンへ
である。図小されていないかこれら以外に、必要に応じ
て所望のカス種のホンへを増、没することがｔＩｆ能で
ある。 これらのカスを反応室＋１０１に流入させるには。 カスホンへ１１０２〜１１０６の各バルブ１１２２〜１
１２６及びリークバルブ１１３５が閉じられていること
を確認し、また、カ〔、入バルブ１１１２〜＋１１８、
流出バルブ１１１７〜１１２１及び補助バルブ１１３２
．１１３３が開かれていることを確認して、先づメイン
バルブ１１３４を開いて反応室１１０１及び各カス配管
内を排気する。次に真空計１１３６の読みが約５Ｘ　１
０”　Ｌｏｒｒになった１９点で補助バルブ１１３２．
１１３３及び流出バルブ１１１７〜１１２１を閉しる。 先ず、シリング−状基体１１３７Ｊ二に第１の層（Ｉ）
を形成する場合の一例を示すと、カスポンベ１１０２よ
りＳｉＨ４／Ｈｅガス、ガスポンへ１１０６よりＨｅカ
スをバルブ１１２２，１１２８を開いて出口圧ゲージ１
１２７．１１３１の圧を１Ｋｇ／ｃｍ２に調整し、流人
バルブ１ｌ１２．　＋１１６を徐々に開けて、マスフロ
コントローラ１１０７．１１１１内に流入させる。引き
続いて流出バルブ＋１１７．１１２＋及び補助バルブ１
１３２．１１３３を徐々に開いてカスを反応室＋１０１
に流人させる。このときＳｉＨ４／Ｈｅガス流量とＨｅ
カス流量との比か所望のイ直になるように流出／ヘルプ
１１１７、＋１２１を調整し、また、反１５室内の圧力
が所望の値になるように真空計１１３６の読みを見なが
らメインバルブ１１３４の聞１コを調整する。そして基
体シリング−１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８に
より５０〜４００℃の所定の温度に設定されていること
を確認した後、電源１１４０を所望の、ｔカに設定して
反応室１１０１内にクロー放電を生起させて、基体シリ
ンター１１３７４二に第１の層（Ｉ’）を形成する。ま
た、層形成を行っている間は、層形成の均一化を計るた
めに基体シリング−１１３７をモータ１１３９により一
定速度で回転させる。最後に使用した全てのカス操作系
／＼ルブを閉じ、反応室＋１０１を一旦高真空まで排気
する。 次にこのようにして形成された第１の層（Ｉ）の１−に
第２の層（ＩＩ　）を形成する場合の一例を示すと、真
空１：１１１３６の読みが約５Ｘ　１０”　ｔｏｒｒに
なったら−１−記の場合と同様な操作の繰り返しを行う
。 すなわち、カスホンへ１１Ｏ２よりＳｉＨ４／　Ｈｅカ
ス、カスポンへ１１０３よりＧｅＨ４／Ｈｅカス、カス
ポンへ１１０６よりＮｏカスをバルブ＋１２２．１１２
３，１１２６をそれぞれ開いて出１コ圧ケージ１１２７
．１１２８．１１３１の圧を１Ｋｇ７ｃｍ２に調整し、
流入バルブ１１１２．１１１３．１１１６ヲ徐々に開け
て、マスフロコントローラ１１０７．１１０８．１１１
１内にそれぞれ流入させる。引き続いて流出バルブ１１
１７．１１１８、＋１２１及び補助パルブ１１３２、＋
１３３を徐々に開いてそれぞれのカスを反応室＋１０１
に流入させる。このときＳｉＨ４／Ｈｅガス浣ｊｉｊと
ＧｅＨ４／　Ｈｅカス流計とＮＯカス流量との比が所望
のイ１白になるように流出バルブ＋１１７．１１１８．
１１２１を調整し、また、反応室内の圧力か所望の値に
なるように真空１ｌ−１１３ｔｌの読みを見ながらメイ
ンバルブ＋１３４の開口を調整する。そして基体シリン
ター１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８により５０
〜４００℃の所定の温度に設定されていることを確認し
た後、電源１１４Ｏを所望の電力に設定して反応室１１
０１内にグロー放電を生起させて、基体シリング−１１
３７上に第１の層ＣＩ）の形成の場合と同様にして第２
の層（，１１）を形成する。 次にこのようにして形成された第２の層（１１）の」ニ
に第３の層（ＩＩＩ）を形成する場合には、先の場合と
同様に、使用した全てのガス操作系バルブを閉じ、反応
室１１０１を−ｒ４−高真空まで排気し、真空１ｉ１１
１３Ｂの読みが約５Ｘ　１０”　ｔａｒ「になったら、
」上記の場合と同様にして、例えばカスボンベ１１０２
よりＳｉＨ４／Ｈｅカス、刀スポ／べ１１０４よりＳｉ
Ｆ４／Ｈｅカス、ガスポンへ１１０５よりＮ）！３／Ｈ
ｅガスを供給して、グロー放電を生起させ第３の層（Ｉ
ＩＩ）が形成される。第３の層（ｍ）中の窒素原ｆの礒
はＮＨ３／Ｈｅカスの供給流量番調整することによって
制御される。 以下、実施例について説明する。 実施例１ 第２図に示した光導電部材の製造装置を用い、先に詳述
したグロー放電分解法によりＡｌ製のシリンター」二に
第】表に示した製造条件に従い光受容層を形成し、重子
写真用の像形成部材の各試ネ］（試才（遥１ｔ−１６−
１０の合ｉｉ　１６０個の試料）を作成した。 各試料に於ける光受容層中の第１の層（１）と第２の層
（Ｉ＋　）からなる層領域に含有されたホウ素原子の分
布状態を第３Ａ図及び第３Ｂ図に、また酸素原子の分布
状態をＦ　４　［ａにそれぞれ示す。 このようなホウ素原子及び酸素原子の分布は、予め定め
られたガス流量の変化曲線に従って該当するバルブの開
閉状態を自動的に操作することによって、Ｂ２　Ｈ６／
　Ｈｅ及びＮＯのガス流星を調節することによって形成
した。各試料に於けるホウ素原子および酸素原子の分布
状態と、第３Ａ図、第３Ｂ図および第４図との対応を第
２表に−・覧表として示した。 このようにして得られた像形成部材の各試料のそれぞれ
を個別に帯電露光実験装置にセントしての５．０　ＫＶ
で０．３秒間コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射した
。光像は、タングステンランプ光源を用い、０．２１ｕ
ｘ−ｓｅｅの光φを透過型のテストチャートを通して照
射させた。 その後直ぢに、θ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を光導電部材表面をカスケードすることによっ
て像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材表面上のトナー画像をＬＤ５．ＯＫＶのコロナ帯電
で転写紙」二に転写したところ、いずれの像形成部材に
ついても、解像度に優れ、階調「【）現性の良い、鮮明
な高濃度の画像が得られた。 次に、光源をタングステンランプの代わりに、８１０ｎ
ｍのＧａＡｓ系半導体レーザー（ＬＯｍＷ）を用いて、
静電像の形成を行なった以外は上記と同様なトナー画像
形成条件にして、トナー転写画像の画質ｉｆｆ価を行っ
たところ、いずれの像形成部材についても先の場合と同
様、階調丙現性の良い！！１明な高品位の画像か得られ
た。 実施例２ 第２図の製造装置を用い、シリンター状のＡｌ製基体ｊ
−に、第３表に示した製造条件にした以外は実施例１と
同様にして、電ｒ−写真用の像形成部材の各試ｔｌ（試
ネ１２１−１〜２８−９の合計７２個の試料）を「１製
した。 この際の各試料に於ける光受容層中の第１の層（Ｉ）と
第２の層（１１）からなる層領域に含有されたホウ素原
子の分４ｊ状７魚を第５図に、また酸素原ｒ−の分１Ｈ
ｉ状態を第６図にそれぞれ示した。各試本１中のホウ素
ｊ；ｊ子及び酸素原子の分布は、実施例１の場合と同様
、Ｙ・め定められたカス流量の変化曲線に従って該当す
るバルブの開閉状態を自動的に操作することによって、
Ｂ２　Ｈ６／　Ｈｅ及びＮｏのカス流量を調節すること
によって形成した。各試料に於けるホウ素原子および酸
素原子の分布状態と、第５図および第６図との対応を第
４表に一覧表として示した。 このようにして得られた像形成部材の各試料のそれぞれ
を個別に用いて、実施例１と同様にトナー転写画像の画
質評価を行ったところ、いずれの像形成部材についても
、解像力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像
が得られた。 実施例３ 第３の層（ｍ）の作成条件を第５表に示した各条件にし
た以外は、それぞれ実施例１の試料届５−５および１４
−１０並びに実施例２の試料４６．２５−３を作成した
のと同様の条件と手順に従って電子写真用の像形成部材
をそれぞれ（試料Ｊ、５−５−１〜５−５−８　、　１
４１０−１−１４−１０−８　、２５−３−１〜２５〜
３−８の合計２４個の試料）を作製した。 このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な条件で画質評価と、繰り返し連続使
用による耐久性の評価を行った。 これらの各試料の評価結果を第６表に示した。 実施例４ 第３の層（ｎ：　）の作製をスパッタリング法により実
施し、その形成時にシリコンウェハーと窒化シリコンウ
ェハーのターケント面積比を種々変更して、第３の層（
■）中のシリコン原子と窒素原ｆ−の含有量比を変化さ
せた以外は実施例１の試料超８−９　と同様にしてシリ
ング−状のＡ１製基体上に光受容層を形成して電Ｖ’Ｊ
真用の像形成部材（試才１ｙ６．８−９−１〜８−９−
７の計７個）を作製した。 このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの（−程
を約５万回繰り返した後１画質評価を行ったところ、第
７表の評価結果を得た。 実施例５ 第３の層（ＩＩＩ）の形成時に、Ｓ　ｉ　）１４カスと
ＮＨ３カスの流星比を変えて、第３の層（ｍ）中のシリ
コン原子と窒素原子の含有量比を変化させた以外は実施
例１の試料届８−９　と全く同様にしてシリング−状の
Ａｉ製基体とに光受容層を形成して電子写Ｊ′ｒ用の像
形成部材（試料４．８−８−１１〜８−９−１８＋７）
計８個）をそれぞれ作製した。 このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例Ｉと同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第８
表の評価結果を得た。 実施例６ 第３の層（ＩＩＩ）　（７）形成時ニ、　Ｓ＋Ｈ４ｊＪ
’　ストＳｉＦ４　カスとＮＨ３ガスの流脣比を変えて
、第３の層（ｍ）中のシリコンウェハーと窒素原子の含
有量比を変化させた以外は実施例１の試料流８−８と全
く同様にしてシリング−状のＡＩ製基体」ニに光受容層
を形成して電−Ｆ　１７真用の像形成部材（試料、１８
−９−２１〜Ｂ−８−２８の３１８個）をそれぞれ作製
した。 このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５力回緑り返した後、画質評価を行ったところ、第９
表の評価結果を得た。 実施例７ 第３の層（ｍ）の層厚をを変化させた以外は実施例１の
試料流８−９と全く同様にしてシリング−状のＡＩ＃Ａ
基体上に光受容層を形成して電子写真用の像形成部材（
試料ＮＧ、８−９−３１〜８−９−３４の計４個）をそ
れぞれ作製した。 このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５刀回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第１
０表の評価結果を得た。 以」二の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以
丁に示す。 支持体温度。 第１および第３の層形成時　約２５０″Ｃ第２の層形成
時　約２００°Ｃ 放電周波数：　１３．５６　ＭＨｚ 反応１１ν反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ第１０表

【図面の簡単な説明】

Ｅｉ’Ｓ　ｌ　ＩΔは、本発明の光導電部材の構成を説
明するために層構造を模式的に示した図で−ある。第２
図は、グロー放電分解法による光導電部材の製造装置を
示した図である。第３Ａ図、第３Ｂ図および第５図は、
本発明の実施例に於いて作成された光導電部材の光受容
層に於けるホウ素原子の分布状態を示した図であり、第
４図および第６図は、本発明の実施例に於いて作成され
た光導電部材の光受容層に於ける＃素原子の分布状態を
示した図である。 １００：光導電部材　１０１：支持体 １０２：光受容層　＋０３　：　７ｔＳ１の層１０４二
第２の層　１Ｏ５：第３の層 ＋１０１　：反応室 １１０２〜１１０６：ガスボンベ １１０７〜１１１１：マスフロコントローラ１１１２〜
ｌ１ｌｅ：流入バルブ １１１７〜１１２１＋流出バルブ １１２２〜１１２６＋バルブ １１２７〜＋１３１　：圧力調整器 １１３２　：補助バルブ　１１３３：メインバルブ！１
３４　：ゲートバルブ　＋＋３５　：リークバルブ１１
３６：真空計　１１３７　：基体シリング−１１３８：
加熱ヒーター　＋１３９　：モータ＋１４０　：高周波
型ｆｉ（マツチングボックス）（３０１）　’（３０２
）　（３０３）　（３０１４）（ａ［ｏｍｉｃｐｐｍン 第 （３０５）　（３０６）　（３０７）　（３０８）５図 （４０１）　（！４ｊ２）　（４０３）　Ｕｏ４）　（
匂０５）（ａｔｏｍｊｃ　Ｚ） 第　６ （匂０６）　（４０７）　（１４０８）　（１４０９）
ＩＣ１ｎ４γ　”　Ｃｍ、＋ｘ　ＵＣｍ；＋ｘ　ＵＣｌ
Ｃ：ｎ：＋ゝ図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、この支持体りに設けら
   れ、光導電性を有する光受容層とを有する光導電部材に
   於いて、＋ｉｉｊ記光受容層が、前記支持体側から、シ
   リコン原子を含む非晶質材料で構成された第１の層（Ｉ
   ）と、シリコン原子とケルマニウム原子どを含む非晶質
   材木−］で構成された第２の層（ＩＩ　）と、シリコン
   原子と窒素原子とを含む非晶質材料で構成された第３の
   層（ＩＩＩ）とから構成され、かつｊｉｉｊ記第１記音
   １１）および第２の層（ＩＩ　）の少なくとも一方に、
   酸素原子か含有されていることを特徴とする光導電部材
   。
2. （２）第１の層（Ｉ）および第２の層（１１）の少なく
   とも一力に、水素原子及び／又はハロゲン原子が含イ、
   Ｉされている特許請求の範囲第１項記載の光導電部材。
3. （３）第１の層（Ｉ）および第２の層（１１）の少なく
   とも一方に、伝導性を支配する物質が含有されている特
   許請求の範囲第１項または第２項記載の光導電部材。
4. （４）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原ｆ−である詩話請求の範囲第３項記載の光導電ＲＲ材
   。
5. （５）伝４刊を支配する物質か周期律表第Ｖ族に屈する
   原子である特、ｉ１請求の範囲第３項記載の光導電部材
   。