JPS60135569A - 蒸着装置 - Google Patents

蒸着装置

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Publication number
JPS60135569A
JPS60135569A JP24673483A JP24673483A JPS60135569A JP S60135569 A JPS60135569 A JP S60135569A JP 24673483 A JP24673483 A JP 24673483A JP 24673483 A JP24673483 A JP 24673483A JP S60135569 A JPS60135569 A JP S60135569A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
evaporated
substance
sample
vapor deposition
net
Prior art date
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Pending
Application number
JP24673483A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Nakajima
実 中島
Yasuyuki Goto
康之 後藤
Iwao Tsugawa
津川 岩雄
Nagaaki Etsuno
越野 長明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP24673483A priority Critical patent/JPS60135569A/ja
Publication of JPS60135569A publication Critical patent/JPS60135569A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は欠陥の発生が少ない膜を基板−Lに形成するた
めの蒸着装置に関し、特に光ディスクのプリグループの
スタンパ原盤やビデオディスクのスタンバの作成におい
て電極膜として用いられるニッケルの蒸着に有効な蒸着
装置iLζこ関する。
従来技術 蒸着法により薄)模を形成する揚台、破蒸発材料が突沸
などの異常蒸発現象によ0、大きな粒のまま基板に付着
し、突起(塊)状欠陥が生じることがある。これを防ぐ
ため従来の蒸着装置には、ボックス型などの特別な形状
のボートを蒸発源とじて用いたものがあるが、この方法
では熱効率が低く、高融点物質からなる蒸発材料の場仕
には蒸着速度を大きくすることが困難であるという欠点
がある。
特開昭53−58488号公報に示された蒸着装置にお
いては、蒸着源に耐熱性ルツボな用い、その開口部に多
数の孔を穿設した有孔蓋を設置し、異常蒸発により欠陥
が生じることを防止している。しかし、この装置では有
孔蓋の材質はW 、 Ta 、 Mo等の耐熱性金属材
料を使用する関係上(孔径50〜150μmの孔を穿設
し、かつ同温に耐える必要があるため)、前述のN1を
被蒸発材料とするときは、Niが前記耐熱性金属材料と
反応し、これらと合金をつくる結果孔があいたりするた
め当該装置は使用できない。また特開昭54−5881
号公報には荷電粒子線を照射し、被蒸発物質を加熱し、
蒸発させる装置において、シャッタと被蒸発物質の入っ
たルツボの間にフレーク落下防止用の網を設けることが
示されている。これはシャッタ表面に蒸着する蒸着層が
熱サイクルを受けることによって剥離し、その一部が溶
融部に落下し、これが瞬時に加熱される結果、異常蒸発
し、#着層に欠陥が生じることを防止するものである。
ところが、これは上記特殊な場仕の異常蒸発にのみ対応
するもので、通常的に生ずる異常蒸発による欠陥対策に
はならない。シャッタとルツボの間に網を置く結果、ル
ツボで被蒸着物質が溶は始める初期に特に突沸が生じ易
く大きな粒が飛び、この聞納は大きな粒の飛来にさらさ
れ、細かな網はすっかり目づまりしてしまう。このため
上記公報にも示されているごとく比較的大きなフレーク
が落下するのを受ける程度の目の荒い網を設置している
。それは、比較的大きなフレークが有害度が大きいとい
う認識のもとに細かなフレークは無視するとともに、荒
い網で上記目づまりを防止しようとしているのである。
したがって、本発明で問題としているような通常的に生
ずるような異常蒸発にもとづく細かな粒の飛来は無視さ
れ−〔いる。ちなみに、上記公報では網をシャッタと連
動して実際の蒸涜時には除いてしまうことも示されてお
り、全く本発明で解決すべき問題は無視されている。ま
た、ルツボの近くに置かれた網はかなり加熱され、 N
i等を被蒸着物質とするときは耐熱性の網の素材と付着
するNi等が反応するためこの構成は使用できない。
発明の目的 本発明は、上記従来の問題を解決し、蒸発源の形状を問
わず、したがって熱効率の低下なしに粒(塊)状欠陥の
少ない蒸着膜を得ることのできる蒸着装置を提供するこ
とを目的とする。そして、特に微細な欠陥をも防止でき
る蒸着装置を得ること、及び異常蒸発による粒の飛来を
防止する網の目づまりを防止することもその目的とする
発明の構成及び作用 本発明は基本的には、蒸発源と試料である基板との間に
異常蒸発による粒の飛来な防止する網を設けるものであ
るが、その詳細を各実施例で説明する。
(第1の実施例) 第1図に示す装置において、被蒸発物質4を入れる耐熱
性ルツボ(アルミナ製)3、被蒸発物質4を加熱せしめ
る加熱手段5.5’(抵抗加熱が示されているがこれに
限らない)、上記被蒸発物質の蒸発方向に面して試料1
を支持するための試料支持手段及び、L泥波蒸発物質が
試料1に飛来するのを一時的に阻止するシャッタ2が設
けられており、ペルジャー乙の中は排気糸8により排気
される。そして基板1とアルミナのルツボ6との間にス
テンレス製の167 (2[)Oメツシュ)&距iが次
の関係となるように置いた。
(/′ツボ〜網の距* )/ (ルツボ−基板の距離)
1A 0だゾし、網はルツボ6、シャッタ2.網7の順
となるように配置するものとする。そして、ルツボ6中
にニッケル粉末4を入れ、ルツボ6を端子5−5′に通
電して加熱(抵抗加熱)し、ニッケル粉末を溶融する。
この間シャッタ2は閉じておく。
ニッケル粉末が溶融する初期にはガスを内含したまま溶
融するため大きな粒が飛び易いが、この間シャッタ2に
よって阻止されるため網7は保護され目づまりは生じな
い。そして十分安定して、大きな粒が飛ばないようにな
ってからシャッタ2を開き#、着を開始する。この時点
では異常蒸発が生じても比較的小さな粒であり、200
メツシユの網7で阻止され、基板1・\飛来することが
防止される。そして、このような小さな粒が比較的少な
い頻度で網7に捕えられる程度なので、網が目づまりし
て蒸着に影響するような事態は通常の蒸着中には生じな
い。基板1上に厚さ6oo Xのニッケル蒸着膜を形成
した。蒸着膜中の凹凸欠陥の数を計測したところ、網を
用いない場合の数十〜数C分の−に減少した。第5図は
、網がない場合、メツシュ100.メツシュ200.メ
ツジュロ00の網ヲツかった場合について欠陥密度な創
゛測したものである。この計測はレーザ光を1μmに絞
ってサンプルに照射すると、欠陥がないときはそのまま
レーザ光が反射してくるが、欠陥があると反射してくる
光は減少することを利用してなされたもので、微細な欠
陥もカウントされている。
なお、上記実施例以外に電子ビーム法など他の蒸着法に
も本発明は適用できるものである。網の目の粗さは数百
メツシュ(100〜400)が適当であり、蒸発源から
網7までの距離は、蒸発源から基板までの距離の数十分
の−から数分の−が適当である。
以上本発明を基本的な実施例にもとづいて説明したが、
以下種々の改良を施した実施例を示す。
(第2の実施例) 第2図のごとく、網7を網7aと網7bの2枚とし、7
a、7bともメツシュの形が長方形とし、かつ7a、7
bのメツシュの長方形が互いに直交するごとく設置する
。そして、7a、7bを一組とし、これを複数組設置し
ても良い。7a、7bの間隔は、近接しており、それぞ
れの長方形メツシュで、それぞれの長方形に直交する方
向に長い粒(塊)を防ぐことができ、各網7a、7bの
目づまりが少ないにも拘わらず十分な阻止能力を持ち、
網7a、7bの寿命は第1の実施例の倍以上となった。
これをより詳しく説明すると、それぞれのメツシュは1
501500メツシユ(1インチ当りのメツシュ数)で
あり、それぞれ、第2図のごとく直交す・6ようにしで
ある。
本蒸着手段によI)クローム(Cr)金属を蒸着したと
ころ網7を全く設けなかった時には基板につく塊の密度
は1000〜5000個/−であったが、この実施例で
ははゾ皆無となった。また3D[l、メツシュ1枚のと
きに比べて目づまりになって使用できなくなるまでの蒸
着回数は、前者が6〜4回であったのが、後者は8〜9
回と倍以上になった。
(第6の実施例) 第6図に示すごとく複数のメツシュ層7c、7d、7a
等を設け、各メツシュ層はルツボ6から次々に目が粗い
方から細かい方に変化しているように配置する。この手
段により、目づまりが従来に比べて数倍少なくなった。
より具体的に数値を例示して説明すると、第6図におい
て7Cが100メツシユ、 7dが200メツシユ、 
7eが600メツシユとした。この装置によりクローム
(Cr)金属を蒸着したところ、網をまったく設けなか
った時には基板1に付着した塊の密度は1000〜50
00個/−であったが、この実施例でははゾ無くなった
。また、600メツシユの網1枚のときに比べて目づま
りになって使用できなくなるまでの蒸着回数は3〜4回
から18〜20回と数倍に伸びた。
(第4の実施例) 第4図において、蒸発源6上に網7を設置し、この網7
には端子9,9′より通電加熱が行なえるようにしてお
いた。メツシュのサイズは300であり、モリブデン製
のものである。本蒸着装置によりクローム金属を蒸着し
たところ、WA7’に全く設けなかった時には、基板に
つく塊の密度は1000〜5000個/dであったが、
本実施例でははゾ皆無であった。また、基板を取りだし
た後真空下でメツシュに通電して網に付着したクローム
を除去することにより目づまりは全くなくなった。
以上、各実施例で本発明を説明したが、第2の実施例〜
第4の実施例の目づまり防止の構成(第2図〜第4図)
はその網の配置がシャッタ20前後を問わず有効である
。また耐熱ルツボ3の素材としてはAkOsの他BeO
又はBNも使用でき、網7なルツボから離して低温に保
てばMo 、 W 、 Ta製の網も使える。
発明の効果 本発明によれば、基板に形成される蒸着層に突起状欠陥
(塊の付着)が生じるのを防止することができるととも
に、蒸発源の熱効率の低下もなしに蒸着が行える蒸着装
置を提供することができる。
また、被蒸発材料の異常蒸発による粒の飛来を防止する
網の目づまりをも有効に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の蒸着装置の第1の実施例の構成図、第
2図は本発明の蒸着装置の第2の実施例の構成図、第6
図は本発明の蒸着装置の第3の実施例の構成図、第4図
は本発明の蒸着装置の第4の実施例の構成図、第5図は
メツシュNO,と欠陥密度の関係を示す図 1・・・試料(基板)、2・・・シャッタ、6・・・(
耐熱性)ルツボ(蒸発源)、4・・・液蒸発物質にッケ
ル粉末)、5・・・加熱手段(端子)、6・・・ペルジ
ャー、7・・・網、8・・・排気系、9・・・端子特許
出願人 富士通株式会社 代 理 人 弁理士玉蟲久五部(外1名)第1図 第3図 第4図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 被蒸発物質を入れる耐熱性ルツボ、該被蒸発物
    質を加熱し蒸発せしめるための加熱手段、該被蒸発物質
    の蒸発方向に面して試料を支持するための試料支持手段
    、及び蒸発せしめられた前記被蒸発物質が前記試料に飛
    来するのを一時的に阻止するシャッタから成る蒸着装置
    において、蒸着膜の塊状人陥の原因となる前記被蒸発物
    質の粒を捕える網が設けられ、該網は前記シャッタと前
    記試料との間のシャッタ近くに設けられていることを特
    徴とする蒸着装置。
  2. (2) 被蒸発物質を入れる耐熱性ルツボ、該被蒸発物
    質な加熱し蒸発せしめるための加熱手段、該被蒸発物質
    の蒸発方向に面して試料を支持するための試料支持手段
    、及び蒸発せしめられた前記被蒸発物質が前記試料に飛
    来するのを一時的に阻止するシャッタから成る蒸着装置
    において、蒸着膜の塊状rK陥の原因となる前記被蒸発
    物質の粒を捕える網が設けられ、該網はメツシュの形が
    長方形の第1及び第2の網の少なくとも一組で構成され
    、該第1及び第2の網の長方形のメツシュは互いに直交
    するごとく設置されていることな特徴とする蒸着装置。
  3. (3) 被蒸発物質を入れる耐熱性ルツボ、該被蒸発物
    質を加熱し蒸発せしめるための加熱手段、該被蒸発物質
    の蒸発方向に面して試料を支持するための試料支持手段
    、及び蒸発せしめられた前記被蒸発物質が前記試料に飛
    来するのを一時的に阻止するジャツメから成る蒸着装置
    において、蒸着膜の塊状欠陥の原因となる前記被蒸発物
    質の粒を捕える網が設けられ、該網は前記耐熱性ルツボ
    に近い側から前記試料に向けて、次第にメツシュが粗い
    方から細かい方に変化しているように複数の網が配電さ
    れて構成されていることを特徴とする蒸着装置。
  4. (4)被蒸発物質を入れる耐熱性ルツボ、該被蒸発物質
    を加熱し蒸発せしめるための加熱手段、該被蒸発物質の
    蒸発方向に面して試料を支持するための試料支持手段、
    及び蒸発せしめられた前記被蒸発物質が前記試料に飛来
    するのを一時的に阻止するシソツタから成る蒸着装置に
    おいて、蒸着膜の塊状欠陥の原因となる前記被蒸発物質
    の粒を捕える網が設けられ、該網は加熱手段を具備して
    いることを特徴とするにζ着装(d0
JP24673483A 1983-12-24 1983-12-24 蒸着装置 Pending JPS60135569A (ja)

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JPS60135569A true JPS60135569A (ja) 1985-07-18

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07166345A (ja) * 1993-12-15 1995-06-27 Nec Corp スパッタ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07166345A (ja) * 1993-12-15 1995-06-27 Nec Corp スパッタ装置

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