JPS60132363A - Ccd linear sensor - Google Patents

Ccd linear sensor

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Publication number
JPS60132363A
JPS60132363A JP58240432A JP24043283A JPS60132363A JP S60132363 A JPS60132363 A JP S60132363A JP 58240432 A JP58240432 A JP 58240432A JP 24043283 A JP24043283 A JP 24043283A JP S60132363 A JPS60132363 A JP S60132363A
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JP
Japan
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output
gate
reset
output circuit
charge
Prior art date
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Pending
Application number
JP58240432A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiko Tokito
時任 良彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS60132363A publication Critical patent/JPS60132363A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14825Linear CCD imagers

Abstract

PURPOSE:To reduce the number of output circuits, the power consumption and the area of a chip in a CCD linear sensor by producing a compensation signal from the output circuits not used as the normal output of separating and combining output circuits. CONSTITUTION:When a CCD linear sensor is used in a separation output system, photoelectric conversion signal components S from odd and even number picture element groups are contained in addition to DC offset components and reset noise components in the output signals of output circuits 40, 50 for CH1, CH2. On the other hand, only the DC offset components and the reset noise components are contained in the output signals of a composite output circuit 30. Accordingly, it is constructed that the both components become equal to one another, thereby using the output signal of the circuit 30 as a compensating signal.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はCOD(電荷結−i8素子)を用いたCOD撮
像装甑に係り、判に血筋、状に配列された画素列の両側
に沿って形成された2個のCODレジスタからそれぞれ
の転送電荷葡合既方式ま゛たは分離方式により取り出す
ようにしたCCDリニアセンサに関する。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a COD imaging device using a COD (charge coupling-i8 device). The present invention relates to a CCD linear sensor in which transferred charges are taken out from two formed COD registers by combining or separating charges.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

最近、CCDリニアセンサtよ読み収り密反全高めるた
めに多画素化が進められており、5000−画素程度ま
で厠発が進んでいる。多画素化に伴って1画累尚りの睨
み出しレートも高速化が要求はれ、たとえば2500画
素の読み出しと同一主疋介周期にょり5000画素のれ
み出しを行なうためにはその胱み出しレートを2倍にし
なければならない。そこで、高速!7しみ出しt右胸に
達成する手段として、直輸状に配列された画素列の両側
に沿ってそれぞれCODレジスタ?形成しておき、上記
画素列のうちの奇数番目の画素継の信号および偶数番目
のiJ!l!I紮群の信号を上記両側のCCI)レジス
タに別々に耽み出し、この2個のCODレジスタの信号
全互いに分離して取り出す分離出力方式の栃造のものと
か、さらに必要に応じて低速でP,btみ出し得るよう
に上記2個のCODレジスタの信号を合成してjt/り
出す合成出力方式に切り換え可能な分離/合欣切換方式
の補遺か提案されている。
Recently, the number of pixels has been increased to increase the reading density of CCD linear sensors, and the number of pixels is increasing to about 5,000 pixels. With the increase in the number of pixels, there is a need to increase the rate of single-pixel scanning.For example, in order to read out 2,500 pixels and read out 5,000 pixels in the same main interpolation period, it is necessary to read out 5,000 pixels. You have to double your payout rate. So, fast! 7. As a means of achieving t right breast, COD registers are placed along both sides of the pixel rows arranged in a transverse manner, respectively. The signals of the odd-numbered pixels and the even-numbered iJ! of the pixel rows are formed in advance. l! Tochizo's has a separate output method in which the signals of the I ligation group are sent to the above-mentioned CCI registers on both sides separately, and all the signals of these two COD registers are taken out separately from each other. An addendum to the separation/synthesis switching method has been proposed that can switch to a composite output method in which the signals of the two COD registers are combined to output jt/p and bt.

この分離/合成切換方式のC C D IJニアセンサ
の基本構成を第1図に示しており、1はフォトダイオー
ド(画素)が直線状に配列された画素列、2lは上記画
素列1の片側で奇数番目の各画素に隣接して設けられた
第1チヤンネルCM。
The basic configuration of this separation/synthesis switching type CCD IJ near sensor is shown in Figure 1, where 1 is a pixel column in which photodiodes (pixels) are arranged linearly, and 2l is a pixel column on one side of the pixel column 1. A first channel CM provided adjacent to each odd-numbered pixel.

用の電荷蓄槍部、22は上記画素列1のもう一方の片側
で偶′@番目の各画素に隣接して設けられた弟2チャン
ネルCH,用の電荷畜積部、31および32は上配各竜
荷著債部2□ 、22の電荷を同時に甑み出すためのC
H,用シフトゲートおよびCH,用シフトゲート、4□
および4,は上記各シフトゲ−}J,、、?2から′電
荷が並列に転送され、これを直列に転送するCH1用C
CDレジスタおよびCI{、用CCDレジスタである。
22 is a charge storage section for the younger 2-channel CH provided adjacent to each even'th pixel on the other side of the pixel row 1; 31 and 32 are charge storage sections on the upper side; C for discharging 22 charges at the same time.
Shift gate for H, and shift gate for CH, 4□
and 4 are the above shift games }J, , ? From 2' charges are transferred in parallel, and the C for CH1 transfers them in series.
CD register and CCD register for CI{,.

この2個のCODレジスタ4I 、4□は同一方向に電
荷を転送するものであり、それぞれの電荷転送方向先端
部には分離出力用ゲート51e52 が隣接して形成さ
れると共に合成入力用ゲート61 、6□がW4接して
形成されている。そして、上記分離出力用ゲート51 
、5。
These two COD registers 4I, 4□ transfer charges in the same direction, and separate output gates 51e52 are formed adjacent to each other at the tips in the charge transfer direction, as well as synthesis input gates 61, 4□. 6□ is formed in contact with W4. Then, the separation output gate 51
, 5.

に隣接して転送されてきた電荷量を電圧信号に変換する
へめのCH1用出力出力回路7□びCH。
An output output circuit 7□ for CH1 and CH converts the amount of charge transferred into a voltage signal adjacent to the output circuit 7□ and CH.

用出力回路72が形成されており、前記合成入力用ゲー
ト6□ 、62に共通に隣接して゛電荷合成部8が形成
され、この電荷合成部8に隣接して合成出力用ゲート9
か形成され、この合成出力用ゲート9にhiして電荷/
電圧変換用の合成出力回路10か形成されている。
A charge synthesis section 8 is formed adjacent to the synthesis input gates 6□ and 62, and a synthesis output gate 9 is formed adjacent to the charge synthesis section 8.
is formed, and the charge /
A composite output circuit 10 for voltage conversion is formed.

上記分離/合瓜印換方式のCCD!7CCDリニアセン
サは、ti!iI累列1の奇列1目の画素群で光電変換
された電荷を対応するCH,用電荷蓄積部2.で蓄積し
、CHl用シフトゲ−} sXt[くことによって上記
蓄積電荷r、(CH1用CCDレジスタ41にに1Lみ
出す。同時に、CH2用シフトゲート32を開くことに
よってCH,用電#蓄積部22に蓄債されている偶数番
目のj[IIl累群の光電変換により得られた電荷をC
H,用CCDレジスタ42に読み出す。そして、分離出
力方式により読み出す場合には、分離出力用ゲート5、
CCD using the above separation/melon printing method! 7CCD linear sensor is ti! The charges photoelectrically converted in the first pixel group in the odd column of iI series 1 are stored in the charge storage unit 2 for the corresponding CH. By opening the CH1 shift gate sXt, 1L of the accumulated charge r, (1L is transferred to the CH1 CCD register 41. At the same time, by opening the CH2 shift gate 32, the CH1 charge storage unit 22 The charge obtained by photoelectric conversion of the even-numbered j[IIl group stored in
H, read to the CCD register 42. When reading by the separate output method, a separate output gate 5,
.

5、會開き、合成入力用ゲート61 t62を閉じた状
態でCCDレジスタ48,4□を高速で駆動する。これ
に対して、合成出力方式により読み出す場合には、合成
入力用ゲート6!、6゜を開き、分離出力用ゲート5□
 、52を閉じた状態でCCDシフトレジスタ’!t’
tk低速で駆動する。
5. Open the meeting and drive the CCD registers 48, 4□ at high speed with the synthesis input gate 61 t62 closed. On the other hand, when reading by the composite output method, the composite input gate 6! , open 6°, separate output gate 5□
, CCD shift register'! with 52 closed. t'
tk Drive at low speed.

ところで、一般にCCDリニアセンサの出力信号はたと
えば第2図に示すような波形のアナログ信号であり、こ
れは加配出力回路に印加される一定周期のリセットパル
スに同期したリセットノイズ成分NRおよび光WLLa
換信号危分Sのほかに直流オフセラ)JIE分DCを含
んでいる。
Incidentally, the output signal of a CCD linear sensor is generally an analog signal with a waveform as shown in FIG.
In addition to the conversion signal Danger S, it also includes a DC offset signal (JIE).

そこで、CCDリニアセンサの出力(a”y k処理す
る際には、この出力信号のS/N〒向上させるために詑
2図に示した出力信号から上流オフセット成分DC,リ
セットノイズ成分Np、に除去することが得策である。
Therefore, when processing the output of the CCD linear sensor (a"yk), in order to improve the S/N of this output signal, the upstream offset component DC and reset noise component Np are added to the output signal shown in Figure 2. It is a good idea to remove it.

即ち、たとえは、直流オフセット成分DC−5V、リセ
ットノイズ成分N R= 0.57.光電変換信号成分
S −0,5Vの出力信号についてその信号取分5y5
yに増幅してA/D変換する場合、単純に利得か10倍
の増幅器を用いると、その出力振幅は直流オフセット成
分50V+リセツトノイズ欣1分5V+信号取分5V−
60Vとなり、当然のことながら増幅器の電源とし、て
出力振幅より筒い電圧が要求される。
That is, for example, DC offset component DC-5V, reset noise component N R = 0.57. Regarding the output signal of photoelectric conversion signal component S -0.5V, the signal fraction 5y5
If you simply use an amplifier with a gain of 10 times, the output amplitude will be DC offset component 50V + reset noise 1 minute 5V + signal fraction 5V -
The voltage is 60V, and as a power source for the amplifier, a voltage higher than the output amplitude is required as a matter of course.

このように、信号成分5■の出力信号を得るのに60V
以上の電源が必要となって効率が悪くなる。このような
事態を招かないように、増幅器の入力信号から@記直流
オフセット成分DCおよびリセットノイズ成分NRk除
去しておくことが望ましい。そのためには、上記直流 
・オフセット取分DC,リセットノイズ成分NRと同等
の取分からなる神仏用の出カイd号(補償信号)を収り
出すためのl1ij偵信号出力回路をCCDリニアセン
サと同一チック上に設けておき、jifJ記直流オフセ
ット取分DC,リセットノイズ成分NR信号取分Sから
なる通常の出力信ちと上記補償信号と全差動増幅器によ
り差動増幅する構成が多く採用されている。即ち、第1
図のCCDリニアセンサにおいて、11.12および1
3はそれぞれ対応して前記分離出力用出力回路71.7
.および合成出力回路1Oの出力信号を補償するために
設けられた補償信号出力回路である。
In this way, 60V is required to obtain an output signal of signal component 5■.
A larger power supply is required, resulting in poor efficiency. To avoid such a situation, it is desirable to remove the direct current offset component DC and the reset noise component NRk from the input signal of the amplifier. For that purpose, the above DC
・A l1ij rectifier signal output circuit is provided on the same tick as the CCD linear sensor to output the output signal d (compensation signal) for the gods and Buddha, which consists of the offset portion DC and the reset noise component NR and the same amount. , jifJ, a normal output signal consisting of a direct current offset portion DC, a reset noise component NR signal portion S, and the above compensation signal are differentially amplified by a fully differential amplifier. That is, the first
In the CCD linear sensor shown in the figure, 11.12 and 1
3 correspond to the output circuits 71 and 7 for separate output.
.. and a compensation signal output circuit provided for compensating the output signal of the composite output circuit 1O.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

然るに、第1図のCCDリニアセンサにおいては、通常
の出力信号用の3個の出力画路7!。
However, in the CCD linear sensor of FIG. 1, there are three output paths 7! for normal output signals. .

7!、、10と3個の補償信号出力回路11,12゜1
3との計6個もの出力回路を同一チップ上に形成しなけ
ればならないので、消費電力の増加、テップ面積の増加
、さらには出力端子数の増加など不都合な事態を生じる
。しかも、このように多数の出力回路を設けているにも
拘らず、合成出力方式と分離出力方式とを・同時に選択
することCユなく、いずilか一方の出力方式奮逗択し
てシステム設計を行なうものであり、上jシロ (&i
lの出力回路のうち使用しない回路が存社するという無
駄を生じる。
7! ,,10 and three compensation signal output circuits 11, 12゜1
3, a total of six output circuits must be formed on the same chip, resulting in disadvantages such as an increase in power consumption, an increase in the tip area, and an increase in the number of output terminals. Moreover, even though such a large number of output circuits are provided, it is not possible to simultaneously select a combined output method and a separate output method, and it is not possible to select one output method or the other at the same time. It is designed by
There is a waste of unused circuits existing among the output circuits of 1.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、出力回路
数か少なく、消*電力、チップ面梼。
The present invention was made in view of the above circumstances, and has a small number of output circuits, low power consumption, and a large chip surface.

出力端子数の低減化が可能であり、しかも使用しないで
無駄となる出力回路が減少し、拍数の簡易化か可能なC
CD!jCCDリニアセンサるものである。
It is possible to reduce the number of output terminals, reduce the number of unused and wasted output circuits, and simplify the number of beats.
CD! jCCD linear sensor.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

即ち、本発明のCCDリニアセンサは、第1チヤンネル
および第2チヤンネルにそれぞれ対応して分離用出力回
路を設けると共に′屯荷合底部に対比:して@成出力回
路を設けておき、これらの各出力回路のうち適冷′の出
力信号を取り出すために使用されていない出力(i12
回路(分離出力方式を採用1′る場合には合成出力回路
に相当し、合成出力方式を採用する場合には2イは1の
分離用出力回路のうちの少なくとも出力“に相当する。
That is, in the CCD linear sensor of the present invention, separation output circuits are provided corresponding to the first channel and the second channel, and a comparison output circuit is also provided at the bottom of the stack. Of each output circuit, the output (i12
The circuit (1' corresponds to a composite output circuit when a separation output method is adopted, and 2A corresponds to at least the output of the 1 separation output circuit when a composite output method is adopted.

)からiFi流オフセット足7分を含む神仏用信号を取
り出すようにしたことk th mとするものである。
), a signal for Shintoism and Buddhism including an iFi-style offset of 7 minutes is extracted from k th m.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、図面ケ参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第3図に示すCCDリニアセンサは、第1図を参照して
前述したCCDリニアセンサに比べて、3個の補償信号
出力回路(第1図11゜12.1s)f省略しており、
通常の出力用として使用していない出力回路(本例では
分離出力方式での使用を想定しているので、合成出力用
の合成出力回路3Oに相当する。)′に補償信号出力回
路として使用している点か異なり、その他は同じである
ので同じ符号を付してその説明を1略する。
Compared to the CCD linear sensor described above with reference to FIG. 1, the CCD linear sensor shown in FIG. 3 omits three compensation signal output circuits (11° 12.1 s in FIG. 1),
An output circuit that is not used for normal output (this example assumes use in a separate output method, so it corresponds to the composite output circuit 3O for composite output)' is used as a compensation signal output circuit. They are different in that they are different, but the rest are the same, so the same reference numerals are given and the explanation will be omitted.

なお、合成出力回路3Oは、合成出力用ゲート9に隣接
して形成された′電荷検出部(たとえば浮遊拡散領域か
らなる。)31と、′心向検出部3ノの近傍に形成され
たリセットドレイン領域32と、上記電荷検出部3ノと
リセットドレイン頭載32との間に形成されたリセット
ゲート33と、前すじ′心向検出部3ノの電位を検出す
る電圧出力部(たとえばMOS FETlIDソースフ
ォロワ回路)34とからなる。また、CH。
The composite output circuit 3O includes a charge detection section (for example, a floating diffusion region) 31 formed adjacent to the composite output gate 9, and a reset circuit formed near the center direction detection section 3. The drain region 32, the reset gate 33 formed between the charge detection section 3 and the reset drain head mount 32, and the voltage output section (for example, a MOS FET ID source follower circuit) 34. Also, CH.

用出力回路40は、CH,分離出力用ゲート5□に隣設
して形成筋れた電荷蓄積部4ノと、この電荷蓄積部4ノ
の近傍に形成された電荷検出部42と、上記穎:荷蓄積
部41と電荷検出部42との間に形成されたパリアゲー
ト43と、上言己電荷検出部42の近傍に形成されたリ
セットドレイン領域44と、上記′電荷検出部42とリ
セットドレイン領域44との間に形成されたリセットゲ
ート45と、前すじ電荷検出部42の電位を検出する電
圧出力部46とからなる。同様に、CH,用出力回Ik
650は、CHt分離出力用ゲート52に1iJii接
して形成された砲荷畜横部5ノと、電荷検出部52と、
パリアゲート53と、リセットドレインfi11′1域
54と、リセットゲート55と、電圧出力部56とから
なる。
The output circuit 40 includes a charge storage section 4 formed adjacent to the CH and separation output gate 5□, a charge detection section 42 formed near the charge storage section 4, and the above-mentioned charge storage section 4. : a pariah gate 43 formed between the charge accumulation section 41 and the charge detection section 42; a reset drain region 44 formed near the self-charge detection section 42; It consists of a reset gate 45 formed between the region 44 and a voltage output section 46 that detects the potential of the front charge detection section 42. Similarly, output circuit Ik for CH,
Reference numeral 650 includes a gun cargo horizontal portion 5 formed in contact with the CHt separation output gate 52, and a charge detection portion 52;
It consists of a pariah gate 53, a reset drain fi11'1 region 54, a reset gate 55, and a voltage output section 56.

第4図は上記オん成のCCU’)ニアセンサへの印加電
圧の一部を示しており、CODレジスタ41+’2 を
たとえば2相駆動方式により起動するための駆軸パルス
φ1 、φ2と、各リセットゲート33,45.55に
印加されるリセットパルスR8と、CH,分離出力用ゲ
ート5□に印加されるゲート切操信号G1と、CH2分
離出力用ゲート5.に印加されるゲート切換信号G2と
、合成入力用ゲート6+y6tに印加されるゲート切#
信号G。と葡示している。なお、本実施例では分離出力
方式での使用を示しているので、分離出力用ゲート5I
 p52 を交互に開くためにゲート切換信号G1FG
2は交互にハイレベル(たとえは12■)になり、合成
入力用ゲート6116*に閉じておくためにゲート切換
信+5GOは帛にロウレベル(Ov)になっている。ま
た、分離用の出力回路40.50におけるパリアゲート
43.53はそれぞれのゲート電極に一定の直流電位が
与えられゲート電極下の電葡転送路に所定の電位障壁を
与えてI、)る。また、各出力回路30 、40 、5
0.リセットドレイン領域32,44.54はそれぞれ
一定のりセラ)M位が与えられている。
FIG. 4 shows a part of the voltage applied to the above-mentioned on-state CCU') near sensor, and shows the driving shaft pulses φ1 and φ2 for starting the COD register 41+'2 by, for example, a two-phase drive system, and The reset pulse R8 applied to the reset gates 33, 45.55, the gate operation signal G1 applied to the gate 5□ for CH and separation output, and the gate 5. Gate switching signal G2 applied to
Signal G. says the grape. Note that since this embodiment shows use in a separate output method, the separate output gate 5I
Gate switching signal G1FG to alternately open p52
2 are alternately set to high level (for example, 12), and gate switching signal +5GO is constantly set to low level (Ov) in order to keep the synthesis input gate 6116* closed. Furthermore, the pariah gates 43, 53 in the output circuits 40, 50 for isolation have their respective gate electrodes supplied with a constant DC potential, and provide a predetermined potential barrier to the voltage transfer path under the gate electrodes. In addition, each output circuit 30, 40, 5
0. The reset drain regions 32, 44, and 54 are each given a constant flux (M).

次に、上記CCDリニアセンサの動作を説明する。リセ
ットパルスR8がハイレベルになる毎に各出力回路にお
いてリセットゲート33゜45.55が開くので電荷検
出部31,42゜52はリセットドレイン領域32,4
4.54と同じ電位にリセットされる。なお、このリセ
ット電位が出力信号中の直流オフセラ)Jff分DCに
対応し、リセットパルスR8の振幅誘導分が寄生容量を
介して電荷検出部に洩れ込んだ成分による電位変化が出
力信号中のリセットノイズ成分NRに対応するようにな
る。そして、リセットパルスR8がロウレベルになって
リセットゲート33,45.55が閉じる毎にゲート切
換信号G□またはG、により分離出力用ゲ−卜51また
は52かおくので、CCDレジスタ4.または42から
の電荷が電荷蓄槓部i1または5ノおよびパリアゲート
43または53を経て電荷検出部42または52に注入
され、この注入電荷量に応じて電荷検出部42 、52
の電位が変化する。したがって、CHI用出力出力回路
40力信号には前記直流オフセット成分DCおよびリセ
ットノイズ成分NRのほかに奇数番目の画素群からの光
電変換信号成分Sが含まれ、CH,用出力回路5Oの出
力信号には前記直流オフセット成分DCおよびリセット
ノイズ取分NRのほかに偶数番目の画素群からの光電変
換信号成分Sが含まれる。これに対して、ゲート切換信
号G。により合成入力用ゲート6、。
Next, the operation of the CCD linear sensor will be explained. Each time the reset pulse R8 becomes high level, the reset gate 33°45.55 opens in each output circuit, so the charge detection parts 31, 42°52 are connected to the reset drain regions 32, 4.
It is reset to the same potential as 4.54. Note that this reset potential corresponds to the DC offset (DC offset) in the output signal, and the potential change due to the amplitude induced component of the reset pulse R8 leaking into the charge detection section via the parasitic capacitance causes the reset potential in the output signal. This corresponds to the noise component NR. Then, each time the reset pulse R8 becomes low level and the reset gates 33, 45, 55 are closed, the gate switching signal G□ or G sets the separation output gate 51 or 52, so that the CCD register 4. Or, the charge from 42 is injected into the charge detection section 42 or 52 via the charge storage section i1 or 5 and the pariah gate 43 or 53, and the charge detection section 42, 52 is injected according to the amount of the injected charge.
The potential of changes. Therefore, the output signal of the output circuit 40 for CHI includes the photoelectric conversion signal component S from the odd-numbered pixel group in addition to the DC offset component DC and reset noise component NR, and the output signal of the output circuit 5O for CH includes photoelectric conversion signal components S from even-numbered pixel groups in addition to the DC offset component DC and reset noise fraction NR. On the other hand, the gate switching signal G. gate 6 for synthetic input.

6、は閉じているので、合成出力回路30の出力(N号
には前bピ直流オフセッ)H分DCおよびリセットノイ
ズ取分NRのみか含まれる。
Since No. 6 is closed, only the output of the composite output circuit 30 (No. N includes the DC offset of the previous b pin), the H portion DC, and the reset noise portion NR are included.

したかつて、合成出力回路3Oの出力信号に含まれる直
流オフセット成分DCおよびリセットノイズ成分NRが
、分離用の出力回路40゜5Qの出力信号に含まれる直
流オフセット成分DCおよびリセットノイズ取分NRに
それぞれ等しくなるように輪数してzくことにより、上
記合成出力回路30の出力信号奮神償用信号として使用
できる。川」ち、合成出力回路30を補償信号出力回路
として使用するととかできる。
Once, the DC offset component DC and the reset noise component NR included in the output signal of the composite output circuit 3O were respectively added to the DC offset component DC and the reset noise component NR included in the output signal of the separation output circuit 40゜5Q. By multiplying the number of wheels so that they are equal, the output signal of the composite output circuit 30 can be used as a signal for compensating the spirit. Alternatively, the composite output circuit 30 can be used as a compensation signal output circuit.

なお、上記CCDリニアセンサを合成出力方式で使用す
る場合には、第4因にボした印加−圧の一部を変更して
分離出力用ゲート5.および52を閉じ、合成入力用ゲ
−F6.r6t’l’開くようにすればよく、このため
にはゲート切換信号Gl 、G、を常にロウレベルとし
、ゲート切換信号G。?!−常にハイレベルとすればよ
い。
In addition, when using the above CCD linear sensor in a composite output method, a part of the applied pressure caused by the fourth factor is changed to separate output gate 5. and 52 are closed, and the synthesis input game F6. It is only necessary to open r6t'l', and for this purpose, the gate switching signals Gl, G are always kept at low level, and the gate switching signal G. ? ! - Always keep it at a high level.

この場合には、分離用の出力回路40.50をそれぞれ
補償信号出力回路として使用できるが、そのうちのいず
れか一部のみを使用すればよい。
In this case, the separation output circuits 40 and 50 can each be used as compensation signal output circuits, but it is sufficient to use only some of them.

また、上記実施例はいずれも補償信号として直流オフセ
ット成分およびリセットノイズ成分を得ているが、リセ
ットノイズ取分が小さい配合には血流オフセット成分の
みを得るだけでもある程度の補償効果か得られるもので
あり、このためにi−1:補償信号出力用となる出力回
路のリセットゲートの電極にリセットパルスのハイレベ
ルと同じ直流電位を与えればよい。
In addition, in all of the above embodiments, a DC offset component and a reset noise component are obtained as compensation signals, but for formulations where the reset noise fraction is small, it is possible to obtain a certain degree of compensation effect by obtaining only the blood flow offset component. For this purpose, it is sufficient to apply the same DC potential as the high level of the reset pulse to the reset gate electrode of the output circuit for i-1: compensation signal output.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述したように本発明のCCDリニアセンサによれば、
出力回路数(3ihr )か少なくて捕取か簡単である
ので、消費電力、チップ面積、出力端子数の低減化が可
能である。しかも、分離出力方式の場合には3個の出力
回路の全てを使用し、合成出力方式の場合には少なくと
も2個の出力回路を使用するので、出力回路3個、のう
ち使用しないで無駄となる回路は零あるいは1個で済み
、従来の3個に比べて無駄か少なくなる。
As described above, according to the CCD linear sensor of the present invention,
Since the number of output circuits (3 Ihr) is small and the capture is simple, it is possible to reduce power consumption, chip area, and number of output terminals. Moreover, in the case of the separate output method, all three output circuits are used, and in the case of the combined output method, at least two output circuits are used, so some of the three output circuits are not used and are wasted. Only one or zero circuits are required, which is wasteful or less than the conventional three circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

縞1図は従来のCOD!jニアセンサを示す栴成説明図
、第2図は第1図のセンサの出力信号の一例を示す波形
図、第3図は本発明に係るccovニアセンサの一実施
例を示す栴成説明図、第4図は第3図のセンサを分離出
力方式で使用する場合の印加電圧の一部を示す波形図で
ある。 1・・・画素列y41t’□・・・CCDレジスタ、5
1 .5m・・1分離出力用ゲート、6I 、62・・
・合成入力用ゲート、8・・・箪荷合が5部、9・・・
合成出力用ゲート、3O・・・合成出力回路、40.5
0・・・分離出力回路、31,42.52・・・電荷検
出部、32,44,54・・・リセットドレイン領域、
34.46.56・・パ市圧出力部。
Stripe 1 is the conventional COD! 2 is a waveform diagram showing an example of the output signal of the sensor shown in FIG. FIG. 4 is a waveform diagram showing a part of the applied voltage when the sensor shown in FIG. 3 is used in a separate output method. 1... Pixel column y41t'□... CCD register, 5
1. 5m...1 separate output gate, 6I, 62...
・Synthesis input gate, 8...5 pieces of storage, 9...
Synthesis output gate, 3O...Synthesis output circuit, 40.5
0... Separation output circuit, 31, 42. 52... Charge detection section, 32, 44, 54... Reset drain region,
34.46.56...Pa city pressure output section.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) 直線状に配列された画素列の両側に沿って設け
られ、それぞれ上記画素列の所定の画素群の信号電荷を
並列に読み出して厘列に転送する2個のCCDレジスタ
と、これらのCCDレジスタの電荷転送方向先端部にそ
れぞれ対応して一1!接して設けられた第1チヤンネル
用の分離出力用ゲートおよび第2チヤンネル用の分離出
力用ゲートと、これらの各チャンネル用の分離出力用ゲ
ートにそれぞれ対応して隣接して設けられ電荷電圧変換
を行なう第1チャンネル用出力回路および第2チャンネ
ル用出力回路と、前記2個のCCDレジスタの電荷転送
方向先端部にそれぞれ隣接して設けられた合成入力用ゲ
ートと、この合成入力用ゲートに隣接して設けられた電
荷合成部と、この電荷合成部に隣接して設けられた合成
出力用ゲートと、この合成出力用ゲートに隣接して設け
られ電荷電圧変換を行なう合成出力回路とを具備し1、
前記各出力1f!回路のうち通常の出力信号を収り出す
ために使用されていない出力回路から直流オフセット飲
方を含む補償用f6号全取り出すようにしてなることを
特徴とするCCDリニアセンサ。
(1) Two CCD registers, which are provided along both sides of a linearly arranged pixel column, each read out signal charges of a predetermined pixel group in the pixel column in parallel and transfer them to the pixel column; 11! corresponding to the leading edge of the CCD register in the charge transfer direction. A separation output gate for the first channel and a separation output gate for the second channel are provided adjacent to each other, and a charge voltage conversion gate is provided adjacent to the separation output gate for each channel. an output circuit for the first channel and an output circuit for the second channel, a synthesis input gate provided adjacent to the tip end portions of the two CCD registers in the charge transfer direction, and a synthesis input gate adjacent to the synthesis input gate. A charge combining section provided in the charge combining section, a combining output gate provided adjacent to the charge combining section, and a combining output circuit provided adjacent to the combining output gate for performing charge-voltage conversion. ,
Each of the above outputs 1f! A CCD linear sensor characterized in that the entire compensation f6 including a direct current offset signal is taken out from an output circuit which is not used for generating a normal output signal among the circuits.
(2) 前記各出力回路は、入力電荷が注入される電荷
検出部と、この′電荷検出部にIiiImL、て設けら
れたリセットゲートと、このリセットゲートに隣接して
設けられたリセットドレイン領域と、上記電荷検出部の
電位に応じた出力電圧を発生する電圧出力部とからなる
ことを特徴とする特許 CCDリニアセンサ。
(2) Each of the output circuits includes a charge detection section into which input charges are injected, a reset gate provided at this charge detection section, and a reset drain region provided adjacent to the reset gate. , and a voltage output section that generates an output voltage according to the potential of the charge detection section.
(3) 前記リセットドレイン領域には一定のリセット
′屯位が印加され、前記各チャンネル用出力回路のリセ
ットゲートの電極にはmJ記電荷検出部への電荷注入の
前にリセットパルスが印加され、前記合成出力回路のリ
セットゲートの電極には一足電位または上記リセットパ
ルスが印加され、前記2個の分離出力用ゲートは一定周
期で交互に開くように制御され、前記合成出力用ゲート
は常に閉じるように制御されてなることを特徴とする特
許 のIllg囲第2項記載のCCDリニアセンサ。 6) s記合成出力回路および少なくとも一方のチャン
ネル用の出力回路のリセットドレイン領域には一定のリ
セット電位が印加され、前記合成出力回路のリセットゲ
ートの電極には前記電荷検出部への電荷注入の前にリセ
ットパルスが印加され、的記一方のチャンネル用の出力
回路のリセットゲートの電極には一定電位または上記リ
セットパルスが印加され、前記2個の合成入力用ゲート
および合成出力用ゲートは宮に開くように制御され、前
記2個の分離出力用ゲートは常に閉じるように副面され
てなることを特徴とする前記%許詣求の範囲第2項d口
載のCCDリニアセンサ。
(3) A constant reset level is applied to the reset drain region, and a reset pulse is applied to the reset gate electrode of the output circuit for each channel before charge is injected into the mJ charge detection section; A single voltage potential or the above-mentioned reset pulse is applied to the reset gate electrode of the composite output circuit, the two separation output gates are controlled to open alternately at a constant cycle, and the composite output gate is always closed. A CCD linear sensor as set forth in Section Illg of the patent, characterized in that the CCD linear sensor is controlled by: 6) A constant reset potential is applied to the reset drain region of the composite output circuit and the output circuit for at least one channel, and a reset potential of the reset gate of the composite output circuit is applied to the reset drain region of the composite output circuit and the output circuit for at least one channel. A reset pulse is applied before, a constant potential or the above-mentioned reset pulse is applied to the reset gate electrode of the output circuit for one channel, and the two synthesis input gates and the synthesis output gate are connected to the output circuit. The CCD linear sensor according to the above-mentioned % tolerance request range item 2 d, characterized in that the two separation output gates are controlled to be opened and the two separation output gates are always closed.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0522436A2 (en) * 1991-07-09 1993-01-13 Sony Corporation CCD linear sensor
US6593968B1 (en) * 1998-01-06 2003-07-15 Fuji Xerox Co., Ltd. Linear image sensor, image reading device, and charge transfer method

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