JPS60117593A

JPS60117593A - Display unit

Info

Publication number: JPS60117593A
Application number: JP58223107A
Authority: JP
Inventors: 泰史大川; 沖　賢一; 三浦　照信
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1983-11-29
Filing date: 1983-11-29
Publication date: 1985-06-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】発明の技術分野本発明は表示装置に係り、特にＭ　４１ｖ、　−ｈ　Ｖ
こ配置１ｔ／　シた電極上に発光層及び絶縁層を含ｂ　
ｌｄ　Ｉ、素子ｅ〔−関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to display devices, and in particular to M 41v, -h V
This arrangement 1t/ includes a light emitting layer and an insulating layer on the bottom electrode.
ld I, element e[-.

技術の背景表示装置、特に表示媒体が薄膜によって構成される薄膜
エレクトロルミネッーセン）　、（−、、Ｅ　Ｌ−）素
子が文字やグラフインク表示用として高解像度化可能、
全固体、見やすい等の利点から開発が進められてい／）
。Background of the technology Display devices, especially thin film electroluminescent (-, E L-) elements in which the display medium is composed of a thin film, can achieve high resolution for displaying characters and graph ink.
Development is progressing due to its advantages such as being all solid and easy to see/)
.

従来１ジ術と間１＋ｌｒ１点従来、声Ｉ膜＋１；　Ｌ素子ＶＣおいて基板側の表示電
極Ｖ）エノ’　ｉｈｌ　Ｖ（、’　：Ｉ：・いてその段
差のために該表示電極の１一部（＋（、ｌｌｔ成、きれ
た絶縁膜１発光層及び上部電極−２・３表・ドが、１１
１ζイ「（１“・）成ｒる各薄膜に亀裂が生じ破壊がバ
弓すマ′−４が−・／こ。Conventionally, between 1 point and 1 point between 1 point and 1 point, voice I membrane + 1; In L element VC, the display electrode on the substrate side V) part (+(,
Cracks occur in each of the thin films formed by 1ζa'(1'・), leading to destruction.

ｔｅｌ’−１ｌ！ソｌ　（’、ｌ’、　７＋ｌｔ米の表
示装置全説明するための概略１ｉ１１１面図Ｌ：、ｌ’
、ｌす、　４；ｔに衣７」＜１に極段差刊近で（ＯＦ、
Ｌ素子イｃ／Ｉり”４゜第１図（〆（おい−Ｃ１１はセ
ラミンク。tel'-1l! Sol (', l', 7+lt US display device schematic 1i111 side view L:, l'
, lsu, 4; t to clothes 7''
L element Ic/Iri"4゜Figure 1 (〆(Oi-C11 is Ceramink.

８　ｉ　０２．、ｌ；の、！＋（１！−（’、あり、２
はアルミニウム号からなる人小市（ｉ９ｉ、３及び５は
酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ３）：５・から々る絶縁１１
゛ツ、４はＺ　ｎＳ　ｉ　Ｍ　ｏ谷からなる発光ＩＣ１
，・ぞ−１て（］＆、Ｉ酵化インジウム（１０２０３）
寺からなる上部電極−（ある。表示′電極２のエツジ部
の段差でｔ、１各１（・ｊの蒸メｆ時のステップカバレ
ージが恋いｋめｆＨ，を構成する３〜６の各層に亀裂７
が生じゃすくイかに基によ−る断線が発生した。−また
このような表示電極エツジＨ’ｌＸの殴１’ｒ・會１（
，１月１し、各層の蒸ヅ＾ｉ・時のステップカバレーン
を向上させる方法として表示電極エツジに１−バを持た
１！：るζ、とが閏えられるが該テーバＩＡの１ＩＩｌ
ｌ　＋ｒ＋ｎが困９１１１であり、微Ａ１Ｂパターンで
は断線が生じるという問題があった。8 i 02. ,l;'s,! +(1!-(', Yes, 2
is made of aluminum (i9i, 3 and 5 are yttrium oxide (Y2O3): 5, Karagaru insulation 11
゛, 4 is a light emitting IC 1 consisting of ZnS i Mo valley
,・zo-1te(]&,I fermented indium (10203)
The upper electrode consists of a layer (there is a step at the edge of the electrode 2). crack 7
However, a wire breakage occurred due to raw jack crabs. - Also, such a display electrode edge H'l
, January 1, and as a way to improve the step coverage of each layer, a 1-bar is placed at the edge of the display electrode. : ζ, is included, but 1IIl of the Theba IA
l+r+n is 9111, and there is a problem that wire breakage occurs in the fine A1B pattern.

発明の目的上記欠点を鑑み本発明の目的げ光示ｉ１Ｘの破壊な。Purpose of invention In view of the above drawbacks, it is an object of the present invention to destroy the optical display i1X.

防止した表示装ｖｋ提供することである。The purpose of the present invention is to provide a display device vk that prevents the above.

−また本発明の他の目的に表７３＜媒体の’１！？　Ｐ
１１ｉ＋ｌ十を図った表示装置ｉｄを提供することであ
石。- Also, for other purposes of the present invention, Table 73<'1 of the medium! ? P
11i+l0 by providing a display device ID.

発明の構成本発明の目的は基板上〇で配設した′屯１１１只トに発
）７：層及び絶縁ｒ￥Ｊを含んでなるエレクトロルミネ
ッセント型表示装置において、ｌ〕ｆｌ　Ｍｉ２電極材
料が陽極酸化可能な＋Ａ料でめ９，５に電極材料を選択
陽極酸化することにより電（り以外の該電極拐料＋：＜
Ｓ分を絶縁物化して衆示都の平坦化を図ったこと台：特
徴とするエレクトロルミネッセント型表示１４１ｉｄ（
Ｉｔこ↓−）て達成される。DESCRIPTION OF THE INVENTION The object of the present invention is to provide an electroluminescent display device comprising a layer and an insulating layer disposed on a substrate. By selectively anodizing the electrode material in 9, 5 with +A material that can be anodized, the electrode material other than the electrode material +: <
The S component was made into an insulator to flatten the display area.
It is achieved by this ↓-).

１シト・１・発明（１）実１ｔＤ＋　１膜１１金図而に
基ついて１説明する。1. 1. Invention (1) An explanation will be given based on the actual 1tD+ 1 film 11 gold design.

！、１′１２１ツｌ　１１本冗明の−Ｗ施例を示す概略
断面図である。! , 1'121 is a schematic cross-sectional view showing a -W embodiment with 11 points.

１４０月・／Ｉｔ〆ｒ＝　、＋：　ｎばノ、（、イに１
−にに表示電極アルミニウム層に及び’ｒＶ　ハＩ’ｌ
アルミナ（Ａｆｌｓ＋Ｏｓ）　膜１１ノ２ｍ層が多孔′
はアルミツー１ｔ＋７１３に平坦性よく配設されている
。′・）照相歇・１．５及び６は第１図の同一め照？ｒ
＋弓２：回−のものを７バしている・１膜ｍ丁第２図に
小し／こ人す、＋ｊ　ｆ＆ｌｌ　ｋ形成する方法を第３
Ａｌｃいし弔：ｉ＋ｌ゛ス１イ［用いて説明する。140 month/It〆r= , +: nbano, (, 1
- to the display electrode aluminum layer and 'rV hi'l
Alumina (Afls+Os) Membrane 11, 2m layer is porous
is arranged on Aluminum Two 1t+713 with good flatness. '・) Is 1.5 and 6 the same reference in Figure 1? r
+ Bow 2: 7 times - one is 1 membrane m d 2 small / this person, + j f & ll k formation method 3
Alc Ishi Mourning: i + l゛゛ 1 I [Explain using.

Ｔ、（’、　：ｌへ図（（、’　／１＜−ツエっｖｃ、
例えばセラミックからなるノ１ζ極１」二ＶＣ，１５’
ｌえば一アルミニウムのような陽４＋　ｆ＊わ１」１止
な′山；（傘伺和ゆλらなるアルミニウム１曽８を蒸着
存により形成し１次に該アルミニウム層８の表面ｆｆ：
陽極酸化して、多孔質Ａｌ２Ｏ２膜９を形成し、電極と
し−て残す部分以外をフォトレジスト１０で岐＋３する
。−１＝’ａｉＸ：陽極酸化においてンユウ峻がイｆ：
化成ｔ１りとｌ、Ｃ用いる。T, (', :l to figure((,'/1<-Tsvc,
For example, 1ζ pole 1''2 VC, 15' made of ceramic
For example, an aluminum layer 8 having the shape of 4 + f*wa 1'' such as aluminum is formed by vapor deposition, and then the surface ff of the aluminum layer 8 is formed by vapor deposition.
A porous Al2O2 film 9 is formed by anodic oxidation, and the portions other than those to be left as electrodes are covered with photoresist 10. -1='aiX: If the sharpness in anodic oxidation is:
Chemical t1 and l, C are used.

次Ｖこ・、１！；う１（図に７１＜丈、ｌ：９に蕗出し
た多孔′ａＡ　ｐ、２０３１１’＋Ｑ　？ｉ・、硼ｔ′
鍾アン七ニウム青倉用いて賜４り酸化することによって
緻密な複合性ＡＲ２０ｇ膜１１の絶縁物に変化させ、フ
引トレジスト１０全除去する。該複合性Ａ１２ｏ３Ｂｑ
　１１）：Ｉ陽極酸化のマスクとなυ妊らにＥＬの基４
反１則肩／！縁ＩＭＩ　（’ニなる。Next V...1! ; U1 (71<length in the figure, porous hole ′aA p, 20311′+Q ?i・, 硼t′
By oxidizing the insulating film using Aokura, it is changed into a dense composite AR20g film 11 insulating material, and the blown resist 10 is completely removed. The composite A12o3Bq
11): As a mask for I anodic oxidation, the EL group 4
Against the first rule /! En IMI ('ni naru.

次に第３Ｃ図に示すように陽極酸化による蓚几質Ａｆｉ
２０３膜９下のアルミニウムは（＋！！　４帽佼化）に
よって該ＡＪｉ２　ｏ３膜９を含めて多孔質ＡＬｚＯｇ
ｌｌ：々１３になる。１２は表示電極として残ったアル
ミニウムである。Next, as shown in FIG.
The aluminum under the 203 film 9 is porous including the AJi2 o3 film 9 due to (+!!4 capping).
ll: 13. 12 is aluminum remaining as a display electrode.

ｊＬ４　Ｋ　ＺｎＳ　ＩＭｎ、＝ｇの発光層４．Ｙ２Ｏ
３等の絶縁層５及びＩｎ２Ｏ３等の上部′ｉｌ］Ｘ極６
奮蒸カ°ン４ｒによって形成して前述の第２図にボし７
た摺造となる。jL4 K ZnS IMn,=g light-emitting layer 4. Y2O
Insulating layer 5 of In2O3 etc.
Formed by steaming cann 4r and marked 7 in FIG. 2 above.
It became Tasurizuko.

第４図は本発明のｆｌＭの）！：施レしを７１くずもの
でせり代Ａｆｉ２０３膜１１上に更に　Ｙ　２０．、；
・ｊ；び）；Ｉ（’；　縁１１１−％　：（イ管：形成
した擦合絶縁層＋１η造にしても」−い。この’３Ａ　
Ｆｉ　ｌ：汀素子の特性特に飽和輝度寺をり駆回１、）
１かるｒ−４が出来る。FIG. 4 shows the flM of the present invention)! : Apply 71 scraps on the edge Afi 203 film 11 Y 20. , ;
・J; Bi); I('; Edge 111-%: (A tube: Even if the formed rubbing insulating layer + 1η structure is used.) This '3A
Fi l: Characteristics of the horizontal element, especially the saturation luminance ratio (1)
1 k r-4 can be made.

発明の詳細な説明したように表示組＋１針エツジの段差がなくなり
１表示部の破壊を防止することが出来、更ｖｃ選１１＜
ｒ１９化下、１４１！ＶＣヨツて緻密なＡ角縁層ｋｌＮ
、素イ絶縁層と１．−Ｃ用いることが出来るので表示媒
体の／Ｉ＋　ｌ’ｌ：　Ｐ；＜　４：ｎ　１ｌｒ（ｔ　
１．ｕ：　、　制破壊性停ヲ向上すセルＣト；／＋ｌＬ
ｌ来る。As described in detail of the invention, the level difference between the display set + 1 needle edge is eliminated, and damage to the 1 display section can be prevented, and the change in vc selection 11<
Under r19, 141! VC and dense A limbal layer klN
, a plain insulating layer and 1. -C can be used, so /I+ l'l of the display medium: P; < 4:n 1lr(t
1. u: , Cell C which improves destruction resistance; /+lL
I'm coming.

４　１”１面の削１中なｔｔＲ，明・ｊ１日Ｉ！ｙＩ　）、ｌ従来の表示装置を説明するた
めの（１：℃略断面１゛Ｙｌ°（！、５す、第２図は本
発明の一夾施ｆり１（をポす概略断面図で４うり、第３
Ａ図ないし第３ｃ図は第２１シＩに示した不発明の一笑
施例の形成法を示す概略−１’］４’：！ｉ＋Ｊ’ｌ　
１ｌｊｊ図であり、第４図は本発明の他の実施例４：　
／＋＜−ｊ」＋！’ｃ略ＩＪｉ　＋ｌｉｉ図である。4 1" 1 side being cut 1 ttR, Ming. j 1st I!yI), l To explain the conventional display device (1: ℃ approximate cross section 1゛Yl° (!, 5s, Fig. 2) is a schematic cross-sectional view showing the first application of the present invention.
Figures A to 3c are schematic diagrams showing the method of forming the non-inventive mocking embodiment shown in Section 21-1-1']4':! i+J'l
FIG. 4 is another embodiment 4 of the present invention:
/+<-j”+! 'c is an abbreviated IJi +lii diagram.

１・・’＋ｌ；　４ｋ　、　２・・・表示電極。1...'+l; 4k, 2... Display electrode.

３．５−・絶縁１ｔ’ｆｉ　、　４・・発光層。3.5--Insulation 1t'fi, 4--Light emitting layer.

１ｉ・ｌ−＋；Ｉｔ電極、７・・段差。1i·l-+; It electrode, 7... step.

）３　ノ′ルミニウム層、９・・多孔ノ改Ａ　ｆｉ２０
３膜。)3 No'luminium layer, 9... Porous modification A fi20
3 membranes.

Ｉ　ｔｌ　・７　：’ｌ’　ｌ・ｌ／シスト、１１−？
ｔＮ合ｔＡ：Ａ　Ｉ’２０ｓ　ＩＩＬｌ　２−　：／４
ｚｌ＜市、４軟アルミニウム。I tl ・7: 'l' l・l/cyst, 11-?
tN combination tA:A I'20s IILl 2- :/4
zl<city, 4 soft aluminum.

１；（・　多孔’＃！１．’　Ａ　Ｑ　２０３膜。1; (・Porous '#!1.' A Q 203 membrane.

心１　図ざ＠　２（、Ｓ’ｈ易３八団Ｉｎ　ｌｒ１吃３Ｂｉ知吃３Ｃ１，弓゛尋’；、４に−・２ＩＩ　１２Heart 1 Diagram Za @ 2 (, S’h Yi 38 group In　lr1 吃3Biknowledge 吃3C1, Bow ゛对;, 4-・2 II 12

Claims

[Scope of Claims] 1. Electroluminescent SO1-NOFIIQ comprising 11 layers of 1E top VC layer disposed on a substrate and an insulating layer.
Table/1\In leisure; The electrode material is anodized 1'J'fil]+;+
ii, the electrode material is entirely selectively anodized (more than that, the electrode material part of the electrode material is made into an insulator (the exposed part is removed in 7), and 11S is achieved. Electrolumi nohinto type display device δ.