JPS60100672A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPS60100672A JPS60100672A JP20851383A JP20851383A JPS60100672A JP S60100672 A JPS60100672 A JP S60100672A JP 20851383 A JP20851383 A JP 20851383A JP 20851383 A JP20851383 A JP 20851383A JP S60100672 A JPS60100672 A JP S60100672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- discharge
- vacuum vessel
- uniform
- vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、均一な薄膜を形成できる蒸着装置（（関する
ものでちる。
ものでちる。
従来例の構成とその問題点
蒸着装置においては最近高性能化される傾向にある。そ
の中で特にスパッタ装置やプラズマＣＶＤなどの放電を
利用した蒸着装置が多用されており第１図は従来の放電
を利用した蒸着装置を示す概要図である。金属性の真空
槽１内の陽極電極２と、陰極電極３との間に高電圧を印
加し、グロー放電を引き起こし、プラズマを発生させ、
蒸着を行なうようになっている。通常、陽極は真空槽１
に電気的に接続しており、陰極には負の高電圧が印加さ
れる。したがって、真空槽内の中では電気力線４が分布
している。この種の装置には、内部を観察するためにビ
ューイングボート５が設けられているか、このビューイ
ングボートが、ガラスなどの非導電性の物質によって作
られているため、その付近で、図示のように電気力線が
曲がり、その分布が乱される。その結果、放電プラズマ
の分布も不均一となり、均一な薄膜形成がなされないと
いう問題点があった。
の中で特にスパッタ装置やプラズマＣＶＤなどの放電を
利用した蒸着装置が多用されており第１図は従来の放電
を利用した蒸着装置を示す概要図である。金属性の真空
槽１内の陽極電極２と、陰極電極３との間に高電圧を印
加し、グロー放電を引き起こし、プラズマを発生させ、
蒸着を行なうようになっている。通常、陽極は真空槽１
に電気的に接続しており、陰極には負の高電圧が印加さ
れる。したがって、真空槽内の中では電気力線４が分布
している。この種の装置には、内部を観察するためにビ
ューイングボート５が設けられているか、このビューイ
ングボートが、ガラスなどの非導電性の物質によって作
られているため、その付近で、図示のように電気力線が
曲がり、その分布が乱される。その結果、放電プラズマ
の分布も不均一となり、均一な薄膜形成がなされないと
いう問題点があった。
そこで発明者らは、均一な薄膜を形成するという観点か
ら、ビー、−イングボートを改良することにより、電気
力線の分布を均一にすることを試みた結果、形成される
薄膜の膜厚の分布が均一化し、しかも、膜質が向上でき
ることを発見した。
ら、ビー、−イングボートを改良することにより、電気
力線の分布を均一にすることを試みた結果、形成される
薄膜の膜厚の分布が均一化し、しかも、膜質が向上でき
ることを発見した。
発明の目的
本発明は、このような従来の問題に鑑み、均一な薄膜を
つくり、膜の品質を向上することを目的とする。
つくり、膜の品質を向上することを目的とする。
発明の構成
本発明にかかる蒸着装置は、導電性の透明体で構成した
ビーーインクポートを有し、電気的に真空槽内面と上記
ビューイングポートとを接続したという構造になってい
るものである。
ビーーインクポートを有し、電気的に真空槽内面と上記
ビューイングポートとを接続したという構造になってい
るものである。
実施例の説明
以下本発明について実施例にもとづき説明する。
第２図は本発明の第１の実施例を説明するだめの蒸着装
置の概要図である。金属性真空槽１．陽極電極２．陰極
電極３は従来例と同様であるが、従来ビー−インクポー
トの非電導性のガラスなどを、導電性の透明体６で構成
したビー−インクポ−ト５ ａとし、電気的に真空槽１
の内面とビー−イングポー）５１Ｌとを接続したもので
ある。この場合、金属性真空槽１の中で、ビー−インク
、ポートだけ導電性がなかったものが、導電性ビー−イ
ンクボー）５ａを使用し、電気的に真空槽内面と接続す
ることにより、真空槽内面が、電気的に一様な状態にな
るため、図中４ａのように電気力線が均一化し、その結
果、放電プラズマの分布も均一となり、均一な薄膜が形
成できる。なお、透明な導電体６としては、Ｚｎ５ｅ（
ジンクセレン）などを用いる。また、半導体であるＳｉ
（シリコン）なども、比抵抗が小さければ同様に使用
でき、特の概要図である。金属製真空ｔａ１．陽極電極
２゜陰極電極３は従来例と同様であるが、ビーーインク
ボートの非電導性のガラスなどを、導電性の透明膜７で
覆ったものである。たとえば、ビーーインクポートの内
側のガラス表面に（場合によっては内側から外側にも回
り込ませる）ＩＴＯ（インジーラムとすすの酸化物）か
らなる透明膜７をスパッタして付着させたシすることに
ょシ、ガラス表面を導電化腰電気的に真空槽内面と電気
的に接続する。この結果、電気力線４ｂが、第１の実施
例同様均一になシ、第１の実施例と同様の効果が与えら
れる。
置の概要図である。金属性真空槽１．陽極電極２．陰極
電極３は従来例と同様であるが、従来ビー−インクポー
トの非電導性のガラスなどを、導電性の透明体６で構成
したビー−インクポ−ト５ ａとし、電気的に真空槽１
の内面とビー−イングポー）５１Ｌとを接続したもので
ある。この場合、金属性真空槽１の中で、ビー−インク
、ポートだけ導電性がなかったものが、導電性ビー−イ
ンクボー）５ａを使用し、電気的に真空槽内面と接続す
ることにより、真空槽内面が、電気的に一様な状態にな
るため、図中４ａのように電気力線が均一化し、その結
果、放電プラズマの分布も均一となり、均一な薄膜が形
成できる。なお、透明な導電体６としては、Ｚｎ５ｅ（
ジンクセレン）などを用いる。また、半導体であるＳｉ
（シリコン）なども、比抵抗が小さければ同様に使用
でき、特の概要図である。金属製真空ｔａ１．陽極電極
２゜陰極電極３は従来例と同様であるが、ビーーインク
ボートの非電導性のガラスなどを、導電性の透明膜７で
覆ったものである。たとえば、ビーーインクポートの内
側のガラス表面に（場合によっては内側から外側にも回
り込ませる）ＩＴＯ（インジーラムとすすの酸化物）か
らなる透明膜７をスパッタして付着させたシすることに
ょシ、ガラス表面を導電化腰電気的に真空槽内面と電気
的に接続する。この結果、電気力線４ｂが、第１の実施
例同様均一になシ、第１の実施例と同様の効果が与えら
れる。
次に電気的接続の仕方について説明すると、第４．７図
のように、導線１２を用いて接続してもよいが、第６，
８図のように、ネジ９．バネ接点１ｏを用いる方法であ
ると、取り付けと、電気的接続とを同時に実施でき、実
用上好都合である。
のように、導線１２を用いて接続してもよいが、第６，
８図のように、ネジ９．バネ接点１ｏを用いる方法であ
ると、取り付けと、電気的接続とを同時に実施でき、実
用上好都合である。
また、第６，９図のように、導体金属１１をネジ９で固
定して、電気的接続を行なう様な方法でもよい。８はパ
ツキンである。
定して、電気的接続を行なう様な方法でもよい。８はパ
ツキンである。
また、本発明で言う透明という記述は、ビューイングボ
ートにより、観察し、あるいは照射する光について透明
であるという意味であシ、必ずしも可視領域における透
明に限定されるものではない。また、ここでは、ターゲ
ットを真空槽の下部プレートに配置した例で説明したが
、ターゲットを真空槽の上部プレートに配置しても、縦
方向に配置してもよく、また、プラズマＣｖＤの場合に
も、本発明は同様に実施できることは明らかである。本
発明は、放電を利用した装置において、電気力線の分布
を均一化することは、優れた蒸着膜を生産するものであ
り、上記以外の応用にも当然使用できる。
ートにより、観察し、あるいは照射する光について透明
であるという意味であシ、必ずしも可視領域における透
明に限定されるものではない。また、ここでは、ターゲ
ットを真空槽の下部プレートに配置した例で説明したが
、ターゲットを真空槽の上部プレートに配置しても、縦
方向に配置してもよく、また、プラズマＣｖＤの場合に
も、本発明は同様に実施できることは明らかである。本
発明は、放電を利用した装置において、電気力線の分布
を均一化することは、優れた蒸着膜を生産するものであ
り、上記以外の応用にも当然使用できる。
発明の効果
本発明によれば、ビーーインクボートを実質的導体化し
、電気的に真空槽内面と上記ビー−インクポートとを接
続することにより、電気力線が均一化し、その結果、放
電プラズマの分布も均一になシ、結果的に均一な薄膜形
成が、再現性より製造できることが可能になった。
、電気的に真空槽内面と上記ビー−インクポートとを接
続することにより、電気力線が均一化し、その結果、放
電プラズマの分布も均一になシ、結果的に均一な薄膜形
成が、再現性より製造できることが可能になった。
第１図は従来の放電を利用した蒸着装置を示すは本発明
の装置の接続部の要部断面図である。 １・・・・・・金属製真空槽、２ ・陽極電極、３・・
・・陰極電極、４１Ｌ 、４ｂ・・・・・・電気力線、
５・・・・−ビーーインクポート、６・・・・・・透明
な導電体、７・・・・・・導電性の透明膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 ３ 第 ３ 図 第４図 第５図 第 ６ 図 第７図 第８図 第９図
の装置の接続部の要部断面図である。 １・・・・・・金属製真空槽、２ ・陽極電極、３・・
・・陰極電極、４１Ｌ 、４ｂ・・・・・・電気力線、
５・・・・−ビーーインクポート、６・・・・・・透明
な導電体、７・・・・・・導電性の透明膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 ３ 第 ３ 図 第４図 第５図 第 ６ 図 第７図 第８図 第９図
Claims (2)
- （１）導電性の透明体で構成したビューイングボートを
有し、電気的に真空槽内面と上記ビー−イングボートと
を接続したことを特徴とする蒸着装置。 - （２）非導電性の透明体を導電性の透明膜で覆ったビュ
ーイングポートを有し、電気的に真空槽内面と上記ビー
−イングポートとを接続したことを特徴とする蒸着装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20851383A JPS60100672A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20851383A JPS60100672A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100672A true JPS60100672A (ja) | 1985-06-04 |
Family
ID=16557404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20851383A Pending JPS60100672A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100717974B1 (ko) | 2005-02-04 | 2007-05-14 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
-
1983
- 1983-11-07 JP JP20851383A patent/JPS60100672A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100717974B1 (ko) | 2005-02-04 | 2007-05-14 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
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