JPS599680A - 複写機用ヒ−タの製造方法 - Google Patents
複写機用ヒ−タの製造方法Info
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- JPS599680A JPS599680A JP11767482A JP11767482A JPS599680A JP S599680 A JPS599680 A JP S599680A JP 11767482 A JP11767482 A JP 11767482A JP 11767482 A JP11767482 A JP 11767482A JP S599680 A JPS599680 A JP S599680A
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- copying machine
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/20—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for fixing, e.g. by using heat
- G03G15/2003—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for fixing, e.g. by using heat using heat
- G03G15/2014—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for fixing, e.g. by using heat using heat using contact heat
- G03G15/2053—Structural details of heat elements, e.g. structure of roller or belt, eddy current, induction heating
- G03G15/2057—Structural details of heat elements, e.g. structure of roller or belt, eddy current, induction heating relating to the chemical composition of the heat element and layers thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は複写機用ヒータの製造方法に係り１％に温度制
御機能がよく均一な温度特性を有する複写機用ヒータの
製造方法の改良に関する。
御機能がよく均一な温度特性を有する複写機用ヒータの
製造方法の改良に関する。
典型的なゼロックス写真法では、たとえばシリンダ状の
基体に被覆された光伝導体が暗所で均一に静電荷を保持
し、ついで原文書類に従う像パターンで上記光伝導体が
照明されることにより露光される。光伝導体は照明され
た部分で静電荷を放電するから光伝導体上には像パター
ンの静電荷が残留する。この光伝導体上にトナとよばれ
る静電的に吸引性の現像剤を吸着させるととにより像パ
ターンが現像される。この像パターンにしたがって吸着
されたトナなたとえば複写用紙に転写して熱により加熱
定着させることにより複写が完成する。
基体に被覆された光伝導体が暗所で均一に静電荷を保持
し、ついで原文書類に従う像パターンで上記光伝導体が
照明されることにより露光される。光伝導体は照明され
た部分で静電荷を放電するから光伝導体上には像パター
ンの静電荷が残留する。この光伝導体上にトナとよばれ
る静電的に吸引性の現像剤を吸着させるととにより像パ
ターンが現像される。この像パターンにしたがって吸着
されたトナなたとえば複写用紙に転写して熱により加熱
定着させることにより複写が完成する。
従来、上記トナの複写用紙への加熱定着に使用される発
熱体にはパイプ状の基体の中空部に赤外線電球またはハ
ロゲンランプを配設したものが主として使用されており
、これにバイメタルサーモスタットのような加熱温度の
調節装置が設けられていた。しかしながら前記したシリ
ンダ状の基体はその温度調整がきわめて精度をＢｙ求さ
れ、しかも、−上記サーモスタットが感知する温度は基
体の温度と必ずしも一致し２ないのでサーモスタットに
よって基体の温度を正確に精度よくコントロールするこ
とは問題が４うった。この対策として基体に電気抵抗が
正の温度係数を有するチタン酸バリウムなどの半導体セ
ラミックス部材を使用し、基体自体を発熱体とし、かつ
発熱体自体が温度調整機能な自するものが開発された。
熱体にはパイプ状の基体の中空部に赤外線電球またはハ
ロゲンランプを配設したものが主として使用されており
、これにバイメタルサーモスタットのような加熱温度の
調節装置が設けられていた。しかしながら前記したシリ
ンダ状の基体はその温度調整がきわめて精度をＢｙ求さ
れ、しかも、−上記サーモスタットが感知する温度は基
体の温度と必ずしも一致し２ないのでサーモスタットに
よって基体の温度を正確に精度よくコントロールするこ
とは問題が４うった。この対策として基体に電気抵抗が
正の温度係数を有するチタン酸バリウムなどの半導体セ
ラミックス部材を使用し、基体自体を発熱体とし、かつ
発熱体自体が温度調整機能な自するものが開発された。
上記チタン酸バリウムなどの半導体セラミックスは、た
とえばＢａ’ｌ’、＋０３のセラミックスにドープ剤を
加えることによって正の温度係数を有する電気抵抗の自
己温度制御性のある半導体セラミックスが得られる。し
かしながら、この半導体セラミックスは長尺になるとド
ープ剤の偏在が生じ・やすく、そのため特性が不均一に
なり安定した特性が得られないという問題があった。上
記長尺の半導体セラミックスを輪切りにして接合する方
法もあるが、この方法によっても均一な電気特性を有す
るものを得ることは困難であり、工数が大きくなるとい
う欠点を解決できなかった。
とえばＢａ’ｌ’、＋０３のセラミックスにドープ剤を
加えることによって正の温度係数を有する電気抵抗の自
己温度制御性のある半導体セラミックスが得られる。し
かしながら、この半導体セラミックスは長尺になるとド
ープ剤の偏在が生じ・やすく、そのため特性が不均一に
なり安定した特性が得られないという問題があった。上
記長尺の半導体セラミックスを輪切りにして接合する方
法もあるが、この方法によっても均一な電気特性を有す
るものを得ることは困難であり、工数が大きくなるとい
う欠点を解決できなかった。
本発明は上記背景技術の問題点に鑑みてなされたもので
複写機の複写用紙ヘトナを定着させるための発熱体にチ
タン酸バリウムを主体とする正の温度係数を有する電気
抵抗の半導体セラミックスの発熱体を使用し、上記発熱
体の発熱特性と電気特性とを良好に維持することのでき
る改良された複写機用ヒータの特進方法を提供すること
を目的とする。
複写機の複写用紙ヘトナを定着させるための発熱体にチ
タン酸バリウムを主体とする正の温度係数を有する電気
抵抗の半導体セラミックスの発熱体を使用し、上記発熱
体の発熱特性と電気特性とを良好に維持することのでき
る改良された複写機用ヒータの特進方法を提供すること
を目的とする。
本発明はチタン酸バリウムを主体とするセラミックスに
ドープ剤を添加して焼結して半導体セラミックスの焼結
体を形成する工程と上記半導体セラミックスの焼結体を
微粉末にする工程と、上記微粉末を中空円筒状などの形
状にブレス成型して複写機用ヒータ材を形成する工程と
、上記ヒータ材によって複写機用ヒータを形成する工程
とを有することを特徴とする複写機用ヒータの製造方法
である。
ドープ剤を添加して焼結して半導体セラミックスの焼結
体を形成する工程と上記半導体セラミックスの焼結体を
微粉末にする工程と、上記微粉末を中空円筒状などの形
状にブレス成型して複写機用ヒータ材を形成する工程と
、上記ヒータ材によって複写機用ヒータを形成する工程
とを有することを特徴とする複写機用ヒータの製造方法
である。
以下に本発明の詳細な説明する。
第１図は、上記半導体セラミックス部材の発熱体による
トナの複写用紙への定着加熱装置を有する複写装置の一
例の模式図であって９回転ドラム（１）はその外面に光
伝導面（２）を有しており、矢（８）示方向に廻転する
。回転ドラム（１）は帯電装置（３）の前面を通過する
際にその光伝導面（２）に静電荷が均一に帯電される。
トナの複写用紙への定着加熱装置を有する複写装置の一
例の模式図であって９回転ドラム（１）はその外面に光
伝導面（２）を有しており、矢（８）示方向に廻転する
。回転ドラム（１）は帯電装置（３）の前面を通過する
際にその光伝導面（２）に静電荷が均一に帯電される。
ついで回転ドラム（１）が露光装置（４）の前面を通過
する際に、露光装置（４）から投射され原稿（５）を通
過した光線（６）によって、原稿（５）に記された字に
相当する部分の回転ドラム（１）の光伝導面（２）の静
電荷のみが光線が字によって遮断されたことによって像
パターンとして残り、光伝導面（２）の他の部分の静電
荷が放電によって消去される。回転ドラム（１）はさら
に廻転して現像ロール（カに至シトナＩ貯溜槽（８）か
ら現像ロール（ηによって搬送されたトナｊが静電気に
よって回転ドラム（１）の光伝導面（２）の上記字の隊
パターンに成層され現像される。回転ドラム（１）がさ
らに廻転して転写装置（８）の位置に至り、複写用紙格
納箱（９）から送出ローラαリカイドローラ（団、（印
によってガイド板（＋２１を経て転写装置（８）と回転
ドラム（１）との間に送り出された複テｈ′用紙に像パ
ターンのトナＩ・を転写し、ついで複写用紙はベルトコ
ンベア０Ｊによって搬送されて定着ローラ（１４）およ
びバックアップローラ（１［有］の位置で加熱焼付によ
って恒久的に字の像−１）Ｋ！Ｗ写用紙に定着され、排
出皿（１６）へ複写された複写用紙が排出される。一方
回転ドラム（１）はさらに廻転して除電装置ρα７）の
イ）ｒ置に至り回転ドラム（１）の光伝導面（２）に付
着している残留トナｌを除去するとともに帝′ｔｌｆさ
れている静電荷を中和して除去する。
する際に、露光装置（４）から投射され原稿（５）を通
過した光線（６）によって、原稿（５）に記された字に
相当する部分の回転ドラム（１）の光伝導面（２）の静
電荷のみが光線が字によって遮断されたことによって像
パターンとして残り、光伝導面（２）の他の部分の静電
荷が放電によって消去される。回転ドラム（１）はさら
に廻転して現像ロール（カに至シトナＩ貯溜槽（８）か
ら現像ロール（ηによって搬送されたトナｊが静電気に
よって回転ドラム（１）の光伝導面（２）の上記字の隊
パターンに成層され現像される。回転ドラム（１）がさ
らに廻転して転写装置（８）の位置に至り、複写用紙格
納箱（９）から送出ローラαリカイドローラ（団、（印
によってガイド板（＋２１を経て転写装置（８）と回転
ドラム（１）との間に送り出された複テｈ′用紙に像パ
ターンのトナＩ・を転写し、ついで複写用紙はベルトコ
ンベア０Ｊによって搬送されて定着ローラ（１４）およ
びバックアップローラ（１［有］の位置で加熱焼付によ
って恒久的に字の像−１）Ｋ！Ｗ写用紙に定着され、排
出皿（１６）へ複写された複写用紙が排出される。一方
回転ドラム（１）はさらに廻転して除電装置ρα７）の
イ）ｒ置に至り回転ドラム（１）の光伝導面（２）に付
着している残留トナｌを除去するとともに帝′ｔｌｆさ
れている静電荷を中和して除去する。
上記定着ローラ０乃はチタン酸バリウムを主体とする正
の温度係数を有する電気抵抗の半導体セラミックスの発
熱体が使用されており、上記発熱体と複写用紙との績擦
係数を太きぐするため９発熱体の表面にシリコーンゴム
が被着されている。
の温度係数を有する電気抵抗の半導体セラミックスの発
熱体が使用されており、上記発熱体と複写用紙との績擦
係数を太きぐするため９発熱体の表面にシリコーンゴム
が被着されている。
つぎに本発明者らの行なった実験について述べる。
従来の上記定着ローラに使用されているチタン酸バリウ
ムを主体とする半導体セラミックスの発熱体は、自己温
度制御能を存しており、この特性はたとえばチタン酸バ
リウムを主体とするセラミックスに希土類元素のランタ
ンやイツトリウムなどの酸化物をドープ剤として加える
ことにより上記自己温度制御能のある半導体セラミック
スが得られるのであるが、前記背景技術で述べたように
この半導体セラミックスは長尺のものが作りにくく、長
尺になると上記ドープ剤が偏在しゃすく。
ムを主体とする半導体セラミックスの発熱体は、自己温
度制御能を存しており、この特性はたとえばチタン酸バ
リウムを主体とするセラミックスに希土類元素のランタ
ンやイツトリウムなどの酸化物をドープ剤として加える
ことにより上記自己温度制御能のある半導体セラミック
スが得られるのであるが、前記背景技術で述べたように
この半導体セラミックスは長尺のものが作りにくく、長
尺になると上記ドープ剤が偏在しゃすく。
均一な自己温度制御能が得にくい。そこで本発明者らは
、チタン酸バリウムを主体とするセラミックスに上ｄ己
ドープ剤を添加して焼結した半導体セラミックスを粉砕
して微粒子とし、さらにプレス成型する方法について試
駆した。
、チタン酸バリウムを主体とするセラミックスに上ｄ己
ドープ剤を添加して焼結した半導体セラミックスを粉砕
して微粒子とし、さらにプレス成型する方法について試
駆した。
本発明者らは上記半導体セラミックスの粉砕した微粒子
をプレス成型して２１８２図（ａ） 、 （ｂ）ならび
に（Ｃ）に示す形状の発熱体を形成した。第２図（ａ）
、 （ｂ）。
をプレス成型して２１８２図（ａ） 、 （ｂ）ならび
に（Ｃ）に示す形状の発熱体を形成した。第２図（ａ）
、 （ｂ）。
（Ｃ）において００は一上記半４ト体セラミックスの微
粒子を成型してなる半導体セラミックスであって、第２
図（ａ）は上記微粒子を円筒状に成型してなる半導体セ
ラミックスＱυの表面にシリコーンゴム被ｉ （２２が
被着された発熱体（２：（） 、第２図（ｂ）は上記半
導体セラミックス微粒子を円筒状に成型して短尺に切断
す鋒、または上記円筒状に成型された半導体セラミック
スの中心軸の一部のみを残すことによって半導体セラミ
ックス（２１）の量を節約し、中間に円筒状または円環
状の絶縁体０４）を挟持させた構成の半導体セラミ、プ
レスの発熱体（２５）さらに第２図（Ｃ）はノ 微粒子を中空円筒状に成型してなる半導体セラミックス
０６）の発熱体（２７１である。第２図（【））および
（Ｃ）はいずれも第２図（ａ）と同様に表面にシリコー
ンゴム被層（２功が被着されている。
粒子を成型してなる半導体セラミックスであって、第２
図（ａ）は上記微粒子を円筒状に成型してなる半導体セ
ラミックスＱυの表面にシリコーンゴム被ｉ （２２が
被着された発熱体（２：（） 、第２図（ｂ）は上記半
導体セラミックス微粒子を円筒状に成型して短尺に切断
す鋒、または上記円筒状に成型された半導体セラミック
スの中心軸の一部のみを残すことによって半導体セラミ
ックス（２１）の量を節約し、中間に円筒状または円環
状の絶縁体０４）を挟持させた構成の半導体セラミ、プ
レスの発熱体（２５）さらに第２図（Ｃ）はノ 微粒子を中空円筒状に成型してなる半導体セラミックス
０６）の発熱体（２７１である。第２図（【））および
（Ｃ）はいずれも第２図（ａ）と同様に表面にシリコー
ンゴム被層（２功が被着されている。
上記第２図（ａ） 、 （１）） 、 （Ｃ）で示す形
状の発熱体によって９発熱体の温度の通電時間（秒）経
過後の立１上りを円筒状発熱体の端部、中央部、ならび
にψ％、Ｈなお、祷写機メーカの希望条件としては発熱
体は２０ないし３０秒間に１９０℃ないし２００℃達温
１〆を１００％とした幌度上昇率（悌）で示し上記発大
４（体の峠１１部、中央部、中間部の温度をそれぞれｌ
ｃ、 ｔｃ、 ｔｍで表示しである。企／仁、半尋体セ
ラミックスの微粒子は第２図（ａ）で示す実験Ｉおよび
第２図（Ｃ）で示す実験ｌＩ［は平均粒径１２μ、第２
図（１））でＪξす実験１１は平均粒径１０μのものを
１史用し一７９発熱体に印加する”ｒｌｉ：圧はＡ、Ｃ
，ｌ ００ Ｖとしンそ。発熱（・ドの形状寸法は実験
Ｉの第２図（ａ）の形状のもツバ、全長−８カ２０ Ｏ
ｎｏｎ 、外径ｄが２５ ｎｕｎ ＊実験１１の第２図
（ｂ）の形状のものは全長′ｅが２６（］］皿１．タ１
’ｉｕ ｄが２Ｏｎｏｎ、 ＩＪ験■の第２図（Ｃ）
ノ形状ノものは全長ｅが２５０ ｍｍ ｅ外（ｌｄｔ
が４０ｍｎ＋＊内径ｄ２が２０１皿である。
状の発熱体によって９発熱体の温度の通電時間（秒）経
過後の立１上りを円筒状発熱体の端部、中央部、ならび
にψ％、Ｈなお、祷写機メーカの希望条件としては発熱
体は２０ないし３０秒間に１９０℃ないし２００℃達温
１〆を１００％とした幌度上昇率（悌）で示し上記発大
４（体の峠１１部、中央部、中間部の温度をそれぞれｌ
ｃ、 ｔｃ、 ｔｍで表示しである。企／仁、半尋体セ
ラミックスの微粒子は第２図（ａ）で示す実験Ｉおよび
第２図（Ｃ）で示す実験ｌＩ［は平均粒径１２μ、第２
図（１））でＪξす実験１１は平均粒径１０μのものを
１史用し一７９発熱体に印加する”ｒｌｉ：圧はＡ、Ｃ
，ｌ ００ Ｖとしンそ。発熱（・ドの形状寸法は実験
Ｉの第２図（ａ）の形状のもツバ、全長−８カ２０ Ｏ
ｎｏｎ 、外径ｄが２５ ｎｕｎ ＊実験１１の第２図
（ｂ）の形状のものは全長′ｅが２６（］］皿１．タ１
’ｉｕ ｄが２Ｏｎｏｎ、 ＩＪ験■の第２図（Ｃ）
ノ形状ノものは全長ｅが２５０ ｍｍ ｅ外（ｌｄｔ
が４０ｍｎ＋＊内径ｄ２が２０１皿である。
以下余白
上表の結果から明らかｔ「ように本発８Ａ製造方法によ
って製造された複写機用ヒータは複写機メーカの希望条
件である１９０ないし２００ ’（’；の温度に発熱体
の全域が到達する時間が２０ないし３０秒であることが
確認できた。
って製造された複写機用ヒータは複写機メーカの希望条
件である１９０ないし２００ ’（’；の温度に発熱体
の全域が到達する時間が２０ないし３０秒であることが
確認できた。
第３図は本発明によって製造される発光体の温度と電気
抵抗との関係を示す特性曲線図であって。
抵抗との関係を示す特性曲線図であって。
上記実験１．ｌ、ｌに使用１．た発光体の特性をそれぞ
れ曲ＭＡ、Ｂ、Ｃで示しである。
れ曲ＭＡ、Ｂ、Ｃで示しである。
第３図から明らかなとおり９本発明製造方法によって製
造されたチタン酸バリウムを主体とする半導体セラミッ
クスのヒータ材は１９ｏないし２００℃においてその全
電気抵抗が急激に上昇して自己温度制御能を有１〜てい
ることが判り、従来チタン酸バリウムを主体とする半導
体セラミックスを粉砕すると自己温度制御機能が失なわ
れると考えられており９％性の不安定を防止する方法が
見出せていｔｃかったが１本発明製造方法によって１１
造された発熱体を有する複写機用ヒータにより従来の背
°以技術の問題点を解決することができたのである。な
お、上記実験例のように、チタン酸バリウムを主体とす
る半導体セラミックスの焼結体を微粉末としてプレス成
型された発熱体、および上記プレス成型された短尺の発
熱体に絶縁体を挾持させたもの、中空円筒状にプレス成
型したもののほかＩ！Ｐｉ尺の発熱体に金ＰＡ虜などの
導体環を挾持させたもの、さらに短尺の中空円筒状の発
熱体に上記金稿猿を挾持させたものなどの成型が可能で
あり、これらは半導体セラミックス体の使用を節約して
電気回路の接続を適宜変更することにより所望の熱効率
のよい複写機ヒータを製造し使用することが可能である
。
造されたチタン酸バリウムを主体とする半導体セラミッ
クスのヒータ材は１９ｏないし２００℃においてその全
電気抵抗が急激に上昇して自己温度制御能を有１〜てい
ることが判り、従来チタン酸バリウムを主体とする半導
体セラミックスを粉砕すると自己温度制御機能が失なわ
れると考えられており９％性の不安定を防止する方法が
見出せていｔｃかったが１本発明製造方法によって１１
造された発熱体を有する複写機用ヒータにより従来の背
°以技術の問題点を解決することができたのである。な
お、上記実験例のように、チタン酸バリウムを主体とす
る半導体セラミックスの焼結体を微粉末としてプレス成
型された発熱体、および上記プレス成型された短尺の発
熱体に絶縁体を挾持させたもの、中空円筒状にプレス成
型したもののほかＩ！Ｐｉ尺の発熱体に金ＰＡ虜などの
導体環を挾持させたもの、さらに短尺の中空円筒状の発
熱体に上記金稿猿を挾持させたものなどの成型が可能で
あり、これらは半導体セラミックス体の使用を節約して
電気回路の接続を適宜変更することにより所望の熱効率
のよい複写機ヒータを製造し使用することが可能である
。
また第２図に示した特性は実験例に使用した半導体セラ
ミックスの例であって、その自己温度制御特性は半導体
セラミックスの種類を選ぶことにより変えることが可能
であり、上記半導体セラミックスの種類を変更しても本
発明によって製造されたヒータの自己温度制御能は確実
に維持されるのである。
ミックスの例であって、その自己温度制御特性は半導体
セラミックスの種類を選ぶことにより変えることが可能
であり、上記半導体セラミックスの種類を変更しても本
発明によって製造されたヒータの自己温度制御能は確実
に維持されるのである。
本発明は以上詳述１７たようにチタン酸バリウムを主体
とするセラミックスにドープ剤を添加して焼結して半導
体セラミックスの焼結体を形成する工程と」：起生導体
セラミックスの焼結体を微粉末にする工程と、上記微粉
末を中空円筒状などの形状にプレス成型して複写機用ヒ
ータ材を形成する工程と、−Ｆ記ヒータ材によって複写
機用ヒータを形成する工程とを有することを特徴とする
複写機用ヒータの製造方法であって１発熱体自体が温度
ＩＩＪ！Ｉ整機能を有するチタン酸バリウムを主体とす
る半導体セラミックスの温度調整機能を確実に保有し、
しかも従来のようにドープ剤の偏在による上、紀機能の
不安定性が全くなく、シかも製造が拌易で、所望の大き
さのヒータをプレス成型することが可能な改良された複
写機用ヒータの製造方法を斯界に提供できるというすぐ
れた効果を有している。
とするセラミックスにドープ剤を添加して焼結して半導
体セラミックスの焼結体を形成する工程と」：起生導体
セラミックスの焼結体を微粉末にする工程と、上記微粉
末を中空円筒状などの形状にプレス成型して複写機用ヒ
ータ材を形成する工程と、−Ｆ記ヒータ材によって複写
機用ヒータを形成する工程とを有することを特徴とする
複写機用ヒータの製造方法であって１発熱体自体が温度
ＩＩＪ！Ｉ整機能を有するチタン酸バリウムを主体とす
る半導体セラミックスの温度調整機能を確実に保有し、
しかも従来のようにドープ剤の偏在による上、紀機能の
不安定性が全くなく、シかも製造が拌易で、所望の大き
さのヒータをプレス成型することが可能な改良された複
写機用ヒータの製造方法を斯界に提供できるというすぐ
れた効果を有している。
第１図は半導体セラミックスの発熱体にょるトナの複写
用紙への定着加熱装置ｕを有する複写装置の模式図、第
２図は本発明製造方法により成型された複写機の発熱体
の斜視図、第３図は１本発明によって製造された発熱体
の温ｌαと電気抵抗との関係を示す特性曲線図である。 ２１・・・微粒子を成型してなる半導体セラミックス。 ２２・・・シリコンゴム被層、２４・・・絶縁体。 ２３．２５，２６・・・発熱体。 代理人 弁理士 則 近 意 佑 （ほか１名） 第１図 第３図 □温度（０Ｃ）
用紙への定着加熱装置ｕを有する複写装置の模式図、第
２図は本発明製造方法により成型された複写機の発熱体
の斜視図、第３図は１本発明によって製造された発熱体
の温ｌαと電気抵抗との関係を示す特性曲線図である。 ２１・・・微粒子を成型してなる半導体セラミックス。 ２２・・・シリコンゴム被層、２４・・・絶縁体。 ２３．２５，２６・・・発熱体。 代理人 弁理士 則 近 意 佑 （ほか１名） 第１図 第３図 □温度（０Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （＋）チタン酸バリウムを主体とするセラミックスにド
ーグ剤を加えて焼結；７て半導体セラミックスの焼結体
を形成する工程と、上記半導体セラミックスの焼結体を
微粉末にする工程と、上記微粉末をプレス成型！７て初
耳機用のヒータ材を形成する工程と上記ヒータ材によっ
て複写機用ヒータを形成する工程とを有することを特徴
とする複写機用ヒータの製造方法。 （２）チタン酸バリウムを主体とする半導体セラミック
ス焼結体の微粉末を中空円筒状にプレス成型して複写機
用のヒータ材を形成する工程を有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の複写機用ヒータの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11767482A JPS599680A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 複写機用ヒ−タの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11767482A JPS599680A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 複写機用ヒ−タの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599680A true JPS599680A (ja) | 1984-01-19 |
Family
ID=14717477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11767482A Pending JPS599680A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 複写機用ヒ−タの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599680A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60207170A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-18 | Kyocera Corp | 定着装置 |
| JPH05114467A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Sekisui Plastics Co Ltd | ヒータ及びその製造方法 |
| JP2002247615A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 構内交換機 |
| EP4212028A1 (en) * | 2022-01-18 | 2023-07-19 | JT International S.A. | Aerosol generating article with an improved environmental impact and associated assembly |
-
1982
- 1982-07-08 JP JP11767482A patent/JPS599680A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60207170A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-18 | Kyocera Corp | 定着装置 |
| JPH05114467A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Sekisui Plastics Co Ltd | ヒータ及びその製造方法 |
| JP2002247615A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 構内交換機 |
| EP4212028A1 (en) * | 2022-01-18 | 2023-07-19 | JT International S.A. | Aerosol generating article with an improved environmental impact and associated assembly |
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