JPS59942B2 - ホウデンガタイオンゲンヨウデンゲン - Google Patents
ホウデンガタイオンゲンヨウデンゲンInfo
- Publication number
- JPS59942B2 JPS59942B2 JP588374A JP588374A JPS59942B2 JP S59942 B2 JPS59942 B2 JP S59942B2 JP 588374 A JP588374 A JP 588374A JP 588374 A JP588374 A JP 588374A JP S59942 B2 JPS59942 B2 JP S59942B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- resistor
- current
- discharge
- source
- Prior art date
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- Expired
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- Particle Accelerators (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はホローカソードイオン源や、デュオプラズマト
ロンイオン源等、気体の放電を利用したイオン源を駆動
する電源回路に関する。
ロンイオン源等、気体の放電を利用したイオン源を駆動
する電源回路に関する。
第１図はホローカソードを用いたイオン源の概略図であ
る。
る。
１は陰極で、一端をふさがれた円筒状になっている。
２は陽極、３は引出し電極である。
また４と６は電圧源で５は抵抗値Ｒの抵抗器である。
このイオン源で電圧源４の電圧を徐々にあげてゆくと、
あるところで陰極１と陽極２の間でグロー放電放おこり
、その際に陽極２の穴の付近に発生したイオンの一部が
引出し電極３の方向に引出される。
あるところで陰極１と陽極２の間でグロー放電放おこり
、その際に陽極２の穴の付近に発生したイオンの一部が
引出し電極３の方向に引出される。
第１図において、電圧源４から流出する電流を１１とし
電圧源６から流出する電流をＩ２とすると抵抗器５を流
れる電流は■１＋Ｉ２となるが、１１＞Ｉ２であるから
殆んど１１が流れると考えてよい。
電圧源６から流出する電流をＩ２とすると抵抗器５を流
れる電流は■１＋Ｉ２となるが、１１＞Ｉ２であるから
殆んど１１が流れると考えてよい。
この放電の特性を図で示すと第２図のようになる。
曲線７と直線８は陰極１と陽極２の間の電圧Ｖと電流■
１の関係を示すもので、曲線７は陰極１と陽極２間の放
電特性を示すものであり、直線８は抵抗器５による動作
直線である。
１の関係を示すもので、曲線７は陰極１と陽極２間の放
電特性を示すものであり、直線８は抵抗器５による動作
直線である。
直線８と縦軸および横軸との交点の値はそれぞれＬと■
１である。
１である。
また曲線Ｔと直線８の交点Ａが動作点でその時の電流１
１ｄと電圧Ｖｄがそれぞれ実際の動作電流と動作電圧で
ある。
１ｄと電圧Ｖｄがそれぞれ実際の動作電流と動作電圧で
ある。
曲線１はグロー放電の領域ではほとんど縦軸に並行にな
るので、直線８との交点での交鎖角度θは θ−：諭’Ｒ・・・・・・曲・・・・曲回・曲（１）と
なる。
るので、直線８との交点での交鎖角度θは θ−：諭’Ｒ・・・・・・曲・・・・曲回・曲（１）と
なる。
ところでとり出せるイオン流は放電電流■１ｄに比例す
る。
る。
また放電特性曲線７はガス圧などにより変動をする。
第３図にガス圧が変動した場合の特性曲線を示す。
曲線９はガス圧が高くなった場合のものである。
この場合の動作点はＢとなりそのときの放電々流および
放電々圧はそれぞれ１１ｄ’とＶｄ’になる。
放電々圧はそれぞれ１１ｄ’とＶｄ’になる。
したがって（１）式よりとなる。
この式より、抵抗値Ｒが大きくなればガス圧が変動して
も放電々流の変動は少くなることがわかる。
も放電々流の変動は少くなることがわかる。
しかし抵抗器５の抵抗値Ｒを大きくすれば、必要な放電
々流■１ｄを流すためには電圧源４の電圧■１を大きく
しなければならない。
々流■１ｄを流すためには電圧源４の電圧■１を大きく
しなければならない。
したがってこの場合には大容量の電源が必要になり抵抗
器５としても大電力用のものが必要となってしまう。
器５としても大電力用のものが必要となってしまう。
本発明は電圧源に直列に電流制限回路を挿入することに
より、このような難点を無くシ、シかもイオン源を安定
に動作させるイオン源用電源を提供するものである。
より、このような難点を無くシ、シかもイオン源を安定
に動作させるイオン源用電源を提供するものである。
第４図の実施例により本発明を説明する。
１０は本発明により付加された電流制限回路で、１１は
ツェナ電圧Ｖｚのツェナダイオードで、１２はトランジ
スタ、１３は抵抗器でこの抵抗値ＲＢは抵抗器５の抵抗
値Ｒに比べて非常に大きい。
ツェナ電圧Ｖｚのツェナダイオードで、１２はトランジ
スタ、１３は抵抗器でこの抵抗値ＲＢは抵抗器５の抵抗
値Ｒに比べて非常に大きい。
この電流制限回路だけをとり出して電圧■をかけたとき
に流れる電流■の関係を図で示すと第５図のようになる
。
に流れる電流■の関係を図で示すと第５図のようになる
。
電圧がツェナ電圧Ｖｚ以下のときはトランジスタ１２は
完全導通状態になり、したがって抵抗値Ｒの抵抗器と同
じふるまいをする。
完全導通状態になり、したがって抵抗値Ｒの抵抗器と同
じふるまいをする。
しかし電圧がＶｚをこえると、抵抗器５の両端の電圧ｚ
はＶｚ以上になり得ないため］「の一定電流となる。
これを放電特性と動作直線で示すと第６図のようになる
。
。
第２図、第３図での動作直線８は第４図の装置では第６
図の１４の折れ線になる。
図の１４の折れ線になる。
第６図かられかるようにガス圧等の変動により放電特性
が曲線７から曲線９のように変化した場 Ｖｚ 合にも放電々流は１１ｃｉ−１１ｃｔ −Ｔの一定値を
とる。
が曲線７から曲線９のように変化した場 Ｖｚ 合にも放電々流は１１ｃｉ−１１ｃｔ −Ｔの一定値を
とる。
したがってとり出せるイオン流の安定度も良くなる。
以上はホローカソードイオン源に本発明を適用した場合
に一ついて述べたが、デュオプラズマトロンにも適用で
きることは明らかである。
に一ついて述べたが、デュオプラズマトロンにも適用で
きることは明らかである。
第１図はホローカソードイオン源の概略構成図、第２図
は放電特性を示す線図、第３図はガス圧が変化したとき
の放電特性の変化を示す線図、第４図は本発明の１実施
例を示す概略構成図、第５図は電流制限回路の特性を示
す線図、第６図は本発明による電源を用いた場合の動作
特性を説明する線図である。 図において、１：陰極、２：陽極、３：イオン引出し電
極、４：電圧■１の電圧源、５：抵抗値Ｒの抵抗器、６
：電圧■２の電圧源、１０：電流制限回路、１１：ツェ
ナダイオード（ツェナ電圧はＶｚ）、１２：トランジス
タ、１３：抵抗器（抵抗値はＲＢ）である。
は放電特性を示す線図、第３図はガス圧が変化したとき
の放電特性の変化を示す線図、第４図は本発明の１実施
例を示す概略構成図、第５図は電流制限回路の特性を示
す線図、第６図は本発明による電源を用いた場合の動作
特性を説明する線図である。 図において、１：陰極、２：陽極、３：イオン引出し電
極、４：電圧■１の電圧源、５：抵抗値Ｒの抵抗器、６
：電圧■２の電圧源、１０：電流制限回路、１１：ツェ
ナダイオード（ツェナ電圧はＶｚ）、１２：トランジス
タ、１３：抵抗器（抵抗値はＲＢ）である。
Claims (1)
- １ 放電用電極間に電圧を印加するための電圧源と直列
に抵抗器を挿入し、かつ該抵抗器に流れる電流を所定値
以下に制限するためのトランジスタとツェナダイオード
を用いて構成された電流制限回路を付設してなることを
特徴とする放電形イオン源用電源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP588374A JPS59942B2 (ja) | 1974-01-11 | 1974-01-11 | ホウデンガタイオンゲンヨウデンゲン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP588374A JPS59942B2 (ja) | 1974-01-11 | 1974-01-11 | ホウデンガタイオンゲンヨウデンゲン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50100498A JPS50100498A (ja) | 1975-08-09 |
| JPS59942B2 true JPS59942B2 (ja) | 1984-01-09 |
Family
ID=11623288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP588374A Expired JPS59942B2 (ja) | 1974-01-11 | 1974-01-11 | ホウデンガタイオンゲンヨウデンゲン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59942B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021095847A1 (ja) | 2019-11-14 | 2021-05-20 | 国立大学法人広島大学 | 抗原特異的受容体遺伝子を環状ｄｎａを用いてｔ細胞ゲノムに導入する方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2564404B2 (ja) * | 1989-09-20 | 1996-12-18 | 株式会社日立製作所 | 質量分析方法 |
-
1974
- 1974-01-11 JP JP588374A patent/JPS59942B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021095847A1 (ja) | 2019-11-14 | 2021-05-20 | 国立大学法人広島大学 | 抗原特異的受容体遺伝子を環状ｄｎａを用いてｔ細胞ゲノムに導入する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50100498A (ja) | 1975-08-09 |
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