JPS59929B2 - proximity switch circuit - Google Patents

proximity switch circuit

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JPS59929B2
JPS59929B2 JP9013678A JP9013678A JPS59929B2 JP S59929 B2 JPS59929 B2 JP S59929B2 JP 9013678 A JP9013678 A JP 9013678A JP 9013678 A JP9013678 A JP 9013678A JP S59929 B2 JPS59929 B2 JP S59929B2
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建治 上田
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Omron Tateisi Electronics Co
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は近接スイッチ回路に関する。[Detailed description of the invention] This invention relates to proximity switch circuits.

交流電流を流した検出コイルに金属体が接近するとその
金属体にうず電流が発生し、検出コイルのインダクタン
スが低下し、損失抵抗が増大する。
When a metal object approaches a detection coil through which an alternating current is passed, an eddy current is generated in the metal object, reducing the inductance of the detection coil and increasing loss resistance.

近接スイッチ回路はこの原理を利用するものである。Proximity switch circuits utilize this principle.

LO発振回路のインダクタンスの一部を検出コイルで形
成し、検出コイルのインダクタンスや損失抵抗の変化に
応じてその発振回路や発振開始させたり、または発振停
止させてその金属体を検出する。
A part of the inductance of the LO oscillation circuit is formed by a detection coil, and the oscillation circuit or oscillation is started or stopped according to changes in the inductance or loss resistance of the detection coil, and the metal body is detected.

この種の近接スイッチ回路は従来ディスクリートの素子
を用いて構成していた。
This type of proximity switch circuit has conventionally been constructed using discrete elements.

そのため、できるかぎり部品点数の少ない発振回路を用
い、小型化を図るようにしていた。
Therefore, attempts have been made to use oscillation circuits with as few parts as possible to reduce the size.

例えばバートレイ発振回路やコルピッツ発振回路を用い
ていた。
For example, Bartley oscillation circuits and Colpitts oscillation circuits were used.

ところで、最近では近接スイッチ回路において一層の小
型化が要求され、また価格の面から配線作業の簡易なも
のが要求されてきている。
Incidentally, in recent years, there has been a demand for further miniaturization of proximity switch circuits, and there has also been a demand for simpler wiring work from the viewpoint of cost.

そのため、近接スイッチ回路のIC化が要望されている
Therefore, there is a demand for a proximity switch circuit to be integrated into an IC.

この場合、ディスクリート素子で構成する場合と同様に
、バートレイ発振回路やコルピッツ発振回路を採用する
ことも考えられるが、 ■ 発振回路の性能が1個のトランジスタに依存するた
めばらつきが大きくなる ■ 検出コイルが3端子になったり(バートレイ発振回
路)、発振用コンデンサが2個になったりして(コルピ
ッツ発振回路)、外部配線が複雑になる という問題が生じる。
In this case, it is possible to use a Bartley oscillation circuit or a Colpitts oscillation circuit, as in the case of configuring it with discrete elements, but ■ The performance of the oscillation circuit depends on a single transistor, so there will be large variations ■ Detection coil The problem arises that the external wiring becomes complicated because the oscillation capacitor becomes three terminals (Bartley oscillation circuit) or two oscillation capacitors (Colpitts oscillation circuit).

IC化による利点は複雑な回路を難なく実現できること
であるから、部品点数を削減するためにわざわざ性能を
おとす必要はない。
The advantage of using ICs is that complex circuits can be easily realized, so there is no need to sacrifice performance in order to reduce the number of parts.

近接スイッチ回路では、発振回路の発振周波数が大きな
こと、発振回路を発振限界に近い状態に保つこと、すな
わち、発振回路を構成する増幅回路の特性、例えば増幅
率や帰還率を安定化させて、検出コイルの特性の変化に
応じて確実に発振開始または発振停止させることが大切
である。
In a proximity switch circuit, the oscillation frequency of the oscillation circuit is high, and the oscillation circuit is kept close to its oscillation limit. In other words, the characteristics of the amplifier circuit that makes up the oscillation circuit, such as the amplification factor and feedback factor, are stabilized. It is important to reliably start or stop oscillation in response to changes in the characteristics of the detection coil.

また、発振回路が機能的に単純であることが大切である
It is also important that the oscillation circuit be functionally simple.

例えば、1個のLC共振回路のみを用いること。For example, using only one LC resonant circuit.

この共振回路で発振周波数を設定できること。The oscillation frequency can be set using this resonant circuit.

すなわち、単に共振回路を変えるだけで種々の近接スイ
ッチ回路を構成できる(汎用性がある)こと。
In other words, it is possible to configure various proximity switch circuits by simply changing the resonant circuit (it is versatile).

検出コイルのインダクタンスや損失抵抗の変化のみに応
じて発振停止、開始すること。
Oscillation should be stopped and started only in response to changes in the inductance and loss resistance of the detection coil.

抵抗を変えて調整ができることなどである。It can be adjusted by changing the resistance.

IC化に際しては、構成が多少複雑になっても、上記要
請を満たし、より高品質の近接スイッチ回路を実現する
ことが大切である。
When integrated into an IC, it is important to satisfy the above requirements and realize a higher quality proximity switch circuit, even if the configuration becomes somewhat complicated.

また、IC化を図る際にはカップリングコンデンサの使
用が制限され、各回路が直結される。
Furthermore, when implementing an IC, the use of coupling capacitors is restricted and each circuit is directly connected.

したがって、発振回路の直流レベルの安定化が要望され
る。
Therefore, it is desired to stabilize the DC level of the oscillation circuit.

直流レベルの変動が誤動作や検出不能につながるからで
ある。
This is because fluctuations in the DC level may lead to malfunction or failure to detect.

この発明は、上記に鑑み、IC化に最適で、かつIC化
による種々の利点を最大限にひきだし、高品質化を図る
ことができ、共振回路がどのようなものでも応差(動作
距離と復帰距離との差)の調整が容易な近接スイッチ回
路を提供することを目的としている。
In view of the above, this invention is ideal for IC implementation, can maximize the various advantages of IC implementation, can achieve high quality, and can reduce hysteresis (operating distance and return distance) regardless of the resonant circuit. The object of the present invention is to provide a proximity switch circuit that allows easy adjustment of the distance difference.

以下、この発明の1実施例について説明する。One embodiment of this invention will be described below.

第1図において、IC回路1は増幅回路11、交流振幅
レベル検出回路12およびスイッチング回路13から構
成されている。
In FIG. 1, an IC circuit 1 includes an amplifier circuit 11, an AC amplitude level detection circuit 12, and a switching circuit 13.

このIC回路1に検出コイル21、コンデンサ22およ
び可変抵抗3が外付部品として取り付けられている。
A detection coil 21, a capacitor 22, and a variable resistor 3 are attached to this IC circuit 1 as external components.

増幅回路11はエミッタフォロワトランジスタ111.
113、ベース接地トランジスタ112、アッテネータ
用のトランジスタ114および基準電圧源115等から
構成されている。
The amplifier circuit 11 includes an emitter follower transistor 111.
113, a common base transistor 112, an attenuator transistor 114, a reference voltage source 115, and the like.

この増幅回路11では、入力段および出力段にエミッタ
フォロワトランジスタ111,113を用いているため
、高入力インピーダンス、低出力インピーダンスを実現
している。
This amplifier circuit 11 uses emitter follower transistors 111 and 113 in the input stage and the output stage, thereby achieving high input impedance and low output impedance.

増幅は主にベース接地トランジスタ112で行われ、そ
の増幅率は抵抗116の抵抗値と抵抗117の抵抗値と
の比で決定される。
Amplification is mainly performed by the common base transistor 112, and its amplification factor is determined by the ratio of the resistance value of the resistor 116 and the resistance value of the resistor 117.

IC回路では抵抗値のばらつきが30%(ベース拡散抵
抗の場合)と大きい反面、その比のばらつきが小さい。
In IC circuits, the variation in resistance value is as large as 30% (in the case of a base diffused resistor), but the variation in the ratio is small.

したがって安定した増幅利得を得ることができる。Therefore, stable amplification gain can be obtained.

レベル検出回路12はコンパレータ121、123およ
び積分回路122から構成されている。
The level detection circuit 12 includes comparators 121 and 123 and an integrating circuit 122.

増幅回路11からの出力(発振出力)がコンバレー々1
21で所定のレベルでスライスされ、さらに積分回路1
22で直流化される。
The output (oscillation output) from the amplifier circuit 11 is the converter 1
21, it is sliced at a predetermined level, and then the integration circuit 1
At 22, it is converted to direct current.

この直流信号をコンパレータ123でレベル弁別し、ス
イッチング回路13および前述のアッテネータ用のトラ
ンジスタ114のベースに送っている。
This DC signal is level-discriminated by a comparator 123 and sent to the switching circuit 13 and the base of the above-mentioned attenuator transistor 114.

スイッチング回路13の出力は出力端子02を介して外
部に送られる。
The output of the switching circuit 13 is sent to the outside via the output terminal 02.

なお、端子01は電源端子、端子03は共通端子である
Note that the terminal 01 is a power supply terminal, and the terminal 03 is a common terminal.

検出コイル21およびコンデンサ22は並列共振回路2
を形成している。
The detection coil 21 and the capacitor 22 are a parallel resonant circuit 2
is formed.

この共振回路2が入力端子04,05を介してトランジ
スタ112,111のベースに接続されている。
This resonant circuit 2 is connected to the bases of transistors 112 and 111 via input terminals 04 and 05.

可変抵抗3の一端は帰還端子06に接続され、他端は入
力端子05に接続されている。
One end of the variable resistor 3 is connected to the feedback terminal 06, and the other end is connected to the input terminal 05.

このように接続された共振回路2および抵抗3と、増幅
回路11とによって第2図に等測的に示すような発振回
路が構成される。
The resonant circuit 2 and resistor 3 connected in this way, and the amplifier circuit 11 constitute an oscillation circuit as shown isometrically in FIG.

この発振回路の発振周波数は共振回路2の共振周波数に
ほぼ等しい。
The oscillation frequency of this oscillation circuit is approximately equal to the resonant frequency of the resonant circuit 2.

したがって、検出コイル21を変えることによって発振
周波数を変えることができる。
Therefore, by changing the detection coil 21, the oscillation frequency can be changed.

なお、ベース接地トランジスタ112は高周波特性が良
いから、高周波発振を難なく実現できる。
Note that since the common base transistor 112 has good high frequency characteristics, high frequency oscillation can be easily realized.

また、増幅回路11の増幅率をA1共振回路2の共振点
インピーダンスをZo、そして可変抵抗3の抵抗O 値をRpとすると、帰還率βはZo+Rpとなり、発振
開始条件は となる。
Further, when the amplification factor of the amplifier circuit 11 is A1, the resonance point impedance of the resonant circuit 2 is Zo, and the resistance O value of the variable resistor 3 is Rp, the feedback factor β is Zo+Rp, and the oscillation start condition is as follows.

したがって、可変抵抗3によって調整を行うことができ
る。
Therefore, adjustment can be performed using the variable resistor 3.

また、前述したように増幅回路11は高入力インピーダ
ンス、低出力インピーダンスである。
Further, as described above, the amplifier circuit 11 has high input impedance and low output impedance.

高入力インピーダンスであるから、共振回路2の共振点
インピーダンスが低下することがない。
Since the input impedance is high, the resonance point impedance of the resonance circuit 2 does not decrease.

また、低出力インピーダンスであるから、接続される負
荷の影響で出力がふらつくことがない。
Also, since the output impedance is low, the output will not fluctuate due to the influence of the connected load.

したがって、安定した帰還率を実現することができる。Therefore, a stable feedback rate can be achieved.

さらに、この発振回路ではトランジスタ111゜112
のベースを検出コイル21で直流的に直結している。
Furthermore, in this oscillation circuit, transistors 111°112
The base of the sensor is directly connected to the detection coil 21 in a direct current manner.

そのため、トランジスタ111のベースミ位がトランジ
スタ112のベース電位に対して直流的にパラレルに変
動する。
Therefore, the base potential of the transistor 111 fluctuates in parallel to the base potential of the transistor 112 in a DC manner.

したがって、たとえ基準電圧源(例えば抵抗分圧回路と
定電圧素子とから成る)115の電圧が変化しても発振
回路の直流レベルは安定している。
Therefore, even if the voltage of the reference voltage source 115 (comprised of a resistive voltage divider circuit and a constant voltage element, for example) changes, the DC level of the oscillation circuit remains stable.

これはつぎの理由による。This is due to the following reason.

たとえば基準電圧源115の電圧が少し上昇したとすれ
ば、トランジスタ112のコレクタ電位は低下し、トラ
ンジスタ113のエミッタ電位が低下する。
For example, if the voltage of the reference voltage source 115 increases slightly, the collector potential of the transistor 112 decreases, and the emitter potential of the transistor 113 decreases.

この変化は抵抗119および可変抵抗3を通ってトラン
ジスタ111のベースに帰還されるが、トランジスタ1
11のベースとトランジスタ112のベースは検出コイ
ル21で直流的に結合されているので結果的に基準電圧
源115へ負帰還されることになるからである。
This change is fed back to the base of transistor 111 through resistor 119 and variable resistor 3, but transistor 1
This is because the base of transistor 11 and the base of transistor 112 are DC-coupled through detection coil 21, and as a result negative feedback is provided to reference voltage source 115.

また、この回路では、アッテネータ用のトランジスタ1
14を設けているため、近接スイッチ回路のオン(また
はオフ)に対応する金属体の接近位置(動作距離)と、
オフ(またはオン)に対応する金属体の離間位置(復帰
距離)との間に適当な差(この動作距離と復帰距離との
差を応差という)を設定することができる。
Also, in this circuit, the attenuator transistor 1
14, the approach position (operating distance) of the metal body corresponding to the on (or off) of the proximity switch circuit,
An appropriate difference (the difference between the operating distance and the return distance is called hysteresis) can be set between the separated position (return distance) of the metal body corresponding to the off (or on) state.

すなわち、金属体が離間していて、検出コイル21の共
振点インピーダンスが大きいときには、発振回路の発振
出力が大きく、レベル検出器12の出力が”L”となっ
ている。
That is, when the metal bodies are spaced apart and the resonance point impedance of the detection coil 21 is large, the oscillation output of the oscillation circuit is large and the output of the level detector 12 is "L".

したがって、トランジスタ114がオフであり、増幅回
路11の増幅率がAとなっている。
Therefore, the transistor 114 is off, and the amplification factor of the amplifier circuit 11 is A.

他方、金属体が接近して一旦レベル検出回路12の出力
が”H”となると、トランジスタ114がオンして、増
幅回路11の増幅率がA−△Aになる。
On the other hand, once the metal object approaches and the output of the level detection circuit 12 becomes "H", the transistor 114 is turned on and the amplification factor of the amplifier circuit 11 becomes A-ΔA.

したがって、そののち金属体が離間していく場合には共
振点インピーダンスに△Zoのヒステリシスが生じたこ
とになる。
Therefore, if the metal bodies move apart after that, a hysteresis of ΔZo will occur in the resonance point impedance.

この△Zoは前記発振条件の式より で与えられる。This △Zo is calculated from the above oscillation condition formula. is given by

ここでA>>△A−1とすることにより とすることができる。Here, by setting A>>△A-1 It can be done.

すなわち、どのような共振点インピーダンスZoの共振
回路2に対しても△A/Aに等しい一定のヒステリシス
の比△Zo/Z。
That is, a constant hysteresis ratio ΔZo/Z equal to ΔA/A for the resonant circuit 2 of any resonance point impedance Zo.

を得ることができる。can be obtained.

それゆえ、どのようなタイプ(共振回路2をかえて高感
度型としたり低感度型としたりしたもの等)の近接スイ
ッチとして構成する場合でも△A/Aに等しい此の応差
MD(動作距離と復帰距離の差)が得られ、共振回路2
に応じて調整を行う必要がなくなる。
Therefore, no matter what type of proximity switch (such as a high-sensitivity type or a low-sensitivity type resonant circuit 2), this hysteresis MD (operating distance and difference in return distance) is obtained, and resonant circuit 2
There is no need to make adjustments accordingly.

また、特に応差MDの調整を行いたい場合には△A/A
を変えるたけでこの調整を行うことができる。
In addition, if you particularly want to adjust the hysteresis MD, use △A/A.
This adjustment can be made by simply changing .

このように、共振点インピーダンスにヒステリシスを設
けているため、外部の雑音や回路素子定数のわずかなド
リフトによって、発振したり、停止したりすることがな
い。
In this way, since hysteresis is provided in the resonance point impedance, the device will not oscillate or stop due to external noise or a slight drift in the circuit element constants.

なお、この発明は上記1実施例のみに限定されるもので
はない。
Note that the present invention is not limited to the above-mentioned one embodiment.

例えば、第3図に示すように、共振回路4を構成する検
出コイル41のほかに、可変抵抗5に直列接続された検
出コイル6を設ける。
For example, as shown in FIG. 3, in addition to the detection coil 41 constituting the resonance circuit 4, a detection coil 6 connected in series to a variable resistor 5 is provided.

そして、この検出コイル41,6を第4図に示すような
溝形ヘッド7の両脚部71.72にそれぞれ収納するよ
うにしてもよい。
The detection coils 41 and 6 may be housed in the legs 71 and 72 of the groove-shaped head 7, respectively, as shown in FIG.

こうすれば、金属体が脚部71.72間を通過する際検
出コイル41,6間の相互インダクタンスが変化し、こ
の金属体を検出することができる。
In this way, when the metal object passes between the legs 71 and 72, the mutual inductance between the detection coils 41 and 6 changes, making it possible to detect this metal object.

この場合、アルミニウム等の非磁性体も容易に検出する
ことができる。
In this case, non-magnetic materials such as aluminum can also be easily detected.

以上のようにこの発明による近接スイッチ回路は、第1
入力端子05にそのベースを接続する第1のエミッタフ
ォロワトランジスタ111と、第2入力端子04および
基準電圧源115にそのベースを接続するベース接地ト
ランジスタ112と、前記両トランジスタ111,11
2のエミッタを接続する共通エミッタ抵抗116と、前
記ベース接地トランジスタ112のコレクタにそのベー
スを接続する第2のエミッタフォロワトランジスタ11
3と、直列接続される複数個の抵抗119゜120を介
して前記第2のエミッタフォロワトランジスタ113の
エミッタにそのコレクタを接続するアッテネータ用トラ
ンジスタ114とから成る増幅回路11および前記複数
個の抵抗119゜120の接続点より取出した出力に応
じて前記アッテネータ用トランジスタ114を開閉する
回路12を含んでIC回路1を形成し、かつ前記第1入
力端子05、第2入力端子04間にコンデンサ22およ
び検出コイル21の並列回路から成る共振回路2を接続
し、さらに、前記第1入力端子05に前記複数個の抵抗
119,120の接続点に接続された帰還端子06に現
われる出力を抵抗3を介して帰還し前記増幅回路11を
発振させ、かつこの発振振幅に応じて前記アッテネータ
用トランジスタ114を開閉することにより前記増幅回
路11の増幅率を変えることを特徴とする。
As described above, the proximity switch circuit according to the present invention has the first
a first emitter follower transistor 111 whose base is connected to the input terminal 05; a common base transistor 112 whose base is connected to the second input terminal 04 and the reference voltage source 115; and both transistors 111, 11.
a common emitter resistor 116 connecting the emitters of the two emitters, and a second emitter follower transistor 11 connecting its base to the collector of the common base transistor 112.
3 and an attenuator transistor 114 whose collector is connected to the emitter of the second emitter follower transistor 113 via a plurality of series-connected resistors 119 and 120; and the plurality of resistors 119. The IC circuit 1 includes a circuit 12 that opens and closes the attenuator transistor 114 according to the output taken out from the connection point 120, and a capacitor 22 and a capacitor 22 are connected between the first input terminal 05 and the second input terminal 04. A resonant circuit 2 consisting of a parallel circuit of a detection coil 21 is connected, and an output appearing at a feedback terminal 06 connected to the connection point of the plurality of resistors 119 and 120 is connected to the first input terminal 05 via a resistor 3. The amplification factor of the amplification circuit 11 is changed by feeding back and causing the amplification circuit 11 to oscillate, and opening and closing the attenuator transistor 114 according to the oscillation amplitude.

したがって、共振回路2をかえて高感度型としたり低感
度型としたりする等どのようタイプの近接スイッチ回路
として構成する場合でも、アッテネータ用トランジスタ
114のオン、オフに応じた増幅率の変化に等しい比の
応差が得られ、応差が同じならば共振回路2に応じて調
整を行なう必要がなくなる。
Therefore, no matter what type of proximity switch circuit is configured, such as changing the resonant circuit 2 to a high-sensitivity type or a low-sensitivity type, the change in amplification factor is equal to the change in the amplification factor depending on whether the attenuator transistor 114 is turned on or off. A ratio of the hysteresis can be obtained, and if the hysteresis is the same, there is no need to make adjustments according to the resonance circuit 2.

そして、特に応差の調整を行ないたい場合にはアッテネ
ータ用トランジスタ114のオンの時とオフの時との増
幅率の比を変えるだけでよいので調整が簡単である。
Further, especially when it is desired to adjust the hysteresis, the adjustment is simple because it is only necessary to change the ratio of the amplification factor between when the attenuator transistor 114 is on and when it is off.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の1実施例を示す回路図、第2図は第
1図を説明するためのブロック図、第3図は変形例を示
す回路図、第4図は第3図を説明するための斜視図であ
る。 1・・・・・・IC回路、11・・・・・・増幅回路、
12・・・・・・交流振幅レベル検出回路、13・・・
・・・スイッチング回路、2,4・・・・・・共振回路
、21,41,6・・・・・・検出コイル、22,42
・・・・・・コンデンサ、3,5・・・・・・可変抵抗
、7・・・・・・溝形ヘッド。
Fig. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a block diagram for explaining Fig. 1, Fig. 3 is a circuit diagram showing a modified example, and Fig. 4 is an explanation of Fig. 3. FIG. 1...IC circuit, 11...amplifier circuit,
12... AC amplitude level detection circuit, 13...
... Switching circuit, 2, 4 ... Resonance circuit, 21, 41, 6 ... Detection coil, 22, 42
... Capacitor, 3, 5 ... Variable resistor, 7 ... Groove head.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 第1入力端子にそのベースを接続する第1のエミッ
タフォロワトランジスタと、第2入力端子および基準電
圧源にそのベースを接続するベース接地トランジスタと
、前記両トランジスタのエミッタを接続する共通エミッ
タ抵抗と、前記ベース接地トランジスタのコレクタにそ
のベースを接続する第2のエミッタフォロワトランジス
タと、直列接続される複数個の抵抗を介して前記第2の
エミッタフォロワトランジスタのエミッタにそのコレク
タを接続するアッテネータ用トランジスタとから成る増
幅回路および前記複数個の抵抗の接続点より取出した出
力に応じて前記アッテネータ用トランジスタを開閉する
回路を含んでIC回路を形成し、かつ前記第1、第2入
力端子間にコンデンサおよび検出コイルの並列回路から
成る共振回路を接続し、さらに、前記第1入力端子に前
記複数個の抵抗の接続点に接続された帰還端子に現われ
る出力を抵抗を介して帰還し前記増幅回路を発振させ、
かつこの発振振幅に応じて前記アッテネータ用トランジ
スタを開閉することにより前記増幅回路の増幅率を変え
ることを特徴とする近接スイッチ回路。
1 a first emitter follower transistor having its base connected to a first input terminal; a common base transistor having its base connected to a second input terminal and a reference voltage source; and a common emitter resistor connecting the emitters of both said transistors. , a second emitter follower transistor whose base is connected to the collector of the common base transistor; and an attenuator transistor whose collector is connected to the emitter of the second emitter follower transistor via a plurality of resistors connected in series. and a circuit that opens and closes the attenuator transistor according to the output taken out from the connection point of the plurality of resistors, and a capacitor between the first and second input terminals. A resonant circuit consisting of a parallel circuit of a detection coil and a detection coil is connected, and an output appearing at a feedback terminal connected to a connection point of the plurality of resistors is fed back to the first input terminal via a resistor to operate the amplifier circuit. oscillate,
A proximity switch circuit characterized in that the amplification factor of the amplifier circuit is changed by opening and closing the attenuator transistor according to the oscillation amplitude.
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JPH0719947B2 (en) * 1988-06-28 1995-03-06 松下電器産業株式会社 Metal pattern manufacturing method and metal wiring manufacturing method using the same

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