JPS59808B2 - 改良された液晶マトリックス - Google Patents

改良された液晶マトリックス

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JPS59808B2
JPS59808B2 JP55166493A JP16649380A JPS59808B2 JP S59808 B2 JPS59808 B2 JP S59808B2 JP 55166493 A JP55166493 A JP 55166493A JP 16649380 A JP16649380 A JP 16649380A JP S59808 B2 JPS59808 B2 JP S59808B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、入出力多重モード単一素線(ストラ0 ント
)ファイバの光学的ガイド間に複数の偏光されない又は
偏光された光学的信号を切換えるための改良された光電
作用装置に関し、特に大規模集積化された多重スイッチ
列の構成に使用可能な電界効果液晶組成を用いる漸新な
光電作用スイッチ5素子に関する。
当技術において最もよく知られるものは、LiNb03
又はLiTa03の如き光電作用物質を用’)る光学ス
イッチである。
マトリックス形態の電界切換え素子の構成においていく
らかの成功が収0 められたが、このような固体の結晶
物質を使用した場合は厳しい制約が課される。一般に、
入手可能なLiNb03又はLiTa03のサイズは著
しく制約され、大きな経費をかけることなくこのサイズ
の制約を克服する明確な機会はなかつた。他の公5 知
の固体の電子光学物質は大きな光電作用的係数および他
の適当な性状をもたない。このように配列基板サイズが
制約されると、このような物質で構成されるマトリック
ス・スイッチにおいて使用できるスイッチ素子数は厳し
く制限される。0−方、単位光学スイッチにネマチツク
(糸状)液晶物質を使用することも提起されているが、
一般には提起された単一スイッチ形態では単純な多重光
学スイッチ・マトリックスにおいて組合せるためには特
に有効ではない固有の幾何学的性状又5 は他の性状を
有する。
例えば、「応用光学」誌の1974年8月号第8号第1
3巻の1802頁から始まるG−Labrunieおよ
びS−Valetteの学術論文「ネマテイツク結晶の
ディジタル光デテクタ]に記載される単位スイツチに基
ずく液晶スイツチング・マトリツクスは重大な欠点を呈
することになる。前記のLabrunie等の論文は同
じモジユラ一素子からなる光学スイツチのハニカム・マ
トリツクス形態を示唆するが、これは非常に高価であり
、又、高度の光学的平面度を達成するためのみならず有
効面間の角度が全て正確に等しく空隙がないことを確保
するため単位スィツチの全ての隣接面が高い光学的情度
で正確に研摩されねばならないため他との競争性に疑問
がある。このような精度を逸すれぱ、光学的損失が大き
くなり、散乱光が著しく増加し、その結果マトリツクス
の効率が一般に低下することになる。この想像上のハニ
カム・タイプ即ち構成の大きな短所により各単位スイツ
チ・モジユールに対して1つの有効スイツチング域しか
もたらさず、従つてこのような厳密にモジユール的な試
みは少くとも第2の観点から不経済であることは明らか
である。事実、六角形状の単位セルの厳密なモジユール
性を維持すると云う理念は前述の諸問題の根拠となるよ
うに思われる。それにも拘わらず、液晶物質は比較的小
さな電界強度での電界の緩やかな変動のみに対する大き
な光の屈折率の変化を特徴とし、広く文献において、例
えば、SIerry社に譲渡された1978年10月2
日出願のD−H−McMallOnおよびR−A−SO
refの米国特許出願第947983号[液晶によるス
イツチング・カプラー・マトリツクス」において論述さ
れるような他の重大な長所を有する。従来技術の欠陥に
ついては、Sperry社に譲渡された1979年2月
21日出願のR.A.SOrefの米国特許出願第13
095号「液晶スイツチング・マトリツクス」において
更に論述されている。
このSOrefの発明は、多重モード単一素線形の規準
用フアイバ出力光ガイド間の複数の光学的信号を選択的
に切換えるための漸新な光電作用的マトリツクス・スイ
ツチを構成する。スイツチング動作は、正又は負の異方
性液晶媒体の選択的な電界の付勢により行われる。この
多重スイツチ構造の形態は、モジュラ一と非モジュラ一
の間の混成形態と見做すことができ、発明のある態様に
おいてぱ、数組の同様な梯形のプリズム・ガラス部を経
済的に使用しこのガラスのプリズム間には薄手の平坦な
液晶層セルが形成され、複数の光電作用領域を含むこと
ができる。全体の形態はある程度の幾何学的対称性を呈
し得る。このプリズムと液晶層の組合せは、例えば、3
つの出力の内の選択されたものに対する3つの入力から
の光信号と直接的に協働するが、プリズムのあるものは
好ましくない散乱光を除去するための光吸収体と協働す
る。本発明は、入出力多重モード隼一素線の光波ガイド
匍で露光されないあるいは露光された光信号を切換える
ための改良された光電作用素子に関し、単位スィッチは
電界効果液晶組成を用い大規模集積化多重スィッチ列構
造に使用可能である。スィツチング動作頃複数の協働す
るミラーと透明な電極システムを支持するプリズム形の
ガラス素子間に層状に閉じ込められた液晶媒体の選択的
な電界の付勢によつて行われる。スイツチング動作は、
従来技術の欠点を克服する方法で、人射光の偏光とは有
効に独立して作用を生じる装置が設けられる装置におい
て行われる。本発明のいくつかの態様頃 ミラーと透明
な作用電極間に形成された光学的な作用域の選択的な措
置と協働関係にある選択された液晶物質が各液晶層にお
いて唯一のタイプの液晶物質を使用することを可能にし
て、内部の分離バリアと、液体を液晶物買から分離する
如きバリアを使用する液晶動作しない屈折率整合液の必
要を除くために更に有利である。本発明は、比較的大き
な配列に任意に拡張することを容易に許容する形態にお
いて、挿入損失が少く、漏話が少く、匍脚電圧か低く、
簡単なメ、出力光学フアィバ結合素子を用いて非偏光又
は偏光のマトリックス・スィツチング動作を提供する。
各部品の製造および製品の組立てが経済的になるように
類似する部品の組を使用する。例えば、非常に高品質の
光学的研摩に対する高価な条件は著しく緩和されている
。本構造中には空隙および運動部分がなく漂遊光が最小
限に抑えられる。スイツチ・マトリツクスぱ吐電圧、低
電流のトランジスタ回路により駆動でき、電気的な切換
を行う電源が故障する時でも最大光伝達作用が存続する
ため故障に対して安全である。このスイツチ・マトリツ
クスは作用において両方向囲かつ非収差性を有する。ガ
ラス構造部が組立てられた後でも入出力ファイバおよび
吸収体に対して種々の位置が選択できるため、このスイ
ツチング・マトリツクスは対応性が大きい。
選択されるフアィバ結合システムに従つて、種々の固定
された光学部品に対し多重モード・ファイバを容易に再
配置でき、フアイバの光は便宜に規準化されあるいは規
準整正を行わない。フアィバ位置又はプリズム位置につ
いて厳密な調整はなく、又便利なことにはフアイバは直
角入射地点で直接突合せ結合される。人射角θ、従つて
プリズム角θ の選定はそれ程厳密ではない。p本発明
は特に多重モード光信号システムにおける使用に適合可
能であり、このためこのようなシステムの望ましい特性
の故に有利である。
かつては光フアイバ束体および単一モードの集積化され
た光学技術と大きく関連していたガイド方式の光データ
通信法における経験が今日、介在する試みである多重モ
ードの単一フアィバ技術が多様な通信上の諸問題に、特
に中間的な帯域内および中程度の距離の場合に最も成功
裡に応用できると云う確信に導いた。受容インターコネ
クタの製作は簡単であり、フアイバ束体の比質量偏差損
失特性は除去される。かなりのエネルギを使用可能な多
重モード単一フアィバ・ガイドへ容易に結合することが
可能な簡単な光源が存在し、このような単一フアイバ・
ガイドの光の流れを検出するのに十分な光検出装置も又
入手可能である。本発明の一体形の多重モード・スイツ
チは、前掲の米国特許出願第13095号において論述
されたものと同様に、高い屈折率のガラスから作られた
協働する対をなす透明体間に配置される際のネマティツ
ク媒体の整合された液晶の薄い平膜の電界スイツチング
特性を用いるものである。
前記ガラス体即ちプリズム1と5(第1図)の光学的屈
折率Ng哄前記の薄い液晶膜4の常態の屈折率N。より
も大きくなるように選択される。値Ngは、膜4の液晶
媒体の異常時の屈折率N。と等しいか、僅かに小さいか
、あるいはこれより大きい。液晶膜4との界面における
ガラスのプリズム体1,5の対向する平担な研摩面は、
通常の方法で200乃至300人の厚さに調製されたイ
ンジュームースズ酸化物であることが望ましいそれぞれ
対向させた透明の薄手のスパツタリングで付着された導
電性層2,3を設けることができる。このような液晶デ
イスプレィ・セル内の電極の形成のためクロームを含む
他の材料の薄膜も使用されて来た。電界がない場合に特
に正の異方性液晶吻質に対して望ましい方向に長い液晶
分子の均等均質の整列を強化するよう、電極膜2,3上
の100λのSiO又はMgF2の602の付着角で、
SiO又はMgF2の如き絶縁材料の露出面上に微細溝
(図示せず)を従来周知の方法で形成する。あるいは又
、少量の周知の界面活性剤即ち500λのCaF2膜を
用いて負性の液体中に等方性を得る。導通状態の電極2
,3に制御電岑を用いると、液晶媒体中の電界の存在す
る効果として、膜2,3の表面における無視し利る少量
の分子を除き、大部分の液晶の長軸を再整列させる。こ
の分子の再配向により、液晶膜は典型的な光線即ち光線
6の光に対して別の屈折率を有する。基本的には、電極
2における鋭角θで人射する規準整正された光線6は、
前記のSOrefの特許出願中の制御信号Vによつて光
線6aとして反射させられるか、あるいは光線6bとし
て液晶膜4中を横断させられる。
入射光線6の全内部反射のための臨界角θ。は比NLO
/N8により支配され、与えられた電界Vと偏光〔又は
E′の相方に依存する。もし入射角θがθ。より大きけ
れば(0の時)、入射光線は光線6aとして反射され、
もしそうでなければ入射光線は液晶膜4を透過して光線
6bとしてガラス・シート5から出る。膜2,3,4の
厚さがそれぞれ非常に小さいため、射出光6bの実際の
錯行量も又非常に小さい。第1図の従来技術のSOre
fの装置の作用は、更に、選定された液晶材料即ち組成
の性質に依存し、特に正と負の誘電異方性のどちらを呈
するかに依存する。正の誘電異方向を有する材料におい
ては、ネマティック流体分子の長軸に一般に自らを与え
た電界に従って整列する。一方、負の誘電異方性を有す
る材料においては、前記長軸の殆んどは;般ビ蹴界ベク
トルに対して直角方向に自らを配向しようとする。第2
A図および第2B図1ζ従来のSOrefの装置はおい
て使用された如き2つのタイプの分子の長軸の望ましい
配向を示す。
特に、第2A図は、正の誘電異方性(E′−E±〉0)
を示す液晶分子の挙動を示す。こXで、液晶分子の長軸
の整列の状態は均一であつて、電界が零であるか、ある
いは更に順当に閾値電圧Vtよりも低い時、OFFの状
態でy方向の電極2,3の面と平行となる。vの値をt
より十分に大きくすると、ONの状態を生じて液晶分子
の長軸に電極2,3に対して直角方向に等方性状に整列
させられる。第2B図は、従来のSOrefの装置にお
ける負の誘電異方性(E′−E1〈0)を呈する液晶分
子の反対の挙動を示す。液晶の分子の長軸の整列状態は
異方性的であつて、電界が閾値1より般」・さい時OF
F状態のz方向に電極2,3の面に対して直角となる。
電圧Vを閾値電圧Vtより十分に高めると0N状態にな
つて、分子の長軸は、例えば5るの傾斜角で蒸着したC
aF,膜に応じた整列方向であるy方向に電極2,3の
面に対して平行状態で均一な整列状態を呈する。第1図
に関して、フアィバの入射光は通常は偏光されない光で
あり、直角成分即ち入射面のE′(磁気横波即ちTM波
モード)と入射面と直角のE1(電気横波即ちTE波モ
ード)に分解できることが判るであろう。
正の誘電異方性液の場合には、前記のTEとTMモード
波は共に、〈Vt(0FF状態の時)分子の長い光軸に
対して直角に偏光され、この両モードは液晶膜の常態の
屈折率N。に影響される。閾値電圧,よりも高い領域で
は、TMモード成分の伝播に影響を及ぼす液晶の屈折率
はN8に向って大きく立土るが、これはこのモードに対
する光の偏光がネマティツク光軸に対して略々平行とな
るためである。一方、TEモード成分はN。の影響を受
けた状態を維持するか、これはその偏光の状態がネマテ
イツク光軸に対して直角の状態を維持するためである。
負の誘電異方性の場合には、前記TMモードの光は低電
圧の状態の屈折率N。に影響されるが、TMモードの光
は屈折率N。の影響を受ける。従って、0N状態の比較
的高い電圧に対しては、屈折率は両方のモードに対しN
。となる。第1図は、鋭角θがθ。
よりも若干大きい場合、即ち、θ。−Arcsin(N
O/Ng)なる場合について描かれたものである。最良
の結果としてはNgとN。が等しくなるが、約2%のこ
の等しい状態から僅かなずれがDB挿人損失の極く一部
し力叶じないことが示されよう。又考慮すべきことは、
電極膜2,3における吸収および不完全に整列された液
晶膜4における散乱光からの透過損失であるか、この損
失Gシ」\さい。実際における反射度は十分に整列させ
られた液晶物質に対する実質的に理想的なものであり、
透過度は理想状態に近X.δ第1図の組立体のこれ等の
一般的な特性はその固有の特性から得られるもので、前
記のSOrefの米国特許出願第13095号その他に
おいて論述されている。文献および前記の米国特許出願
第13095号においては、当業者が有効であることを
発見した広範囲の液晶材料について存分に論議がなされ
ており、従つて本発明の実施は本文に述べたいくつかの
実施例に限定されるものではない。
例えば、湿気や他の通常の環境因子に対し鋭敏でない多
くのネマティツク液晶混合材料が現在市販されている。
更に、本発明における使用に十分に適合する屈折率を有
する多くの安定な液晶組成がある。適当な液体としては
、動的な散乱を強化するためドープされない混合液を含
む電界が生じる攪乱効果のない電界効果をもつ液体であ
る。適当な高屈折率のガラス・プリズムは、市販される
フリット・ガラス又は他の広く入手可能な関連する高屈
折率のガラスから容易に作ることができる。従来技術の
諸問題の性格 これ迄に述べた如き光電作用素子は、第1図の装置を示
す更に詳細な図である第3図から判るように、偏光感度
が非常に大きいことが明らかであろう。
第3図において、対称的な対向位置のフリット・ガラス
・プリズム1,5(nは約1,6)が活性状態の液晶材
料が容積4内に密閉されるように連続する周部の密閉シ
ール6によつて分離されている。インジュームースズ酸
化物がプリズム1,5の隣接面上に対向位置関係に蒸着
され、これ等の膜電極2,3は非常に薄く光学的に透明
であり、電気的に伝導性を有し、協働する電極対を形成
する。膜2,3及び液晶媒体の厚さは非常に薄く、又明
瞭にするため図中の寸法比率は自由に描かれていること
が判るであろう。例えば、電極2,3間の間隙は僅かに
5ミクロンである。フリットガラス・プリズム1,5間
の容積部4は、例えば、フエニールとビフエニール・シ
クロヘキサンからなり約10.3の正の誘電異方性と約
1.49の常態屈折率を有するEM研究所タイプ113
2として知られる如きネマテイック電界効果型液晶で充
填され、この材料は米国ニユーヨーク州エルムズフオー
ドのEM研究所の製品番号11878である。電極2,
3上にはSiO層(図示せず)がおかれて従来の方法に
より第2A図においてV<Vtとして示される如く電極
面に対し平行な液晶分子の電圧零の整列を生じる。屈折
率を表示したレンズ系8の如きレンズが、例えばプリズ
ム5と従来の多重モード・フアイバ光波ガイド10dと
の間を伝播する光に対する低損失形カプラーとして作用
する。このように、光線は常に容積部4内の活性状態の
液晶媒体を通過する際比較的良好に規準整正される。第
3図においては、液晶が正の誘電異方性を有して第2A
図に示す如く零電圧の状態で整合される時、左上のフア
イバ10aから人射角θの光線に沿つてプリズム1に入
り、又この光の入射面と平行に偏光される光は容積部4
内の液晶媒体によつて内部反射され射出フアイバの光波
ガイド10bを通る。
光波ガイド10aと10bは、ガイド10a,10b間
の結合損失が零電圧状態において最小となるためスィツ
チが故障安全装置として特徴化できるように主ゼータ・
バスとして便利に使用することができる。電圧(一般に
10乃至50ボルト)が約1ボルトの閾値電圧Vtより
十分に高い時、液晶分子は電極2,3に対して直角にな
るように第2A図における如く再整合される(〉t)。
光波ガイド10aに入る平行な偏光はこの時電極2,3
および液晶媒体中を透過して光波ガイド・フアイバ10
dから出る。これと同じ分子整合状態において、直角方
向に偏光させられ光波ガイド10aに入る光は内部反射
され、右上の光波ガイド10bから射出し続ける。この
ような作用状態は理想化されたもので、実際には、電極
2,3の表面と密接する境界層中におかれた分子を除き
、有限の電圧Vが液晶分子を電極2,3の表面に対して
略々直角に再整合する。電極面に対しては、電界によら
ず電極2,3と関連する表面層の特性によつて整合方向
が定められる。分子の完全な再整合を達成することが不
可能である結果の1つは、小さな有限量の平行に偏光さ
れた光(一般に約5%)が依然として光波ガイド10b
内へ反射されることである。更に、電極2,3自体はこ
れに入射する光の1乃至5%程度を吸収する。これ等全
ての要因の結果として、光波ガイド10aからスイツチ
に入る平行な偏光の約90%(全体の45%)がガイド
10dの人射部に達する。もし反射防止コーテイングに
より除去されなければ、フレネル反射損失により更に1
乃至2dBの光損失を生じ得る。多重モード・フアイバ
光波ガイド内の伝播においては、1つの面内に直接偏光
された光は迅速に偏光されない光へ変換される。従つて
、最も理想的な情況下でさえも第3図の従来技術の光ス
イツチがバス出力ガイド10bから局部の端末光波ガイ
ドポート10dへの偏光されない入射光線の50%以上
をスィツチ動作しないことが判るであろう。実際に使用
される光スィツチング動作の形態は屡々第3図の場合の
スイツチング装置を唯1個だけ使用するのではなく、斯
かる装置を複数個使用し、その場合その固有の問題が倍
増され得ることが判るであろう。
第3図のスイツチは、例えば、入射バス光ガイドを光デ
テクタへ、又射出バスガイドを光源へ接続するため使用
することができる。このような簡単な端末システムは、
全ての光線と全ての光デテクタ間で光が唯1つの方向、
例えば時計方向にのみ伝播するループ・データ・リンク
形態において使用可能である。第3図の素子は、両方の
偏光の取扱いは本質的に不可能である故に、コネクタ損
失の他に1つのリンクの2端末間の人出力結合損3dB
を更に生じる。従つて、第3図O裟置を更に付加してい
ずれか一方のバス方向に対して光を集めあるいは伝播す
るならば、更に3dBの損失因子が生じる。例えば、第
4図の形態頃 1本のフアィバ素線を用いる半2重バス
における端末としての第3図の1対の単位スイツチの付
加を示し、第1のスィツチング装置20は電極2,3の
端末17に対してある制御電圧(図示せず)が与えられ
る時第3図の装置と丁度同様に機能する。プリズム5の
フアイバ光ガイドポート10cはスィッチ21のプリズ
ム1の入射光規準レンズ23と接続され、スイツチング
装置20のポート10dはスイツチ21のプリズム5の
レンズ24と接続される。スイツチ21のプリズム1の
傾針面19は端末25を有する従来の光源27が備えら
れ、更に、スィツチ21のプリズム5の傾斜面18は端
末26を有する従来の光エネルギ検出装置22を支持す
る。第3図の電極と類似の電極がリード線23に与えら
れた電気信号によつて付勢される。第4図の構造におい
ては、第2のスイツチング装置が付加されて光を透過し
あるいは1つのバス方向(10aから10bへ、又はそ
の逆)から受取ることを可能にした。
前述の結合損失とG鰯1に、スイツチ21の付加により
、端末10aと27又は22(又は、10bと27又は
22)間の合計約10dBの入出力損失が生じる。両方
向からの送受能力は多能性をもたらすが、3dBのペナ
ルテイが必然的に生じる。基本発明 本発明は前述の従来技術の諸欠点を避け、入射光の偏光
状態とは無関係の方法で有効に機能する光スィツチング
構造を提供するものであることが理解されよう。
一層の液晶を使用し同じ人射角およびプリズム角θを用
いるが比較的長いプリズム31と37を必要とし、例え
ば延長した電極33と34を使用する2重経路構造で第
5図に示す如きものが得られる。延長されたプリズムお
よび電極は入射光線が2つの対称的に配置された場所4
0,41において角度θで電極33,34間に液晶層に
遮断されることを可能にし、各光線は対称的な場所42
,43におけるプリズムの外表面で反射される。第3図
における如く、第5図の断面にはバリア35のみが示さ
れ、プリズムと電極は、図を明瞭にする上での便宜とし
て断面を示さない。再び光線は32と38の如き屈折率
を表示したレンズの協働作用によつて規準整正を竹いあ
るいはこれを行わない。第3図および第4図における規
準装置の如く、第5図の装置32,38等は種々の形態
をとり得るが、望ましい装置は規準用又は非規準用のフ
アイバ光ガイド素子自体か従来の方法で関連するブリズ
ム面に対して固定されたプラグ即ち取付具内に挿入され
る構成である。擬似規準光を形成して集めることによつ
て、前記規準/非規準用素子はスィツチング列内での漏
話が比較的少くなると云う有利な効果を有する。このよ
うな装置は、KObayashi等の米国特許第389
4789号を含む文献に記載されている。選定されたレ
ンズは本発明において使用するための3つの特徴、即ち
、レンズの長さは無限大に於てフアイバのコア・ソース
を映像化するよう光ガイドのピツチの丁度%であり、レ
ンズの開口数はフアイバのコアの開口数よりも大きく、
レンズの外径はフアイバの被覆径より大きくなければな
らないと云う特徴を有することが望ましい。HOlym
anの米国特許第4119362号および[応用光学」
の1974年1月号の89頁のL.G.COhen等の
論文[光フアイバに対する接合形レーザー結合用のマイ
クロレンズ」掲載の構成も興昧深い。
米国マサチユーセツツ州バーリントン市ニユーイングラ
ンド・エグゼクテイブ・パーク3の日本板ガラス社から
商標[SelfOc」の下で例えばL−5.2mm−0
.25p、直径−2mm、N.A.−0.50の製品S
LWを指定することにより購人できる如き他の従来の装
置も使用できる。第5図においては、〈Vtなる状態が
第2A図の左側における如く電極と平行な軸に沿つて液
晶分子を保持するものとする。第5図においては、もし
V〉Vtならば、ポート30に人り平行面と直角面の両
方で偏光された成分を有する光は点40において分けら
れ、直角方向に偏光された部分は40で反射されるが、
平行方向に偏光された部分は電極33,34間の液晶層
内を透過させられる。このように、ポート30からの光
線【ζその偏光状態に応じて、液晶の光遮断点40,4
1間の各プリズム31,37のミラー面42又は43に
おいて内部反射する。第5図の構造に含まれる有利な点
は、この形態が唯一の液晶層を有し、この構造は前掲の
SOrefの米国特許出願第13095号において一般
的に論述される如き公知の技術を用いて容易に製造され
ることである。又、両方の液晶交叉点40と41に与え
られる電界がいかなる時点でも同じものであると仮定す
れば、点40から出て行く光線の偏光は、この交叉点4
0,41間のそれぞれ42と43で示す如き上下の両光
線の偏光状態を変化させるための素子を導入することに
よつて適当に操作することができる。所望の結果を達成
するための特定の機構を考慮するのではなく、第5図に
関して結果を考察しよう。
この目的のため、液晶分子はV−0に対して第2A図の
左側における如く電極33,34に平行に整合され、こ
の場合ガイド30に入る両端光成分1および′が交叉点
40,41で内部反射され、ガイド30に人る光は非規
準レンズ32およびその関連するフアィバ光ガイドを介
してのみ出なければならないものとする。同様に、ガイ
ド36に入る光はレンズ38から出なければならなX.
)電極33,34に対し直角の液晶分子の長軸を再整合
するに十分な電圧V〉V,が電極33,34へ与えられ
るならば、ネマテイツク層により平行な偏光光が透過さ
せられ、直角方向に偏光された光は反射される。従つて
、記号ノ、土で入射フアィバ30に示される如く偏光さ
れない(或るいは不規則に偏光された)光はその成分に
分解される。直角方向に偏光された成分士は40,42
および41において出力レンズ32へ反射されることに
なる。平行に偏光された成分′は液晶媒体を有するその
第1の遮光部40において出力レンズ32に向つて透過
させられる。次に、未だ定義しない各素子が反射点42
,43およびその付近において対称的に配置され、これ
等の素子は平行方向に偏光された光を直角方向に偏光さ
れた光へ、あるいはその反対に変換することが可能であ
るものとしよう。
このように、光線は第5図における右方に伝播するが、
プリズム31内の偏光状態は同図に示す如く平行状態に
変換され、プリズム37内の偏光状態は直角の状態に変
換される。このように、点42の付近からの平行な偏光
成分は点41における第2の液晶界面を透過させられる
が、直角方向に偏光された点43からの光は41で反射
され、両成分は出力レンズ38に達する。この正味の結
果は、光ガイド30によつて進入する偏光されない或い
は不規則に偏光された入射光の略々全てが規準レンズ3
8にぉいて反対側の出口から出、=Oの時はポート32
から光が出ることになる。ガイド36に入る光は又、偏
光の状態とは無関係にV〉V,なる時出力レンズ32か
らも出る。従つて、もし各偏光状態が液晶の交叉点40
,41間で変化されるならば、偏光状態と切離された効
率のよい液晶スィツチが形成される。偏光状態における
必要な変化を得るための一般的な一方法は、本発明によ
れば、第6A図乃至第6D図において全体的に示したよ
うな光の半波長板を意図的に使用することにより得るこ
とができるが、これ等の構成は簡略化のため光の経路を
示す矢印に沿つてプリズム31,37のみしか示さない
が第5図に示した構造と略々対応する。
第6A図、第6B図および第6C図においては、対をな
す各プリズム31と37は、光の半波長板を2つの協働
部分間に従来の透明な媒体を用いて挿入接着させて前記
2部分に形成される。第6A図においては、板50,5
1はこれを横切る光線の方向に半波長の厚みを有し、共
通の面内に位置する。第6A図の構造の面対称形態も又
使用可能である。第6B図においては、液晶層の面に対
して略々直角に各プリズム31,37内に有効半波長板
52,53を配置できる。この面対称形態もまた使用可
能である。第6c図の半波長板54,55は入射光線に
対して直角方向に配置し得るため、第6B図の直角方向
の配置には制約がない。更に簡単な、従つて本発明の望
ましい形態を第6D図に示すが、この場合には、協働す
るミラー57,59と共にこれらの地点に複屈折物質の
適正方向に向けられた薄い四分の一波長層56,58を
固定することによつて必要な偏光の変換が入射点42,
43において得られる。この構成は、プリズム31,3
7の内部に素子を内蔵すること内蔵が避けられるため明
らかに便利である。偏光状態の所望の変更は、第7図に
示す方法でプリズム31,37を変更することなく達成
し得る。同じ液晶の配向は液晶媒体の容積部内のいずれ
においても使用され、即ち、結晶の長千軸は一Oの状態
に対して第2A図の左側における如く層と平行である。
薄い複屈折板70は、入射点30に入射する光が交叉?
40に達する前の場所でプリズム31に固定され、透明
な電極71がここに固定される。電極71の反対側には
類似の電極が液晶媒体と接するプリズム37の面上に固
定される。半波長板70は、プリズム31,37の屈折
率および両方の光の偏光状態に対する液晶媒体の屈折率
と実質的に等しいかあるいはこれより大きな屈折率を有
する。交叉点41においては、透明な電極73がプリズ
ム31に固定され、半波長板75はプリズム37に固定
され、協働する透明な電極74もこれに取付けられる。
前記板75は板70が配置されるプリズム31と反対側
のプリズム37に配置される。ガイド30を介してプリ
ズム31に入る光の平行方向に偏光される成分は、半波
長板70において直角方向に偏光された光へ変換され、
従つて電極71,72の両端にある電圧が結合されるか
どうかによりネマティック物質により反射される。
この光の反射と同時に、半波長板70は点42に向う前
にこの光を再び平行方向に偏光された光に変換する。こ
の平行方向に偏向された成分は、もし液晶電極73,7
4が電圧V>V,で付勢されるならば第2の液晶の交叉
点41において出口38aに対して送られるが、もし液
晶材料が付勢されなければ出口32aに対して反射され
伐一方、入射ガイド30に入る直角方向に偏光される光
は、板70によつて平行方向に偏光される光に変換され
、もし電気的に付勢されなければネマテイツク層により
点42に向つて反射され、又もしネマテイツク層の両端
に電界が存在すれば点43に向つて送られる。更に、平
行方向に偏光された光が第1の液晶界面40において透
過させられる時、第2の半波長板75において直角方向
に偏光された光に変換され、液晶の交叉点41において
反射され、再び平行方向に偏光された光に変換され、従
つて光ガイド38aを介して出る。このように、もし液
晶層に対し電気的な付勢が与えられなければ両方向の偏
光状態の全ての光が出口32aを介して出ることが判る
。更に又、液晶媒体に適当な付勢が与えられるならば、
全てのこのような光はガイド38aを介して出て行く。
同様に、ガイド36に入るどんな偏光状態の光も選択的
に出口ガイド32a、又は38aへ指向させ得る。ガイ
ド32aとガイド38aのいずれかに入る光は、液晶の
両端におかれる電界に従つてガイド30又は36へ選択
的に指向させ得ると云う態様で相反定理が妥当する。使
用する部品数が更に少く、構造が簡単であり、又第6図
又は第7図の構造に比して製作がより経済的であるため
魅力的な本発明の更に他の実施態様を第8図に示す。
この装置は、液晶分子の長軸がV<Vtに対して図の面
に直角方向であり従つて第2A図、第2B図に示した配
置に対しても直角位置関係となる第8図に示す漸新な特
異なVOの整合状態を用いている。換言すれば、この長
軸は光線E′とEェの伝播方向に対し直角となり、又ガ
ラスのプリズム基板に対しては平行となる。一般に、第
8図の装置の構造は前に述べた各実施例の場合と同様で
あるが、電極90と91は第2の光線交叉点41付近の
液晶層の両端に丁度電界を与えるだけ延長している。こ
のように、分子の軸は常に交叉点40の付近で固定され
た状態(点で示される如き直角方向の状態)にあり、こ
の場合電極は不要である。この交叉点における分子のV
=0の場合の配向は第8図の点により示される。もし偏
光されない或るいは不規則に直線偏光された光が第8図
のフリット・ガラス・プリズムであることが望ましいプ
リズム31に入るならば、第1の液晶の交叉点40は常
に直角方向に偏光された光成分を透過し、常に第8A図
により示されるように平行方向に偏光される成分を反射
する。従って、交叉屯40における液晶材料は入射光を
2つの直角の偏光状態の光線、即ち反射点42に向つて
進むものと反射点43に向つて進むものに分けるように
単に受動的に作用するに過ぎない。この反射点42,4
3は、点41において両側からの等しい角度の入射をも
たらす。作用においては、電極90,91間に電岑が与
えられず従って液晶はその容積部内のどこでも同様に整
合される時、点41付近の液晶材料は直角方向に偏光さ
れた光を出口ガイド32aへ透過し、更に、この液晶は
これが付勢されない時、平行方向に偏光された光を出口
ガイド32aへも反射する。換言すれば、付勢電圧がな
ければ、直角方向に偏光された光は再び透過させられ、
平行方向に偏向された成分は全ての光がガイド32aか
ら流れ出るように第2の液晶の交叉点41において再び
反射される。もし電極90,91間の液晶材料が電界の
状態V〉Vtを与えられるならば、そこの液晶分子は液
晶層の面に対し直角方向に整合し、第8B図に示す如く
、反対方向の光の流れが得られる。即ち、平行方向に偏
光された光が透過され、直角方向に偏光された光は点4
1の付近で反射される。従つて41における液晶が電気
的に付勢される時、両方の状態の偏光が出口ガイド38
aを介して共線的に出て行く。高い屈折率のプリズム3
1,37は入射ガイド30(又は36)から液晶層と共
にプリズム31,37の外表面における2つの全反射す
る交叉点42,43を経る光の2回O通過を許容するに
+分な長さを有することが判る。
プリズム31,37は、関係N。<Ng<NO(但し、
NOおよびN。は液晶媒体の常態および異常屈折率をそ
れぞれ示す)を満足する屈折率nを有する。第8g図の
ガイド30からQ斜めの入射光(θは=般に67ガ)は
平行および直角方向の成分からなる。
液晶はこのような偏光状態に対して異なる屈折率を呈す
る。即ち、n(7、v1 )−NOおよびn(土、1
)−nぃ但し、V1〈VtO内部の全反射角がθ−Si
n−1nLc/Ngであることを想起すれば、典形例に
おいて、θo(′、,)Z65す、およびθ。(±、V
1 )Z84,であることが判る。このことは、平行光
が点40において液晶媒体によつて全反射されること、
又直角方向に偏光された光は共に条件V−0に対して出
口ポート32aに実質的に完全に透過させられること(
θくθc(±))を意味する。電極90,91の両端に
電圧V〉Vtが存在する時、液晶の有効屈折率はV−0
の状態に対して互換状態になる。V〉,の状態において
は、平行に偏光された光は完全に透過され、直角方向に
偏向された光は全反射させられてこの時出口ポート38
aに至る。同様に、ポート36に人る偏光されない光は
、−0の時ポート38aへ送られ、〉Vtの時はポート
22aへ完全に送られる。このことは、本装置が正に4
ポートの光学的可逆スィツチであることを意味する。第
8図の構造の一実験モデルにおいては、使用された液晶
は、λ−643ナノメータの時N。
l.492、N8=1.634の屈折率を有する前述の
EM研究所タイプ1132ネマテイツク混合形であつた
。研摩プリズム31,37頃米国ペンシルバニア州ダー
リア市ヨーク通り400のSchOttGlass社製
のλ=643ナノメータの時屈折率が1.644である
タイプWG36Oの光学ガラスから作られた。5ミクロ
ン隔てられた電極90,91は、約1000Ω/平方の
板抵抗を有する350λの厚さのインジュームースズ酸
化物から作られた。
電極90,91は次に通常の方法で直接関連するプリズ
ム31,37の裸ガラス面(交叉点40)と共に、基板
(z−y入射面)に対し304で真空蒸着させた200
λの厚さのシリコン一酸化物で被覆された。図において
は、プリズムの外表面上の反射点の反射率は第10図の
点42,43、および98,123,124において金
属性の反射物即ちミラーを付設することにより減衰する
ことができることが判るであろう。前掲のSOrefの
米国特許出願第13095号における如く、本発明によ
るマトリツクス列を形成することが望ましい。この目的
のため、液晶の付勢しない状態においては出力光線がそ
の入射方向と実質的に同じ方向を維持するようにスィッ
チ素子が構成されることが特に望ましX,Σ第9図のス
イツチング素子はこの望ましい性状を有する。第8図と
第9図は性格的に非常に似ているが、第9図における電
極のない区域40における液晶の分子の軸の整列方向は
水平ではなく垂直であり、従来0表面処理法によつて等
方性の整列状態が生じることが判るであろう。従つて、
点40における直角方向に偏光された30からの人射光
は反射点42に向つて反射されるが、平行方向に偏光さ
れる光E7は点40における層中を透過させられる。電
極を設けた領域においては、静的な−0の整列状態は、
第9図における点により示される如く光線の伝播方向に
対して直角の分子軸に対して水平である。同じスィツチ
の容積部内に2つの異なる液晶の整合状態を有すること
ぱ全く実行可能であることに注目されたい。その結果、
光Eょは点42で反射されE7は43で反射される。さ
て、もし電極90,91の両端に電界が与えられるなら
ば、その間の分子の軸は第6B図における如く、垂直方
向になる。その結果、平行方向に偏光された光成分は点
41において液晶材料により出口ガ′ イド32aに向
つて透過させられる。更に、直角方向に偏光された成分
は41で反射され、その結果この成分も又同じ出口ガイ
ド32aを介して出て行く。両方の状態の偏光光はポー
ト32aを介して共線的に出て行くが、これはマトリツ
クスに,おける交点のスィッチの0N状態に対して望ま
しいものであるが、−0なるスィツチのアドレス指定さ
れない0FF状態においては、偏光されない入射光がク
ロスバ一列において望ましい如くに完全に出口ポート3
8aに向つて進行する。第9ノ 図に示される構造は電
極90,91が付勢されない時交叉ポートに対する漏洩
を殆んど生じず、従つてマトリツクス.スイッチにおい
て使用するには特に適当なものである。マトリツクス・
スイツチ 第7図乃至第9図に示される特定の構造は、入射光線の
偏光されない特性の故に悪影響を生じることなく選択的
に与えられた電圧に応答して対をなす多重モードの光フ
アィバ出力光ガイド間に殆んど全ての偏光されない入射
光線をスイツチングすることが望ましい場合に多くの用
途を有するものである。
このような損失が小さな4ポートの光逆転スィツチは、
活性状態の光カプラー、バイパス・スイツチおよび双安
定形の論理素子における用途を含む数多くの用途を有す
る。更に、各スィツチング素子は、単一又は多重のFb
I?電圧源によるデータ.バス列における信号の切換え
のため長形の集積構造が得られるように、第9B図の3
倍の変更例における如く、第7図乃至第9図の各図の面
に対して直角の方向に変更することができる。第9A図
の各フアイバは各々独立した対をなす各自の制御電極を
有する。更に、単位スィツチは又、多極マトリツクスお
よびクロスバ一・マトリックスのスイツチング動作の如
き更に複雑なスイツチング機能を行うマトリツクス形態
においても使用可能である。2層の液晶層と、その内の
2つが類似の形状を有した発明の原理を使用する3つの
プリズムを用いるマトリツクス・スイツチを第10図に
示す。
2つの類似のプリズム118,120はその同様な面を
接近位置に隔ててガスケツト35aにより更に画成され
た1つの液晶成層空間を形成する。
小さなプリズム97はプリズム118の比較的短い面に
その長い面を近接させて離間されて周囲のガスケツト3
5により更に画成された第2の液晶空間を形成する。入
力ポート95,96,119は前の各図における如くプ
リズム97,118,120の各入射面と関連され、出
口ポート99,106,125は同じプリズムの出口面
と同様に突合せ封止される(入出口面の機能は互換可能
である)。プリズム97,118間の液晶界面には光線
交叉部101において対向位置の透明電極100,10
2が設けられる。同じ液晶層における第2の交叉へ10
4は類似の透明電極103,105を使用する。分子の
長軸は、第8A図における如くV−0に対して図の画面
に対して直角になるように選択される。プリズム97の
外表面上の交叉点101,104間には完全な反射面即
ち外側ミラー98が配置される。相互に類似のプリズム
118,120間には3つの分離層を有する空間が提供
される。
バリア・ガスケツト113,114間に画成されたもの
の中間には光線交叉部121を含む空間があり、この層
状の空間はその光の屈折率が隣接するプリズム118,
120の屈折率とつり合う液晶動作しない透明流体によ
つて占有される。中ノn邦の交叉点121の各側に等間
隔に隔てた光線交叉へ112,117には対をなす透明
電極110,111および115,116が設置される
。プリズム120の外表面上の各点123,124にお
いて1対の反射域即ちミラーが配置される。第10図の
マトリツクス・スイツチは、2つの離間された液晶層を
3つの単純なガラスのプリズムによつて画成した100
%透過スィツチを表わし、6つのマトリツクス形態の内
の4つを許容し2つを禁止させた3X3限定フアィバ光
マトリツクスである。第10図の構成においては、第1
0A図乃至第10D図に示された4つの状態は、偏光さ
れない或るいは不規則な直線偏光された光に対する4つ
の可能な100%スィツチング状態を表わす。禁止され
た状態は第10E図および第10F図に示される。前述
の如く、この挙動は、いくつかの電極対の内の1対に対
してV〉Vtなる時この1対に対して分子の長軸を直角
にさせ、V<V,の時分子の長軸を図の画面に対して直
角させることにより得られる。第11図の装置は、僅か
に3層の液晶層と4個のガラスのプリズムを使用する2
対N又はN対2のフアイバ光スイツチとして特徴化でき
る本発明の用途を示している。
ファィバ光ガイド160又は180に不規則に偏光され
た或るいは偏光されない入射光が存在すれば、6つの出
口ポート・ガイド161,162,163,182,1
83および195の各々に対して100%のスイツチン
グ動作が存在する。この構造は中心面(図面において水
平)に対して対称であり、特に、第1の特徴を現わす前
記対称面における液晶とどちらかの面に離間された2層
に対する第2の特徴を現わす液晶材料の使用を特徴とす
る。図の上部には、本装置の第1の層は通常の傾斜光伝
送面を有するプリズム151を含み、光ガイド・ポート
161はこれ等の面の1つに取付けられている。
本装置の第2の層は、これも又同様な傾斜光伝送面を有
する種々大きなプリズム159により形成される。ファ
ィバ光ガイド160はこのような傾斜面の1つに当接関
係に固定されるが、反対の傾斜を有する面は2つの類似
の光ガイド・ポート162,163を収容する。第3の
層はプリズム159と類似するがプリズム159から隔
てられたその長手方向面がプリズム159の長手方向面
の長さと同じ長さとなるように逆方向のプリズム181
を含む。最後に、第4の層が、プリズム151と似てい
るがこれも又このプリズムに対して逆方向のプリズム1
90により形成される。第3の層のプリズム181は、
プリズム159の各ポートに対し面対称位置関係に1つ
の入射ポート180と1対の出口ポート182,183
を備える。プリズム151と同様に、対応するプリズム
190は1つのポート195を有する。プリズム151
と159、159と181、181と190の間には全
体としてはそれぞれ前記のように構惑された層が配置さ
れており、これらの層は、透明電極間に意図的に配置さ
れた液晶材料層、および液晶として動作しない層領域を
含んでいる。
更に、2つの小さなプリズム151,190の外層の長
手方向面はそれぞれ通常の方法で形成された完全に反射
するミラー即ち面150,191が設けられる。プリズ
ム151,159間の界面層は通常の方法で周囲の壁面
35により密閉される。
協働するバリア156aは、屈折率が釣合う液体が封入
される層の一端部に区域155を形成する。前記層の中
心部に配置された部分164には、第1の液晶材料と相
互作用する透明電極の2つの独立的な対157と158
が配置される。この場合、液晶材料164は、V−0の
時y軸(図の画面に水平)と均一な分子配向を平行にさ
せたネマテイツク層であり、この液体は以下においては
A液と呼び正の異方性の物質である。この液晶物質はバ
リア壁面156bによつてその層内に維持され、この壁
面も又バリア156bと外側の壁面35間の層域155
内に屈折率が釣合う物質を保持するように作用する。こ
のように、2つの共に液晶動作する層領域が2つの液晶
動作しない領域155,155の間に画成配置される。
第11図の装置の部分的に対称な面における大きな界面
層は周囲の壁面35a内に保持された液晶物質の1つか
らなる。
この層は組をなす独立の透明電極175,177,17
8,179を有する4つの液晶動作領域を有し、後の3
対の電極は電極対175から大きく隔てられている。積
層体176内に含まれる物質は層部分164の物質とは
同じでないが、V=Oにおけるx軸に対して均一な分子
の長軸を平行に配向させたネマテイツク液晶であり、以
下においてタイプB液と呼ぶ。これも又正の異方性の液
体が選択される。プリズム181と190の間に存在す
る第3の界面層はプリズム151,159の間の界面層
と類似するが層176において使用されたものと同じ正
の異方性のタイプBのネマティック物質、即ちV−0に
おけるx軸に対し平行な長い結晶軸の均一な配向状態を
示すネマテイツク物質の使用において異なる。
協働する内側のバリア185は屈折率が釣合う液体が封
入された層の一端部に領域184を形成する。この層の
中心部に位置された部分189には、第2の液晶物質と
相互作用するように独立した2対の透明電極186,1
87が配置されている。この第2の液晶物質は第2の内
部のバリア188により領域189内に保持され、この
バリアも又これと外側壁面35aとの間の層域184内
に屈折率が釣合う物質を保持するように作用する。再び
、2つの共に液晶動作する層領域が2つの液晶動作しな
い領域184,184の間に配置された場所189の付
近に画成される。第1図乃至第9図に関して教示された
原理を用ぃれば、当業者にとつては、例えば、第11図
におけるポート160又はポート180のいずれかに入
射される偏光されない即ち不規則に偏光された光線が協
働する電極対157,158,175,177,178
,179,186、又は187の選択的な付勢によつて
そのまま対向位置のポート161,162,163,1
82,183又は195のどれか1つに送られ得ること
が判るであろう。同様に、前記各ポートに入射した不却
唄uに偏光させられた信号はポート160とポート18
0のいずれかに指向され得る。このことは、第11図の
マトリツクス・スイツチを経由する光線経路の特定の1
組を示す第11A図の典形例における如く容易に立証可
能である。第11A図においては、1つの光線の直角方
向と平行方向の偏光成分がポート160に入る。場所1
75kおいてV−0のタイプB液は平行方向に偏光され
た成分を反射させるが、直角方向に偏光された成分は透
過させる。反射された平行偏光成分について見れば、こ
の成分はミラー150によつて場所152″,153′
で反射され、又タイプA液晶材料であつてVく,の場合
は場所157,158における2つの交叉点により反射
される。最終的には、この平行偏光成分の光線はタイプ
Bの場所179″(=0)に達してポート163へ反射
させられる。次に、直角方向の偏光成分について見れぱ
、タイプBの材料を用いV−0であるため、この成分は
場所175?通過する。
この光線は、ミラー191によつて3回、V<Vtなる
電極対186,187間のタイプBネマテイツク物質に
よつて2回反射させられて更に場所179″を通過し、
出口ポート163において元の平行方向の偏光成分と同
心状に合流する。第11図および第11A図を観察すれ
ば、ポート160又は180がポート161,162,
163,182,183,195のいずれか1つに(あ
るいはその逆)容易に結合されることが確認できる。例
えば、ポート160における入射光の作用についてのみ
見れば、下記の如く、光は選択された電極対に電圧v−
0又はV〉Vtを与えることにより6つの出口ポートの
いずれかに指向され得る。即ち、第2の入口ポート18
0に入る2つの偏光された光成分の指向と再合成、およ
び殆んど同時の分離のためのプログラムは、電圧V〉V
,が常に電極175の場所175″に存在する点を除け
ば類似することが判る。
第12図は、液晶層との異なる光線交叉点において異な
る措置をプリズム表面に行う、第9図に示した如きビル
デイング・プロツクを使用する本発明の漸新なマトリッ
クス形態を示す。
NXN構造の3X3構造例は中心部の液晶層に対して部
分的に対称であり、各液晶層Gζ望ましくはバリアも屈
折率の釣合う区域も必要としない形態における前述の種
類の複数個の単位スイツチ・セルを使用し、各層の全長
は液晶の液剤で占められる。この層tlζプリズム20
4と205、203と204、203と230、230
と246、および246と250間に形成される。プリ
ズム205と250、204と246、および203と
230も同様に形成される。土層のプリズムは、フアイ
バ光入射端ガイド202,202aとこの上層の中央部
のミラー素子208Mを有する通常の傾斜端面を有する
周部壁面35内に形成された液晶層211は2つの等し
い大きさの領域を含む。1つの領域197は電気的に擾
乱不能であり、ガラス・プリズム204,205の協働
する隣接の電極形成されない面の適当な表面処理を用い
ることにより形成される。
他の領域は1つO透明電極対198Eを有し、この電極
対の間に液晶がv<Vtの状態に対する第9図のX方向
に沿つてプリズムの表面に対して平行方向に配向されて
いる。受動領域197はプリズムの表面に対して直角方
向に分子を配向させられる。第2の層のプリズム204
は、それぞれミラー216Mと222Mと協働する液晶
層211の両側に外側ミラー207Mと221Mを有し
、その反対側d頃斜面に当接するフアイバ光入出ガイド
201,214を有する。
比較的大きなプリズム203と周部の壁面35aにより
、1つのタイプの液晶材料だけを使用する第2の液晶層
210が形成される。層210の左端部から始まるこの
層は、分子の軸が垂直方向を維持する電気的に擾乱不能
な領域を含む。次は、層の表面処理により分子の長軸が
V/Vttに対してプリズム表面に対し平行にさせられ
る領域に共にある透明電極対199Eと1対のミラー2
12Mを有する領域である。次は、プリズム表面に対し
て直角方向の分子配列を有する第2の擾乱不能領域が現
われる。最後に、この層代V/V,の際に再び199E
における如き分子軸の平行な配向を生じる透明電極対2
13Eを含む。第3層のプリズム203は、液晶層21
0の両側に外側ミラー206M,224Mを有し、その
反対側の傾斜面には当接するフアイバ光ガイド200,
219を有する。
類似の倒置された大形プリズム230を用いて、唯一種
類の液晶材料を使用する第3の液晶層が形成される。層
209の左端部側から始まつて、この層209は、その
全ての配向状態が第12図に示される、分子軸が隣接す
るプリズム面に対するその直角位置関係からは決して擾
乱されない領域と、〈tにおいて透明電極215E間に
形成され1対の対向ミラー216M間に連続する分子軸
が水平方向の領域と、1つの擾乱不能領域と、V/Vt
の状態に対して透明電極217E間に形成され協働する
ミラー対222M間に延長する第2の分子軸が水平な領
域と、第3の擾乱不能領域と、〈Vtの状態において分
子軸が水平方向になる領域を形成する透明電極の最終対
218Eとを含む。一般に、各プリズム230,246
,250によつて形成される第4、第5および第6の層
および介在する液晶層209,240,247Gζ こ
れ迄に述べた構造の面対称形態である。
図において、光吸収体220A,244A,249A,
260A,253Aおよび254Aは第3、第4および
第5層のプリズムの各傾斜面上におかれるが、多くの場
合においてフアィバ光入出素子は代替可能であることが
理解されよう。例えば、本文に説明したようにいくつか
の透明電極対間の電界の適当な付勢によつて種々の経路
が本構造体中に形成可能であることが理解されよう。
例えば、入射ガイド200に入る直角および平行方向の
両成分を有する偏光されない光は、第12図の表示した
個々Q経路に従つてこの経路内の全電極対において〈t
なる時吸収体又は出口260Aへ至る。ガイド201に
入るこのような光は、全ての電極における指定されない
−0なる条件において吸収体又は出口253Aへ指向さ
れることになる。更に、Vくtなる時ポート202に入
る光は吸収体又は出口254Aに向つて伝播する。クロ
スバ一のスィツチング動作にぉいては、適当なスイツチ
199E又は217E又は243E◇選択的な動作がポ
ート201に人る全ての光をして例えば3つの反対側の
ポート202a,214,219のどれかに指向させる
。同様な指向によつて、ポート200と202に入る偏
光されないフアィバ光を同時に1対1のマツピング操作
でこれ等の同じ出口ポート−全て送ることができる。換
言すれば、第12図の装置の主な用途は、下記の9つの
スィツチの内の3つが同時にONとなり残りがOFFと
なる。即ち、マトリツクスの各行および各列における1
つのスィツチがアドレス指定され、このためファィバ2
02a,214,219に対するフアィバ200,20
1,202の6つの可能な光の連結の1つを生じ、N倍
の対形成を示す損失の小さな光クロスバ一即ち回路網制
御スィツチとしての用途である。即ち、198E213
E218E199E217E243E215E 241E248E 従つて、本発明は、多くの実施態様において、ネマテイ
ツク液晶物質の選択的な電界の付勢によつて単一素線多
重モード・タイプの1本および多数の入力と1本および
多数の出力フアイバ光ガイドの間に光データを保持する
多くの光の流れを切換えるための漸新な光電作用装置を
提供するものであることが判る。
本技術は、対称形態又は非対称形態に交互に配置された
ガラスのプリズムと液晶層を使用する。不規則に偏光さ
せられた或るいは偏光されない光のマトリツクス・スイ
ツチング動作は、小さな挿入損失、漏話損失および低匍
訴電圧で容易に達成される。性能が多岐にわたるためそ
れだけ多くのスィツチング形態が可能となり、本発明の
各実施態様は従来技術の諸問題を避けながら、液晶媒体
および多重モード単一素線操作の利点を更に利用するも
のである。従来技術の諸欠点を克服するようなスィツチ
ング動作が達成されるが、例えば、入射光の偏光とは独
立的な操作を行う装置が提供される。本発明のある実施
態様では、選択的なミラーの措置と透明電極間に形成さ
れた液晶動作する領域と協働する選択されたネマテイツ
ク物質により、各液晶層の全量にわたつて唯一種の液晶
物質を使用することが可能になり、内部バリアと屈折率
を整正する液体0必要がなくなるため、更に有利となる
。本発明はその望ましい実施態様において説明したが、
本文に用いた用語は限定するものではなく説明の表現で
あり、又頭書の特許請求の範囲内の変更は本発明のより
広い概念における範囲および主旨から逸脱することなく
可能であることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の作用の説明に役立つ部分断面図、第2
A図および第2B図はこれも又本発明の説明に役立つ第
1図と類似の簡単な断面図、第3図および第4図は従来
技術の光スィッチング.システムを更に理解させる図、
第5図は漸新な一体のスィツチの基本形態を示す一部断
面図、第6A図乃至第6D図は本発明の他の基本形態を
示す第5図と類似の図、第7図、第8図、第8A図、第
8B図、第9図および第9A図は単位スイツチの更に外
の実施態様を示す一部断面図、第10図は本発明による
2層形のマトリツクス・スイツチを示す一部断面図、第
10A図乃至第10F図は第10図のマトリツクス・ス
イツチの特性の説明に役立つ記号図、第11図は3層の
光電作用による作用層を用いた本発明のマトリツクス・
スイツチを示す一部断面図、(第11A図は第11図の
マトリツクス・スイツチ内の特定の1組の光線経路を示
す図)および第12図は各々液晶物質のみからなる5層
の光電作用による作用層を有するマトリツクス・スイツ
チを示す一部断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 第1と第2の直線偏光状態になつた成分を含む入力
    光線を伝搬させる第1のポートが設けられており、この
    第1のポートは、電界作用により平行状態から垂直状態
    に分子配向を変化できるネマチツク材料の密閉層の第1
    の位置に所定の角度で入力光線を交差させ、第1の偏光
    状態の成分を反射しかつ第2の偏光状態の成分を透過さ
    せ、それぞれ発散する第2と第3の光線を形成すること
    ができ、その際所定の角度とは、2つの偏光成分に対す
    るネマチツク材料層の2つの臨界角の間の角度であり、
    発散する第2と第3の光線それぞれの偏光状態を交換す
    る偏光変換器が設けられており、また第2と第3の光線
    を方向転換する反射器が設けられており、これら光線を
    密閉層の第2の位置に所定の角度で交差させ、第2およ
    び第3の光線が、密閉層によりさらに方向転換して、合
    成光線を形成し、この合成光線が、第2のポートを通つ
    て入力光線とほぼ同じ方向に伝搬することを特徴とする
    、液晶マトリックス。
JP55166493A 1979-11-26 1980-11-26 改良された液晶マトリックス Expired JPS59808B2 (ja)

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JP (1) JPS59808B2 (ja)
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