JPS597883A - Irradiation heating furnace - Google Patents
Irradiation heating furnaceInfo
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- JPS597883A JPS597883A JP11618482A JP11618482A JPS597883A JP S597883 A JPS597883 A JP S597883A JP 11618482 A JP11618482 A JP 11618482A JP 11618482 A JP11618482 A JP 11618482A JP S597883 A JPS597883 A JP S597883A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は照射加熱炉に関するものである。[Detailed description of the invention] The present invention relates to an irradiation heating furnace.
一般に加熱処理を行なうための装置のうち、ランプより
の放射光を被処理物に照射する照射加熱炉は1次の如き
特長を有する。Among devices generally used for heat treatment, an irradiation heating furnace that irradiates a workpiece with radiation from a lamp has the following features.
■)ランプ自体の熱容量が極めて小さいため。■) Because the heat capacity of the lamp itself is extremely small.
加熱温度の急速な上昇及び低下が可能である。A rapid increase and decrease in heating temperature is possible.
2)ランプに供給する電力を制御することにより、加熱
温度の制御を容易に行なうことがで(2)
きる。2) By controlling the power supplied to the lamp, the heating temperature can be easily controlled (2).
3)ランプよりの放射光による非接触加熱であるので、
被処理物を汚染することがない。3) Since it is non-contact heating using radiation light from a lamp,
It does not contaminate the object to be processed.
4)始動後の立ち上が9時間が短く、エネルイー効率が
太きいため消費エネルギーが少ない。4) It takes less than 9 hours to start up after starting, and energy efficiency is high, so energy consumption is low.
5)直接通電炉、高周波炉等に比して装置が小型でコス
トが低い。5) Compared to direct current furnaces, high frequency furnaces, etc., the equipment is smaller and the cost is lower.
そして照射加熱炉は、釧材等の熱処理及び乾燥。The irradiation heating furnace is used for heat treatment and drying of sushi wood, etc.
プラスチック成型、熱特性試験装置等に利用されている
。特に最近においては、半導体の製造における加熱が必
要とされる工程1例えば不純物拡散工程、化学的気相成
長工程、イオン打ち込み層の結晶欠陥の回復工程、電気
的活性化のための熱処理工程、更にはシリコンウェハー
の表層を窒化若しくは酸化せしめるための熱処理工程を
遂行する場合の加熱炉として、従来から用いられている
電気炉、高周波炉等に代わって、照射加熱炉の利用が検
討されている。これは、照射加熱炉においては、被処理
物を汚染し或いは電気的に悪影響を与えることがないこ
と、消費電力が小さいこと等のほか、従来の加熱炉セは
大面積の被処理物を均一に加熱することができず、最近
における半導体の大面積化に対応することができないか
らである。Used in plastic molding, thermal property testing equipment, etc. Particularly recently, processes that require heating in semiconductor manufacturing, such as impurity diffusion processes, chemical vapor deposition processes, recovery processes for crystal defects in ion implantation layers, heat treatment processes for electrical activation, and The use of an irradiation heating furnace in place of the conventionally used electric furnace, high-frequency furnace, etc. is being considered as a heating furnace when carrying out a heat treatment process for nitriding or oxidizing the surface layer of a silicon wafer. In addition to the fact that irradiation heating furnaces do not contaminate the objects to be treated or have any adverse electrical effects, and consume less power, conventional heating furnaces can evenly process large areas of objects. This is because it cannot be heated to a high temperature and cannot respond to the recent increase in the area of semiconductors.
以上のように照射加熱炉は種々の特長を有し、広〈産業
界において用いられているが、従来の照射加熱炉におい
ては、大面積の被処理物の表面を均一な温度で照射加熱
することができない欠点がある。即ち、う/プは石英ガ
ラス等より成る封体を具えた、点光源又は線光源を形成
するものであって単独では二次元的な広がりをもった面
光源を形成することはできず、従って微小領域を均一に
加熱することはできても、大面積領域を均一に加熱する
ことができない。特に被処理物が例えは半導体ウェハー
である場合にはその周辺部の温度が熱放散によシ中央部
の温度に比べて低くなる結果、案外大きな温度差が生ず
ることがあり、このためその周縁部から中央部にかけて
「スリッフライノ」と呼ばれる損傷が発生することがあ
る。As mentioned above, irradiation heating furnaces have various features and are widely used in industry, but conventional irradiation heating furnaces do not irradiate and heat the surface of large areas of workpieces at a uniform temperature. There is a drawback that it cannot be done. In other words, the u/p has an envelope made of quartz glass or the like and forms a point light source or a line light source, and cannot form a surface light source with a two-dimensional spread when used alone. Although it is possible to uniformly heat a small area, it is not possible to uniformly heat a large area. In particular, when the object to be processed is, for example, a semiconductor wafer, the temperature at the periphery becomes lower than the temperature at the center due to heat dissipation, resulting in an unexpectedly large temperature difference. Damage called ``slip rhino'' may occur from the lower part to the middle part.
本発明は以上の如き事情に基いてなされたものであって
、大面積の被処理物の表面を均一な温度で加熱すること
のできる新規な照射加熱炉を提供することを目的とし、
その特徴とするところは、長形な棒状管形封体内に非発
光部と発光部とを交互に具えたフィラメントを蟲該封体
の管軸に沿って設けて成るランプの複数がミラーに近接
して互にその管軸が平行となシ、かつ前記ランプの複数
のうち、端部側に位置するランプの少なくとも1本を、
光照射を受けて加熱される被処理物が位置されるレベル
に接近するよう変位せしめて設けた点にある。The present invention was made based on the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a novel irradiation heating furnace that can heat the surface of a large area of a workpiece at a uniform temperature.
Its characteristic feature is that a plurality of lamps, each consisting of a filament with alternating non-light-emitting parts and light-emitting parts placed inside a long rod-shaped tubular envelope along the tube axis of the envelope, are placed close to the mirror. and the tube axes thereof are parallel to each other, and at least one of the plurality of lamps located on the end side,
The point is that it is displaced so as to approach the level at which the workpiece to be heated by being irradiated with light is positioned.
以下図面によって本発明の一実施例について説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例に係る照射加熱炉の構成を示
し、この実施例においては、第2図にも示すように、被
処理物が位置される照射空間1の上方及び下方を蔽うよ
うそれぞれ主ミラー2及び3を配設する。これら主ミラ
ー2及び3の各々の反射面には、各々半円形の複数の凹
溝mが並んで形成され、各々当該主ミラー2及び3の横
方向(第1図では左右方向であシ、第2図では紙面に直
角な方向)にその全長に亘って伸びており、これらの凹
溝mのうち、ミラー2及びミラー3の各々の両端部側に
位置される凹Pi m1+m2及び凹溝m31m4は、
これらの凹溝町+m2 +m3 +m4を除く他の凹溝
mよpも、照射空間1において被処理物が位置されるレ
ベルPに接近するよう変位せしめて設けられている。前
記主ミラー2及び3の横方向−側縁には、第1の風路部
材4を接続してこの第1の風路部材4には送風器5を接
続すると共に、前記主ミラー2及び3の横方向他側縁に
は、第2の風路部材6を接続してこの第2の風路部材6
には排風器7を接続する。前記第1の風路部材4の出口
近傍及び第2の風路部材60入ロ近傍にはそれぞれ一方
のランプ支持具8及び他方のう/プ支持具9を設け、こ
れらう/プ支持具8及び9により、各々前記主ミラー2
及び3における四fl*mに沿って伸ひるよう長尺な棒
状のハロゲノランプなどのう/プ10の両端を支持し、
以ってランプ10が照射空間1に面するよう配置し、こ
れらランプ10の複数のうち両端部側において前記凹@
m1.m2及び凹fill m3 +m4に対向して配
置されるランプ101゜102及びう/プ103.10
4は、これらのう/プ101.102.103.104
を除く他のう/プ10よシも、照射空間lにおいて被処
理物が位置されるレベルPに接近するよう変位せしめて
設けられた状態となっている。更に前記うyプ支持具8
及び9は、前記照射空間lの両側方を蔽うよう配置した
、内面にミラー面を有する側方ミラー2o及び21に第
3図に示すようにネジ24により固定され、前記側方ミ
ラー2o及び21の各々の上縁及び下縁において前記凹
溝mに対応した位置に形成したう/プ受容溝22と協働
して、凹溝状の押え部23により、う/プlOをその封
止部12.12に近い管形部分において保持し、以って
第1図に示したようにランプlOの各封止部12.12
が外方、即ち第1の風路部材4及び第2の風路部材6内
に露出するようにし、この露出した封止部12.12よ
シ伸びる外部リード14.14には、第1の風路部材4
及び第2の風路部材6の壁を、テフロン等の絶縁材25
.25を介して貫通して伸ひる電流供給線26.26を
接続する。そして前記主ミラー2及び8゜並びに側方ミ
ラー20及び21には水冷機構、具体的にはこれら主ミ
ラー2及び3並びに側方ミラー20及び21の材料部材
の内部を通る導水路Wを形成し、これに冷却水供給機構
を接続する。FIG. 1 shows the configuration of an irradiation heating furnace according to an embodiment of the present invention. In this embodiment, as also shown in FIG. Main mirrors 2 and 3 are respectively arranged so as to cover the main mirrors. A plurality of semicircular concave grooves m are formed in line on the reflective surface of each of the main mirrors 2 and 3, and are arranged in the lateral direction of the main mirrors 2 and 3 (left and right directions in FIG. 1). In Fig. 2, the grooves extend over their entire length in the direction perpendicular to the plane of the paper, and among these grooves m, grooves Pi m1+m2 and grooves m31m4 are located at both ends of mirror 2 and mirror 3, respectively. teeth,
Other grooves m and p other than these grooves +m2 +m3 +m4 are also provided so as to be displaced so as to approach the level P at which the object to be processed is located in the irradiation space 1. A first air path member 4 is connected to the lateral edges of the main mirrors 2 and 3, and a blower 5 is connected to the first air path member 4. A second air path member 6 is connected to the other side edge in the lateral direction.
An exhaust fan 7 is connected to. One lamp support 8 and the other pipe support 9 are provided near the outlet of the first air path member 4 and near the entrance of the second air path member 60, respectively. and 9, respectively, the main mirror 2
and supporting both ends of the container 10 such as a long bar-shaped halogen lamp so as to extend along 4 fl*m in 3,
Therefore, the lamps 10 are arranged so as to face the irradiation space 1, and the concave @
m1. Lamps 101° 102 and u/p 103.10 arranged opposite m2 and concave fill m3 + m4
4 is these U/P 101.102.103.104
The other plates 10 and 10 are also displaced so as to approach the level P where the object to be processed is located in the irradiation space 1. Furthermore, the upper supporter 8
and 9 are fixed by screws 24 to side mirrors 2o and 21 having mirror surfaces on their inner surfaces, which are arranged so as to cover both sides of the irradiation space l, as shown in FIG. In cooperation with the container receiving grooves 22 formed at positions corresponding to the grooves m on the upper and lower edges of each of the grooves, the container 10 is held in its sealing part by the groove-shaped holding part 23. 12.12, so that each sealing part 12.12 of the lamp lO is held in place as shown in FIG.
is exposed to the outside, that is, inside the first air path member 4 and the second air path member 6, and the external lead 14.14 extending beyond the exposed sealing portion 12.12 has a first Air channel member 4
And the wall of the second air passage member 6 is covered with an insulating material 25 such as Teflon.
.. A current supply line 26.26 is connected which extends through 25. A water cooling mechanism is formed in the main mirrors 2 and 8° and the side mirrors 20 and 21, specifically, a water conduit W passing through the material members of the main mirrors 2 and 3 and the side mirrors 20 and 21. , connect the cooling water supply mechanism to this.
ここにおいて、ランプ10は、第4図に示すように1石
英ガラスより成る管形の封体11と、この封体11の両
端における封止部12,12内に封着された金属箔よシ
成る導電部材18.18と、この導電部材13.13よ
りそれぞれ封体11外に伸びる外部リード14.14と
、前記導電部材18.18よυそれぞれ封体11内に伸
びる内部リード15゜15と、これら内部リード15.
15間に接続され封体11の管軸に沿って配設されたフ
ィラメント16と、フィラメントサポータ17とより成
り、前記フィラメント16は、非発光部Nと発光部Rと
を交互に具え1両端には端部非発光部N’、N’を有す
る。そして具体的数値例の一例を挙げると、主ミラー2
及び8の凹溝mの直径d1はZolll、隣接する凹溝
mの中心間距離d2は21闘、ランフlOの全長klは
885m、封体11の管形部分の外径りは10■。Here, as shown in FIG. 4, the lamp 10 includes a tubular enclosure 11 made of quartz glass, and a metal foil seal sealed in sealing parts 12, 12 at both ends of the enclosure 11. a conductive member 18.18, external leads 14.14 extending from the conductive member 13.13 to the outside of the enclosure 11, and internal leads 15.15 extending from the conductive member 18.18 into the enclosure 11, respectively. , these internal leads 15.
15 and a filament 16 disposed along the tube axis of the envelope 11, and a filament supporter 17. has end non-light emitting parts N', N'. To give a specific numerical example, the main mirror 2
The diameter d1 of the groove m of No. 8 is Zoll, the distance d2 between the centers of the adjacent grooves m is 21mm, the total length kl of the lamp lO is 885m, and the outer diameter of the tubular portion of the enclosure 11 is 10mm.
フィラメント16の両端非発光部N’、N’の各々の長
さに2は87露、フィラメント16の両端非発光部N’
、 N’を除いた長さに3は280111.ランプl
Oの定格は280V−8200W、照射空間lを介して
対向する中央部におけるランプIOの相互間の離間距離
Llは80目1両端部側におけるランフ101とランフ
108及びランフ102とランフ104との離間距離L
2及びL3はそれぞれ60闘及び40−側方ミラー20
及び21の相互間の離間距離L4は280mであり。The length of each of the non-light emitting parts N' and N' at both ends of the filament 16 is 87 dews, and the non-light emitting parts N' at both ends of the filament 16 are
, the length excluding N' is 3, which is 280111. lamp l
The rating of O is 280V-8200W, and the distance Ll between the lamps IO in the center facing each other through the irradiation space l is 80mm. distance L
2 and L3 are respectively 60 fight and 40 - side mirror 20
and 21, the distance L4 between them is 280 m.
各凹溝mに対し、その凹溝に係る半円の中心から底部方
向に1〜2n変位した位置に管軸が位置されることとな
るよう、ランプ10が配設される。For each groove m, the lamp 10 is arranged so that the tube axis is located at a position displaced 1 to 2n toward the bottom from the center of the semicircle associated with the groove m.
第1の風路部付番及び第2の風路部材6に接続される送
風器及び排風器は最大風量が8イ/分のものである。よ
ってランプ10を点灯せしめること罠より、主ミラー】
及び8並びに側方ミラー20及び21による反射も加わ
って照射空間1にランフlOよシの光が放射され1例え
ば第1図において紙面に直角な方向における開口(第2
図参照)30゜81を介して被処理物を例えば通過せし
めるようベルトコンベア等の移送機構により照射空間l
内に位置せしめることにより、当該被処理物の加熱処理
が行なわれる。The blower and exhaust device connected to the first air passage section numbered part and the second air passage member 6 have a maximum air volume of 8 i/min. Therefore, from the trap of turning on lamp 10, the main mirror]
With the addition of reflections from
(See figure) The irradiation space l is moved by a transfer mechanism such as a belt conveyor so that the object to be treated passes through the irradiation space l through 30°81.
By positioning the object inside, the object to be processed is heated.
上記構成によれば、棒状のランプ10の複数がその管軸
が互に平行となるよう重密度に並設されているため、単
独ではランフ’lOは線光源を形成するものではあるが
、照射空間1内における被処理物に対してはそれら複数
のランプ10が事実上面光源を形成することとなると共
に、各ランフ10は、そのフイラメン)16が非発光部
Nと発光部Rとを交互に有するものであるので、各ラン
プlOの長さ方向における発光強度は中央部では小さく
。According to the above configuration, a plurality of rod-shaped lamps 10 are arranged in parallel in a dense manner so that their tube axes are parallel to each other. For the object to be treated in the space 1, the plurality of lamps 10 effectively form a surface light source, and each lamp 10 has its filament 16 alternately having a non-light-emitting part N and a light-emitting part R. Therefore, the emission intensity in the longitudinal direction of each lamp IO is small at the center.
端部側では中央部より大きくなるものとすることができ
るから、照射空間l内における被処理物が位置するレベ
ルでの照度分布は、少なくともランプ10の長さ方向に
ついては均一か若しくは端部側で大きくなるものとする
ことができる。他方隣接するランフ″IO相互間の間隙
の幅Sを均等に若しくは適当に設定することによってラ
ンフ10の並設方向における照度分布を均一なものとす
ることができるが、端部側で照射空間1においてランプ
101.102及びランプ108,104が被処理物が
位置されるレベルPに接近するよう変位せしめて配置さ
れているから、被処理物のランプ10の並設方向におけ
る周縁部が中央部に比して大きな照射エネルギーで加熱
されるようになって周縁部の熱放散による温度低下が相
殺されるようになシ、結局被処理物の表面全体が均一な
温度で加熱されるようになる。例えば被処理物が単結晶
のシリコンなどより成る直径5インチの比較的大きな半
導体ウェハーである場合には、従来の照射加熱炉におい
てはウェハーの周縁部に加熱温度の不均一性が原因とな
って発生した「スリップライン」のような損傷の発生を
確実に防止することができる。Since the end portions can be larger than the central portions, the illuminance distribution at the level where the object to be processed is located in the irradiation space l is uniform at least in the length direction of the lamp 10, or is uniform at the end portions. It can be made larger by . On the other hand, by uniformly or appropriately setting the width S of the gap between adjacent lamps 10, the illuminance distribution in the direction in which the lamps 10 are arranged side by side can be made uniform. Since the lamps 101, 102 and the lamps 108, 104 are disposed so as to be displaced to approach the level P where the object to be processed is located, the peripheral edge of the object to be processed in the direction in which the lamps 10 are arranged is in the center. In comparison, the object is heated with a large irradiation energy, which offsets the temperature drop due to heat dissipation at the peripheral edge, and eventually the entire surface of the object to be processed is heated at a uniform temperature. For example, when the workpiece is a relatively large semiconductor wafer with a diameter of 5 inches made of single-crystal silicon, etc., in a conventional irradiation heating furnace, the heating temperature may be uneven at the periphery of the wafer. It is possible to reliably prevent damage such as the "slip line" that occurs.
尚被処理物が位置されるレベルに接近するよう変位せし
めるランフは、低温になって「ス」Jツゾライン」が発
生するおそれのある端部のみに配置するようにすればよ
いので5両方でなく一方の端部に配置してもよい。Note that the ramp, which is moved to approach the level at which the object to be processed is positioned, should be placed only at the end where there is a risk of low temperature and the occurrence of "s" line, so it is not necessary to place it at both ends. It may be placed at one end.
ところで、前記実施例において、各ランプIOは、第1
の風路部材4の出口近傍に位置する一端から封体11の
長さ方向に沿って流れる送風器5による風と、第2の風
路部材60入ロ近傍に位置する他端を通って封体11の
長さ方向に沿って流れる排風器7による風とにより、封
体11の全長に亘って強制的に冷却され、同時に主ミラ
ー2及び8もその全長に亘って強制的に冷却され、従っ
て送風器5及び排風器7の風量を同−若しくは互に近似
したものとしておくことにより、照射空間l内に被処理
物がある場合においても又ない場合においても、封体1
1及び主ミラー2及び8の冷却状態に大きな変動を招く
ことがなくそれらを常に良好に安定して冷却することが
できる。また。By the way, in the above embodiment, each lamp IO
The air from the blower 5 flows along the length direction of the enclosure 11 from one end located near the outlet of the second air duct member 4, and the air flows through the other end located near the entrance of the second air duct member 60. The wind from the exhaust fan 7 flowing along the length of the body 11 forcibly cools the entire length of the envelope 11, and at the same time, the main mirrors 2 and 8 are also forcibly cooled over their entire length. Therefore, by setting the air volume of the blower 5 and the exhaust fan 7 to be the same or similar to each other, the envelope 1
1 and the main mirrors 2 and 8 can be cooled in a good and stable manner at all times without causing large fluctuations in the cooling state of the main mirrors 2 and 8. Also.
ランプ10の封止部12.12は側方ミラー20及z1
を越えてその外方に位置されているため他のランプより
の直射光の照射を受けないこと、ランプIOがフィラメ
ント16の端部非発光部N’、N’を取り囲む管壁部分
において、水冷機構を有する側方ミラーzO及び21.
並びにこれと協働するランプ支持具8及び9により保持
されているため、当該ランプ10の封体11の中央部よ
りの熱伝導が阻止されること、及び封止部12,12が
第1の風路部材4及び第2の風路部材6内に露出して位
置するため有効に冷却されることから、当該ランプ10
の封止部12.12における劣化が著しく抑制される。The sealing part 12.12 of the lamp 10 is connected to the side mirrors 20 and z1.
The lamp IO is located outside of the filament 16 so that it is not exposed to direct light from other lamps. Side mirror zO with mechanism and 21.
and the lamp supports 8 and 9 that cooperate with this prevent heat conduction from the central part of the sealing body 11 of the lamp 10, and that the sealing parts 12 and 12 are The lamp 10 is effectively cooled because it is exposed and located inside the air passage member 4 and the second air passage member 6.
Deterioration in the sealing portion 12.12 is significantly suppressed.
従って当該ランプ1oが大出力のものであっても、又隣
接するものの離間距離を小さくして高密度に配設しても
、それらランプ1oの封体11や封止部12.12が過
度の高温になることが防止され、それらランプ10の使
用寿命が短縮されることはない。Therefore, even if the lamps 1o have a high output, or even if the adjacent lamps 1o are arranged in high density with a small distance apart, the envelopes 11 and sealing parts 12, 12 of the lamps 1o are High temperatures are prevented and the service life of these lamps 10 is not shortened.
ここで、上記実施例における昇温テスト例を挙げると、
各ランプIOに定格のよの1600Wの電力を供給した
場合の加熱温度変化を、厚さ450ymの4インチ平方
のシリコンウェハーの中央部及び周縁部の数個所にそれ
ぞれ熱電対を接着して測定したところ、中央部における
測定温度変化は第5図に示すように、ランプ100点灯
後10秒間を経過するまでに1400℃もの高温に達し
、そして周縁部の測定温度変化も第5図に示した中央部
における測定温度変化とほぼ同様となシ周縁部が中央部
と同じように加熱されることが確認された。Here, an example of the temperature increase test in the above example is given.
The heating temperature change when the rated power of 1,600 W was supplied to each lamp IO was measured by bonding thermocouples at several locations in the center and periphery of a 4-inch square silicon wafer with a thickness of 450 ym. However, as shown in Figure 5, the measured temperature change at the center reached a high temperature of 1400°C by the time 10 seconds had passed after lamp 100 was turned on, and the measured temperature change at the periphery also reached the center shown in Figure 5. It was confirmed that the peripheral area was heated in the same way as the central area, which was almost the same as the measured temperature change in the central area.
又定格である8ZOOWの電力を供給した場合社、点灯
後8秒間を経過するまでに1400℃に達し。Furthermore, when the rated power of 8ZOOW is supplied, the temperature reaches 1400℃ within 8 seconds after the lamp is turned on.
何れの場合にも最終的には短時間でシリコンウェハーの
表層は全面に亘って溶融した。このように。In either case, the entire surface layer of the silicon wafer was finally melted in a short period of time. in this way.
シリコンウェハーを溶融せしめ得る程に高い一温度が極
めて短時間で得られ、しかも表面全体に亘って均一な温
度で加熱できることは半導体の製造プロセスにおいては
極めて重要であり、これにより。It is extremely important in the semiconductor manufacturing process that a temperature high enough to melt a silicon wafer can be obtained in an extremely short period of time, and that the entire surface can be heated at a uniform temperature.
従来の照射加熱炉によっては不可能であった大面積、短
時間昇温、加熱温度の均一化を達成することが可能とな
る。It becomes possible to achieve a large area, short time heating, and uniform heating temperature, which was impossible with conventional irradiation heating furnaces.
同、他の効果を附記すると、前記ランプ1oの各々は、
従来におけるように両端封止部に口金を設けてこの口金
を介してランプを支持する方式によらずに、封体11の
両端封止部12.12の近傍における管形部分の外壁面
を介して、ランフ″支持具8及び9により支持されてい
るため、封止部12、]2を裸の状態で露出せしめてお
くことができ、従って当該封止部12,12の放熱が極
めて有効に行なわれ、封止部12,12内に封着した導
電部材18.18が酸化断線することが防止され、従っ
てランプの使用寿命が短縮されることがない。Adding the same and other effects, each of the lamps 1o has the following effects:
Instead of the conventional method of providing a cap at both end sealing parts and supporting the lamp through the cap, it is possible to support the lamp through the outer wall surface of the tubular part in the vicinity of the both end sealing parts 12.12 of the enclosure 11. Since the lamp supports 8 and 9 support the lamps, the sealing portions 12, ]2 can be exposed in a bare state, and therefore the heat dissipation of the sealing portions 12, 12 is extremely effective. This prevents the electrically conductive members 18, 18 sealed within the sealing parts 12, 12 from being oxidized and disconnected, so that the service life of the lamp is not shortened.
この効果は、前記封止部IZ、12を冷却風路内に位置
せしめておくことにより確実に且つ顕著に得られる。そ
してランプ10を支持するランプ支持具8及び9は、水
冷された側方ミラー20,21に固定されているため、
それらを熱伝導により間接的に冷却することができ、ラ
ンプ10よシの熱によって変形する等の悪影響を防止す
ることができる。このようにランプlOをその管形部分
において支持することは、当該支持された管壁部分が封
体内部の最冷点となシ、ハロケ9ンランゾにあってはそ
の最冷点の温度がハロゲンサイクルを維持する上で必要
とされる120℃以上の温度とされなければならないが
、大出力のハロゲンランプにおいては、上記最冷点の温
度は120℃以下となること(15)
h7x<、tjtつてハロゲンサイクルが阻害されるこ
とはない。併せて、半導体の照射炉による熱処理におい
ては、ランゾロ金が設けられているとそれより発生する
接着剤層等の塵埃が半導体の特性に重大な悪影響を与え
ることとなるが、封止部lz。This effect can be reliably and significantly obtained by positioning the sealing portions IZ, 12 within the cooling air path. Since the lamp supports 8 and 9 that support the lamp 10 are fixed to the water-cooled side mirrors 20 and 21,
They can be indirectly cooled by heat conduction, and adverse effects such as deformation due to the heat of the lamp 10 can be prevented. Supporting the lamp lO in its tube-shaped portion in this manner means that the supported tube wall portion is the coldest point inside the envelope, and in the case of a haloke 9 lamp, the temperature of the coldest point is lower than that of the halogen. The temperature must be 120°C or higher, which is necessary to maintain the cycle, but in high-output halogen lamps, the temperature at the coldest point must be 120°C or lower (15) h7x<, tjt The halogen cycle is not inhibited. In addition, in the heat treatment of semiconductors in an irradiation furnace, if Lanzoro gold is provided, dust generated from the adhesive layer etc. will have a serious adverse effect on the characteristics of the semiconductor, but the sealing part lz.
12が裸のままでよいので、そのような問題が生ずるこ
ともない。Since 12 can remain naked, such a problem does not occur.
以上のように1本発明照射加熱炉は、長形な棒状管形封
体内に非発光部と発光部とを交互に具えたフィラメント
を当該封体の管軸に沿って設けて成るランプの複数がミ
ラーに近接して互にその管軸が平行となり、かつ前記ラ
ンプの複数のうち。As described above, the irradiation heating furnace of the present invention comprises a plurality of lamps each comprising a long rod-shaped tubular enclosure and a filament having alternating non-light-emitting parts and light-emitting parts arranged along the tube axis of the enclosure. of the plurality of lamps are close to the mirror and their tube axes are parallel to each other;
端部側に位置するランプの少なくとも1本を、光照射を
受けて加熱される被処理物が位置されるレベルに接近す
るよう変位せしめて設けたことを特徴とする構成である
から、大面積の被処理物を短時間のうちに加熱すること
ができると共に、表面全体に亘って均一な温度で加熱す
ることができて「スリップライン」のような損傷の発生
を防止することができ、半導体の加熱処理に好適である
。The structure is characterized in that at least one of the lamps located on the end side is displaced so as to approach the level at which the workpiece to be heated by being irradiated with light is positioned, so that it can be used for a large area. It is possible to heat the workpiece in a short time, and it is also possible to heat the entire surface at a uniform temperature, preventing the occurrence of damage such as "slip lines", suitable for heat treatment.
第1図は本発明の一実施例を示す説明用断面図。
第2図は第1図のランプ及びミラーについての横方向か
ら見た説明用断面図、第8図はランプの支持についての
説明図、第4図は本発明において用いられるランフ°の
説明図、第5図は本発明照射加熱炉の具体的装置におけ
る加熱温度変化についての特性曲線図である。
■−・照射空間 2.8・・・主ミラー4 第
1の風路部材 5・・送風器
6・・・第2の風路部材 7・・・排風器8.9・ラ
ンプ支持具FIG. 1 is an explanatory sectional view showing one embodiment of the present invention. FIG. 2 is an explanatory sectional view of the lamp and mirror in FIG. 1 viewed from the side, FIG. 8 is an explanatory diagram of support for the lamp, and FIG. 4 is an explanatory diagram of the lamp used in the present invention. FIG. 5 is a characteristic curve diagram regarding heating temperature changes in a specific device of the irradiation heating furnace of the present invention. ■-Irradiation space 2.8 Main mirror 4 First air path member 5 Air blower 6 Second air path member 7 Air exhaust device 8.9 Lamp support
Claims (1)
に具えたフィラメントを当該封体の管軸に沿って設けて
成るランプの複数がミラーに近接して互にその管軸が平
行となり、かつ前記ランプの複数のうち、端部側に位置
するランプの少なくとも1本を、光照射を受けて加熱さ
れる被処理物が位置されるレベルに接近するよう変位せ
しめて設けたことを特徴とする照射加熱炉。1) A plurality of lamps each having a filament provided with alternating non-light-emitting parts and light-emitting parts in a long rod-shaped tubular envelope along the tube axis of the envelope are arranged close to a mirror and each other's tubes are The axes are parallel to each other, and at least one of the plurality of lamps located on the end side is displaced so as to approach a level at which a workpiece to be heated by being irradiated with light is positioned. An irradiation heating furnace characterized by:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11618482A JPS597883A (en) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | Irradiation heating furnace |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11618482A JPS597883A (en) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | Irradiation heating furnace |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS597883A true JPS597883A (en) | 1984-01-17 |
JPS627474B2 JPS627474B2 (en) | 1987-02-17 |
Family
ID=14680885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11618482A Granted JPS597883A (en) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | Irradiation heating furnace |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS597883A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017083163A (en) * | 2016-12-26 | 2017-05-18 | 光洋サーモシステム株式会社 | Heat treatment device |
-
1982
- 1982-07-06 JP JP11618482A patent/JPS597883A/en active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017083163A (en) * | 2016-12-26 | 2017-05-18 | 光洋サーモシステム株式会社 | Heat treatment device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS627474B2 (en) | 1987-02-17 |
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