JPS5824786A - Irradiation heating furnace - Google Patents

Irradiation heating furnace

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JPS5824786A
JPS5824786A JP12194681A JP12194681A JPS5824786A JP S5824786 A JPS5824786 A JP S5824786A JP 12194681 A JP12194681 A JP 12194681A JP 12194681 A JP12194681 A JP 12194681A JP S5824786 A JPS5824786 A JP S5824786A
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lamp
irradiation
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air path
lamps
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荒井 徹治
龍志 五十嵐
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Ushio Denki KK
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Ushio Denki KK
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Granted legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は照射加熱炉に関するものである。[Detailed description of the invention] The present invention relates to an irradiation heating furnace.

一般に加熱処理を行なうための装置のうち、ランプよ〕
の放射光を被処理物に照射する照射加熱炉は、次0IJ
nき特長を有する。
Of the devices generally used for heat treatment, lamps
The irradiation heating furnace that irradiates the workpiece with synchrotron radiation of 0IJ
It has several features.

l)ランプ自体の熱容量が極めて小さいため、加熱温度
の急速な上昇及び低下が可能である。。
l) Due to the very small heat capacity of the lamp itself, rapid increases and decreases in heating temperature are possible. .

2)ランプに供給する電力を制御することKよシ、加熱
温度の制御を容易に行なうことができる。
2) By controlling the electric power supplied to the lamp, the heating temperature can be easily controlled.

3)ランプよりの放射光による非接触加熱であるので、
被処理物を汚染することがない。
3) Since it is non-contact heating using radiation light from a lamp,
It does not contaminate the object to be processed.

4)始動後の立ち上がり時間が短く、エネルギー効率が
大きいため消費エネルギーが少な―。
4) The start-up time after startup is short and the energy efficiency is high, so less energy is consumed.

5)直接通電炉、高周波炉等に比して装置が小型でコス
トが低い。
5) Compared to direct current furnaces, high frequency furnaces, etc., the equipment is smaller and the cost is lower.

そして照射加熱炉は、鋼材等の熱処理及び乾燥、プラス
チック成型、熱特性試験装置等に利用され(3) でいる。特に最近においては、半導体の製造における加
熱が必要とされる工程、例えば不純物拡散工程気化学的
気相成長工程、イオン打ち込み層の結晶欠陥の回復工程
、電気的活性化のための熱処理工程、更Ktiシリコン
ウェハーの表層を窒化若しくは酸化せしめるための熱処
理工程を遂行する場合の加熱炉として、従来から用ψら
れて−ゐ電気炉、高周波炉等に代って、照射加熱炉の利
用が検討されている。これは、照射加熱炉にお≠ては、
被処理物を汚染し或−は電気的に悪影響を与えることが
なψこと、消費1カが小さ−こと略0はか1従来の加熱
装置で韓大面@@被処理物を均一に加熱することができ
ず、最近における半導体の大面積化に対応することかで
龜&−からである・以上のようEll射加熱炉は種々の
特長を有し、広〈産業界にお−て用−られて―るが、従
来の照射加熱炉においては、大面積□の被処理物を均一
に、しか亀昇溢が速くて高mKM射加熱することができ
な一欠点がある◎即ち、ランプは石英ガラス等よ構成る
封体な具えた、点光置又Fi鍍光源を形成するものであ
って単独では二次元的な広が)をもった面光源を形成す
ること社できず、従って微小領域を高温に加熱すること
社できても、大面積領域を高温に加熱することができな
ψ。このため、従来の照射加熱炉においてはIIWkの
ランプを配設するようにして−るが、ランプを近接して
配設すると、それが大出力のものとなる程封体の温度が
高くなってランプの寿命が極端に短くなるため、現実に
は多数の大出力のランプを高密度で配設することができ
ない。この結果、被処理物が大面積のものであるときK
は照射強度の不均一さによ)加熱ムラが生じ、被処理物
が変形を生ずるようになるほか、照射空間における照射
エネルギー密度を大きくすることができず、可能な加熱
温度の上限は高々1200 ’C程度であ)、目的とす
る処理が不可能であ〕、或≠社必要な加熱処理を達成す
るための処理時間が長くなる等の欠点がある。
Irradiation heating furnaces are used for heat treatment and drying of steel materials, plastic molding, thermal property testing equipment, etc. (3). Particularly recently, processes that require heating in semiconductor manufacturing, such as impurity diffusion processes, vapor deposition processes, recovery processes for crystal defects in ion implantation layers, heat treatment processes for electrical activation, and The use of irradiation heating furnaces is being considered in place of electric furnaces, high-frequency furnaces, etc., which have been conventionally used as heating furnaces when carrying out heat treatment steps to nitride or oxidize the surface layer of Kti silicon wafers. ing. This means that in the irradiation heating furnace,
The object to be processed can be uniformly heated with a conventional heating device that does not contaminate the object to be processed or have a negative electrical effect, and consumes only a small amount of power. In order to cope with the recent increase in the area of semiconductors, the Ell radiation heating furnace has various features and is widely used in industry. However, one drawback of conventional irradiation heating furnaces is that they cannot uniformly heat a large-area workpiece at high mKM due to rapid overflow. It is a point light source with an enclosure made of quartz glass or the like, and cannot be used alone to form a surface light source with a two-dimensional spread. Although it is possible to heat a small area to a high temperature, it is not possible to heat a large area to a high temperature. For this reason, conventional irradiation heating furnaces are equipped with IIWk lamps, but if the lamps are placed close together, the temperature of the envelope will increase as the lamps have higher output. In practice, it is not possible to arrange a large number of high-output lamps at high density because the lamp life is extremely short. As a result, when the object to be treated has a large area, K
(Due to non-uniformity of irradiation intensity) heating unevenness occurs, causing deformation of the object to be treated, and the irradiation energy density in the irradiation space cannot be increased, and the upper limit of the possible heating temperature is at most 1200℃. However, there are drawbacks such as the fact that the desired treatment is impossible, and that the treatment time required to achieve the necessary heat treatment is long.

これらの欠点社、特に半導体の製造における加熱工程の
ように精密に制御された加熱が要求される場合Ktj大
亀な間層となる・ (5) 本発明F1以上の如き事情に基いて麦されたものであっ
て、複数のランプを高密度に配設することができ、従っ
て大面積の被処理物を高い均一性をもって太きφ照射エ
ネルギー密度で加熱することのできる照射加熱炉を提供
することを目的とする。
These drawbacks, especially when precisely controlled heating is required such as in the heating process in the manufacture of semiconductors, result in a large interlayer. To provide an irradiation heating furnace in which a plurality of lamps can be arranged at a high density, and therefore a large area of a workpiece can be heated with a large φ irradiation energy density with high uniformity. With the goal.

本発明の特徴とするところは、送KtlKti!続され
る第1の風路部材と、排111K”接続される第20風
路部材と、前記第1の風路部賃の出口近傍に設けた一方
のランプ支持具及び前記第2の風路部材の入口近傍に段
重え他方のランプ支持具と、前記#!Iの風路部材と第
2の風路部材との間の照射空間に面するよう、その両端
をそれぞれ前記一方のランプ支持具及び他方のランプ支
持具によシ保持せしめた複数のランプと、このランプに
対し照射空間と反対側に配置した主ミラーとを具えて成
る点にある。
The feature of the present invention is that the transmission KtlKti! a first air duct member connected to the exhaust 111K'', a 20th air duct member connected to the exhaust 111K'', one lamp support provided near the exit of the first air duct part, and the second air duct The other lamp support is layered near the entrance of the member, and the one lamp support is attached at both ends thereof so as to face the irradiation space between the #!I air path member and the second air path member. It comprises a plurality of lamps held by a lamp support and a main mirror disposed on the opposite side of the irradiation space with respect to the lamps.

以下図面によって本発明の一実施例につ−て説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例に係る照射加熱炉の構成を示
し、この実施例Km―ては、第2図にも(6) 示すように、被処理物が位置される照射空間lの上方及
び下方を蔽うようそれぞれ主ミラー2及び3を配設する
。これら主ミラー2及び3の各々の反射面KFi、各々
半円形の複数の凹溝醜が並んで形成され、各々当該主ミ
ラー2及び3の横方向(第1図では左右方向であり、第
2図では紙面に直角な方向)にその全長に亘って伸びて
いる。この主ミラー2及び3の横方向−側縁には、第1
の風路部材4を接続してこの第1の風路部材4には送風
器5を接続すると共に、前記主ミラー2及び3の横方向
他側縁には、第2の風路部材6を接続してこの12の風
路部材6には排風器7を接続する@前記第1の風路部材
4の出口近傍及び第2の風路部材6の人口近傍にはそれ
ぞれ一方のランプ支持具8及び他方のランプ支持具9を
設け、これらランプ支持具8及び9によシ、各々前記主
ミラー2及び3における樋状の凹溝mK沿って伸びるよ
ち長尺な棒状のハpゲンランプl0C)両端を支持し、
以ってランプ10が照射空rialKWJするよう配設
する。更に前記ランプ支持具8及び9Fi、(7) 前記闇討空間lの両側方を蔽うよう配置した、内面にミ
ラー面を有する側方ミラー20及び21にネジ24によ
り固定され、前記側方ミラー20及び21の各々の上縁
及び下縁にお−て第3図に示すように前記凹溝waK対
応した位置K11l成したランプ受容溝22と協働して
、凹溝状の押え部23によ)、ランプ10をその封止部
12.12に近−管形部分にお−て保持し、以って第1
図に示したように、ランプ10の各封止m12.12が
外方、即ち第1の風路部材4及び第2の風路部材6内に
露出するようK L、、この露出した封止![12,1
2よシ伸びる外部リード14.14には、第1の風路部
材4及び第2の風路部材6の壁を、テフロン等の絶縁材
25.25を介して貫通して伸びる電流供給線26.2
6を接続する。そして前記主よラー2及び3、並びに側
方セラー20及び21KH水冷IIl簿、具体的にはこ
れら主ミラー2及び3並びに側方ミラー20及び21の
材料部材の内部を通る導水路Wを形成し、これに冷却水
供給機構を接続する。
FIG. 1 shows the configuration of an irradiation heating furnace according to an embodiment of the present invention, and as shown in FIG. Main mirrors 2 and 3 are arranged to cover the upper and lower sides of the main mirrors, respectively. The reflecting surfaces KFi of each of these main mirrors 2 and 3 are formed with a plurality of semicircular grooves lined up in the lateral direction of the main mirrors 2 and 3 (in Fig. 1, it is the left and right direction, and the second In the figure, it extends over its entire length in the direction perpendicular to the plane of the paper. At the side edges of the main mirrors 2 and 3 in the lateral direction, a first
A blower 5 is connected to the first air path member 4, and a second air path member 6 is connected to the other side edge of the main mirrors 2 and 3 in the lateral direction. An exhaust fan 7 is connected to these 12 air duct members 6. @One lamp support is installed near the outlet of the first air duct member 4 and near the second air duct member 6, respectively. 8 and the other lamp support 9 are provided, and each of the lamp supports 8 and 9 has a longer bar-shaped hapgen lamp l0C extending along the gutter-like groove mK in the main mirrors 2 and 3, respectively. ) supports both ends,
Therefore, the lamp 10 is arranged so that the irradiation space is realKWJ. Further, the lamp supports 8 and 9Fi, (7) are fixed by screws 24 to side mirrors 20 and 21 having mirror surfaces on their inner surfaces, which are arranged so as to cover both sides of the dark investigation space l, As shown in FIG. 3, the upper and lower edges of each of the lamp receiving grooves 21 are formed at positions K111 corresponding to the grooves waK. , the lamp 10 is held in its sealing part 12.12 in a near-tubular part, so that the first
As shown in the figure, each sealing m12.12 of the lamp 10 is exposed outwardly, i.e. into the first air channel member 4 and the second air channel member 6. ! [12,1
The external lead 14.14 extending from the 2nd side has a current supply line 26 extending through the walls of the first air path member 4 and the second air path member 6 via an insulating material 25.25 such as Teflon. .2
Connect 6. Then, a water conduit W is formed that passes through the main mirrors 2 and 3 and the side cellars 20 and 21KH water-cooled case, specifically, the material members of the main mirrors 2 and 3 and the side mirrors 20 and 21. , connect the cooling water supply mechanism to this.

うに1石英ガラスよ)成る封体11と、この封体11 
(DMtmKllける封止部12,12内に封着された
金属箔よル成る導電部材13.13と、この導電部材1
3.13よ)それぞれ封体11外に伸びる外部リード1
4.14と、前記導電材13.13よシそれぞれ封体1
1内に伸びる内部リード15.15と、これら内部リー
ドIs、Is関KW続、され封体11の管軸に沿って配
設されたフィラメント16と、フイラメン)サポータ1
7とよル成シ、前記フィラメント16Fi、非発光部N
と発光部Rとを交互に具え、両端Ktj端部非発光部y
1. N/を有する。そして具体的数値例の一例を挙け
ると、主ミラー2及び30円溝膳の直径4t120m%
隣接する凹溝−の中心間距離4.Fi21■、ランプ1
0の全長kltj335■、封体11の管形部分の外径
DtjlOm、フイラメン)16の両端非発光部W。
A seal 11 made of quartz glass) and this seal 11
(The conductive member 13.13 made of metal foil sealed in the sealing parts 12, 12, and the conductive member 1
3.13) External leads 1 each extending outside the envelope 11
4.14 and the conductive material 13.13 respectively.
1, a filament 16 disposed along the tube axis of the envelope 11;
7. The filament 16Fi, the non-light emitting part N
and light-emitting parts R alternately, both ends Ktj and non-light-emitting parts y
1. It has N/. To give a specific numerical example, the diameter of the main mirror 2 and 30 circular grooves is 4t120m%
Distance between centers of adjacent grooves 4. Fi21■, lamp 1
0, the outer diameter of the tubular portion of the envelope 11 is DtjlOm, and the non-light-emitting portions W at both ends of the filament 16.

N′の各々の長さ−は37 ms 、アイラメ2416
0両端非発光mN’、N’を除−た長さり、IIi23
0mbランプ10の定格は230V−3200Ws照射
空閤(9) 1を介して対向するランプ10相互間の離間距離り、t
j80諺、側方セラー20及び21の相互間の離間距離
り、Fi23011mであシ、各凹溝■に対し、その凹
溝に係る半円の中心から底部方向に1〜2■変位した位
MK管軸が位置されることと力るよう、ランプ10が配
設される。第1の風路部材4及び1120風路部材6K
tll続される送風allび排lL器は最大風量が8−
7分のものである。よって、ランプ10を点灯せしめる
ことによ〕、主ミラー2及び3並びに鉤方ミラー20及
び21による反射も加わって照射空間IKクランプ0よ
シの光が放射され、例えば第1図にお≠て紙面に直角な
方向における開口(第2図参照)30.31を介して被
処理物を例えtfi!過せしめるようベルシコンベア等
の移送機構によシ照射空間1内に位置せしめることによ
)、当該被処理物の加熱処理が行なわれる。
The length of each N' is 37 ms, 2416
0 non-emissive mN' at both ends, length excluding N', IIi23
The rating of the 0mb lamp 10 is 230V-3200Ws.
j80 proverb, the distance between the side cellars 20 and 21 is Fi23011m, and for each groove ■, the distance MK is 1 to 2 ■displaced from the center of the semicircle related to that groove toward the bottom. A lamp 10 is arranged so that the tube axis is positioned and pressed. First air duct member 4 and 1120 air duct member 6K
The maximum air volume of all air blowers and exhaust units that are connected is 8-
It is 7 minutes long. Therefore, by lighting the lamp 10, light is emitted from the irradiation space IK clamp 0 with the addition of reflections from the main mirrors 2 and 3 and the hook mirrors 20 and 21. For example, as shown in FIG. The object to be treated is tfi! through an opening (see FIG. 2) 30. The object to be treated is heated by placing it in the irradiation space 1 using a transfer mechanism such as a conveyor so that the object can be heated.

上記構tKよれ杜、各ランプ10ti、第10風l!i
部材4の出口近傍に位置する一端から封体11の長さ方
向に沿って流れる送風器5による風と、(10) 第2の風路部材60入ロ近傍に位置する他端を過って封
体11の長さ方向に沿って流れる排風器7による風とK
より、封体11の全長に亘って強制的に冷却され、同時
に主ミラー2及び3もその全長に亘って強制的に冷却さ
れ、従って送風器5及び排風器7の風量を同−若しく祉
互に近似したものとしておくことによシ、照射空間1内
に被処理物がある場合においても又な■場合においても
、封体11及び主ミラー2及び3の冷却状態に大きな変
動を招くことがなくてそれらを常に良好に安定t、て冷
却することができる。また、ランプ10の封止[12,
12t!側側方フラー20び21を越えてその外方に位
置されているため他のランプよシの直射光O照射を受は
ガいこと、ランプ10がフイラメン)16の端部非発光
1!SN’、N’を取シ囲む管11部分において、水冷
機構を有する側方ミラー20及び21.並びKこれと協
働するランプ支持具8及び9によ)保持されて−るため
、当該ランプ10の封体11の中央部よシの熱伝導が阻
止されること、及び封止部12,12が第1の風路(1
1ン 部材4及び第2の風路部材6内に露出して位置するため
有効に冷却されることから、当該ランプ】0の封止部1
2.12における劣化が著しく抑制される・従ってラン
プ10が大出力のものであっても一又隣接するものの離
間距離を小さくして高密度に配設しても、ランプ10の
使用寿命が短縮されることを防止することができるので
、IIIのランプ10を高密度に配設することが可能と
なり、単独で#′i線光源を形成するに留まる棒状のラ
ンプ10のvI数を高密度に並設することによル、照射
空間!内における被処理物に対′してはそれらII数の
ランプ10が事実上面光源を形成することとなると共に
、IIII!するランプlO相互関の関@o@sを均等
に若しくは適当に設定する仁とKよってランプ10の並
設方向における照度分布を均−力ものとすることができ
、結局大@積の被処理物を高−均一性をもって大き一照
射エネルギー密度で加熱することができる。
Above structure tK Yore Mori, each lamp 10ti, 10th wind l! i
(10) Air from the blower 5 flows along the length of the enclosure 11 from one end located near the outlet of the member 4, and (10) passes through the other end located near the entrance of the second air path member 60. The wind from the exhaust fan 7 flowing along the length of the enclosure 11 and K
As a result, the entire length of the enclosure 11 is forcibly cooled, and at the same time, the main mirrors 2 and 3 are also forcibly cooled over their entire length. By making the surfaces similar to each other, even when there is an object to be processed in the irradiation space 1, and also in the case of They can always be cooled well and stably without any problems. Further, the sealing of the lamp 10 [12,
12t! Since the lamp 10 is located outside of the side flares 20 and 21, it does not receive direct light from other lamps. In the tube 11 section surrounding SN' and N', side mirrors 20 and 21. which have a water cooling mechanism are installed. and K) are retained by the lamp supports 8 and 9 cooperating therewith, so that heat conduction across the central part of the enclosure 11 of the lamp 10 is prevented, and the sealing part 12, 12 is the first air passage (1
The sealing part 1 of the lamp 0 is effectively cooled because it is exposed and located inside the first air passage member 4 and the second air passage member 6.
2. Deterioration in 12 is significantly suppressed. Therefore, even if the lamp 10 has a high output, the service life of the lamp 10 will be shortened even if the distance between adjacent lamps is shortened and the lamps 10 are densely arranged. Therefore, it is possible to arrange the III lamps 10 in a high density, and the vI number of the rod-shaped lamps 10, which alone form a #'i line light source, can be increased in a high density. By installing them side by side, you can create a large irradiation space! For the object to be treated inside, these II number of lamps 10 effectively form a surface light source, and III! By setting the relationship between the lamps 10 equally or appropriately, the illuminance distribution in the direction in which the lamps 10 are arranged can be made uniform, and as a result, even large volumes of objects can be treated. Objects can be heated with high uniformity at large irradiation energy densities.

ここで、上記実施HKおける昇温テスト例を挙ケルト、
各5 ンフ10 K定格01/201600W ID電
力を供給した場合の加熱温度変化を、厚さ45o#諷の
4インチ平方のシリコンウニ八−に熱電対を接着して測
定したところ、測定温度変化は第5図に示すように、ラ
ン1100点灯後IO秒間を経過するまでK 1400
℃もの高WjhK達し、又定格である3200Wの電力
を供給した場合は、点灯tik3秒間を経過するまで[
1400℃に達し、何れの場合にも最終的KFi短時間
でシリコンウェハーの表層は全面に亘って溶融した・こ
のように、シリコンウニ八−を溶融せしめ得る程に高い
温度が得られることは半導体の製造プロセスにおいて#
′i極めて重要であシ、これによ)、従来の照射炉によ
っては不可能であった大面積、短時間昇温を達成するこ
とが可能となる。
Here, we will give an example of the temperature rise test conducted at the above-mentioned HK.
The heating temperature change when supplying 01/201600W ID power to each 5 mm 10K rating was measured by gluing a thermocouple to a 4-inch square silicone sea urchin with a thickness of 45°, and the measured temperature change was As shown in FIG.
If the temperature reaches a very high WjhK and the rated power of 3200W is supplied, the lighting will not last until 3 seconds have elapsed.
The temperature reached 1,400℃, and in each case, the surface layer of the silicon wafer melted over the entire surface within a short period of time.In this way, the fact that a temperature high enough to melt the silicon wafer can be obtained is an important characteristic of semiconductors. In the manufacturing process of #
(Very important) This makes it possible to achieve temperature increases over a large area and in a short time, which was not possible with conventional irradiation furnaces.

ところで、前記実施例においては、各ランプ1゜のフィ
ラメント16が非発光@Nと発光[Rとを交互に有する
ものであるので、端部発光部R′、1′の長さが他の発
光ISRよ〕大きいフィラメン)16を具えた構成とす
るととkよシ、主ミラー2及び3の凹溝−との組合せに
おψて各ランプ10(13) の長さ方向における照度分布をも適切なものとすること
ができる。具体的に説明すると、既述の具体NOクラン
プOKよれば、当該ランプ10の管軸よ!D45111
JIIIしたレベルにおける照度パターンは第6図(イ
)に示すように、フイラメン)16における長さの大き
い端部発光部翼′、1′により1両端部の照度が中央部
より高−ものとなるが、このランプlOを既述の数値例
の凹溝膳と組み合せることによ)、同一のレベルにおけ
る照度パターンは、第6図(ロ)K示すように全体に平
坦な均一性の高いものとなる。従って、前記照射空間I
においては、ランプ10の並設方向にも又ランプ10の
長さ方向にも均一な照射エネルギー密度で照射が行な・
われ、被処理物の全面を均一に加熱することができる。
By the way, in the above embodiment, since the filament 16 of each lamp 1° has non-emitting @N and emitting [R] alternately, the length of the end light emitting parts R', 1' is longer than that of the other light emitting parts. If the ISR is configured with a large filament 16, the illuminance distribution in the length direction of each lamp 10 (13) will be appropriate in combination with the concave grooves of the main mirrors 2 and 3. It can be made into something. To explain specifically, according to the concrete NO clamp OK mentioned above, the tube axis of the lamp 10! D45111
The illuminance pattern at the JIII level is as shown in Figure 6 (a), where the illuminance at both ends of the filament (16) is higher than that at the center due to the longer end light emitting wings ', 1' of the filament (16). However, by combining this lamp IO with the concave groove set in the numerical example mentioned above), the illuminance pattern at the same level can be obtained as a flat and highly uniform illuminance pattern as shown in Figure 6(b)K. becomes. Therefore, the irradiation space I
In this case, irradiation is performed with uniform irradiation energy density both in the direction in which the lamps 10 are arranged side by side and in the length direction of the lamps 10.
Therefore, the entire surface of the object to be processed can be heated uniformly.

更に他の効果を説明すると、前記ランプlOの各々は、
従来におけるように両端封止部に口金を設けてこの口金
を介してランプを支持する方式によらずに、封体11の
両端封止部12.12の近傍における管We部分の外壁
面を介して、ランプ支持具8及び9によ〕支持されて―
る(14) ため、封止部12,12を褌の状態で露出せしめておく
ことができ、従って当該封止部12 、12の放熱が極
めて有効に行なわれ、封止部12,12内に封着した導
電部材13.13が酸化断線することが防止され、従っ
てランプの使用寿命が短縮されることがなψ。この効果
は、前記封止部12,12を冷却風路内に位置せしめて
おくことにより確実に且つ顕著に得られる。そしてラン
プ1oを支持するランプ支持具8及び9Fi、それらを
直接水冷する水冷機構によっても強制的に冷却すること
がr:t、ランプ10よシの熱によって変形する等の悪
影響を防止することができる。このようにランプ10を
その管形部分Kifいて支持することは、当該支持され
た管壁部分が封体内部の最冷点とな′ル1ハレゲンラン
プにあってはその最冷点の温度がへロゲンサイクルを維
持する上で必要とされる約120℃以上の温度とされな
ければならないが、大出力のハロゲンランプにおいては
、上記最冷点の温度が120℃以下となることはなく、
従ってへロゲンサイクルが阻害されることFiない。併
せて、(15) 半導体の照射炉による熱処理においては、ランプに口金
が設けられて−るとそれよ多発生する接着削屑等の塵挨
が半導体の特性に腫大な悪影響を与えることとなるが、
封止部12.12が褌のままでよ−ので、そのような問
題が生ずることもない。
To explain yet another effect, each of the lamps IO has the following effects:
Instead of the conventional method of providing a cap at both end sealing portions and supporting the lamp through the cap, it is possible to support the lamp through the outer wall surface of the tube We near the both end sealing portions 12.12 of the enclosure 11. and supported by lamp supports 8 and 9.
(14) Therefore, the sealing parts 12, 12 can be exposed in a loincloth state, and therefore the heat dissipation from the sealing parts 12, 12 is extremely effective, and the inside of the sealing parts 12, 12 is The sealed conductive member 13.13 is prevented from being oxidized and disconnected, so that the service life of the lamp is not shortened. This effect can be reliably and significantly obtained by positioning the sealing portions 12, 12 within the cooling air passage. In addition, the lamp supports 8 and 9Fi that support the lamp 1o can be forcibly cooled by a water cooling mechanism that directly cools them, r:t, and it is possible to prevent adverse effects such as deformation due to the heat of the lamp 10. can. Supporting the lamp 10 by its tube-shaped portion in this manner means that the supported tube wall portion becomes the coldest point inside the envelope.1 In the case of a halogen lamp, the temperature of the coldest point decreases. The temperature must be approximately 120°C or higher, which is necessary to maintain the halogen cycle, but in high-output halogen lamps, the temperature at the coldest point will never drop below 120°C.
Therefore, the herogen cycle is not inhibited. In addition, (15) In the heat treatment of semiconductors in an irradiation furnace, if the lamp is equipped with a cap, dust such as adhesive shavings, etc., which are generated in large quantities, will have a huge negative effect on the characteristics of the semiconductor. It turns out, but
Since the sealing portion 12.12 can remain as a loincloth, such a problem does not occur.

以上のように、本発明け、送風lIK接続される第1の
風路部材と、排風器に接続される第2の風路部材と、前
記第1の風路部材の出口近傍に設けた一方のランプ支持
具及び前記第20風路部材の入口近傍に設けた他方のラ
ンプ支持具と、前記第1の風路部材と第2の風路部材と
の間の照射空間に面するよう、その両端をそれぞれ前記
一方のランプ支持具及び他方のランプ支持具によ〕保持
せしめた複数のランプと、このランプに対し照射空間と
反対側に配置した主文ツーとを具えて成る構成であるか
ら、複数のランプを高密度に配設することができ、従っ
て大面積の被処理物を高−均一性をもって大き一照射エ
ネルギー密度で加熱することができる。
As described above, the present invention has a first air path member connected to the air blower, a second air path member connected to the exhaust fan, and a second air path member provided near the outlet of the first air path member. one lamp support and the other lamp support provided near the entrance of the 20th air path member, and facing the irradiation space between the first air path member and the second air path member; This is because the structure comprises a plurality of lamps whose ends are held by the one lamp support and the other lamp support, respectively, and a main body placed on the opposite side of the irradiation space with respect to the lamps. , a plurality of lamps can be arranged at a high density, and therefore a large area of the workpiece can be heated with high uniformity and a large irradiation energy density.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

■昭58−2478G(5)’ 第1図は本発明照射加熱炉の一実施例を示す説明用断面
図、第2図は第1図のランプ及びミラーについての横方
向から見た説明用断面図、第3図はランプの支持につ−
ての説明図、l1I4図は本発明に好適に用いられるラ
ンプの説明図、[5図は本発明照射加熱炉の具体的装置
における加熱温度変化についての特性曲線図、第6図(
イ)及び(ロ)はそれぞれ第4図のランプ単独及びミラ
ーと組み合せた場合の照度パターンを示す特性曲線図で
ある。 1・・・照射空間     2.3・・・主ミラー4・
・・第1の風路部材  5・・・送風器6・・・第2の
風路部材  7・・・排風器8.9・・・ランプ支持具
 10・・・へロゲンランプ12・・・封止部    
 16・・・ゝフィラメント20.21・・・側方ミラ
ー 23・・・押え部m・・・凹溝 葉2図 3 架3図 20(21) 葦5図 点ズTll予間(抄) ; 第6図(0) ) 手続補正書C方式) %式% 1、事件の表示  特許ff156−121946号2
、発明の名称  照射加熱炉 3、神正をする者 事件との関係  特許出願人 住 所 東京都千代田区大手町2丁目6番1号朝日東湊
ビル1911 名 称 ウシオ電機株式会社 4、代理人 1)図面の浄書(内容に変更なし)
■Sho 58-2478G (5)' Figure 1 is an explanatory sectional view showing one embodiment of the irradiation heating furnace of the present invention, and Figure 2 is an explanatory sectional view of the lamp and mirror shown in Figure 1, viewed from the side. Figure 3 shows the lamp support.
11I4 is an explanatory diagram of a lamp suitably used in the present invention, [Figure 5 is a characteristic curve diagram regarding heating temperature change in a specific device of the irradiation heating furnace of the present invention, and Figure 6 (
(a) and (b) are characteristic curve diagrams showing the illuminance pattern of the lamp shown in FIG. 4 alone and in combination with a mirror, respectively. 1... Irradiation space 2.3... Main mirror 4.
...First air path member 5...Blower 6...Second air path member 7...Blower 8.9...Lamp support 10...Herogen lamp 12... Sealing part
16... Filament 20. 21... Side mirror 23... Holder m... Concave groove leaf 2 Figure 3 Frame 3 Figure 20 (21) Reed 5 Dots Tll space (excerpt); Figure 6 (0) ) Procedural amendment C method) % formula % 1. Indication of case Patent FF156-121946 No. 2
, Title of the invention Irradiation heating furnace 3, relationship to the person who commits divine righteousness Patent applicant address 1911 Asahi Higashiminato Building, 2-6-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Name Ushio Denki Co., Ltd. 4, Agent 1 ) Engraving of the drawing (no changes to the content)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)送風器に接続される@1の風路部材と、排風IIK
接続される第20風路部材と、前記第1の風路部材の出
口近傍に設けた一方のランプ支持具及び前記第2の風路
部材の入口近傍に設けた他方のランプ支持具と、前記第
1の風路部材と第20風路部材との間の照射空間に面す
るよう、その両端をそれぞれ前記一方のランプ支持具及
び他方のランプ支持具によシ保持せしめた複数のランプ
と、このランプに対し照射空間と反対mK配装した主ミ
ラーとを具えて成ることを特徴とする照射加熱炉0 2)主ミラーの反射面に、ランプの長手方向に沿って樋
状の凹溝が形成されて成る特許請求の範囲第1項記載の
照射翫熱炉・ 3)前記一方のランプ支持具及び他方のランプ支持具を
支持する側方ミラーを附加して成る特許請求の範囲第1
項又は112項記載の照射加熱炉。 (2) 4)側方ミラーが水冷機構を有する特許請求の範囲第3
項記載の照射加熱炉。
[Claims] 1) An air path member @1 connected to the blower and an air exhaust IIK
a 20th air path member to be connected, one lamp support provided near the outlet of the first air path member, the other lamp support provided near the entrance of the second air path member, and the a plurality of lamps having both ends held by the one lamp support and the other lamp support, respectively, so as to face the irradiation space between the first air path member and the twentieth air path member; An irradiation heating furnace 0 characterized by comprising an irradiation space and a main mirror disposed opposite mK to the lamp. 2) A gutter-like groove is formed on the reflective surface of the main mirror along the longitudinal direction of the lamp. 3) A side mirror for supporting the one lamp support and the other lamp support is added.
The irradiation heating furnace according to item 1 or item 112. (2) 4) Claim 3 in which the side mirror has a water cooling mechanism
The irradiation heating furnace described in Section 1.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS602296U (en) * 1983-06-20 1985-01-09 ウシオ電機株式会社 light irradiation furnace
JPS6049626U (en) * 1983-09-13 1985-04-08 ニチデン機械株式会社 infrared heating device

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS602296U (en) * 1983-06-20 1985-01-09 ウシオ電機株式会社 light irradiation furnace
JPS6049626U (en) * 1983-09-13 1985-04-08 ニチデン機械株式会社 infrared heating device

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