JPS5978739U - 電界効果トランジスタのゲ−ト駆動回路 - Google Patents

電界効果トランジスタのゲ−ト駆動回路

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Publication number
JPS5978739U
JPS5978739U JP17530782U JP17530782U JPS5978739U JP S5978739 U JPS5978739 U JP S5978739U JP 17530782 U JP17530782 U JP 17530782U JP 17530782 U JP17530782 U JP 17530782U JP S5978739 U JPS5978739 U JP S5978739U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
effect transistor
transistors
circuit
drive circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP17530782U
Other languages
English (en)
Inventor
大橋　郁夫
Original Assignee
日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
Priority to JP17530782U priority Critical patent/JPS5978739U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来例のＭＩＳ　−ＦＥＴの駆動回路図、第
２図は第１図の回路の動作波形図、第３図は本考案の一
実施例のＭＩＳ−ＦＥＴの駆動回路図、第４図は第３図
の回路の動作波形図である。 １．２．１１・・・直流電源、３．　４．　１２．　１
３・・・パルス発生回路、５．１５・・・ＰＮＰ型トラ
ンジスタ、６，８，１４，１７．２１・・・ＮＰＮ型ト
ランジスタ、７．１９・・・抵抗、９．２２・・・Ｎチ
ャンネル型ＭＩＳ、ＦＥＴ、　　１６・・・コンデンサ
、１８．２０・・・ダイオード。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 直流電源と第１および第２のパルス発生回路と第１およ
    び第２のトランジスタの直列接続回路とを共通に並列接
    続し、前記第１および第２のトランジスタのベースをそ
    れぞれ前記第１および第２のパルス発生回路の出力に接
    続し、前記第１および第２のトランジスタの共通接続点
    と被駆動電界効果トランジスタのゲート間にコンデンサ
    と第３のトランジスタの直列接続回路を挿入し、前記コ
    ンデンサと前記第３のトランジスタとの共通接続点と前
    記第２のトランジスタのエミッタ間および前記第３のト
    ランジスタのベース間にそれぞれ第１のダイオードおよ
    び抵抗を挿入し、前記第３のトランジスタのベースと前
    記被駆動電界効果トランジスタのゲート間およびソース
    間にそれぞれ第２のダイオードおよび第４のトランジス
    タを挿入し、該第４のトランジスタのベースおよびエミ
    ッタをそれぞれ前記第１のパルス発生回路の出力および
    前記第１のトランジスタエミッタに接続してなる回路を
    含むことを特徴とする電界効果トランジスタの駆動回路
    。
JP17530782U 1982-11-19 1982-11-19 電界効果トランジスタのゲ−ト駆動回路 Pending JPS5978739U (ja)

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JPS5978739U true JPS5978739U (ja) 1984-05-28

Family

ID=30381432

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