JPS596531A - 可変成形電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
可変成形電子ビ−ム露光装置Info
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- JPS596531A JPS596531A JP11558182A JP11558182A JPS596531A JP S596531 A JPS596531 A JP S596531A JP 11558182 A JP11558182 A JP 11558182A JP 11558182 A JP11558182 A JP 11558182A JP S596531 A JPS596531 A JP S596531A
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- shaping
- electron beam
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、LSI等の製造において微細な・ぐタンを可
変成形電子ビームによシ能率良く描画するための回覧成
形電子ビーム露光装置に関するものである。
変成形電子ビームによシ能率良く描画するための回覧成
形電子ビーム露光装置に関するものである。
従来の可変成形電子ビーム露光装置の電子光 ゛学鏡体
の構成を第1図に示す。1は電子銃、10はコンデンサ
レンズ、11,121−Jビーム成形用レンズ、13は
縮小レンズ、14は対物レンズ、2Qはfツンカ、SO
はビーム成形用偏向器、3ノはビーム偏向器、40紘矩
形の孔を有する第1成形ア/臂−チャ、41は矩形の孔
を有する第2成形7ノ平−デャ、50はビーム電流制限
アt4−チャ、60は試料面である。可変成形ビーム用
鏡体において紘、電子銃1かも発生する電子ビームが形
成するクロスオーバ像、および成形アノや一チャ40,
41によって作られる矩形の電子ビーム像を各々所定の
状態に結像させる。電子銃の形成するクロスオーバ像は
、まずコンデンサレン、e10によって第1成形アノ量
−チャ40の上方に結像され、さらに成形用しン′シ1
1によって成形用偏向器30の偏向中心に結像され、さ
らに成形用レン、e12、縮小レンズ13によって制限
ア/?−チャ50の位置に所定の大きさに結像される。
の構成を第1図に示す。1は電子銃、10はコンデンサ
レンズ、11,121−Jビーム成形用レンズ、13は
縮小レンズ、14は対物レンズ、2Qはfツンカ、SO
はビーム成形用偏向器、3ノはビーム偏向器、40紘矩
形の孔を有する第1成形ア/臂−チャ、41は矩形の孔
を有する第2成形7ノ平−デャ、50はビーム電流制限
アt4−チャ、60は試料面である。可変成形ビーム用
鏡体において紘、電子銃1かも発生する電子ビームが形
成するクロスオーバ像、および成形アノや一チャ40,
41によって作られる矩形の電子ビーム像を各々所定の
状態に結像させる。電子銃の形成するクロスオーバ像は
、まずコンデンサレン、e10によって第1成形アノ量
−チャ40の上方に結像され、さらに成形用しン′シ1
1によって成形用偏向器30の偏向中心に結像され、さ
らに成形用レン、e12、縮小レンズ13によって制限
ア/?−チャ50の位置に所定の大きさに結像される。
制限アパーチャ50の位置に結像されたクロスオーツぐ
像の大きさは、制限ア/IP−チャ50の孔の大きさよ
シも大きくなっておシ、制限アパーチャ50の孔の大き
さによって試料面60に照射されるビーム電流密度が決
まる。一方、第1成形アノ4−チャ40によって矩形の
形状に成形された電子ビームの像は、成形レンズ11.
12によって第2成形アパーチヤ41上に結像され、こ
のとき偏向器30でビームを偏向して成形アパーチャ4
1を通過したビームが所定の形状1寸法になるようにす
る。このようにして成形されたビームは、縮小レンズ1
3、対物レンズ14によりて試料面60上に所定の形状
1寸法で結像される。
像の大きさは、制限ア/IP−チャ50の孔の大きさよ
シも大きくなっておシ、制限アパーチャ50の孔の大き
さによって試料面60に照射されるビーム電流密度が決
まる。一方、第1成形アノ4−チャ40によって矩形の
形状に成形された電子ビームの像は、成形レンズ11.
12によって第2成形アパーチヤ41上に結像され、こ
のとき偏向器30でビームを偏向して成形アパーチャ4
1を通過したビームが所定の形状1寸法になるようにす
る。このようにして成形されたビームは、縮小レンズ1
3、対物レンズ14によりて試料面60上に所定の形状
1寸法で結像される。
試料面60上に結像された成形ビームの電流密度は制限
アノ4−チャ50の孔の大きさで決まシ、成形ビームの
寸法に依存せず−9となる。
アノ4−チャ50の孔の大きさで決まシ、成形ビームの
寸法に依存せず−9となる。
ビーム電流密度を10AV/crIL2、ビーム寸法の
試料面上での大きさを0μm0〜5μmOの範囲で可変
できる可変成形ビーム鏡体についてみると、5μmX5
μmの場合のビーム電流値は2.5μAとなる。ここで
、ビーム電流値が1μA以上になると、電子相互のクー
ロン反発力によってビームのほけ幅が増大することが知
られておシ、5μmX5μmで2.5μAのビームは1
μA以上のビームよりもビームはけ幅が1#1以上増大
するため、実際の・や−ン描画には使用できない。この
ようなり−ロン反発力によるビーム埋は幅の増大を避け
る方法として、従来は(1)ビーム電流密度を低く調整
することによって、成形ビームの最大寸法時におけるビ
ーム電流値1/IA以下にする、(2)成形ビームの幅
をW、高さをHとし、ビーム電流値1μA時の成形ビー
ムの面積をSとした場合、WXH≦Sとなる条件でビー
ムを成形しノやタンを描画する、という方法が取られて
いた。クーロン反発力によるビームはけ幅の増大をこの
ような方法で避けるようにしていたため、従来の可変成
形ビーム鏡体では、ノ4タンの露光時間が増大するとい
う欠点があった。
試料面上での大きさを0μm0〜5μmOの範囲で可変
できる可変成形ビーム鏡体についてみると、5μmX5
μmの場合のビーム電流値は2.5μAとなる。ここで
、ビーム電流値が1μA以上になると、電子相互のクー
ロン反発力によってビームのほけ幅が増大することが知
られておシ、5μmX5μmで2.5μAのビームは1
μA以上のビームよりもビームはけ幅が1#1以上増大
するため、実際の・や−ン描画には使用できない。この
ようなり−ロン反発力によるビーム埋は幅の増大を避け
る方法として、従来は(1)ビーム電流密度を低く調整
することによって、成形ビームの最大寸法時におけるビ
ーム電流値1/IA以下にする、(2)成形ビームの幅
をW、高さをHとし、ビーム電流値1μA時の成形ビー
ムの面積をSとした場合、WXH≦Sとなる条件でビー
ムを成形しノやタンを描画する、という方法が取られて
いた。クーロン反発力によるビームはけ幅の増大をこの
ような方法で避けるようにしていたため、従来の可変成
形ビーム鏡体では、ノ4タンの露光時間が増大するとい
う欠点があった。
本発明はこの欠点を除去するため、成形ビームの大きさ
に応じてビーム電流密度も可変にするようにしたもので
、以下図面について詳細に説明する。
に応じてビーム電流密度も可変にするようにしたもので
、以下図面について詳細に説明する。
本発明による可変成形電子ビーム露光装置の電子光学鏡
体の構成の実施例を第2図に示す。
体の構成の実施例を第2図に示す。
10ノは電子銃、110はコンデンサレンズ、111.
112はビーム成形用レンズ、11Bは縮小レンズ、1
14は対物レンズ、120はブランカ、130はビーム
成形用偏向器、13ノはビーム偏向器、140は矩形の
孔を有する第1成形アパーチヤ、141は矩形の孔を有
する第2成形アパーチヤ、150はビーム電流制限ア/
母−チヤ、160は試料面、200は制限アノヤーチャ
150上に結像された電子銃のクロスオーバ像の位置を
移動するための偏向器である。
112はビーム成形用レンズ、11Bは縮小レンズ、1
14は対物レンズ、120はブランカ、130はビーム
成形用偏向器、13ノはビーム偏向器、140は矩形の
孔を有する第1成形アパーチヤ、141は矩形の孔を有
する第2成形アパーチヤ、150はビーム電流制限ア/
母−チヤ、160は試料面、200は制限アノヤーチャ
150上に結像された電子銃のクロスオーバ像の位置を
移動するための偏向器である。
従来技術の項で説明したのと同様に、電子銃101の形
成するクロスオーバ像は制限アパーチャ150上に結像
され、成形アノ4−チャ14Q。
成するクロスオーバ像は制限アパーチャ150上に結像
され、成形アノ4−チャ14Q。
14ノを用いて成、形された電子ビームの像は試料面1
60上に結像されるように、各電子レンズt−111整
する。ここで、制限アパーチャ150上のクロスオーツ
f像の大きさは、制限アパーチャ150の孔の大きさよ
りも大きくなるように鏡体が設計されている。
60上に結像されるように、各電子レンズt−111整
する。ここで、制限アパーチャ150上のクロスオーツ
f像の大きさは、制限アパーチャ150の孔の大きさよ
りも大きくなるように鏡体が設計されている。
第3図は、制限アパーチャiso上に結像されたクロス
オーバ像の電流密度分布201を示す。制限アパーチャ
150の孔は、写真機のレンズにおける絞と同等の働き
をし、制限アノや一チャ150の孔を通過する電子ビー
ムの量によって、試料面160上に結像される成形ビー
ムの電流密度が決定される。
オーバ像の電流密度分布201を示す。制限アパーチャ
150の孔は、写真機のレンズにおける絞と同等の働き
をし、制限アノや一チャ150の孔を通過する電子ビー
ムの量によって、試料面160上に結像される成形ビー
ムの電流密度が決定される。
偏向器200は、静電板によって構成されておシ、偏向
器200に電圧を印加すると、制限アパーチャ15o上
においてクロスオーバ像の位置が移動し、制限アパーチ
ャ150の孔を通遇する電子ビームの量が変化するため
、試料面160上に結像した成形ビームの電流密度が変
化する。ここで、試料面160上に結像した成形ビーム
の形状2寸法2位置は、成形アパーチャ140.141
の像を電子レンズIII、112゜113.114で試
料面160上に結像しているので、電子レンズ111,
112,113゜114の励磁状態を変化させないかぎ
シ変化しない。J21Jち、成形ビームの電流密度だけ
を変化させることができる。偏向器2θθへの印加電圧
と成形ビームの電流密度との関係を第4図に示す。
器200に電圧を印加すると、制限アパーチャ15o上
においてクロスオーバ像の位置が移動し、制限アパーチ
ャ150の孔を通遇する電子ビームの量が変化するため
、試料面160上に結像した成形ビームの電流密度が変
化する。ここで、試料面160上に結像した成形ビーム
の形状2寸法2位置は、成形アパーチャ140.141
の像を電子レンズIII、112゜113.114で試
料面160上に結像しているので、電子レンズ111,
112,113゜114の励磁状態を変化させないかぎ
シ変化しない。J21Jち、成形ビームの電流密度だけ
を変化させることができる。偏向器2θθへの印加電圧
と成形ビームの電流密度との関係を第4図に示す。
本発明の実施例である可変成形電子ビーム鏡筒は、加速
電圧30 kV、ビーム電流密度10AAcIrL2ビ
ーム寸法可変範囲Oμm0〜5μm1、ビーム電流値1
μA以下の場合(クーロン反発力が無視できる場合)に
おけるビームエツジはけ幅0.15μm。
電圧30 kV、ビーム電流密度10AAcIrL2ビ
ーム寸法可変範囲Oμm0〜5μm1、ビーム電流値1
μA以下の場合(クーロン反発力が無視できる場合)に
おけるビームエツジはけ幅0.15μm。
等の性能を有しており、最小線幅0.5μmを有するV
LSI /fメタン描画できる。クーロン反発力による
ビームエツジはけ幅の増大を避けるためには、ビーム寸
法可変時のビーム電流値を1μA以下にする必要があシ
、試料面に照射される矩形の成形ビームの幅をW、高さ
をHとし、面積を5(=WXH)とすると、S≦10
pm2の場合にはビーム電流密度をIOA廓2、S>1
0βm2の場合にはビーム電流密度を(10A廓2)X
(10μm様)にすればよい。さらに、ビーム電流密度
を変化させた場合には、成形ビームのシ1ット時間を変
化させて各シ1.トによ)レジストに与える電子ビーム
のドーズ量を所定の値にする。第4図よシ、ビーム電流
値を1μA以下にするための。
LSI /fメタン描画できる。クーロン反発力による
ビームエツジはけ幅の増大を避けるためには、ビーム寸
法可変時のビーム電流値を1μA以下にする必要があシ
、試料面に照射される矩形の成形ビームの幅をW、高さ
をHとし、面積を5(=WXH)とすると、S≦10
pm2の場合にはビーム電流密度をIOA廓2、S>1
0βm2の場合にはビーム電流密度を(10A廓2)X
(10μm様)にすればよい。さらに、ビーム電流密度
を変化させた場合には、成形ビームのシ1ット時間を変
化させて各シ1.トによ)レジストに与える電子ビーム
のドーズ量を所定の値にする。第4図よシ、ビーム電流
値を1μA以下にするための。
成形ビームの面積Sと偏向器2oθへの印加電圧Vとの
関係を求めた結果を第5図に示す。
関係を求めた結果を第5図に示す。
つぎに、本発明による成形ビームデータの演算回路の機
能ブロック図を第6図に示す。描画ノやタンデータは(
X、Y、W、H,T)(X、Y:ビーム偏向器m、 w
: 、#タンの幅、H:)母タンの高さ、Tニジ讐ッ
ト時間)で表わされている。ここで、W、Hはビーム寸
法の最大値5μm以下になっておシ、各描画バタンデー
タ毎に成形ビームを1回シ1クトする。描画バタンデー
タは、演算回路内の記憶装置に格納されている。まず、
(X、Y、W、H)の各データはそのままの形で偏向器
131の制御回路およびビーム寸法制御回路へ転送され
る。一方、第4図、第5図に示す関係曲線は、高速に演
算するために、多項式による近似式で表現し、ロソ、り
回路に近似式の演算を行う。偏向器200への印加電圧
をV。
能ブロック図を第6図に示す。描画ノやタンデータは(
X、Y、W、H,T)(X、Y:ビーム偏向器m、 w
: 、#タンの幅、H:)母タンの高さ、Tニジ讐ッ
ト時間)で表わされている。ここで、W、Hはビーム寸
法の最大値5μm以下になっておシ、各描画バタンデー
タ毎に成形ビームを1回シ1クトする。描画バタンデー
タは、演算回路内の記憶装置に格納されている。まず、
(X、Y、W、H)の各データはそのままの形で偏向器
131の制御回路およびビーム寸法制御回路へ転送され
る。一方、第4図、第5図に示す関係曲線は、高速に演
算するために、多項式による近似式で表現し、ロソ、り
回路に近似式の演算を行う。偏向器200への印加電圧
をV。
ビーム電流密度の相対値をに、(V2Oのときkl=υ
とし、Vとklの関係を kl= f(V)= 1 +A I V +A2V2+
A5V’ 十A4V’ (1)によって近似する。
とし、Vとklの関係を kl= f(V)= 1 +A I V +A2V2+
A5V’ 十A4V’ (1)によって近似する。
式(1)の係数A1〜A4は、第3図より決定する。つ
ぎに、ビーム電流密度を変化させる必要のない成形ビー
ムの最大面積をSC(本実施例では5c=10μm2)
とし、成形ビームの面積SがS>Scの場合、SとVの
関係を”” gl’s)” (S−8c) +J111
(S−8c) 十B’2(S Sc) 2+ B5(
S 5c)5十84(S Sc)’ (2)に
よって近似する、式(2)の係数B1〜B4は第4図よ
シ決定する。第6図において、まずノ9タンデータ(X
、Y、W、H,T)よ、!1)S=WXHを求める。S
がS≦S、の関係を満足する場合には、ノfタンデータ
中のショツト時間Tは変化させる必要がな(T’=Tと
して、T′をショット時間制御回路へ転送し、また偏向
器200も動作させる必要がないので、印加電圧Vは0
とする。これによってS≦Scの/4タンは、本実施例
の場合、電流密度10 A7cm2で露光される。つぎ
に、S>8゜の場合、式(2)の演算を実行し、成形ビ
ームの電流値を1μAにするための偏向器200への印
加電圧■を求め、この印加電圧Vを偏向器2000制御
回路へ転送してビーム電流密度を変化させる。さらに、
この印加電圧Vを式(1)に代入してkiを求め、変化
させたビーム電流密度に応じたシ1ット時間T′をT’
= ’r、’Jによって算出してT′をショット時間制
御回路へ転送する。
ぎに、ビーム電流密度を変化させる必要のない成形ビー
ムの最大面積をSC(本実施例では5c=10μm2)
とし、成形ビームの面積SがS>Scの場合、SとVの
関係を”” gl’s)” (S−8c) +J111
(S−8c) 十B’2(S Sc) 2+ B5(
S 5c)5十84(S Sc)’ (2)に
よって近似する、式(2)の係数B1〜B4は第4図よ
シ決定する。第6図において、まずノ9タンデータ(X
、Y、W、H,T)よ、!1)S=WXHを求める。S
がS≦S、の関係を満足する場合には、ノfタンデータ
中のショツト時間Tは変化させる必要がな(T’=Tと
して、T′をショット時間制御回路へ転送し、また偏向
器200も動作させる必要がないので、印加電圧Vは0
とする。これによってS≦Scの/4タンは、本実施例
の場合、電流密度10 A7cm2で露光される。つぎ
に、S>8゜の場合、式(2)の演算を実行し、成形ビ
ームの電流値を1μAにするための偏向器200への印
加電圧■を求め、この印加電圧Vを偏向器2000制御
回路へ転送してビーム電流密度を変化させる。さらに、
この印加電圧Vを式(1)に代入してkiを求め、変化
させたビーム電流密度に応じたシ1ット時間T′をT’
= ’r、’Jによって算出してT′をショット時間制
御回路へ転送する。
以上によって、成形ビームの面積S二WXHに応じてビ
ーム電゛流密度およびショツト時間が制御され、各成形
ビームの電流値はlμA以下となって各ツヤタンが露光
される。ここで、式(1)、式(2)のような近似式を
用いたが、レジスト膜へのバタン露光においてレジスト
膜への露光特性から596以内の精度で電子ビームのド
ーズ量が制御できれば充分であシ、式(1)、式(2)
の近似式の精度として±1%あればよく、本実施例でも
充分な近似精度が得られている。
ーム電゛流密度およびショツト時間が制御され、各成形
ビームの電流値はlμA以下となって各ツヤタンが露光
される。ここで、式(1)、式(2)のような近似式を
用いたが、レジスト膜へのバタン露光においてレジスト
膜への露光特性から596以内の精度で電子ビームのド
ーズ量が制御できれば充分であシ、式(1)、式(2)
の近似式の精度として±1%あればよく、本実施例でも
充分な近似精度が得られている。
さらに、式(1)、式(2)の演算等をロジック回路で
実行する場合には時間がかかる。しかし、第6図には示
していないが、ツヤタンデータ中の(x、y)には偏向
歪の補正、ウェハ変形に応じたチップ歪め補正等の演算
が行われ、これらの演算時間内に式(1)、式(2)の
演算等を実行するようにできるため、本発明を実施する
ことによって生産性が低下することはない。
実行する場合には時間がかかる。しかし、第6図には示
していないが、ツヤタンデータ中の(x、y)には偏向
歪の補正、ウェハ変形に応じたチップ歪め補正等の演算
が行われ、これらの演算時間内に式(1)、式(2)の
演算等を実行するようにできるため、本発明を実施する
ことによって生産性が低下することはない。
つぎに、最小線幅0.5μmでVLSI メモリを製
造する場合、本実施例における最大5μm0の成形ビー
ムでVLS Iメモリのツヤタンを描画すると、1チッ
プ当り約4Mのシ1ット数が必要となる。
造する場合、本実施例における最大5μm0の成形ビー
ムでVLS Iメモリのツヤタンを描画すると、1チッ
プ当り約4Mのシ1ット数が必要となる。
形ビームの面積を制限する方法を用いたとすると、ビー
ム電流密度10 A/cm2、ビーム電流値の最大値1
μAから成形ビームの面積を10μm以下に制限する必
要があル、上記のVLS Iメモリパタンのシ曹ット数
は1チ、f当り約6Mとなる。
ム電流密度10 A/cm2、ビーム電流値の最大値1
μAから成形ビームの面積を10μm以下に制限する必
要があル、上記のVLS Iメモリパタンのシ曹ット数
は1チ、f当り約6Mとなる。
レジスト感度20μC/cIIL2のレジストを用いた
場合、ビーム偏向用DAC(デジタル・アナログ変換器
)の整定時間が本実施例では400 nsであることを
含めて、成形ビームの17gy)に2.4/I11かか
るので、1チッグ当ル約14.4秒の露光時間が必要と
なる。一方、本発明によるビーム電流値を制限する方法
を用いると、1チツグ当シのシ目ット数は約4Mであシ
、全ショツト数の約205F)についてシlット時間が
長くなるだけで、1y−ツゾ当シの露光時間は約10,
4秒となる。
場合、ビーム偏向用DAC(デジタル・アナログ変換器
)の整定時間が本実施例では400 nsであることを
含めて、成形ビームの17gy)に2.4/I11かか
るので、1チッグ当ル約14.4秒の露光時間が必要と
なる。一方、本発明によるビーム電流値を制限する方法
を用いると、1チツグ当シのシ目ット数は約4Mであシ
、全ショツト数の約205F)についてシlット時間が
長くなるだけで、1y−ツゾ当シの露光時間は約10,
4秒となる。
本発明によれば、従来O露光時間の約7096の露光時
間となる。また、本発明は、レジスト感度の低いレジス
トを用いた場合、素子の集積度が非常に高いVLS I
のノfタンを描画する場合などにおいてさらに有効ど、
なる。
間となる。また、本発明は、レジスト感度の低いレジス
トを用いた場合、素子の集積度が非常に高いVLS I
のノfタンを描画する場合などにおいてさらに有効ど、
なる。
なお、本発明の実施例では偏向器には静電形偏向器を用
いたが、これは電磁形偏向器でもよく、また偏向器20
0線ブランカ120と第1成形アパーチヤ140の間に
設置したが、第1成形アパーチヤ140と電子銃101
の間であれば、成形ビームの結像状態に影替を及はさな
いためどこでもよい。
いたが、これは電磁形偏向器でもよく、また偏向器20
0線ブランカ120と第1成形アパーチヤ140の間に
設置したが、第1成形アパーチヤ140と電子銃101
の間であれば、成形ビームの結像状態に影替を及はさな
いためどこでもよい。
以上説明したように、可変成形ビームの大きさに応じて
ビーム電流密度を変化させ、ビーム電流値がある値以下
になるようにしたので、クーロン反発力によるピームエ
、ジはけ幅の増大を除去でき、また可変成形ビームの最
大寸法まで有効に利用してノJ?タン描画できるので露
光時間を大幅に短縮できるという利点がある。
ビーム電流密度を変化させ、ビーム電流値がある値以下
になるようにしたので、クーロン反発力によるピームエ
、ジはけ幅の増大を除去でき、また可変成形ビームの最
大寸法まで有効に利用してノJ?タン描画できるので露
光時間を大幅に短縮できるという利点がある。
第1図は従来の可変成形電子ビーム露光装置の電子光学
鏡体の構成図、第2図は本発明に係る電子光学鏡体の一
例を示す構成図、@3図は本発明に係る制限ア/4−チ
ャ上に結像されたクリ ロスオー・譬像の電流密度分布の一例春説明図、第4図
は本発8AK係る偏向器への印加電圧と成形ビームの電
流密度の関係の一例を示す特性図、第5図は本発明に係
る成形ビームの面積と偏向器への印加電圧との関係の一
例を示す特性図、第6図は本発明に係る演算回路の一例
を示す機能ブロック図である。 1.101・・・電子銃、’10 、110・・・コン
デンサレンズ、11,12,111,112・・・ビー
ム成形用レンズ、13,113・・・縮小レンズ、14
.114−・・対物L12ズ、20,120−・・ツラ
ンカ、30,130・・・ビーム成形用偏向器、31.
131−・・ビーム偏向器、40,140−・・第1成
形ア/譬−チャ、41,141・・・第2成形7ノ音−
チャ、so、iso・・・ビーム電流制限アー臂−チャ
、60,160・・・試料面、zoo・・・偏向器。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図
第2図 第3図 第4図 催t6I屈々00の叩加亀瓜(V) 第5図 1文形と′−ムの面木量S(μmす
鏡体の構成図、第2図は本発明に係る電子光学鏡体の一
例を示す構成図、@3図は本発明に係る制限ア/4−チ
ャ上に結像されたクリ ロスオー・譬像の電流密度分布の一例春説明図、第4図
は本発8AK係る偏向器への印加電圧と成形ビームの電
流密度の関係の一例を示す特性図、第5図は本発明に係
る成形ビームの面積と偏向器への印加電圧との関係の一
例を示す特性図、第6図は本発明に係る演算回路の一例
を示す機能ブロック図である。 1.101・・・電子銃、’10 、110・・・コン
デンサレンズ、11,12,111,112・・・ビー
ム成形用レンズ、13,113・・・縮小レンズ、14
.114−・・対物L12ズ、20,120−・・ツラ
ンカ、30,130・・・ビーム成形用偏向器、31.
131−・・ビーム偏向器、40,140−・・第1成
形ア/譬−チャ、41,141・・・第2成形7ノ音−
チャ、so、iso・・・ビーム電流制限アー臂−チャ
、60,160・・・試料面、zoo・・・偏向器。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図
第2図 第3図 第4図 催t6I屈々00の叩加亀瓜(V) 第5図 1文形と′−ムの面木量S(μmす
Claims (1)
- 電子ビームを矩形の形状に結像し、誼矩形の大きさを変
化する可変成形電子ビーム露光装置であって、電子光学
鏡体において、電子銃部とビームを矩形にする成形電子
レンズ部との間に偏向器を設置し、試料面上に照射され
るビームの電流密度を制限するためのアノ4−チャ上に
結像された該電子銃部からのクロスオーバ像の位置を該
偏向器によって移動して該電流密度を変化させるように
し、予め求めておいた該偏向器への入力信号の大きさと
該電流密度の値との関係から成形ビームの寸法に応じて
電流密度を変化させさらにビーム照射時間を変化させる
ことを特徴とする可変成形電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11558182A JPS596531A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 可変成形電子ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11558182A JPS596531A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 可変成形電子ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS596531A true JPS596531A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14666126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11558182A Pending JPS596531A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 可変成形電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS596531A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62114221A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-26 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP11558182A patent/JPS596531A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62114221A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-26 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
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