JPS596483B2 - 電力用避雷装置 - Google Patents
電力用避雷装置Info
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- JPS596483B2 JPS596483B2 JP53103664A JP10366478A JPS596483B2 JP S596483 B2 JPS596483 B2 JP S596483B2 JP 53103664 A JP53103664 A JP 53103664A JP 10366478 A JP10366478 A JP 10366478A JP S596483 B2 JPS596483 B2 JP S596483B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電力用避雷装置に関するものであり、特に酸
化亜鉛焼結体素子で構成される電力用避雷装置において
、酸化亜鉛焼結体素子の電気特性の劣化を自己通電発熱
により回復させ、且つ酸化亜鉛焼結体素子の破壊を防止
した電力用避雷装置に関するものである。
化亜鉛焼結体素子で構成される電力用避雷装置において
、酸化亜鉛焼結体素子の電気特性の劣化を自己通電発熱
により回復させ、且つ酸化亜鉛焼結体素子の破壊を防止
した電力用避雷装置に関するものである。
酸化亜鉛にある種の金属酸化物を少量混合して成形、焼
結したものは、電圧−電流特性の非直線性が大きく、避
雷器のような過電圧保護装置に適しており、また漏洩電
流も小さいためギャップレス避雷器(無間隙避雷器)と
しても適しており、従来から第1図に示すように電力用
避雷装置として使用されていた。
結したものは、電圧−電流特性の非直線性が大きく、避
雷器のような過電圧保護装置に適しており、また漏洩電
流も小さいためギャップレス避雷器(無間隙避雷器)と
しても適しており、従来から第1図に示すように電力用
避雷装置として使用されていた。
第1図は従来の電力用避雷装置を示す断面図である。
図において、酸化亜鉛焼結体素子1a+1by1cは両
端に金属ブロック電極2a 、2bが取り付けられ、金
属ブロック電極2a 、2bにはそれぞれ線路側端子3
aと接地側端子3bとが接続されている。
端に金属ブロック電極2a 、2bが取り付けられ、金
属ブロック電極2a 、2bにはそれぞれ線路側端子3
aと接地側端子3bとが接続されている。
また酸化亜鉛焼結体素子1a、1b。1cと金属ブロッ
ク電極2a 、2bとは、磁器かい管容器4a内に収容
され磁器がい前蓋4bによって密閉されており、ばね5
によって抑圧固定されている。
ク電極2a 、2bとは、磁器かい管容器4a内に収容
され磁器がい前蓋4bによって密閉されており、ばね5
によって抑圧固定されている。
第2図は酸化亜鉛焼結体素子1a、1b、 1cの電圧
電流特性曲線図である。
電流特性曲線図である。
第2図においては横軸に電圧をとり縦軸に電流を取って
おり、特性曲線Aは酸化亜鉛焼結体素子1a、1b、I
cが正常な場合を、特性曲線Bは酸化亜鉛焼結体素子1
a、1b、lcが劣化した場合を示している。
おり、特性曲線Aは酸化亜鉛焼結体素子1a、1b、I
cが正常な場合を、特性曲線Bは酸化亜鉛焼結体素子1
a、1b、lcが劣化した場合を示している。
正常状態においては行線曲線Aであるため、金属ブ七ツ
ク電極2a 、2b間に線路電圧Vtが印加されたとき
金属ブロック電極2a、2b間に漏洩電流iaが流れる
。
ク電極2a 、2b間に線路電圧Vtが印加されたとき
金属ブロック電極2a、2b間に漏洩電流iaが流れる
。
また送電線路等に落雷した場合には、金属ブ冶ツク電極
2a、2b間にサージ電極1sが進入してくると、金属
ブロック電極2a 、2b間の電圧、つまり線路電圧は
Vsに制限される。
2a、2b間にサージ電極1sが進入してくると、金属
ブロック電極2a 、2b間の電圧、つまり線路電圧は
Vsに制限される。
以下この電圧Vsを制限電圧Vsと称する。
このような装置において金属ブロック電極2a 、2b
間に長期課電を継続すると、酸化亜鉛焼結体素子1a、
lb、Icは劣化し特性曲線Bに示すような特性となり
、金属ブロック電極2a。
間に長期課電を継続すると、酸化亜鉛焼結体素子1a、
lb、Icは劣化し特性曲線Bに示すような特性となり
、金属ブロック電極2a。
2b間に線路電圧Vtが印加された場合、金属ブロック
電極2a、2b間に大きな漏洩電流ibが流れる。
電極2a、2b間に大きな漏洩電流ibが流れる。
第3図は酸化亜鉛焼結体素子1a、1b、1cの課電時
間に対する電流特性曲線Cと課電時間に対する塩度特性
曲線りとを示している。
間に対する電流特性曲線Cと課電時間に対する塩度特性
曲線りとを示している。
第3図において横軸に課電時間をまた縦軸に電流と塩度
とを取っている。
とを取っている。
第3図に示すように酸化亜鉛焼結体素子1a、Ib、I
cは長期課電により、時間経過と共に漏洩電流が徐々に
増加し、ついには発散熱のバランスがくずれて熱暴走し
、酸化亜鉛焼結体素子1a、1b、Icは劣化もしくは
破壊するに至る。
cは長期課電により、時間経過と共に漏洩電流が徐々に
増加し、ついには発散熱のバランスがくずれて熱暴走し
、酸化亜鉛焼結体素子1a、1b、Icは劣化もしくは
破壊するに至る。
こうして酸化亜鉛焼結体素子i a、lb。1cの電圧
電流特性曲線は第2図Bの如く劣化する。
電流特性曲線は第2図Bの如く劣化する。
またこのような劣化もしくは破壊は長時間継続課電中に
金属ブロック電極2a、2b間に強いサージが進入した
ときにも起きる。
金属ブロック電極2a、2b間に強いサージが進入した
ときにも起きる。
第3図では説明例として酸化亜鉛焼結体素子Ia、Ib
、icの寿命時間を103時間として示したが、一般に
寿命時間は数10年になるように設計される。
、icの寿命時間を103時間として示したが、一般に
寿命時間は数10年になるように設計される。
ところが電力用避雷装置の保護レベルは第2図に示すサ
ージ進入時の制限電圧Vsで決まるわけであり、この制
限電圧Vsの電圧の値が低い方が、すなわち範囲Xの電
圧が線路電圧Vtに近い方が保護性能上望ましい。
ージ進入時の制限電圧Vsで決まるわけであり、この制
限電圧Vsの電圧の値が低い方が、すなわち範囲Xの電
圧が線路電圧Vtに近い方が保護性能上望ましい。
制限電圧Vsの値を低くするためには、第1図に示す酸
化亜鉛焼結体素子1a、 1b、1cの個数を少くする
か、各素子の高さを低くすればよいが、この結果第2図
に示す線路電圧Vtにおける漏洩電流iaが増えるため
、酸化亜鉛焼結体素子1a、Ib、Icの寿命が短くな
るという相矛盾する結果となる。
化亜鉛焼結体素子1a、 1b、1cの個数を少くする
か、各素子の高さを低くすればよいが、この結果第2図
に示す線路電圧Vtにおける漏洩電流iaが増えるため
、酸化亜鉛焼結体素子1a、Ib、Icの寿命が短くな
るという相矛盾する結果となる。
このように制限電圧Vsの値が低い低保護レベル用避雷
装置では、酸化亜鉛焼結体素子(以下素子と称する)1
a、Ib、lcの破壊の危険性があった。
装置では、酸化亜鉛焼結体素子(以下素子と称する)1
a、Ib、lcの破壊の危険性があった。
また避雷装置に湿度ヒユーズ等を組み込んで素子1a、
lb、1cの熱暴走を防止できても、素子1a、Ib、
Icは劣化するため取り替えの必要があった。
lb、1cの熱暴走を防止できても、素子1a、Ib、
Icは劣化するため取り替えの必要があった。
この発明は従来の欠点に鑑みてなされたものであり、素
子1a、1b、1cの塩度を検知し、素子1a、lb、
Icが熱暴走にさしかかったとき、避雷装置を線路より
切り離し、常淵冷却後再び線路と避雷装置とを接続し、
素子1a、1b、Icの熱破壊を防止すると同時に、素
子1at1bt1cの特性を回復させ、避雷装置の長寿
命化、安定化を目的としたものである。
子1a、1b、1cの塩度を検知し、素子1a、lb、
Icが熱暴走にさしかかったとき、避雷装置を線路より
切り離し、常淵冷却後再び線路と避雷装置とを接続し、
素子1a、1b、Icの熱破壊を防止すると同時に、素
子1at1bt1cの特性を回復させ、避雷装置の長寿
命化、安定化を目的としたものである。
現在においては何故素子1a、1b、1cの劣化、回復
が起こるのかはよく解明されていないが、実1験の結果
次のことが明らかになった。
が起こるのかはよく解明されていないが、実1験の結果
次のことが明らかになった。
(1)一度劣化した素子1a、1b、1cを常温中に長
期間(2〜3ケ月)放置しても劣化は回復しない。
期間(2〜3ケ月)放置しても劣化は回復しない。
(2)一旦劣化した素子1a、1b、1cの塩度を上昇
していくと、所定塩度(180℃〜250℃)で熱刺激
電流が現われる。
していくと、所定塩度(180℃〜250℃)で熱刺激
電流が現われる。
(3)熱刺激電流が流れて所定温度迄上昇した後、冷却
した素子1a、1b、1cの特性を測ると特性は回復し
ていた。
した素子1a、1b、1cの特性を測ると特性は回復し
ていた。
このように冷却して素子1aplbp1cの特性が回復
する場合の前記所定塩度を回復塩度という。
する場合の前記所定塩度を回復塩度という。
この塩度は素子Ia、1b、 1cの種類により若干具
なるが2000C〜400℃である。
なるが2000C〜400℃である。
(4)素子1a、1b、Icの塩度が450°C以上に
なると非回復性の劣化が起る。
なると非回復性の劣化が起る。
以上の結果から、劣化した素子1a、Ib、Icは素子
1a、1b 、Icの内部に電荷が捕獲されており、熱
処理により捕獲電荷が自由になって特性が回復すると考
えられる。
1a、1b 、Icの内部に電荷が捕獲されており、熱
処理により捕獲電荷が自由になって特性が回復すると考
えられる。
この発明はこの点に着目し、熱処理を素子1a、Ib、
Ic自体の通電発熱で行うようにしたものである。
Ic自体の通電発熱で行うようにしたものである。
即ち、劣化した素子1a、lb、lc(直径60mm、
厚み24mmの酸化亜鉛素子うに交流電流100mAを
流し、素子1a、Ib、1cの湿度が300℃になった
ときに電流を切り、冷却後素子1 a + 1 btl
cの特性を測定すると、素子1a、1b、1cの特性が
回復したことが確認された。
厚み24mmの酸化亜鉛素子うに交流電流100mAを
流し、素子1a、Ib、1cの湿度が300℃になった
ときに電流を切り、冷却後素子1 a + 1 btl
cの特性を測定すると、素子1a、1b、1cの特性が
回復したことが確認された。
また特性の回復した素子1a、1b、lcは熱暴走に到
るまでの所要時間も元に戻っていることが確認された。
るまでの所要時間も元に戻っていることが確認された。
この発明はこれらの素子1a、1b、1cについて見出
された特性を利用して従来の欠点を改良したものである
。
された特性を利用して従来の欠点を改良したものである
。
以下図面に従いこの発明を説明する。
第4図はこの発明に係る電力用避雷装置の一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
図中第1図に対応する部分には対応する符合を付してい
る。
る。
第4図において、酸化亜鉛焼結体素子1a、1b、1c
は3個連続して接合され1体に構成されている。
は3個連続して接合され1体に構成されている。
金属ブロック電極2a 、2bは1体に構成された酸化
亜鉛焼結体素子1a、lb、Icの両端に取り付けられ
ており、金属ブロック電極2aは線路側端子3aに接続
され、金属ブロック電極2bは後述の制御器付開閉器箱
7を介して接地側端子3bに接続されている。
亜鉛焼結体素子1a、lb、Icの両端に取り付けられ
ており、金属ブロック電極2aは線路側端子3aに接続
され、金属ブロック電極2bは後述の制御器付開閉器箱
7を介して接地側端子3bに接続されている。
磁器がい管容器4aは酸化亜鉛焼結体素子1a、ib、
icと金属ブロック電極2a 、2bとを収容しており
、磁器がい前蓋4bによって密閉されている。
icと金属ブロック電極2a 、2bとを収容しており
、磁器がい前蓋4bによって密閉されている。
ばね5は金属ブロック電極2aと磁器がい前蓋4bとの
間に装着され、酸化亜鉛焼結体素子1 a p 1 b
、1 cて金属ブ吊ツク2a 、2bとを押圧固定し
ている。
間に装着され、酸化亜鉛焼結体素子1 a p 1 b
、1 cて金属ブ吊ツク2a 、2bとを押圧固定し
ている。
第1のシリコンPN接合素子6aは磁器がい管容器4a
の内壁に取り付けられている。
の内壁に取り付けられている。
このシリコンPN接合素子6aは酸化亜鉛焼結体素子(
以下素子と称する)Ia、lb、1cの湿度が上昇する
につれて素子1a、lb、1cの発する赤外線を受けて
゛抵抗が下りこれによって素子1a、lb、Icの湿度
が60°C以上の場合を検出するためのものである。
以下素子と称する)Ia、lb、1cの湿度が上昇する
につれて素子1a、lb、1cの発する赤外線を受けて
゛抵抗が下りこれによって素子1a、lb、Icの湿度
が60°C以上の場合を検出するためのものである。
第2のシリコンPN接合素子6bは磁器かい管容器4a
の内壁に取り付けられ、素子1a。
の内壁に取り付けられ、素子1a。
1 b p 1 cの湿度が上昇するにつれて素子1a
+1b、1cの発する赤外線を受けて抵抗が下がり、こ
れによって素子1a、1b、Icの湿度が300°C以
上の場合を検出するためのものである。
+1b、1cの発する赤外線を受けて抵抗が下がり、こ
れによって素子1a、1b、Icの湿度が300°C以
上の場合を検出するためのものである。
開閉装置7は金属ブロック電極2bと接地側端子3bと
の間に設置され、第1、第2のシリコンPN接合素子6
a 、6b並びに交流電源接続端子8,8′に接続され
ており、その制御回路は第5図に示す如くである。
の間に設置され、第1、第2のシリコンPN接合素子6
a 、6b並びに交流電源接続端子8,8′に接続され
ており、その制御回路は第5図に示す如くである。
第5図は開閉装置7の一実施例を示す電気結線図である
。
。
図中第4図に対応する部分には対応する符号を付してい
る。
る。
第5図において、線路接続端子10は金属ブロック電極
2bに接続され、線路接続端子10′は接地側端子3b
に接続される。
2bに接続され、線路接続端子10′は接地側端子3b
に接続される。
主開閉器11のメイク接点11aは線路接続端子10.
10’間に接続されており、その継電器11Lはサイリ
スタ12と直列に接続され、交流電源接続端子8,8′
間に接続されている。
10’間に接続されており、その継電器11Lはサイリ
スタ12と直列に接続され、交流電源接続端子8,8′
間に接続されている。
交流電源13は交流電源接続端子8,8′間に印加され
、その電圧(ioov)は抵抗14とダイオード15と
コンデンサ16との直列回路によって分圧されている。
、その電圧(ioov)は抵抗14とダイオード15と
コンデンサ16との直列回路によって分圧されている。
サイリスク12の制御電極は抵抗17を介してダイオー
ド15とコンデンサ16との接続点に接続されている。
ド15とコンデンサ16との接続点に接続されている。
第1のトランジスタ18のコレクタは抵抗19を介して
ダイオード15とコンデンサ16との接続点に接続され
、第1のシリコンPN接合素子6aは第1のトランジス
タ18のコレクタ・ベース間に抵抗19を介して接続さ
れている。
ダイオード15とコンデンサ16との接続点に接続され
、第1のシリコンPN接合素子6aは第1のトランジス
タ18のコレクタ・ベース間に抵抗19を介して接続さ
れている。
補助開閉器20の継電器巻線2OLは第1のトランジス
タ18のエミッタと交流電源接続端子8′間に接続され
ている。
タ18のエミッタと交流電源接続端子8′間に接続され
ている。
可変抵抗21は第1のトランジスタ18のベースと交流
電源接続端子8′間に接続され、第4図に示す素子1a
、1b、1cの湿度が60℃以上になると、第1のトラ
ンジスタ18が導通ずるように調整されている。
電源接続端子8′間に接続され、第4図に示す素子1a
、1b、1cの湿度が60℃以上になると、第1のトラ
ンジスタ18が導通ずるように調整されている。
第2のトランジスタ22のコレクタはサイリスタ15の
制御電極に接続され、抵抗17を介してダイオード15
とコンデンサ16との接続点に接続されている。
制御電極に接続され、抵抗17を介してダイオード15
とコンデンサ16との接続点に接続されている。
第2のトランジスタ22のエミッタは交流電源接続端子
8′に接続されている。
8′に接続されている。
第2のシリコンPN接合素子6bは第2のトランジスタ
22のコレクタ・ベース間に抵抗17を介して接続され
ており、また可変抵抗23は第2のトランジスタ22の
ベースと交流電源接続端子8′間に接続され、第4図に
示す素子1a、lb、Icの湿度が300℃以上になる
ときに第2のトランジスタ22が導通ずるように調整さ
れている。
22のコレクタ・ベース間に抵抗17を介して接続され
ており、また可変抵抗23は第2のトランジスタ22の
ベースと交流電源接続端子8′間に接続され、第4図に
示す素子1a、lb、Icの湿度が300℃以上になる
ときに第2のトランジスタ22が導通ずるように調整さ
れている。
補助開閉器20のブレイク接点20bは第2のトランジ
スタ22のベースと交流電源接続端子8′間に接続され
ている。
スタ22のベースと交流電源接続端子8′間に接続され
ている。
サイリスタ12に並列に抵抗24と抵抗25との直列回
路が接続されており、サイリスタ12の陽極と陰極間の
電圧を分圧している。
路が接続されており、サイリスタ12の陽極と陰極間の
電圧を分圧している。
第2のトランジスタ22のベースは抵抗26とダイオー
ド27とを介して抵抗24と抵抗25との接続点に接続
されている。
ド27とを介して抵抗24と抵抗25との接続点に接続
されている。
抵抗26とダイオード27との接続点と交流電源接続端
子8′との間には、平滑用のコンデンサ28が接続され
ている。
子8′との間には、平滑用のコンデンサ28が接続され
ている。
なお、サイリスタ12が導通状態の場合、サイリスタ1
2の陽極と陰極間にかかる順方向電圧は小さく(約IV
)、この順方向電圧を抵抗24と抵抗25とで分圧する
。
2の陽極と陰極間にかかる順方向電圧は小さく(約IV
)、この順方向電圧を抵抗24と抵抗25とで分圧する
。
この分圧された順方向電圧はダイオード27で整流され
、コンデンサ28で平滑されて、抵抗26を介して第2
のトランジスタ22のベースに印加される。
、コンデンサ28で平滑されて、抵抗26を介して第2
のトランジスタ22のベースに印加される。
従って、第2のトランジスタ22のベース・エミッタ間
に印加される電圧は0.6V以下、つまり第2のトラン
ジスタ22が不導通状態となる値となるように設定され
ている。
に印加される電圧は0.6V以下、つまり第2のトラン
ジスタ22が不導通状態となる値となるように設定され
ている。
サイリスタ12が非導通状態の場合、サイリスタ12の
両端にかかる順方向電圧は大きく(約電源電圧100V
)、この順方向電圧を抵抗24と抵抗25とで分圧する
。
両端にかかる順方向電圧は大きく(約電源電圧100V
)、この順方向電圧を抵抗24と抵抗25とで分圧する
。
この分圧された順方向電圧はダイオード27で整流され
、コンデンサ28で平滑されて、抵抗26を介して第2
のトランジスタ22のベースに印加される。
、コンデンサ28で平滑されて、抵抗26を介して第2
のトランジスタ22のベースに印加される。
従って第2のトランジスタ22のベース・エミッタ間に
印加される電圧が0,6■以上、つまり第2のトランジ
スタ22が導通状態になるように、抵抗24と抵抗25
とコンデンサ28と抵抗26の値は調整されている。
印加される電圧が0,6■以上、つまり第2のトランジ
スタ22が導通状態になるように、抵抗24と抵抗25
とコンデンサ28と抵抗26の値は調整されている。
次にこの動作を第6図を用いて説明する。
第6図は第5図の動作説明図で、11は素子Ia、1b
、Icを流れる漏洩電流を示し、1tは素子1a、Ib
、lcの発生する温度を示し、18は第1のトランジス
タ18の導通(ON)、不導通(OFF)状態を示し、
22は第2のトランジスタ22の導通(ON)、不導通
(OFF)状態を示し、12はサイリスタ12の導通(
ON)、不導通状態(OFF)を示す。
、Icを流れる漏洩電流を示し、1tは素子1a、Ib
、lcの発生する温度を示し、18は第1のトランジス
タ18の導通(ON)、不導通(OFF)状態を示し、
22は第2のトランジスタ22の導通(ON)、不導通
(OFF)状態を示し、12はサイリスタ12の導通(
ON)、不導通状態(OFF)を示す。
今、第6図に示す時刻t。
においては、素子Ia、1b、lcが発する温度は第6
図11に示すように60℃以下であるため、第1、第2
のトランジスタ18、22は第6図18,22に示すよ
うに不導通状態となる。
図11に示すように60℃以下であるため、第1、第2
のトランジスタ18、22は第6図18,22に示すよ
うに不導通状態となる。
このためサイリスク12の制御電極には抵抗14とダイ
オード15とコンデンサ16とで定められる分圧電圧が
印加され、第6図12に示すように導通状態となり、主
開閉器11の継電器巻線11Lを付勢してメイク接点1
1aを図中の実線の如く閉じる。
オード15とコンデンサ16とで定められる分圧電圧が
印加され、第6図12に示すように導通状態となり、主
開閉器11の継電器巻線11Lを付勢してメイク接点1
1aを図中の実線の如く閉じる。
このため漏洩電流は第6図11に示すように素子1 a
ylbylcを流れ続ける。
ylbylcを流れ続ける。
次に第6図に示す時刻t1 においては、素子1a、1
b、1Cが発する湿度は第6図1tに示すように60℃
以上となり、第1のトランジスタ18は第6図18に示
すように導通状態になり、第2のトランジスタ22は第
6図22に示すように不導通状態を持続している。
b、1Cが発する湿度は第6図1tに示すように60℃
以上となり、第1のトランジスタ18は第6図18に示
すように導通状態になり、第2のトランジスタ22は第
6図22に示すように不導通状態を持続している。
従って補助開閉器20の継電器巻線20Lは付勢され、
そのブレイク接点20bは点線で示すように開くが、第
2のトランジスタ22は可変抵抗23により不導通状態
を持続する。
そのブレイク接点20bは点線で示すように開くが、第
2のトランジスタ22は可変抵抗23により不導通状態
を持続する。
このためサイリスタ12も第6図12に示すように導通
状態を持続し、素子1a、1b、1cの漏洩電流は第6
図11に示すように流れ続ける。
状態を持続し、素子1a、1b、1cの漏洩電流は第6
図11に示すように流れ続ける。
次に第6図に示す時刻゛t2においては、素子1a、I
b、1cが発する温度は第6図1tに示すように300
°C以上となり、第2のトランジスタ22は第6図22
に示すように導通状態になる。
b、1cが発する温度は第6図1tに示すように300
°C以上となり、第2のトランジスタ22は第6図22
に示すように導通状態になる。
このためサイリスタ12の制御電極の電位は低くなり、
サイリスタ12は第6図12に示すように不導通状態と
なる。
サイリスタ12は第6図12に示すように不導通状態と
なる。
サイリスタ12が不導通状態になると主開閉器巻線11
Lは消勢され、メイク接点11aは点線に示すように開
くため、素子1a、Ib、1cを流れる漏洩電流は第6
図11に示すように零になる。
Lは消勢され、メイク接点11aは点線に示すように開
くため、素子1a、Ib、1cを流れる漏洩電流は第6
図11に示すように零になる。
次に第6図に示す時刻t3においては、素子1a+1b
、1cが冷却される過程で素子1a、1b、1cが発す
る温度は第6図1tに示すように60〜600℃の間に
なる。
、1cが冷却される過程で素子1a、1b、1cが発す
る温度は第6図1tに示すように60〜600℃の間に
なる。
このとき第1のトランジスタ18は第6図18に示すよ
うに導通状態を持続するため、補助開閉器20の継電器
巻線20Lは付勢され続け、そのブレイク接点20bは
点線で示すように開放し続ける。
うに導通状態を持続するため、補助開閉器20の継電器
巻線20Lは付勢され続け、そのブレイク接点20bは
点線で示すように開放し続ける。
従って素子1a、Ib。1cの発する温度が300℃以
下となると、PN接合素子6bの逆方向抵抗が増大し、
第2のトランジスタ22のベース・エミッタ間の電位を
下げようとする。
下となると、PN接合素子6bの逆方向抵抗が増大し、
第2のトランジスタ22のベース・エミッタ間の電位を
下げようとする。
しかし第2のトランジスタ22のベース・エミッタ間の
電圧は、可変抵抗23と抵抗26、コンデンサ28、ダ
イオード27、抵抗24と抵抗25によって決まる。
電圧は、可変抵抗23と抵抗26、コンデンサ28、ダ
イオード27、抵抗24と抵抗25によって決まる。
このため一旦不導状態となったサイリスタ12は、その
陽極と陰極間にほぼ電源電圧に等しい電圧が印加される
。
陽極と陰極間にほぼ電源電圧に等しい電圧が印加される
。
この電圧が抵抗24と抵抗25とによって分圧され、ダ
イオード27により整流され、コンデンサ28により平
滑化されて抵抗26を介して第2のトランジスタ22の
ベースに印加される。
イオード27により整流され、コンデンサ28により平
滑化されて抵抗26を介して第2のトランジスタ22の
ベースに印加される。
このとき第2のトランジスタのベース・エミッタ間電圧
は0.6v以上であり、ベース・エミッタ間電圧は保た
れ、第2のトランジスタ22は第6図22に示すように
導通状態を持続する。
は0.6v以上であり、ベース・エミッタ間電圧は保た
れ、第2のトランジスタ22は第6図22に示すように
導通状態を持続する。
従ってサイリスタ12も第6図12に示すように不導通
状態を持続する。
状態を持続する。
次に第6図に示す時刻t4においては、素子1a、1b
、1cが発する温度は第6図11に示すように60℃以
下になるため、第1のトランジスタ18は第6図18に
示すように不導通状態になる。
、1cが発する温度は第6図11に示すように60℃以
下になるため、第1のトランジスタ18は第6図18に
示すように不導通状態になる。
このため補助開閉器20の継電器巻線20Lは消勢され
、そのブレイク接点20bが実線のように閉じて可変抵
抗23を短絡するため、第2のトランジスタ22のベー
ス・エミッタ間電圧は零となり、第2のトランジスタ2
2は第6図22に示すように不導通状態となる。
、そのブレイク接点20bが実線のように閉じて可変抵
抗23を短絡するため、第2のトランジスタ22のベー
ス・エミッタ間電圧は零となり、第2のトランジスタ2
2は第6図22に示すように不導通状態となる。
このためサイリスク12の制御電極の電位は上昇し、サ
イリスタ12は第6図12に示すように導通状態となり
、再び最初の時間t。
イリスタ12は第6図12に示すように導通状態となり
、再び最初の時間t。
の状態に戻る。この時すでに素子1a、1b、1cは第
6図11に示すように熱回復しており、漏洩電流も第6
図11に示すように元通りになり、再度熱暴走にかかる
には前回と同じ時間(io−12)を要する。
6図11に示すように熱回復しており、漏洩電流も第6
図11に示すように元通りになり、再度熱暴走にかかる
には前回と同じ時間(io−12)を要する。
なお、第4図及び第5図に示す実施例では、素子1a、
1b、1cの温度を検出するために第1、第2のシリコ
ンPN接合素子6a 、6bを用いたが、この他にサー
ミスタ、熱電対等対象調度範囲を満足に測定し得るもの
であればどのような温度測定素子でもよく、また制御器
付開閉箱7の制御回路は第5図に示す電気回路に限定さ
れるものではなく、同様の動作をするものであればどの
ような電気回路であってるよい。
1b、1cの温度を検出するために第1、第2のシリコ
ンPN接合素子6a 、6bを用いたが、この他にサー
ミスタ、熱電対等対象調度範囲を満足に測定し得るもの
であればどのような温度測定素子でもよく、また制御器
付開閉箱7の制御回路は第5図に示す電気回路に限定さ
れるものではなく、同様の動作をするものであればどの
ような電気回路であってるよい。
以上のようにこの発明によれば、避雷器に、温度によっ
て線路の開閉を制御する開閉装置を取り付けることによ
り、酸化亜鉛焼結体素子の熱暴走による熱破壊を防ぐの
みならず酸化亜鉛焼結体素子の通電劣化をも回復させ、
再使用できる長寿命の電力用避雷装置を得ることができ
る。
て線路の開閉を制御する開閉装置を取り付けることによ
り、酸化亜鉛焼結体素子の熱暴走による熱破壊を防ぐの
みならず酸化亜鉛焼結体素子の通電劣化をも回復させ、
再使用できる長寿命の電力用避雷装置を得ることができ
る。
さらに保護レベルの低い電力用避雷装置では、酸化亜鉛
焼結体素子の漏洩電流が増えるが、この発明によれば漏
洩電流に関係なく長寿命で安定度の高い電力用避雷装置
を得ることができる。
焼結体素子の漏洩電流が増えるが、この発明によれば漏
洩電流に関係なく長寿命で安定度の高い電力用避雷装置
を得ることができる。
第1図は従来の電力用避雷装置を示す断面図である。
第2図は酸化亜鉛焼結体素子の電圧電流特性を示す図で
ある。 第3図は酸化亜鉛焼結体素子の課電時間に対する電流特
性と課電時間に対する温度特性とを示す図である。 第4図はこの発明に係る電力用避雷装置の一実施例を示
す断面図である。 第5図は開閉装置の一実施例を示す電気結線図である。 第6図は第5図の動作説明図である。図において、各図
中それぞれ対応する部分には対応する符号を付しており
、1a、1b、1cは酸化亜鉛焼結体素子、3aは線路
側端子、3bは接地側端子、6a 、6bは第1、第2
のシリコンPN接合素子、7は開閉装置である。
ある。 第3図は酸化亜鉛焼結体素子の課電時間に対する電流特
性と課電時間に対する温度特性とを示す図である。 第4図はこの発明に係る電力用避雷装置の一実施例を示
す断面図である。 第5図は開閉装置の一実施例を示す電気結線図である。 第6図は第5図の動作説明図である。図において、各図
中それぞれ対応する部分には対応する符号を付しており
、1a、1b、1cは酸化亜鉛焼結体素子、3aは線路
側端子、3bは接地側端子、6a 、6bは第1、第2
のシリコンPN接合素子、7は開閉装置である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 線路と天地間に接続された焼結体素子、及び前記焼
結体素子に直列接続されると共に前記焼結体素子の発熱
に応動する開閉装置を備え、前記焼結体素子が所定の高
温になるさ前記開閉装置が開放するように構成したこと
を特徴とする電力用避雷装置。 2 前記開閉装置は開放後前記焼結体素子が所定の低湿
になると閉成するようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の電力用避雷装置。 3 前記開閉装置は前記低湿を測定する第1の湿度測定
装置と前記高温を測定する第2の湿度測定装置とを備え
、前記第2の湿度測定装置が前記所定の高温を測定する
と前記開閉装置を開放し前記第1の湿度測定装置が前記
所定の高温から前記所定の低湿に湿度がTったことを測
定すると前記開閉装置を閉成するようにしたことを特徴
とする特許請求の範囲第2項記載の電力用避雷装置。 4 前記焼結体素子は非直線特性を有することを特徴と
する特許請求の範囲第1項ないし第3項の何れかに記載
の電力用避雷装置。 5 前記焼結体素子は酸化亜鉛焼結体素子であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4項の何れか
に記載の電力用避雷装置。 6 前記所定の高温は200℃〜400℃であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第5項の何れお
に記載の電力避雷装置。 7 前記所定の低湿は60°C以下であることを特徴と
する特許請求の範囲第1項ないし第6項の何れかに記載
の電力用避雷装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53103664A JPS596483B2 (ja) | 1978-08-24 | 1978-08-24 | 電力用避雷装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53103664A JPS596483B2 (ja) | 1978-08-24 | 1978-08-24 | 電力用避雷装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5532430A JPS5532430A (en) | 1980-03-07 |
JPS596483B2 true JPS596483B2 (ja) | 1984-02-13 |
Family
ID=14360045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53103664A Expired JPS596483B2 (ja) | 1978-08-24 | 1978-08-24 | 電力用避雷装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS596483B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6270773U (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-06 | ||
JPS6342079U (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-19 | ||
JPH0324870U (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-14 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5721085A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-03 | Hitachi Ltd | Tank type arrester |
-
1978
- 1978-08-24 JP JP53103664A patent/JPS596483B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6270773U (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-06 | ||
JPS6342079U (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-19 | ||
JPH0324870U (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-14 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5532430A (en) | 1980-03-07 |
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