JPS5962336A - 粉末原料をカ焼する方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、粉末原料、詳しくは炭酸カルシウム含有粉末
原料を、燃料を酸素含有ガス中で燃焼してつくった熱ガ
ス流の力焼域で、懸濁させて力焼し、ついで該懸濁物を
、力焼域から取り出した後、沈でん域で力焼物を、該懸
濁物から沈でんし、ついで沈でん域から、ガスと沈でん
物をそれぞれ、力焼排出ガスおよび力焼生成物として取
出す方法、およびこの方法を実施するための力焼装置に
関する。

この方法および装置は、力焼生成物をその後クーラーで
冷却し、クーラーから最終生成物を取り出すような工程
の、粉末原料を力焼する場合、即ち、例えば石灰石、ア
ルミナおよびリン鉱石を粉末原料として使用し更に力焼
物が中間生成物であり、その後直ちに再度熱処理する場
合、即ち、粉末原料が例えばセメント原料粉、特に灰分
が、ＣａＯ：６０〜６７重量係、ＳｉＯ２：１７〜２５
重量係、Ａｌ２Ｏ３：　、　８〜８重量％、Ｆ　ｅ２０
ｓ　：　０．５〜６６重量％ＭｇＱ：０．１〜５．５重
量％、ＮＣＬ２０　＋　Ｋ２Ｏ：０．５〜１．３重量％
、およびＳＯ３：　１〜３重置ヂであるポルトランドセ
メント原料粉、あるいハ錯ケイ酸アルミニウムをケイ酸
二カルシウムおよび水溶性アルミン酸塩へ転化する石灰
法あるいは石灰／ソーダ法における原料である場合に使
用される。

この方法および装置はセメント原料粉、特にセメント製
造プラントにおけるポルトランドセメント原料粉に特に
適している。

セメントクリンカ−の製造けつきの４工程により実施さ
れている。

１）粉末原料を約７５０℃寸で予熱する。

２）予熱粉末原料を約８５０℃で力焼する。

３）力焼原料を焼成温度１で加熱後約１，４００℃でセ
メントクリンカーに焼成する。

４）セメントクリンカ−を約１００℃寸で冷却する。

これ育て２０年の間、この４工程を別々の装置、即ち、
１）多段懸濁予熱器、２）沈てん器へ連接する力焼器か
ら成る、別々の燃焼供給可能な懸濁力焼炉、３）別々の
燃料供給可能なロータリーキルン、および４）空気クー
ラーで、実施ししかもクーラーの排出空気を方塊炉およ
びロータリーキルンで燃料を燃焼する際に利用し、一方
、方塊炉および／あるいはロータリーキルンからの排出
ガスを予熱器の熱源として利用することが有利であると
云われてきた。

゛懸濁”と云う語は、固体、液体あるいは気体中に分散
した、細分化固体から成る、二相系を示すものである。

しかし本明細書中での゛懸濁”と云う語は同伴するガス
／粒子懸濁、即ちガス流中に分散、同伴する細分化固体
から成る二相系を示すものである。

これまで、粉末原料を懸濁状で方塊する方法およびその
装置が数多く提供されてきており、それらの多くは大規
模な工業スケールで有効に実施されてきた。

予熱物質をガスゼネレーターからの、熱排出ガス中に懸
濁、方塊する方塊室に接続した、別々の燃焼室即ち熱ガ
スゼネレーターから成る懸濁力焼炉は、アメリカ特許８
，２０．８，６８１にＲｏｓαにより開示されている。

しかしＩｔｏｓａ法では、予熱原料をある程度方塊する
ために、非常に多量の熱ガスが必要とされる。

従って別々の熱ガスゼネレーターと方塊室とをもつ装置
を断念し、所望の熱をつくりだす即ち方塊室をもつ方塊
炉が検討され、安定な操作と最適な最終生成物を生みだ
すために必要と考えられる、より均一な方塊条件と、よ
り均−ｔカ焼最終生成物とが、生みだされたのである。

工業的に利用されている方塊法の概説は（Ｗｄｌｔｅｒ
Ｈ，Ｄｕｄａ、Ｃｅｒｎｅｎｔ　−Ｄａｔａ　Ｂｏｏｋ
　、　Ｍａｃｄｏｎａ、１ｄａｎｄ　Ｅｖａｎｓ、Ｌｏ
ｎｄｏｎ、Ｚｎ、ｄ　Ｅｒ’ｄｉｔｉｏｎ、　１９７７
　。

ｐ４０７〜４３６）に記載されている。

ここで方塊法をつぎの規準によって分類してみる。

１）懸濁物のラセン／非ラセン移動 １１）懸濁物の方向：上／下／他の方向山）ガス即ち熱
空気中に一定流れとして方塊炉に導入された／懸濁され
た粉末原料 Ｍ）一つ／一つより多くの場所にて導入される原Ｖ）一
つ／一つより多くの場所にて導入されるガス ＼ノＩ）一つ／一つより多くの場所にて導入される燃料 イギリス特許１，４６３，１２４により開示されている
方塊炉はガス用の一つの入口、゛および、原料用と燃料
用の少くとも一つの入口を有する、非ラセン、上方、一
定流の原料力焼炉である。

方塊炉燃料として、すべてのタイプのガス、オイルおよ
び粉末石炭を使用することができるが、燃料としてガス
およびオイルは費用がかかるため粉末炭、詳しくは９０
ミクロンのふるい上に１０〜３０裂の残渣が残る程度の
微粉炭を使用することが経済的である。

しかし、経験上、すべてのタイプの粉末炭が力熔炉用燃
料として、同等に適応しているとは云えない。

詳細には揮発分骨が３０％より少ない（ＡＳＴＭスタン
ダードＤａ　１７５による定量）粉末炭、粒径分布が広
い粉末炭、および／あるいは相轟量の粗大粒子を含む粉
末炭は完全燃焼しないための難点があり、特に粗大粒子
の石炭がそうである。これらは沈でん室中て望１しくな
い燃焼を生じたり。

あるいは沈でん室からでてきた方塊生成物中に望壕しく
ない不燃焼炭が存在したりするからである。

更にガスを方塊炉用燃料として使用する場合、方塊温度
におけるガス燃焼速度があ１つにも遅し）ため、同じよ
うな難点が生じる。

本発明の目的は、これらの難点を解消しかつ方塊域にお
いて、燃料、酸素含有ガス流、および粉末原料の第−流
を導入すること９００〜１，２５０℃の過熱雰囲気下、
該方塊域中て方塊し、かつ力１暁城中におけるガス保持
時間が、０５〜５秒であること、更に方塊域から懸濁物
が取り出され゛る間で、かつ方塊物が沈でん域から沈で
んされる以前に、該懸濁物に粉末原料の第二流を懸濁す
ることによって、方塊域から取出される懸濁物の温度を
、８００〜１０００℃のレベルまで１００〜３００℃、
低下畑せることを特徴とする方法を提供するところにあ
る。

燃焼域における温度を、通常の方塊条件より、１００〜
３００℃高くして操作することにより、驚くべきことに
方塊域において、過熱、ホットスポットおよび焼化等の
問題を生ずることなく、ガスの燃焼時間をおよび難点の
あるタイプの石炭の燃焼時間さえも短縮することができ
ることを見出しだのである。

粉末原料の第一（最初）の流れを方塊域のガス中に懸濁
すると、方塊域の高温のだめに、義賊で殆んど完全に方
塊される。同様の理由から、燃料と酸素との反応速度は
ガスをおよび欠点のあるタイプの石炭でさえも完全燃焼
させるために充分な大きさである。ついで」米原料の第
二流を、方塊域から取出された、カロ熱懸濁物中に導入
し、懸濁さ、忙ると、力ロ熱懸濁物は効率よく冷却され
、かつ、粉末原料の第二流（まそれに相当する程度に加
熱される、そして粉末原料の第−流と第二流との重量割
合により実際上、粉末原料の第二流を如何なる所望の方
塊度にしうるし、即ち沈でん域から取出されだ方塊生成
物を如何なる所望の方塊度にもさせうるのである。

方塊域の温度を９５０〜１１５０’Ｃ１がっ囲域のガス
保持時間を１〜３秒に維持させることにより、燃料を効
率的に燃焼させ、かつ粉末原料の過熱損失の危険性を最
低にしうるのである。

方塊域から取出される懸濁物の温度を８５０〜９５０℃
丑で１５０〜２５０　’Ｃ低下させることが好ましい。

９５０　’Ｃより高いと予熱器の温度を高くしなければ
ならないし８５０　’Ｃより低いと、方塊生成物の方塊
度が約８５％に低下する。

粉末原料がセメント原料粉の場合、方塊生成物は焼成域
例えばロータリーキルンで、更に加熱処理され、焼成生
成物は空気クーラーで上述のように冷却される。

酸素含有量が５容量係より多い空気、詳細には最終生成
物を冷却するクーラーからの加温空気、クーラーおよび
キルン排出ガスからの混合加温空気、あるいはキルン排
出ガスは、酸素含有ガスとして使用することができる。

燃料としては燃料オイ化のような液体燃料、天然ガスの
ようなガス燃料および粉末炭のような固体燃料を使用す
ることができる。

粉末原料の第二流は一定の原料流として、方塊域から取
出された懸濁物中に懸濁させることができる。

粉末原料の第二流は、不活性ガスに懸濁させた該第二流
を懸濁物に導入することにより、方塊域から取出された
懸濁物中に懸濁させることも寸だ可能である。゛不活性
ガス”という語は酸素含有量が５容量係より少ないガス
を意味する。キルン排出ガスは不活性ガスと［７て使用
することができる。

粉末原料の第二流は、懸濁物カ５沈でん域に導入される
前あるいは後に、方塊域から取出された懸濁物中に導入
し、懸濁させうることができる。

力ｌ′ｌ？晶懸濁物と粉末原料の第二流との間に特に効
率的な接触、即ち方塊域と沈てん域との間の域における
特に効率的な冷却が得られるために、前者の方が好適で
ある。

粉末原料の第二流を、方塊域と沈でん域とを接続する導
管に直接、導入することもてきる。

ガス保持時間は上述の冷却域の好適冷却時間に相当する
、０．１〜３秒、好１しくは０．２〜１．５秒である。

方塊排出ガス（およびロータリーキルンからの排出ガス
）は、粉末原料を５００〜ｂ 予熱するだめに使用することができ、該温度好壕しくけ
６００〜８３０℃の粉末原料の二つの流れを提供するこ
とができる。

別々の並行した予熱器中であるいは加熱粉末原料の流れ
を二つの流れに分配することにより、予熱粉末原料の二
つの流れをつくることがてきる。

後者の場合、流れは、公知の方法例えば分配弁により、
あるいは懸濁物を二つの流れに分配した後、別々の沈で
んサイクロンへ送られることにより分西己さλ１．る。

上述のように方塊域からの加熱懸濁物の温度は、所望に
より、粉末原料の第二流の適当量を懸濁させることによ
り、下げられる。粉末原料の第−流と第二流との割合を
１０〜１の範囲に管理することにより、所望温度に低下
させることが可能である。

本発明は更に、 方塊室に酸素含有ガス、燃料および粉末原料の第−流の
だめの入口を備えていること、および粉末原料の第二流
のだめの入口が方塊室の懸濁物出口と粒子性でん器の方
塊炉排出ガス出口との間に備えられていること、 を特徴とする、酸素含有ガス、・燃料および粉末原料の
だめの入口を有しかつ、懸濁物移送導管を経由し、方塊
排出ガスおよび方塊生成物用の出口をもつ粒子性でん器
の懸濁物入口へ接続している、懸濁物出口をもつ方塊室
から成る、本発明の方法を実施するための方塊装置を含
むものである。

力・；光字の構造は垂直軸、下方および内側に傾斜して
いる環状底壁、底部に酸素含有ガス用の中央入口、室の
底部にあるいは底部付近に燃料と粉末原料の第−流とを
注入するだめの別々の導管、および室の上部に開けられ
ている懸濁物出口を有する管状室から成っている。この
ような構造のものでは、燃料の燃焼効率がよく、かつ粉
末原料の第−流の懸濁効率がすぐれている。

前述のように、粉末原料の第二流は、懸濁物が沈でん域
に導入される前あるいは後に、方塊域から取出されたカ
ロ熱懸濁物中に導入され、懸濁される。

後者のケースによる好適な態様によね、げ、粒子性でん
器には粉末原料の第二流のだめの入口導管かあるいは、
粉末原料の第二流のだめの入口を有する、不活性ガス用
入口導管かが、取付けられている。

前者のケースによる好適な態様によれば、懸濁物移送導
管には、粉末原料の第二流用入口かあるいは、粉末原料
の第二流用入口を有する、不活性ガス用入口導管かが取
付けられている。

け下に実施例により、本発明を説明するが、本発明によ
る、種々の態様の方塊装置から成る、セメント製造プラ
ントを固形的に示す添付図を参考１でに示す。

紀１図は、方塊室が特許請求の範囲第９項により、構成
され５かつ、粉末原料の第二流が一定の物質流れとして
懸濁物移送導管に導入されている、二系列の予熱器プラ
ントを示す； 第２図は、方塊室が更に特許請求範囲第９項により構成
され、かつ粉末原料の第−流が方塊炉系列からキルン上
昇管へついで沈でん器を通りここから、方塊室へ供給さ
れる一方、粉末原料の第二流が懸濁物移送導管に更に導
入されている、同種のプラントを示す； 第３図は、ロータリーキルンからの排出ガス中に懸濁さ
れた粉末原料の第二流が、方塊室と沈でん器との間の５
懸濁物移送導管に導入されている、一系列の予熱器プラ
ントを示す； 第４図は、方塊室に、キルン排出ガスと力ロ熱空気との
混合物と、予熱粉末原料の第−流との懸濁物用入口が取
付けられ、かつ粉末原料の第二流が一定の物質流れとし
て懸濁物移送導管に導入されている、同種のプラントを
示す； さらに、第５図は、方塊室が特許請求範囲第９項により
構成され、かつ、粉末原料の第二流がキルンガス中に懸
濁され、粒子性でん型中で方塊域から取出された懸濁物
と混合されている、同種のプラントを示す。

異なった図の同種の設備が同様の参考図に使用きれる。

プラントのロータリーキルン（１）ニはバーナー（図示
されていない）七方塊炉ヘクーラー排出空気を導くパイ
プ（３）を有する空気クーラー（２）が取付けられてい
る。方塊炉は、燃料（５）、粉末原料の第−流（６）、
および酸素含有ガス（７）のだめの入口をもつ方塊室（
４）から成り、更にサイクロン（９）へ接続する懸濁物
出口導管（８）が取付けられている。粒子性でん器とし
てのサイクロンには、方塊排出ガス出口（１０）および
方塊物質をロータリーキルン（１）へ導く方塊物貿用出
ロ導管（１１）が取付けられている。更に、方塊炉には
粉末原料の第二流用入口（１２）が取付けられている。

力・１尭炉排出ガス出口（１０）および、ロータリーキ
ルンからの排出ガス用出口（１３）は、多段サイクロン
予熱器と連絡している。多段サイクロン予熱器は、サイ
クロン（１８）、（１８’）、（１９）、（１９′）、
（２０）、（２０つおよび（２１）それぞれ−＼導く上
昇パイプ（１４）、（１４’、）、（１５）、（１５’
）、（１６）、（１６’）および（１７）から成り、物
質出口導管（２２）、（２２つ、（２３）、（２８’）
、（２４）、（２４’）および（２５）それぞれが取付
けられている。多段サイクロン予熱器゛には更に原料入
口導管（２６）およヒ（２６’）と、フィルターおよび
ベンチレーター（図示−ｔず）へ導かられる排出ガス出
口（２７）および（２７’）が取付けられている。

実際の運転では、粉末原料が、予熱器に導人声れ予熱さ
れる。予熱粉末原料の二つの流れが、サイクロン（１８
）および（１８’）、それぞれからか（図、１〜４）、
あるいは、サイクロン（１８）から流れを分配するか（
図、５）により、取出される。予熱粉末原料の二つの流
れは、方塊炉中に導入、方塊され、サイクロン（９）か
らの沈でん、方塊物として取出された後、ロータリーキ
ルン（１）へ導かれる。そこで更に熱処理される。

１図−１に示すプラントでは、予熱器は、方塊炉とロー
タリーキルンとそれぞれからの排出ガスが供給される、
二つのサイクロン系列の二系列予熱器として構成されて
いる。

方塊炉系列において、予熱された原料は、粉末原料の第
−流として、物質出口導管（２２′）を経由し、方塊室
へ導入され、キルン系列において予熱された原料は、第
二流として、物質出口導管（２２）を経由し、一定の物
質流れとして方塊域から取出された懸濁物中に導入し、
懸濁される。方塊室は、特許請求範囲第９項により構成
され、酸素含有ガス用人口（７）ｆＪｌ；、刃口熱空気
パイプ（３）に直接、接続でれている。

図−２に示すプラントでは、予熱器は同様に二つのサイ
クロン系列の二系列予熱器として構成されている。しか
しながら方塊炉系列で予熱された物質は、原料の第−流
として、物質出口導管（２９）を経て、キルン上昇パイ
プ（２８）中に導入され、キルン排出ガス中で懸濁され
、部分方塊された後。

懸濁物は沈でん器サイクロン（９）へ導かれ、そこで処
理された原料は、更に加熱処理されるために、導管（２
２’）を経由し、方塊室（４）の底部へ供給される。キ
ルン系列で予熱された原料の第二流Ｃは、導管（２２）
を経て、方塊室（４）から取出された方塊物質と方塊炉
排出ガスとの懸濁物中に導入され、この懸濁物と一緒に
、沈でんサイクロン（９′）中にイ共給される。図−１
に示すプラントに比較し１図＝２によるプラントでは、
原料の第−流（通常、より太きい流れ）は５　方塊炉系
列での予熱後、更に予熱されることになり、また方塊室
へ供給される以前に、キルン系列の最下部工程で部分方
塊されることになる。従ってキルン系列のその他の工程
における原料の予熱をより少くすることができる。

一方原料の第二流（より小さい流れ）は、キルン系列の
始めの工程で、やや低い温度１で予熱された後、同じ場
所から取出きれ、方塊室から取出された懸濁物中に、導
入され、所望の湿度低下効果を与える。

図−３に示すプラントでは、予熱器は一系列の予熱器と
して構成されている。そして原料粉末（ま最終予熱工程
で分配されている。上昇パイプ（１４）は、それぞれサ
イクロン（１８）、ｉ−よび（１８’）に連絡する二つ
の枝管にわけられている。二つの流れの容量比は、サイ
クロン（１８）のガス出口導管にとりつけたダンパーあ
るいはバルブ（図示せず）によって、コントロールする
ことができる。

方塊室は図−１および図−２と同じ構造である。

予熱粉末原料の第−流は、物質出口導管（２２’）を経
て、方塊室へ導入される。粉末原料の第二流は、物質出
口導管（２２）を経由し、キルン排出ガス上外パイプ（
２８）中にｉＮ人され、キルン排出ガス中に冒欄され、
キルンガスを望ましい程度１で冷却し、キルンガス出口
での焼化の危険度を低下させつるのである。この粉末原
料／キルンガス懸濁物は、懸濁物移送導管（８）中に導
入され、そこで二つの懸濁物が混合される。この結果力
焼室から取出された）け濁物は冷却される。この混合懸
濁物は、上昇パイプ【１４）に接続する、排出ガス出口
（１０）を有する、サイクロンへ導かれる。

図−４に示すプラントでは、予熱器は図−３と同じ構成
である。粉末原料の第二流用入口は図−、■と同じよう
に配置されている。方塊室（４）は、垂直軸、下方およ
び内側に傾斜している環状底部、およびその底部に上昇
パイプ（２８）を経由し、ロータリーキルン（１）の排
出ガス出口（１３）に接続している、酸素含有ガス用中
央入口（７）を有する管状室である。上昇パイプには粉
末原料の第一流用入口（６）と、加熱空気パイプｆ８）
に接続する入口（３３）とが取付けられている。カＪ暁
室（４）には、更に室の底部あるいは底部付近に配置さ
れた燃料入口Ｃ５）と室の上部に配置された懸濁物出口
導管（８）とが取付けられている。

実際の運転では、予熱粉末原料の第−流をキルン排出ガ
ス中へ導入し、懸濁させる。この懸濁物中にパイプ（３
）から、加熱空気を導入した後、粉末原料の第−流の生
成懸濁物を酸素含有ガスと共に。

方塊室へその底部から導入する。この懸濁物は室の底部
において燃料と接触し粉末原料の第−流は、懸濁状態で
燃焼し、方塊された後、懸濁物として室から取出される
。この懸濁物は、予熱粉末原料の第二流を一定の流れと
して、懸濁移送導管（８）中に導入することにより、冷
却される。懸濁ガスと、サイクロン（９）で沈でんした
後ロータリーキルン（１）中で更に熱処理される懸濁物
質との間には実質的に熱平衡が得られる。

図−５に示すプラントでは、予熱粉末原料の一つの一定
流れを移送する、古典的な一系列の予熱器として構成さ
れている。粉末原料の流れは分配弁（３４）により二つ
の流れに分配されている。予熱粉末原料の第−流は、物
質出口導管（２２’）を経由し、図−１および図−２に
相当する室のように構成されている、方塊室（４）に導
かれる。方塊室からの懸濁出口導管（８）は、サイクロ
ン（９）に開口している第一懸濁物入口に接続している
。予熱粉末原料の第二流は、物質出口導管すなわち第２
分枝管（２２）を経由し、キルン排出ガス上昇パイプ（
２８）に導入される。この上昇パイプ（２８）は、サイ
クロン（９）に開口している、別の懸濁入口に接続して
いる。したがって二つの懸濁液は、サイクロン（９）中
で混合され、その中で沈でんと冷却が同時に行われる。

本発明は寸だ、図−１〜５に示すプラントの他の態様例
えば異種のプラントから成る°図−１あるいは図−２に
示しだ予熱器から取出された二つの物質流れを、上述の
ように副次的な流れに分配することができる。これらの
副次的な流れの一つを、他の流れと混合することができ
る。これらの配置では、方塊炉に導入される粉末原料の
二つの流れ間の容量比をコントロールしやすくする。

図−３および図−４に示すプラントにおいて、粉末原料
を、上昇パイプ（１４）を分けることにより分配する代
わりに、図−５に示すように、分配弁により、分配する
ことができるし、更にその逆も可能である。

粉末原料の第二流をより低温で処理しだい場合には、粉
末原料を最終予熱工程ではなく、それ以前の工程で分配
することができる。従って、一つの原２１．を、より低
温の粉末原料の第二流として、より早い工程において予
熱器から取出し、−万一つの流れを、粉末原料の第−流
として、更に予熱し、最終工程から取出す。

予熱器のサイクロン数は、これ１でに示したものより多
くもまだ少くすることもできる。

更に、粉末原料の第−流を方塊室に導入する場合、該流
れを二つの副次的な流れに分配することもできる。すな
わち酸素含有ガスを燃焼室の底部から導入する前に、一
つの流れを該ガス中に懸濁させ、他の流れを、室の傾斜
底部、あるいは底部付近に一定の流れとして導入させる
。

実施例 内径９００　ｍｍ、高さ５，０００ｍｍの、特許請求範
囲第９項記載のようにしてつくった方塊室を有する装置
を用い、本発明による方法および従来法でパイロットプ
ラントテストを実施しだ。方塊室ハ、サイクロン入口か
ら２，０００ｙｑ＊のところに取−付けた粉末原料の第
二流用入口導管を有する、長さ５．０００ｖ１１ｎ、平
均内径８００ｖｍの懸濁移送導管を経由し、粒子比でん
器として機能するサイクロンに接続させた。

本発明による方法の代表的なテストでは、７５０℃の空
気、１；２００　ＮＭ”７時間、７００℃に予熱シｆｒ
ポ・レトランドセメント原料粉、１，９００／Ｃ９／時
間、および粉炭、１５５に９／時間を方塊室の底部へ導
入した。この粉炭は揮発分が１８％、粒度が９０ミクロ
ンふるい上に１０％の残渣を残すもので、一般に完全燃
焼に問題があると云われている、欠点のあるタイプのも
のである。

方塊域におけるガス保持時間は２．０秒であった。

方塊域懸濁物出口における懸濁物の温度は１．０３５°
Ｃであった。

２０°Ｃのセメント原料粉、４００に９／時間を、粉末
原料の第二流用入口導管により、方塊室から取出された
力ロ熱懸濁物中に導入した。

サイクロン入口における懸濁物の温度は８８０°Ｃであ
った。サイクロン排出ガスは、酸素含有量２．９係、ン
晶度は８５０℃であった。サイクロンから取出された方
塊生成物は、方塊度９０チ、炭素含有量０．２０％であ
った。

秤量した方塊生成物を脱炭処理し、生成脱炭物中に存在
する炭素を燃焼した後、その生成ＣＯ２燃焼生成物をＣ
Ｏ２量、収器に吸着させ、吸収ＣＯ２量を測定すること
によって１炭素を定量した。

比較テストでは、公知の方法により、方塊炉を用いて、
実施し、セメント原料号の−っの流れのみを導入した。

最初のテストに使用した、７５０°Ｃの空気、１．８０
０　ＮＭ”　／時間、７５０’ＣＫ予熱したポルトラン
ドセメント原料粉２．３０ＣＪｋｇ／時間、および粉炭
１７５に９／時間を、方塊室の底部へ導入した。

方塊域におけるガス保持時間は、２．０秒であった。

方塊域懸濁物出口における懸濁物の温度は９８０℃であ
った。

懸濁物は、いかなるセメント原料粉を導入することなく
、粉末原料の第二流用入口導管により、サイクロンへ送
った。

サイクロン入口における懸濁物の温度は８８０°Ｃであ
った。サイクロン排出ガスので１ｍ度は、熱ロスにより
、約３０℃、下がることが期待されたがより高く、８８
５℃であった。このことはサイクロン中で懸濁ガスが、
なお燃焼していることを示している。サイクロン排出ガ
スの１酸素含有量は２．２係であった。サイクロンから
取出されたカフ尭生成物の方塊度９２％、炭素含有量は
０．８０係であった。

こね、ら二つのテスト結果から、本発明による方法は、
サイクロンにおける、望貰しくハい後燃焼をなくし、か
つ方塊生成物中の炭素含有量を許容しがたい値、即ち０
．８０係から、許容される値、即ち０．２０％と４分の
１に凍て減少させていることを示している。

酸素含有ガスとして空気と燃焼ガスとの混合物を用い処
理した。類似のテストでは、方塊生成物の炭素含有量を
減少させ、サイクロン中での後燃焼をなくすことが認め
られた。

【図面の簡単な説明】

第１１図〜第５図は本発明の方塊装置からなるセメント
製造プラントのフローシートである。 ６ ３ ４ ０− 罵

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ］、・燃料、酸素含有ガス流、および粉末原料の第−流
   を、力焼域中に導入すること； 原料を９００〜１，２５０℃の逼熱雰囲気下、該力焼城
   中で力焼し、かつ、力焼域中におけるガス保持時間が０
   ．５〜５秒であること；黒に力・焼滅から懸濁物が取出
   される間で、かつ力焼物が沈でん域から沈でんされる以
   前に、該懸濁物に粉末原料の第二流を懸濁することによ
   って、力焼域から取出される懸濁物の温度を、８００〜
   １．０　（ｌ　ＯｏＣのレベル筐で、１００〜３００℃
   だけ低下させること； を特徴とする、原料を、力焼域中て、酸素含有ガス流下
   、燃料を燃焼することにより生みだされる加熱ガス流中
   に懸濁し、懸濁物を力焼域から取出し、力焼物を沈でん
   域で該懸濁物から沈でんし、更にガスおよび沈でん物を
   、力焼排出ガスおよび力焼生成物として、それぞれ沈で
   ん賊から取出すことから成る、粉末原料、詳しくは炭酸
   カルシウム含有粉末原料を力焼する方法。 ２、力・焼滅中の温度を９５０〜１，１５０℃に維持す
   ること、力焼域のガス保持時間を１〜３秒に維持するこ
   と、かつ力焼域から取出ばれる懸濁物の温度を、８５０
   〜９５０°Ｃ１で、１５０〜２５０℃だけ低下させるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載による方法。 ３、粉末原料の第二流を、力焼賊から取出した懸濁物に
   導入する以前に５不活性ガスに懸濁することを特徴とす
   る特許請求範囲第１〜２項記載による方法。 ４、粉末原料の第二流を、力焼域から取出した懸濁物中
   に、該懸濁物が沈でん域に導入される以前に、懸濁する
   ことを特徴とする特許請求範囲第１〜３項記載による方
   法。 ５、粉末原料の第二流が、力焼域から取出された懸濁物
   中に懸濁される場所と沈でん域の入口との間における、
   ガス保持時間が０．１〜３秒好１しくは０．２〜１．５
   秒であることを特徴とする特許請求範囲第４項記載によ
   る方法。 ６、二つの流れ中における、予熱粉末原料の温度が５０
   ０〜８５０℃、好１しくけ、６００〜８３０℃であるこ
   とを特徴とする特許請求範囲第１〜５項記載による方法
   。 ７、粉末原料の第−流と第二流との量比を１〜１０以内
   に維持することを特徴とする特許請求範囲第１〜６項記
   載による方法。 ８、力焼室に、゛酸素含有ガス、燃料、および粉末原料
   の第−流のための入口が備えられかつ。 粉末原料の第二流用入口が、力焼室の懸濁物出口と、粒
   子性でん器の力焼炉排出ガス出口との間に備えられてい
   る、 ことを特徴とする、酸素含有ガス、燃料および粉末原料
   のだめの入口を有し、かつ、懸濁物移送導管を経由し、
   力焼炉排出ガス用および力焼生成物用出口を持つ粒子性
   でん器の懸濁物入口に接続している懸濁物出口を持つ力
   焼室から成る、粉末原料を力焼する装置。 ９、力焼室が、垂直軸、下方および内側に傾斜している
   環状底壁、底部に酸素含有ガス用中央入口、室の底部あ
   るいは底部付近に燃料と粉末原料の第−流とを注入する
   だめの別々の導管、および室の上部に懸濁物出口を有す
   る管状室であることを特徴とする特許請求’４７０囲第
   ８項記載にょる製電。 １０、粒子性でん器に粉末原料の第二流用入口導管が備
   えられていることを特徴とする特許請求範囲第８〜９項
   記載による装置。 １１、粒子性でん器に不活性ガス用入口導管が備えられ
   、該導管が粉末原料用入口を有していることを特徴とす
   る特許請求範囲第８〜９項記載による装置。 １２、懸濁物移送導管に粉末原料の第二流用入口が備え
   られていることを特徴とする特許請求範囲第８〜９項記
   載による装置。 １３、懸濁物移送導管に不活性導管用入口が備えられ、
   該導管が粉末原料用入口を有していることを特徴とする
   特許請求範囲第８〜９項記載による装置４゜