JPS5961225A - Electronic circuit - Google Patents

Electronic circuit

Info

Publication number
JPS5961225A
JPS5961225A JP57172349A JP17234982A JPS5961225A JP S5961225 A JPS5961225 A JP S5961225A JP 57172349 A JP57172349 A JP 57172349A JP 17234982 A JP17234982 A JP 17234982A JP S5961225 A JPS5961225 A JP S5961225A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scr
transistor
turned
voltage
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57172349A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Takagi
高木 昌行
Hiroshi Mugitani
麦谷 浩
Toshishige Koma
駒寿 茂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP57172349A priority Critical patent/JPS5961225A/en
Priority to US06/529,637 priority patent/US4538102A/en
Priority to EP83305179A priority patent/EP0103455A3/en
Priority to CA000436299A priority patent/CA1207384A/en
Publication of JPS5961225A publication Critical patent/JPS5961225A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/468Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc characterised by reference voltage circuitry, e.g. soft start, remote shutdown
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Thyristor Switches And Gates (AREA)

Abstract

PURPOSE:To restore a silicon controlled rectifier (SCR) automatically by interrupting the connection of the SCR by the disconnection of a transistor (TR) in an electronic circuit provided with the SCR and a switch restoring the SCR. CONSTITUTION:The SCR and the TR are connected in series and bias voltage is previously applied to the base of the TR to make the TR active status. When a gate pulse is applied to the SCR, the SCR is also turned on and current flows into a load L. When the SCR is to be turned off, the TR is turned off at first by reducing the base bias voltage of the TR and then current flowing into the SCR is interrupted to turn off the SCR.

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、サイリスクとその復帰スイッチとを有する電
子回路の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to an improvement in an electronic circuit having a silisk and its return switch.

従来技術と問題点 従来、前記種類の電子回路として第1図に見られるもの
が知られている。
Prior Art and Problems Hitherto, the type of electronic circuit shown in FIG. 1 is known.

図に於いて、Lは負荷、SCRはカイリスク、SWはス
イッチをそれぞれ示す。
In the figure, L represents a load, SCR represents a chilisk, and SW represents a switch.

一般に、サイリスクSCRは一旦オンになると電流供給
を断たなければオフすることができないので、第1図の
回路ではスイッチSWを押圧してオープンにすることに
依りサイリスタSCRを1夏帰させるようにしている。
Generally, once the thyristor SCR is turned on, it cannot be turned off unless the current supply is cut off. Therefore, in the circuit shown in Figure 1, the thyristor SCR is turned off for one summer by pressing the switch SW to open it. ing.

ところで、この回路では、スイッチSWを押圧するのに
人手に依存しているので、全自動制御系に組込むことが
できない。
By the way, this circuit cannot be incorporated into a fully automatic control system because it depends on the human hand to press the switch SW.

その目的を達成する為には、電子回路を全て半導体化す
れば良いが、その場合、できる限り単純な構成にするこ
とが望ましい。
In order to achieve this purpose, all electronic circuits may be made into semiconductors, but in that case, it is desirable to have a configuration as simple as possible.

発明の目的 本発明は、トランジスタを使用して、前記の如き要望に
応える電子回路、即し、オン状態にあるジ゛イリスタを
自動的に復帰させる電子回路を実現できるようにするも
のである。
OBJECTS OF THE INVENTION The present invention uses transistors to realize an electronic circuit that satisfies the above-mentioned needs, that is, an electronic circuit that automatically resets a diristor in an on state.

発明の実施例 第2図は、本発明−実施例の要部回路図であり、第1図
に関して説明した部分と同部分は同記号で指示しである
Embodiment of the Invention FIG. 2 is a circuit diagram of a main part of the embodiment of the present invention, and the same parts as those explained in connection with FIG. 1 are indicated by the same symbols.

図に於いて、]゛Rはトランジスタ、Rは抵抗をそれぞ
れ示している。
In the figure, R represents a transistor, and R represents a resistor.

本実Jt+ (IIIでは、予めトランジスタT Rの
へ−スにバイアス電圧を印加して活性状態にしておき、
サイリスタS CRにゲート・パルスを加えるとサイリ
スタSCRもオンになり負荷I4には電流が流れる。
Honjitsu Jt+ (In III, a bias voltage is applied to the base of the transistor TR in advance to make it active,
When a gate pulse is applied to thyristor SCR, thyristor SCR is also turned on and current flows through load I4.

サイリスタSCRをオフするには、トランジスタT R
のベース・バイアス電圧を低下さ・Uることに依り先ず
(・ランジスタ1゛Rをオフし、それに依りサイリスタ
SCRに流れる電流を遮断してオフとする。
To turn off the thyristor SCR, the transistor T R
By lowering the base bias voltage of thyristor SCR, transistor 1R is first turned off, thereby cutting off the current flowing through thyristor SCR and turning it off.

第3図は、具体的な実施例を説明する為の要部回路図で
ある。
FIG. 3 is a main circuit diagram for explaining a specific embodiment.

図に於いて、Vinは入力端子、Voutば出力端子、
GNDは接地端子、SCRはサイリスタ、TRI乃至’
FR3はトランジスタ、Dl乃至D3ばツェナ・ダイオ
ード、R1乃至R6は抵抗、I<Vl及びRV2は可変
抵抗、”I’ IIはサーミスタ、spsは定電圧回路
部分をそれぞれ示す。
In the figure, Vin is an input terminal, Vout is an output terminal,
GND is the ground terminal, SCR is the thyristor, TRI~'
FR3 is a transistor, Dl to D3 are Zener diodes, R1 to R6 are resistors, I<Vl and RV2 are variable resistors, "I' II is a thermistor, and sps is a constant voltage circuit portion.

この実施例は、マイクロ波増幅器の電源として使用され
る電源回路であって、サーミスタT IIをマイクロ波
増幅器のケースに貼着しておき、ケースの温度が所定値
より上昇した場合は電源回路の出力端子Voutからの
出力をオフに、そして、ケースの温度が所定値より下降
した場合には再び前記出力をオンにすることができるも
のである。
This embodiment is a power supply circuit used as a power supply for a microwave amplifier. A thermistor T II is pasted on the case of the microwave amplifier, and when the temperature of the case rises above a predetermined value, the power supply circuit is activated. The output from the output terminal Vout can be turned off, and when the temperature of the case falls below a predetermined value, the output can be turned on again.

先ず、サイリスタSCRがオフである場合に於りる定電
圧回路部分spsの動作について説明する。
First, the operation of the constant voltage circuit section sps when the thyristor SCR is off will be described.

この定電圧回路部分spsでは、入力端子Vinと接地
端子GNDとの間に正電圧が印加されると、出力制御用
であるトランジスタi’ R1はそのベース抵抗R2を
介して正電圧が印加されるのでオンとなり、そして、出
力端子Voutに出力電圧が現われるようになっている
In this constant voltage circuit part sps, when a positive voltage is applied between the input terminal Vin and the ground terminal GND, the positive voltage is applied to the transistor i' R1 for output control via its base resistor R2. Therefore, it is turned on, and an output voltage appears at the output terminal Vout.

出力端子Voutと接地端子GNDとの間には直列接続
された抵抗R4及びR5が挿入され、その抵抗R,4と
R5との接続点には、エミッタが基準電圧発生用のツェ
ナ・ダイオードD3に接続され且つコレクタがトランジ
スタ1゛R1のベースに接摩売されて、そのトランジス
タi’ 1? 1のオン・オフを制御するトランジスタ
′I’ R2のベースが接続されているので、その接続
点に於ける電圧、即ぢ、トランジスタi” R2のベー
ス電圧が基準電圧であるエミッタ電圧と比較して所定値
を越えるとトランジスタ′l″R2は活性度が増大する
方向に向かう。
Resistors R4 and R5 connected in series are inserted between the output terminal Vout and the ground terminal GND, and at the connection point between the resistors R, 4 and R5, the emitter is connected to a Zener diode D3 for generating a reference voltage. and the collector is connected to the base of the transistor 1'R1, so that the transistor i' 1? Since the base of the transistor ``I'' R2 that controls the on/off of 1 is connected, the voltage at that connection point, that is, the base voltage of the transistor ``I'' R2, is compared with the emitter voltage, which is the reference voltage. When the value exceeds a predetermined value, the activity of the transistor 'l''R2 tends to increase.

トランジスタT R2の活性度が増して導電度が大にな
ると、トランジスタi’R1のベース電圧は低くなるか
らその導電度は小になり、出力端子Voutの出力電圧
の上昇を抑えるような動作をすることになる。
When the activity of the transistor TR2 increases and its conductivity increases, the base voltage of the transistor i'R1 decreases, so its conductivity decreases, and it operates to suppress the increase in the output voltage of the output terminal Vout. It turns out.

また、トランジスタi’ R2のベース電圧がエミッタ
電圧と比較して所定値を下回ると、前記とは逆にトラン
ジスタTR2の活性度は低下する方向に向かう。トラン
ジスタTR2の導電度が小になれば、トランジスタTR
Iのベース電圧は高くなるのでその導電度は大になり、
出力端子V OIJ Lの出力電圧の下降を抑えるよう
な動作をすることになる。
Further, when the base voltage of the transistor i'R2 becomes lower than a predetermined value compared to the emitter voltage, the activity of the transistor TR2 tends to decrease, contrary to the above. If the conductivity of transistor TR2 becomes small, transistor TR
As the base voltage of I increases, its conductivity increases,
An operation is performed to suppress a drop in the output voltage of the output terminal V OIJ L.

前記説明した動作は、通審の構成を有する定電圧回路の
動作と同しである。
The above-described operation is the same as that of a constant voltage circuit having a trial circuit configuration.

さて、本実施例では、出力制御用トランジスタ1′R1
のベースと接地端子G N I)との間には直列接続さ
れたサイリスタS CRとトランジスタ′I″R3とが
挿入されている。トランジスタ1゛R3のベースは号−
ミスタT Hと可変抵抗RVIとの接続点に接続され、
そして、サイリスタS CF?のゲートはツェナ・ダイ
オードD2を介してサーミスタT IIと可変抵抗RV
2との接続点に接続されている。可変抵抗RVI及びR
V 2はI・ランジスク′1゛3及びサイリスタSC−
’Rの動作点を調節する為のものである。
Now, in this embodiment, the output control transistor 1'R1
A thyristor SCR and a transistor 'I'R3 connected in series are inserted between the base of the transistor 1'R3 and the ground terminal GNI.
Connected to the connection point between Mr. TH and variable resistor RVI,
And thyristor S CF? The gate of the thermistor TII and the variable resistor RV
It is connected to the connection point with 2. Variable resistance RVI and R
V2 is I-ranjisku'1'3 and thyristor SC-
' This is to adjust the operating point of R.

次に、動作を説明するが、第4図のタイミング・チャー
トを参照すると理解が容易になる。
Next, the operation will be explained, but it will be easier to understand by referring to the timing chart in FIG.

第4図に於いて、TtIlはサーミスタTHの温度であ
り、T Iはトランジスタ′rR3がオンとなる温度、
′T゛2はサイリスタSCRがオンとなる温度であって
、T I < ′r 2である。
In FIG. 4, TtIl is the temperature of the thermistor TH, TI is the temperature at which the transistor 'rR3 is turned on,
'T'2 is the temperature at which the thyristor SCR is turned on, and T I <'r2.

今、マイクロ波増幅器を動作させ、その温度が次第に上
昇してきたとすると、そのケースに貼着したサーミスタ
1゛Hの抵抗は低下する。温度がTIになると、その時
のサーミスタ1゛IIと可変抵抗RVIの接続点に於け
る電圧でトランジスタTR3はオンとなる。更に温度が
上昇して′「2になったとすると、その時のサーミスタ
1゛トlと可変抵抗RV2の接続点に於ける電圧でサイ
リスクSCRはオンとなる。するとトランジスタTRI
のベース電圧は低下してオフとなり、従って、電源回路
とし−この出力は零となり、マイクロ波増幅器には電流
が供給されないことになる。
Now, if the microwave amplifier is operated and its temperature gradually rises, the resistance of the thermistor 1H attached to its case will decrease. When the temperature reaches TI, the voltage at the connection point between the thermistor 1'II and the variable resistor RVI turns on the transistor TR3. If the temperature further rises to '2', the voltage at the connection point of the thermistor 1 and variable resistor RV2 turns on the SiRISC SCR.Then, the transistor TRI turns on.
The base voltage of the power supply circuit drops and turns off, so that the output of the power supply circuit becomes zero and no current is supplied to the microwave amplifier.

マイクロ波増幅器が動作しなければケースの温度は低下
し、その温度がT1を下回るとトランジスタ”I” I
≧3がオフとなるからサイリスタSCRも復帰し、トラ
ンジスタ’I’ R1のベースには高い電圧が印加され
てオンとなり、マイクし1波増幅器に対する電流の供給
を再開する。
If the microwave amplifier does not operate, the temperature of the case will drop, and when the temperature falls below T1, the transistor "I" I
Since ≧3 is turned off, the thyristor SCR is also restored, and a high voltage is applied to the base of the transistor 'I' R1, turning it on and restarting the supply of current to the microphone and single-wave amplifier.

この実施例では、マイクロ波増幅器のケース温度の検知
にザーミスタを使用したが、それに代えてポジスタを用
いることもできる。但し、その場合は、可変抵抗が入っ
ているところにポジスタを配置し、可変抵抗はザーミス
タが入っているところに配置しなければならない。
In this embodiment, a thermistor is used to detect the temperature of the case of the microwave amplifier, but a posistor may be used instead. However, in that case, the POSISTOR must be placed where the variable resistor is located, and the variable resistor must be placed where the THERMISTOR is located.

発明の効果 本発明電子回路に依れば、サイリスクとトランジスタを
直列接続してあり、該トランジスタはサイリスクよりも
前に導通し、そして、非導通となることに依りサイリス
クの導通を遮断することができるので、この電子回路を
自動詞?1(1系に組込むことば容易である。
Effects of the Invention According to the electronic circuit of the present invention, the thyrisk and the transistor are connected in series, and the transistor becomes conductive before the thyrisk and becomes non-conductive, thereby interrupting the conduction of the thyrisk. Can this electronic circuit be intransitive? 1 (It is easy to incorporate into the 1st system.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来例の要部回路図、第2図は本発明実施例の
要部回路図、第3図は本発明の具体的実施例の要部回路
図、第4図は第3図に示した回路の動作を説明する為の
タイミング・チ+−j・である。 図に於いて、Lは負荷、SCRはサイリスク′1”Rは
トランジスタ、Rは抵抗である。 特許出願人   富士通株式会社 代理人弁理士  玉蟲 久五部 (外3名) 第 1 図 箪2図
FIG. 1 is a circuit diagram of the main part of the conventional example, FIG. 2 is a circuit diagram of the main part of the embodiment of the present invention, FIG. 3 is a circuit diagram of the main part of the specific embodiment of the invention, and FIG. This is a timing chart for explaining the operation of the circuit shown in FIG. In the figure, L is a load, SCR is a silicon risk '1'', R is a transistor, and R is a resistor. Patent applicant: Fujitsu Ltd. Representative patent attorney Kugobe Tamamushi (3 others) Figure 1 Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] サイリスクに対し、該サイリスクより先に導通し、且つ
、非導通となることに依り前記サイリスクの導通を遮断
するトランジスタを直列接続してなることを特徴とする
電子回路。
1. An electronic circuit comprising a transistor connected in series to a cyrisk, which becomes conductive before the cyrisk, and cuts off conduction of the cyrisk by becoming non-conductive.
JP57172349A 1982-09-10 1982-09-29 Electronic circuit Pending JPS5961225A (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57172349A JPS5961225A (en) 1982-09-29 1982-09-29 Electronic circuit
US06/529,637 US4538102A (en) 1982-09-10 1983-09-06 Power supply circuit
EP83305179A EP0103455A3 (en) 1982-09-10 1983-09-06 Power supply circuit
CA000436299A CA1207384A (en) 1982-09-10 1983-09-08 Power supply circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57172349A JPS5961225A (en) 1982-09-29 1982-09-29 Electronic circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5961225A true JPS5961225A (en) 1984-04-07

Family

ID=15940252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57172349A Pending JPS5961225A (en) 1982-09-10 1982-09-29 Electronic circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5961225A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4424825Y1 (en) * 1966-02-16 1969-10-20

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4424825Y1 (en) * 1966-02-16 1969-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000324807A (en) Switching regulator
JP3370739B2 (en) Power circuit
JP3852399B2 (en) Power switching circuit
JPS5961225A (en) Electronic circuit
US4572927A (en) Current limiter for telephone office signalling
JP2569807B2 (en) Precharge circuit
JPH0525945U (en) Current limit circuit
JPH0546097Y2 (en)
JPS6176027A (en) Preventive circuit for inrush current
JPS6338694Y2 (en)
JP2002136108A (en) Voltage-boosting circuit
JPH063451Y2 (en) Current supply circuit
JPH03870Y2 (en)
JP2555789Y2 (en) Constant voltage power supply circuit
JPS6114275Y2 (en)
JPS6331517Y2 (en)
JPH05328599A (en) Rush current preventive circuit
JPS5914818Y2 (en) DC voltage stabilization circuit
JPH0428185Y2 (en)
JPS61281315A (en) Power circuit
JPS58136223A (en) Switch device
JPH1169623A (en) Power supply circuit for gaasfet
JPS6110914A (en) Relay drive circuit
JPS63107458A (en) Switcing power source
JPH063990B2 (en) Intermittent control type power supply circuit