JPH063990B2 - Intermittent control type power supply circuit - Google Patents

Intermittent control type power supply circuit

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JPH063990B2
JPH063990B2 JP12122384A JP12122384A JPH063990B2 JP H063990 B2 JPH063990 B2 JP H063990B2 JP 12122384 A JP12122384 A JP 12122384A JP 12122384 A JP12122384 A JP 12122384A JP H063990 B2 JPH063990 B2 JP H063990B2
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transistor
voltage
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寛 辻岡
輝夫 佐藤
敏朗 大場
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only

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  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〈技術分野〉 本発明は断続制御型電源回路に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an intermittent control type power supply circuit.

〈従来技術〉 従来の断続制御型電源回路は第1図に示すような構成を
有している。入力端1,1′間には交流電圧あるいは、
非平滑全波ないし半波整流電圧を印加する。入力電圧の
瞬時値が小さい間は、スイッチングトランジスタは導通
状態にあって、若し出力側にコンデンサ8が接続されて
いなければ、出力端子9,9′間には入力電圧に比例し
た電圧が出力される。ところが入力電圧の瞬時値が上昇
し、それに伴って出力側の電圧が所定の値に達した瞬
間、即ち、出力電圧レベルがツエナー電圧VDZとトラン
ジスタ5のベース・エミッタ電圧VBE5の和を越えた瞬間
にツエナー・ダイオード6が通電し、トランジスタ5が
導通状態となる。そのためトランジスタ3はそのベース
・エミッタ間が短絡され、そのコレクタ回路が遮断され
るのでスイッチングトランジスタ2が遮断され、出力電
圧が断たれる。しかし、出力電圧が断たれることによ
り、次の瞬間にはツエナー電流が削減、トランジスタ5
は再び遮断状態になってトランジスタ3にベース電流が
流れ、このコレクタ回路が導通するので、スイッチング
トランジスタ2も導通し、再び出力電圧が発生する。出
力電圧が発生すれば再びツエナーダイオードが導通し、
入力電圧(の瞬時値)が所定の値(VDZ+VBE+通電時の
スイッチングトランジスタ2のコレクタ・エミッタ電
圧)を越えた状態にある限り、上記の断続作用が繰り返
される。第2図は、入力が非平滑全波整流電圧の場合に
ついて上記の作用を説明するものである。入力電圧は図
の曲線ABPCQDP′Eのように変化するとき、AB
Pの間は事実上入力電圧に等しい電圧が出力されるが、
入力電圧の変化がP点に達するとツエナーダイオード6
が作動してスイッチングトランジスタ2が遮断状態にな
り、出力電圧は0レベルまで低下する。以後、入力電圧
の変化がQ点に達するまで出力電圧は上記のように断続
をくり返す。QDP′の間はABPに相当して入力電圧
に等しい電圧が得られるが、P′点に達して再び出力電
圧の断続がくり返される。
<Prior Art> A conventional intermittent control type power supply circuit has a configuration as shown in FIG. AC voltage between input terminals 1 and 1 ', or
Apply non-smooth full-wave or half-wave rectified voltage. While the instantaneous value of the input voltage is small, the switching transistor is in the conductive state, and if the capacitor 8 is not connected to the output side, a voltage proportional to the input voltage is output between the output terminals 9 and 9 '. To be done. However, the instantaneous value of the input voltage rises and the output voltage reaches a predetermined value accordingly, that is, the output voltage level exceeds the sum of the zener voltage V DZ and the base-emitter voltage V BE5 of the transistor 5. At that moment, the Zener diode 6 is energized, and the transistor 5 becomes conductive. Therefore, the transistor 3 is short-circuited between its base and emitter and its collector circuit is cut off, so that the switching transistor 2 is cut off and the output voltage is cut off. However, since the output voltage is cut off, the Zener current is reduced at the next moment, and the transistor 5
Is again cut off, a base current flows through the transistor 3, and the collector circuit is rendered conductive, so that the switching transistor 2 is also rendered conductive and an output voltage is generated again. When the output voltage is generated, the Zener diode becomes conductive again,
As long as the input voltage (instantaneous value thereof) exceeds a predetermined value (V DZ + V BE + collector-emitter voltage of the switching transistor 2 at the time of energization), the above intermittent action is repeated. FIG. 2 explains the above-mentioned operation when the input is an unsmoothed full-wave rectified voltage. When the input voltage changes like the curve ABPCQDP'E in the figure,
A voltage equal to the input voltage is output during P, but
When the change of input voltage reaches point P, Zener diode 6
Is activated, the switching transistor 2 is cut off, and the output voltage drops to 0 level. After that, the output voltage is intermittently repeated as described above until the change of the input voltage reaches the point Q. A voltage equal to the input voltage corresponding to ABP is obtained during QDP ', but the output voltage is repeated intermittently after reaching the point P'.

このように断続的に変化する電圧は、ABP,QDP′
の区間のように入力電圧の波形による落ち込み部分を含
めて出力側のコンデンサ8で平滑され、出力端子9,
9′の間の直流電圧が得られる。
The voltage which changes intermittently in this way is ABP, QDP '.
Is smoothed by the output-side capacitor 8 including the drop portion due to the waveform of the input voltage like the section of
A DC voltage between 9'is obtained.

ところでこのような方式では断続制御の周期は、ツエナ
ーダイオードやトランジスタ等の半導体素子の応答速度
で決まるため、回路から非常に周波数の高い電磁ノイズ
が発生し、周囲の他の電子機器に悪影響をおよぼす可能
性があるだけでなく、断続制御信号の周期があまりに短
いため、スイッチングトランジスタに用いられているパ
ワートランジスタのスイッチング作用が断続制御信号に
充分応答できず、C級動作をすることができなくなる。
このため、スイッチングトランジスタの平均消費電力が
増大し、熱破壊をおこすことがある。
By the way, in such a system, the intermittent control cycle is determined by the response speed of semiconductor elements such as zener diodes and transistors, so electromagnetic noise with a very high frequency is generated from the circuit, which adversely affects other electronic devices in the vicinity. In addition to the possibility, the period of the intermittent control signal is too short, so that the switching action of the power transistor used as the switching transistor cannot sufficiently respond to the intermittent control signal, and the class C operation cannot be performed.
Therefore, the average power consumption of the switching transistor increases, which may cause thermal breakdown.

〈発明の目的〉 本発明の目的は、スイッチングトランジスタが断続制御
信号の完全に応答して作動し、従来技術に伴う上記の欠
点が排除された、断続制御型電源回路を提供することに
ある。
<Object of the Invention> An object of the present invention is to provide an intermittent control type power supply circuit in which a switching transistor operates in complete response to an intermittent control signal, and the above-mentioned drawbacks of the prior art are eliminated.

〈発明の構成〉 上記の目的を達成するため本発明による回路は、入力側
と出力側との間に挿入されたスイッチング用トランジス
タと、出力側の電圧により作動する、ツエナーダイオー
ド及び抵抗の直列接続により成る回路とを有し、上記ツ
エナーダイオードのツエナー電流特性を利用して出力側
に断続的直流電圧を出力する直流電源回路であって、上
記ツエナーダイオードと、出力側正負両端子のいづれか
一方との間に、コレクタ接地型トランジスタのコレクタ
・エミッタ回路を挿入し、このコレクタ接地型トランジ
スタの不飽和特性を利用して、上記スイッチング用トラ
ンジスタの導通・遮断機能にヒステレシスを持たせたこ
とを特徴としている。
<Structure of the Invention> In order to achieve the above object, the circuit according to the present invention comprises a switching transistor inserted between an input side and an output side, and a series connection of a zener diode and a resistor, which is operated by a voltage on the output side. A DC power supply circuit for outputting an intermittent DC voltage to the output side by utilizing the Zener current characteristics of the Zener diode, wherein the Zener diode and either one of the output side positive and negative terminals are provided. A collector-emitter circuit of a grounded-collector type transistor is inserted between the two, and the unsaturated characteristic of this grounded-collector type transistor is used to add hysteresis to the conduction / cutoff function of the switching transistor. There is.

〈実施例〉 以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。<Examples> Examples of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第3図が本発明の実施例の回路図である。回路構成上は
第1図の従来技術による回路に点線内の回路10を追加
した形となっており発振の基本動作は第1図のものと同
様であるが検知電圧レベルにヒステリシスを持つ点が異
なる。以下その動作概略を説明する。
FIG. 3 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. The circuit configuration is such that the circuit 10 in the dotted line is added to the circuit according to the prior art of FIG. 1, and the basic operation of oscillation is the same as that of FIG. 1, but there is a hysteresis in the detection voltage level. different. The outline of the operation will be described below.

トランジスタ11はコレクタ接地となっておりコレクタ
・エミッタ間の電圧降下はベース電位に依存している。
出力電圧Voutが規定値以下の場合には第1図で説明した
通りツエナーダイオード6にはツエナー電流が流れずト
ランジスタ5はオフ、よってトランジスタ3,2はオン
状態にある。この時のトランジスタ11のベース電位V
B11は次の式で与えられる。
The transistor 11 is grounded at the collector, and the voltage drop between the collector and the emitter depends on the base potential.
When the output voltage Vout is equal to or lower than the specified value, the zener current does not flow through the zener diode 6 as described with reference to FIG. 1, so that the transistor 5 is off and the transistors 3 and 2 are on. Base potential V of transistor 11 at this time
B11 is given by the following equation.

ここでVD14:ダイオードD14の順方向電圧, VCE3:トランジスタ3のコレクタ・エミッタ飽和電圧,
Rv:ボリュウム12の抵抗値,R13:抵抗13の抵抗
値である。トランジスタ11はコレクタ接地であるから
そのエミッタ電位は VB11+VBE11=VE11となる。ここでVBE11はトランジスタ
11のベース・エミッタ電圧。よってトランジスタ2が
オンしている時の電圧検知レベルVONは次式で与えられ
る。
Where V D14 : forward voltage of diode D 14 , V CE3 : collector-emitter saturation voltage of transistor 3,
Rv: resistance value of the volume 12, R 13 : resistance value of the resistance 13. Since the collector of the transistor 11 is grounded, its emitter potential is V B11 + V BE11 = V E11 . Where V BE11 is the base-emitter voltage of transistor 11. Therefore, the voltage detection level V ON when the transistor 2 is on is given by the following equation.

VON≒VE11+VD6+VBE5……(2) ここでVBE5:トランジスタ5のベース・エミッタ電圧。
但し抵抗7′の値R′と抵抗7の値Rの間にはR′
<<Rの関係があるため、抵抗分割比は無視した。
Voutが上記の電圧検知レベルVONより大きくなるとツエ
ナーダイオード6にツエナー電流が流れトランジスタ5
がオンし、よってトランジスタ3,2がオフしてVout側
へのエネルギーの供給をストップする。この時のトラン
ジスタ11のベース電位V′B11を考えると次式で与えら
れる。
V ON ≈ V E11 + V D6 + V BE5 (2) where V BE5 : Base-emitter voltage of transistor 5.
However Between the values R 7 and 7 'value R' of the resistor 7 resistor 7 R '
The resistance division ratio was ignored because of the relationship of 7 << R 7 .
When Vout becomes higher than the above voltage detection level V ON , a zener current flows through the zener diode 6 and the transistor 5
Is turned on, so that the transistors 3 and 2 are turned off and the supply of energy to the Vout side is stopped. Considering the base potential V'B11 of the transistor 11 at this time, it is given by the following equation.

ここで、RCE3(0)はトランジスタ3のOFF時のコレ
クタ・エミッタ等価抵抗である。よってトランジスタ2
がオフしている時の電圧検知レベルVOFFは次式で与えら
れる。
Here, R CE3 (0) is a collector-emitter equivalent resistance when the transistor 3 is OFF. Therefore transistor 2
The voltage detection level V OFF when is off is given by the following equation.

VOFF≒V′B11+VBE11+VD6+VBE5 V′B11≒0であるから、 VOFF≒VBE11+VD6+VBE5……(3) よってトランジスタ2のオン電圧とオフ電圧のヒステリ
シスは(2)式−(3)式で与えられるから となり、ヒステリシスは抵抗12と13の抵抗値の選択
により任意に設定出来る事が判る。即ち、スイッチング
・トランジスタ2がオンしている状態においては、ボリ
ュウム12で電圧降下した電圧がトランジスタ11のベ
ースに供給され、不飽和特性を有する当該トランジスタ
11を介してツエナー・ダイオード6において、その電
圧が検出される。これに対して、上記スイッチング・ト
ランジスタ2がオフした状態においては、トランジスタ
11がオンのため、そのコレクタを介してツエナー・ダ
イオード6に出力側電圧がかかる。従って、ツエナー・
ダイオード6がオンする場合と、オフする場合とでは、
出力側電圧についてボリュウム12における電圧降下相
当分VB11の差があることになる。
Since a V OFF ≒ V 'B11 + V BE11 + V D6 + V BE5 V' B11 ≒ 0, the hysteresis of V OFF ≒ V BE11 + V D6 + V BE5 ...... (3) Therefore the ON voltage of the transistor 2 and the off voltage (2) Since it is given by the formula − (3), Therefore, it is understood that the hysteresis can be arbitrarily set by selecting the resistance values of the resistors 12 and 13. That is, when the switching transistor 2 is on, the voltage dropped by the volume 12 is supplied to the base of the transistor 11, and the voltage of the Zener diode 6 passes through the transistor 11 having the unsaturated characteristic. Is detected. On the other hand, when the switching transistor 2 is off, the transistor 11 is on, so that the output side voltage is applied to the zener diode 6 via the collector of the transistor 11. Therefore, Zener
Depending on whether the diode 6 is turned on or off,
With respect to the output side voltage, there is a difference of V B11 corresponding to the voltage drop in the volume 12.

つまり、ツエナー・ダイオード6がオンしてからオフす
るまでに、出力側電圧が電圧降下VB11する時間の余裕が
生じる。これにより第1図従来の回路のようにツエナー
・ダイオード6のオン・オフが略同一電圧である場合に
比して、断続の周期を長くすることができる。
That is, there is a margin of time for the output side voltage to drop by V B11 from the time when the Zener diode 6 is turned on to the time when it is turned off. As a result, the intermittent period can be extended as compared with the case where the Zener diode 6 is turned on and off at substantially the same voltage as in the conventional circuit shown in FIG.

なお、上記構成の場合、第2図のPQの間における電圧
0の周期が長くなることになる。
In the case of the above configuration, the period of voltage 0 between PQ in FIG. 2 becomes long.

以上の様にコレクタ接地型のトランジスタの不飽和特性
を利用してヒステリシス特性を連続した任意の点に設定
する事が出来る。又、トランジスタ11をコレタタ接地
構成としている為トランジスタ11が入力,出力の電圧
変動によりオーバードライブとなる事がない為、電圧検
出からトランジスタ2への負帰還動作にほとんど遅延が
なく断続制御型電源回路において特に要求される高帰還
スピードと帰還遅延の排除を本回路構成により達成して
いる事を最大の特長としている。
As described above, the hysteresis characteristic can be set to any continuous point by utilizing the unsaturated characteristic of the grounded-collector type transistor. Further, since the transistor 11 has the collector grounded configuration, the transistor 11 does not overdrive due to input and output voltage fluctuations, and therefore the negative feedback operation from the voltage detection to the transistor 2 has almost no delay and the intermittent control type power supply circuit. The greatest feature of this circuit configuration is that it achieves the high feedback speed and the elimination of feedback delay, which are especially required in.

尚、第4図はトランジスタ2にC−タイプのトランジス
タを使用して実施した場合の回路構成であり、第5図は
トランジスタ2をNチャンネルパワー・MOS・FET
にかえて実施した回路構成を示している。回路動作はい
ずれも第3図の実施例の場合と同等である。両図の場合
とも、第3図に示された回路構成要素に対応する部分に
は第3図に用いた参照番号と同じ番号にa又はbを付し
た参照番号を用いている。
Incidentally, FIG. 4 shows the circuit configuration when a C-type transistor is used as the transistor 2, and FIG. 5 shows the transistor 2 as an N-channel power MOS FET.
The circuit configuration implemented in place of the above is shown. The circuit operation is the same as that of the embodiment shown in FIG. In both cases, the same reference numerals used in FIG. 3 are used for the portions corresponding to the circuit components shown in FIG.

〈発明の効果〉 以上の説明から明らかなように、本発明によれば断続周
期を任意に設定出来るため負荷条件に合わせて安価なス
イッチング素子を使用出来、またスイッチング素子の応
答能力オーバーによる不飽和度の増加による効率ダウン
および発熱の問題が解消し、さらに、断続周期を調節で
きるので外部へ流出するノイズ量を減少させることがで
きる。なお、トランジスタ11はコレクタ接地回路構成
となっている事によりトランジスタのオーバードライブ
がなく電圧検出回路の動作遅延は原理的に少ない。
<Effects of the Invention> As is apparent from the above description, according to the present invention, the intermittent period can be arbitrarily set, so that an inexpensive switching element can be used in accordance with the load condition, and the unsaturated due to the excessive response capability of the switching element. The problem of efficiency reduction and heat generation due to the increase of the degree is solved, and the intermittent period can be adjusted, so that the amount of noise flowing out to the outside can be reduced. Since the transistor 11 has a collector-grounded circuit configuration, there is no overdrive of the transistor and the operation delay of the voltage detection circuit is small in principle.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図および第2図はそれぞれ従来技術による断続制御
型電源回路の構成図および作用説明図である。第3図は
本発明実施例の回路構成図である。第4図および第5図
は、ともに上記実施例を変型実施した場合の回路構成図
である。 2,2a…スイッチングトランジスタ 2b…スイッチングトランジスタ(MOS FET型) 3,3a,3b,5,5a,5b,11,11a,11
b…トランジスタ 6,6a,6b…ツエナーダイオード 7,7a,7′…抵抗 8…出力コンデンサ 10,10a,10b…断続周期調節回路 14…ダイオード
FIG. 1 and FIG. 2 are a block diagram and an operation explanatory view of an intermittent control type power supply circuit according to the prior art, respectively. FIG. 3 is a circuit configuration diagram of an embodiment of the present invention. 4 and 5 are circuit configuration diagrams when the above embodiment is modified. 2, 2a ... Switching transistor 2b ... Switching transistor (MOS FET type) 3, 3a, 3b, 5, 5a, 5b, 11, 11a, 11
b ... transistor 6,6a, 6b ... zener diode 7,7a, 7 '... resistor 8 ... output capacitor 10,10a, 10b ... intermittent period adjusting circuit 14 ... diode

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】入力側と出力側との間に直列に挿入された
スイッチング・トランジスタと、出力側に挿入されたツ
エナー・ダイオードと抵抗の直列回路と、上記直列回路
から分圧出力される電圧により上記スイッチング・トラ
ンジスタのオン・オフを制御するトランジスタと、上記
出力側の前記直列回路と並列関係に挿入されたコンデン
サとからなる電源回路において、 上記ツエナー・ダイオードと出力側との間に直列にコレ
クタ接地型回路を構成する不飽和特性を有する断続制御
トランジスタを挿入すると共に上記スイッチング・トラ
ンジスタのオン・オフを制御するトランジスタと出力側
との間に制御用抵抗を挿入し、上記制御用抵抗の導通を
制御し、 上記制御用抵抗による所定の分圧出力を上記断続制御ト
ランジスタのベースに供給し、 上記スイッチング・トランジスタの導通、遮断機能にヒ
ステリシスをもたせたことを特徴とする断続制御型電源
回路。
1. A switching transistor inserted in series between an input side and an output side, a series circuit of a Zener diode and a resistor inserted on the output side, and a voltage divided and output from the series circuit. In a power supply circuit consisting of a transistor for controlling on / off of the switching transistor by means of and a capacitor inserted in parallel relationship with the series circuit on the output side, in series between the Zener diode and the output side. An intermittent control transistor having an unsaturated characteristic that constitutes a collector-grounded circuit is inserted, and a control resistor is inserted between the transistor for controlling ON / OFF of the switching transistor and the output side. It controls conduction and supplies a predetermined voltage division output by the control resistor to the base of the intermittent control transistor. Off control power supply circuit, characterized in that remembering hysteresis conduction, the blocking function of the switching transistor.
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