JPS5956338A - Method of cutting fuse - Google Patents

Method of cutting fuse

Info

Publication number
JPS5956338A
JPS5956338A JP16644082A JP16644082A JPS5956338A JP S5956338 A JPS5956338 A JP S5956338A JP 16644082 A JP16644082 A JP 16644082A JP 16644082 A JP16644082 A JP 16644082A JP S5956338 A JPS5956338 A JP S5956338A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fuse
pattern
molybdenum
tungsten
polycrystalline silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16644082A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
正樹 吉丸
溝上 裕夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP16644082A priority Critical patent/JPS5956338A/en
Publication of JPS5956338A publication Critical patent/JPS5956338A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はヒユーズの切断方法に関するものである。[Detailed description of the invention] This invention relates to a method for cutting a fuse.

従来の多結晶シリコンを使用した溶断形ヒユーズ素子を
第1図(第1図(a)は平面図、第1図(b)は側断面
図)に示す。この図において、1は絶縁基板で6D、そ
の上に、導電性を有する厚さxooo入から数1000
 Xの多結晶シリコンからなるヒユーズ素子(ヒユーズ
パターン)2が形成されている。
A conventional fuse element using polycrystalline silicon is shown in FIG. 1 (FIG. 1(a) is a plan view and FIG. 1(b) is a side sectional view). In this figure, 1 is an insulating substrate of 6D, and on top of that is a conductive thickness of several thousand
A fuse element (fuse pattern) 2 made of polycrystalline silicon of X is formed.

コノヒユーズ素子2は、パターンの幅が一部において狭
くなっている。
In the connoisseur element 2, the width of the pattern is narrow in some parts.

このようなヒユーズ素子2を切断する場合は、そのヒユ
ーズ素子2に電流を流し、パターンの幅が狭くなってい
る部分でジュール熱で多結晶シリコンを溶融させ切断さ
せる。または、前記パターンの狭くなっている部分にレ
ーザ光線をあて、多結晶シリコンを溶融蒸発させ切断さ
せる。
When cutting such a fuse element 2, a current is applied to the fuse element 2, and the polycrystalline silicon is melted by Joule heat at the narrow part of the pattern and cut. Alternatively, a laser beam is applied to the narrow portion of the pattern to melt and evaporate the polycrystalline silicon and cut it.

しかるに、このような切断方法では次のような欠点があ
った。
However, this cutting method has the following drawbacks.

■ 多結晶シリコンが溶融する/1どの電流またはレー
ザ出力が必要である。電流の場合、パターン幅によって
異なるが10mA以上の電流が必要となる。
■ Polycrystalline silicon melts/1 What current or laser power is required? In the case of current, a current of 10 mA or more is required, although it varies depending on the pattern width.

■ 部分的に十数百度まで加熱されるため、付近の絶縁
基板1が変色・変質する場合がある。
(2) Because it is partially heated to over 100 degrees Celsius, the nearby insulating substrate 1 may change color or deteriorate in quality.

■ 溶融物が飛び散る。■ Melted material scatters.

■ 製造プロセスのバラツキによシ、多結晶シリコンの
膜厚・抵抗値・パターン幅が変化した場合、溶断に必要
な電流や電圧さらにはし−ザエネルギが変わシ、溶断が
不確実となる。
■ If the film thickness, resistance value, or pattern width of polycrystalline silicon changes due to variations in the manufacturing process, the current, voltage, and energy required for fusing will change, making fusing uncertain.

この発明は上記の点に鑑みなされたもので、従来の欠点
をすべて解決できるヒユーズの切断方法を提供すること
を目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a method for cutting a fuse that can overcome all of the conventional drawbacks.

以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第2図はこの発明の第1の実施例を説明するための図で
ある。第2図(a)において、11は絶縁基板であシ、
その上に、モリブデンまたはタングステン薄Mを使用し
てヒユーズパターン(ヒユーズ素子)12を形成する。
FIG. 2 is a diagram for explaining the first embodiment of the invention. In FIG. 2(a), 11 is an insulating substrate;
Thereon, a fuse pattern (fuse element) 12 is formed using molybdenum or tungsten thin M.

ヒユーズ切断時には、前記ヒユーズパターン12に酸素
中または大気中で第2図市2に示すようにレーザビーム
13を尚てる。
When cutting the fuse, a laser beam 13 is applied to the fuse pattern 12 in oxygen or air as shown in Fig. 2.

この時、レーザの出力は、モリブデンまだはタングステ
ン(ヒユーズパターン12)が溶融11:い程度のもの
とする。このようにしてヒユーズパターン12にレーザ
ビーム13を尚てると、レーザビーム13が当った部分
のモリブデンまたはタングステン(ヒユーズパターン1
2)は600〜800℃に加熱され表面が酸化される。
At this time, the laser output is set to about 11:1 to melt the molybdenum and tungsten (fuse pattern 12). When the laser beam 13 is applied to the fuse pattern 12 in this way, molybdenum or tungsten (fuse pattern 1
2) is heated to 600 to 800°C to oxidize the surface.

モリブデンまたはタングステンの酸化物は昇華物である
ため、すぐに無くなる。したがって、その下のモリブデ
ンまたはタングステン表面が再び現われ、再び酸化され
昇華する。以後、モリブデンまたはタングステン表面が
現われては酸化されて昇華することをくシ返す。そして
、約3m秒でレーザビーム13が浩った部分のモリブデ
ンまたはタングステン(ヒユーズパターン12)が無く
なシ、ヒユーズパターン12が第2図(c)に示すよう
に切断される。
Since molybdenum or tungsten oxides are sublimated substances, they disappear quickly. Therefore, the underlying molybdenum or tungsten surface reappears and is oxidized and sublimated again. Thereafter, the surface of molybdenum or tungsten is prevented from appearing, oxidizing, and sublimating. Then, in about 3 milliseconds, the portion of molybdenum or tungsten (fuse pattern 12) covered by the laser beam 13 disappears, and the fuse pattern 12 is cut as shown in FIG. 2(c).

第3図はこの発明の第2の実施例を説明するだめの図で
あり、(a)は平面図、(b)は側断面図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a second embodiment of the present invention, in which (a) is a plan view and (b) is a side sectional view.

この第3図において、21は絶縁基板であり、その上に
、幅数μmの不純物を含む多結晶シリコンパターン22
を形成する。この多結晶シリコンパターン22を、シリ
コン酸化膜などの薄い絶縁膜23で覆う。さらに、この
多結晶シリコンパターン22に直交するようにモリブデ
ンまたはタングステン(7) ヒユー 、x” パター
ン24を、絶縁基板21および絶縁膜23上に形成する
。ヒユーズ切断時には、酸素中または大気中で多結晶シ
リコンパターン22に電流を流し多結晶シリコンパター
ン22を発熱させ、多結晶シリコンパターン22上に絶
縁膜23を介して存在するヒユーズパターン24(モリ
ブデンまたはタングステン)を加熱する。この場合、6
00〜800℃にヒユーズパターン24を加熱する。
In this FIG. 3, 21 is an insulating substrate, on which is a polycrystalline silicon pattern 22 containing impurities with a width of several μm.
form. This polycrystalline silicon pattern 22 is covered with a thin insulating film 23 such as a silicon oxide film. Further, a molybdenum or tungsten (7) fuse, x'' pattern 24 is formed on the insulating substrate 21 and the insulating film 23 so as to be orthogonal to the polycrystalline silicon pattern 22. A current is applied to the crystalline silicon pattern 22 to cause the polycrystalline silicon pattern 22 to generate heat, thereby heating the fuse pattern 24 (molybdenum or tungsten) present on the polycrystalline silicon pattern 22 via the insulating film 23. In this case, 6
Heat the fuse pattern 24 to 00-800°C.

したがって、ヒユーズパターン24の内、多結晶シリコ
ンパターン22上の部分は、表面が酸化される。そして
、酸化物がすぐ昇華し、以後モリブデン捷たはタングス
テン表面が現われては酸化されて昇華することをくり返
す。そして、ついには、ヒユーズパターン24の内、多
結晶シリコンパターン22上の部分が無<カフ、ヒユー
ズパターン24が切断される。
Therefore, the surface of the portion of the fuse pattern 24 on the polycrystalline silicon pattern 22 is oxidized. Then, the oxide sublimes immediately, and thereafter molybdenum or tungsten appears on the surface, is oxidized, and sublimes repeatedly. Finally, the portion of the fuse pattern 24 above the polycrystalline silicon pattern 22 becomes empty and the fuse pattern 24 is cut.

以上の第1および第2の実施例から明らかなように、こ
の発明では、モリブデンまたはタングステンによシヒュ
ーズパターンを形成し、このヒユーズパターンを、モリ
ブデンまたはタングステンの溶融温度以下の温度で加熱
酸化させ、それによるモリブデンまたはタングステンの
酸化物の昇華性によシ前記ヒユーズパターンを切断する
。した〃・ノー(、この発明によれば次のような効果が
ある。
As is clear from the above first and second embodiments, in the present invention, a shifuse pattern is formed from molybdenum or tungsten, and this fuse pattern is heated and oxidized at a temperature below the melting temperature of molybdenum or tungsten. , thereby cutting the fuse pattern due to the sublimation of molybdenum or tungsten oxides. Yes / No (, according to this invention, the following effects are achieved.

■ ヒユーズパターンの切断が比較的低温(600〜8
00℃)で行われるため、付近の絶縁基板などに対する
影響がない。
■ Cutting the fuse pattern at a relatively low temperature (600~800℃)
Since the process is carried out at a temperature of 00° C.), there is no effect on nearby insulating substrates, etc.

■ ヒユーズパターン(モリブデンまたはタングステン
)が溶融しないため、溶融物が飛び散ることがない。
■ The fuse pattern (molybdenum or tungsten) does not melt, so molten material does not scatter.

■ 製造プロセスのバラツキが発生しても、比較的低温
でヒユーズパターンが切断されるためその影響は小さく
、確実なヒユーズパターンの切断ができる。
■ Even if variations occur in the manufacturing process, the fuse pattern is cut at a relatively low temperature, so the effect is small and the fuse pattern can be cut reliably.

■ ヒューズパターンヲ600〜800℃ニ加熱スる程
度の電流またはレーザ出力を必要とするだけですむ。
■ Only enough current or laser output is required to heat the fuse pattern to 600-800°C.

なお、この発明の方法は、LSIの冗長回路の切)換え
素子あるいは記憶書き込み用素子として用いられるヒユ
ーズ素子の切断方法として実際に利用することができる
The method of the present invention can actually be used as a method for cutting fuse elements used as switching elements in redundant circuits of LSIs or memory writing elements.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の多結晶シリコンを利用した溶断形ヒユー
ズ素子を示す平面図および側断面図、第2図はこの発明
のヒユーズの切断方法の第1の実施例を説明するだめの
平面図、第3図はこの発明の第2の実施例を説明するだ
めの平面図および側断面図である。 11.21・・・絶R基板、12 、24・・・ヒュー
ズパp−y、13・・・レーザビーム、22・・・多結
晶シリコンパターン、23・・・絶縁膜。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第1図
FIG. 1 is a plan view and side sectional view showing a conventional fuse-cutting type fuse element using polycrystalline silicon, FIG. 2 is a plan view illustrating a first embodiment of the fuse cutting method of the present invention, FIG. 3 is a plan view and a sectional side view of a device for explaining a second embodiment of the present invention. 11.21... Absolute R substrate, 12, 24... Fuse pad py, 13... Laser beam, 22... Polycrystalline silicon pattern, 23... Insulating film. Patent applicant Oki Electric Industry Co., Ltd. Figure 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] モリブデンまたはタングステンによシヒューズパターン
を形成し、このヒユーズパターンを、モリブデンまたは
タングステンの溶融温度以下の温度で加熱酸化させ、そ
れによるモリブデンまたはタングステンの酸化物の昇華
性によシ前記ヒユーズパターンを切断することを特徴と
するヒユーズの切断方法。
A fuse pattern is formed from molybdenum or tungsten, and this fuse pattern is heated to oxidize at a temperature below the melting temperature of molybdenum or tungsten, and the resulting fuse pattern is cut by sublimation of the molybdenum or tungsten oxide. A fuse cutting method characterized by:
JP16644082A 1982-09-27 1982-09-27 Method of cutting fuse Pending JPS5956338A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16644082A JPS5956338A (en) 1982-09-27 1982-09-27 Method of cutting fuse

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16644082A JPS5956338A (en) 1982-09-27 1982-09-27 Method of cutting fuse

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5956338A true JPS5956338A (en) 1984-03-31

Family

ID=15831439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16644082A Pending JPS5956338A (en) 1982-09-27 1982-09-27 Method of cutting fuse

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5956338A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH025750A (en) * 1987-12-03 1990-01-10 Robert Bosch Gmbh Exhaust gas returning device for internal combustion engine

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH025750A (en) * 1987-12-03 1990-01-10 Robert Bosch Gmbh Exhaust gas returning device for internal combustion engine

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101228588B (en) Method for controlling the 'first-to-melt' region in a PCM cell and devices obtained thereof
EP0083211A2 (en) Semiconductor device with fuse
JPS63160268A (en) Programmable mos memeory employing metal fusible link and manufacture of the same
JPH0563891B2 (en)
US5233327A (en) Active resistor trimming by differential annealing
JPH06105764B2 (en) Built-in fuse semiconductor device
JP2008252120A (en) Method for trimming semiconductor device with polysilicon fuse
JPS5956338A (en) Method of cutting fuse
JPS63246844A (en) Semiconductor fuse
JPH1196886A (en) Chip-type fuse and its manufacture
JP2608031B2 (en) Chip type fuse resistor
JP2982497B2 (en) Semiconductor device
JPS58158099A (en) Programmable read-only memory
JPS61147548A (en) Semiconductor integrated circuit device
Iwai et al. Laser-assisted poly-Si resistor fuse utilizing silicon lateral flow
JPH08102244A (en) Chip fuse
JPH0456028A (en) Temperature fuse and its forming method
JP2009146799A (en) Thermal fuse with resistance
JP2008004571A (en) Polysilicon fuse, and manufacturing method thereof
JPS6392040A (en) Semiconductor memory device having redundant bit
JPH0616536B2 (en) Semiconductor device having fuse ROM and method of conducting fuse ROM
JPS5877097A (en) Programmable read-only memory element
JPS6037632A (en) Thick film fuse and method of producing same
JPS5987736A (en) Indirectly-heated fuse
JP2005051020A (en) Fuse, trimming circuit therewith and semiconductor device therewith