JPS5950590A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

Info

Publication number
JPS5950590A
JPS5950590A JP16083582A JP16083582A JPS5950590A JP S5950590 A JPS5950590 A JP S5950590A JP 16083582 A JP16083582 A JP 16083582A JP 16083582 A JP16083582 A JP 16083582A JP S5950590 A JPS5950590 A JP S5950590A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
light
semiconductor laser
output
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16083582A
Other languages
English (en)
Inventor
Kaoru Seto
瀬戸 薫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP16083582A priority Critical patent/JPS5950590A/ja
Publication of JPS5950590A publication Critical patent/JPS5950590A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/0007Applications not otherwise provided for

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 1)技術分野 本発明は半導体レーザ装置に関し、粕°に半導体レーザ
素子からの出力光が出射される光学的窓を備えたレーザ
装置において、半導体レーザが駆動されている状態を検
知して外部に報知するようにしたものである。
11)従来技術 最近では固体レーザやガス・レーザに比して小型軽景で
、かつ低電圧、低消費電力である等の理由から、半導体
レーザが小パワーの分野で多用されるようになり、特に
現在の光情報処理分野では、レーザビームプリンタやビ
デオディスク装置等でガス・レーザに取って代わり使用
されるようになった。
しかして、このような半導体レーザには、可視領域の発
振波長で発光を行うものや赤外域等不可視領域の発振波
長で発光を行うものがあり、機器の調整時や保守時その
他の操作時における取扱いを容易にするための可視光化
と高出力化とが強く要望されるところである。
そこで、レーザビームプリンタ等の半導体レーザを用い
た装置では、従来は、レーザ光が出力されているか否か
を検知するために、半導体レーザを励起する駆動信号を
オンロスコープを用いて観測するという間接的な報知手
段がとられていた。
しかしながら、このような従来の半導体レーザ出力光検
知装置では、犬がかりな装置となってしまい、しかも簡
便でなく手間がかかる。また、可視領域の発振波長で発
光を行う半導体レーザであってもその光学的窓から出射
される光を装置によらず目視でとらえることは容易では
ない。
111)   目   的 本発明の目的は、上述の点に鑑みて、半導体レーザが駆
動されている間は、その状態を目視または聴覚によって
直接把握することのできる半導体レーザ装置を提供する
ことにある。
かかる目的を達成するために、本発明では、半導体レー
ザ素子からのレーザ光発生に応動する発光部材または音
発生部材を設け、半導体レーザからレーザ光が出力され
ると発光部材または音発生部材がその旨を示す如くに発
光するかまたは音を発してレーザ光発生を報知するよう
にする。
+V)  実施例 以下に、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の第1の実施例であり、本例は、半導体
レーザの発光するチップ部が例えばレーザ発振器のよう
に箱体内に設置されていて、チップ部を外部から直接に
は見ることのできないようなレーザビームプリンタに適
用した場合を示す。
まず、レーザビームプリンタの構成とその動作の概要に
ついて説明する。
ここで、1はその内部に図示しtcい半導体レーザのチ
ップ部が設けられているレーザ発振器であり、レーザ発
振器1の光学窓1Aから出射されたレーザビームはレン
ズ2および6で平行光束に集束される。
更に、5は1枚ないし複数枚の鏡面を有する回転鏡本例
では多面体回転鏡であり、6は例えばヒステリシスシン
クロナスモータやDCサーボモータ等のように定速回転
をなすモータで、回転鏡5は図示しない高精度の軸受、
例えば空気軸受で枢支される軸7を介してモータ6に接
続されていて、このモータ6により軸7のまわりに定速
回転させられる。
よって、平行光束に集束されたレーザビームはこの定速
回転している回転鏡5によって反射され水平に掃引され
て、f−θ特性を有する結像レンズ8を通過し、感光ド
ラム9上にスポットとして結像されてゆく。
ちなみに、f−θ特性について説明すると、一般の結像
レンズでは、その光線の入射角なθ、像画面上の結像す
る位置の中心からの距離なr、結像レンズ8の焦点距離
をfとすると、 r=f−薗θ        (1) なる関係式が成り立つ。
そこで、本図のプリンタの様に、回転鏡5を定速回転さ
せて反射させる場合、反射させたレーザビーム10の結
像レンズ8への入射角が、時間と共に一次関数的に変化
するので、感光ドラム9上に像画として結像されるスポ
ットの位置の移動速度は非直線的に変化し一定ではン【
くなる。
すなわち、入射角が大きくなる程移動速度が増加するの
で、定時間隔でレーザビーム10をオンにして感光ドラ
ム9上にスポット列を作画させたとすると、これらの間
隔はその両端が中央に比して広くなる。そこで、このよ
うな現象を避けるために、この結像レンズ8では r==f、θ         (2)なる式がなりた
つように設計されており、このような結像レンズ8をf
−θレンズと称している。
更に、平行光を結像レンズ8を介してスポット状に結像
させる場合、そのスポットの最小径をd mln、とす
ると、 d、n+n= f ’          (3)ただ
し、λ:用いられる光の波長 A°結像レンズの入射開口 で与えられ、 結像レンズ8の焦点距1ift’ fおよび波長λを一
定とした場合、入射開口Aが大きいほどより小さいスポ
ット径d minが得られることが分る。
以上に述べたf−θ特性を経て偏向変調されたレーザビ
ーム10を感光ドラム9上に照射してスポットを結像し
たあとは、電子写真処理プロセスにより顕像化され、普
通紙11に転写され、更に定着化されてハードコピーと
して出力される。
次に、このように構成されたレーザビームプリンタに設
ける本発明半導体レーザ装置の出力光報知部材について
述べる。
第1図に示すレーザビームプリンタにおいて、21.2
2および26は人目につき易い、Lうな異なる3つの個
所にそれぞれ設けた出力光報知手段であり、本例は報知
手段として可視用の発光ダイオード(可視L’FD)を
用いた場合が示されている。
すなわら、LEI)21は一例としてレーザ発振器1の
上部に、L E D″22はレーザ発振器1から出射さ
れるレーザビームの通路近傍で操作者が容易にその発光
なEl 識できるような位置にそれぞれ設けたものであ
り、更にLED26は反射したレーザビーム10によっ
て掃引される誦d当なイ装置に設けた文字表示の可能な
LEDディスプレイである。LEDディスプレイ26に
は操作者や部外者に注意を喚起するために例えは文字を
表示するようになし、本例では”LASER”なる文字
24が表示しである。
しかして、これらのLED21,22およびLEDディ
スプレイ26をいずれも;駆動回路25によリレーザ発
振器1の発振駆動と同調して点滅させる如くなし、レー
ザ発振器1の光学窓1Aからレーザビームが連続的また
は断続的に出射されるモードの間、これに同調して連続
点灯または点滅し、レーザ発振器1からの出力がないモ
ードの間は消灯させるように制御する。
なお、このような駆動回路25については周知のもので
よく、その説明を省略する。なお、本例では半導体レー
ザ出力光報知手段として3つの個所に可視LED21.
22およびI、FDディスプレイ26を配置したが、こ
れらのLEDはそれぞれがレーザビームを検知して発光
するので、その個数と配置位置はこのような3つに限ら
れるものではなく、四に発光手段も可視LEDやLED
ディスプレイに限られるものでないことはいうまでもな
い。
更にまた、報知手段としては、発光手段を用いるのに代
えて、音発生手段を用いるようにしてもよい1、 第2図は本発明の第2の実施例を示し、本例はビデオデ
ィスク装置やディジクルオーディオディスク装置の(M
号ピノクアノブヘソド部等もしくは装置が小型化される
場合で、半導体レーザの発光チップ部が外部から知見で
きるようなJ<H合にjail用するものである1、 ここで、60は本発明半導体レーザ装置であり、半導体
レーザ素子61は例えば銅等で形成されたレーザマウン
ト62に保持されていて、マウント62とペース63と
の間にはペルチェ素子64が設けである。34Aおよび
34Bはペルチェ素子64のマウント32側およびペー
ス36側に設けられたそれぞれ吸熱電極および4・己熱
屯極であり、ペース66は発熱室]〜)364Bからの
熱を放散するヒートシンクの役目7’、 3FねてJ−
、Cす、このペルチェ素子64の有するペルチェ効果に
よってレーザ素子61およびそのマウント62が冷却さ
れると共に、その熱がペース63を介して放熱されるよ
うに構成されている。
更に、65はレーザマクント62に取付けた例えはサー
ミスタ等の温度検出素子であり、この温度検出素子65
からの出力によりペルチェ素子64に印加する電圧を図
示しない制御手段を介してフィードバック制御している
。66はレーザ素子61を外気から遮断しているメタル
ギャップであり、その内面には露結防止手段として、例
えばポリウレタンシートの断熱材67が装着されていて
、キャップ36をベース66に密着させることにより、
その密封空間68に封入したドライ窒素を気密に保持さ
せている。69はレーザ素子61から出力される光を出
射する光学窓であり、レーザ光はこの先学窓39を介し
て矢印Aの方向に出射される。
40はこのように構成した半導体レーザ装置に設けた本
発明にかかるレーザ光検知手段および発光手段の一例を
示し、光学窓69上のレーザ光が出力する中心部69A
を除く周囲の部位にドーナツ状に発光部材40を設ける
。発光部材40は例えばレーザ光の照射により緑色や赤
色の可視螢光色を発光する螢光材料をレーザ光検知手段
とじて塗布することによって構成することができる。
ついで、このように構成した出力光検知装置における検
知動作について説明する。
第6図は、レーザ素子から出力されるレーザ光の放散角
度とその放射強度との間の関係を示したもので、横軸は
出力方向から左右の放散角度(度)、縦軸は放射強度(
mW/Sr )を示す。すなわち、このように光学窓3
9から出射されるレーザ光の放射強度はその中心方向か
ら広がりを持った指向性があるが、レーザ光として実際
に記録や読み取りに寄与しているのは中心部近傍の光の
みである。
しかして、第2図においても、その光学窓39から出射
されるレーザ光は同様な傾向を有するものであり、ここ
でもその中心部39Aがら出力するレーザ光のみが有効
に活用されるので、その周囲部から放射されるレーザ光
はそれほど本来の任務には寄与していない。
本発明はこのような周囲部から放射されるレーザ光を活
用するもので、周囲部に設けた発光部材40に入射する
レーザ光を発光させて可視的な拡散光となし、発光部材
40の有する螢光体拐料によって緑色や赤色に発光させ
、外部からそのレーザ光出力を検知させることができる
なお、ここで発光部材40を介して得られる光は光量と
しても小さく、しかもその光の波長が出射されるレーザ
光とは異なるので、レーザのフロントビームに混在して
問題となるようなことはない。
$4図は本発明の第3の実施例を示す。本例で′fJ2
図と同様の箇所には同一符号を付して説明を進める。こ
こで、50は可視T、 E Dであり、例えば赤色、緑
色または黄色等の可視光を発光する。
更に、36Aは透明ガラスを用いて形成した外気遮断用
のキャップであり、このキャップ36Aに取付けた光学
窓39の周囲部とレーザマウント32上面との間にレー
ザ素子31を囲繞するような形で円筒形状若しくは円錐
台形状の仕切板51を設ける。
しかして、この仕切板51の内壁面にはリアビームのレ
ーザ光が反射しないように吸収、散乱および減衰を行わ
せる処理を施しておき、レーザ素子61から放散するリ
アビームがこの仕切板51に反射してフロントビームに
混入し、外部に出射されるのを防止する。
52は例えばホトルミネッセンスの螢光体であり、この
螢光体52によりLED50から発光される可視光が均
等に拡散されて、ガラスキャップ36Aを通し外部に放
射される如くする。
更にここで、ガラスキャップ36Aにおいて、その光学
窓39を取付けている頭部壁56Bを金属製とするかあ
るいは頭部壁36Bの内側の面に金属等の遮光体を配置
すれば、レーザ光のフロントビームに可視光が混入する
のをより一層1s)7止することができる。
ついで、このように構成した第3の実施例において、そ
の半導体レーザ素子61の出力に対応してLED50を
駆動させる手段についての2例を述べる。第1の手段は
第5図囚に示すように、レーザ素子61とLED50と
を並列にして馬(X動回路56により駆動し、LED5
0をレーザ木子31の出力レーザ光発生時に点灯させる
。なお、第1の実施例で述べた駆動回路25もまた本例
と同様である。
jTH’ 2の手段は、第5図(13)に示すように、
レーザ素子61とLED50とを駆動回路54に直列に
接続し、LED5Qの駆動電流でレーザ素子61を駆動
出力させるようにする。すなわち、等しい電流値でレー
ザ素子61とLED5Q”との双方を駆動させるので、
レーザ光の強弱を駆動電流に関連してLED50の明暗
に転化させることができ、LED50によりレーザ素子
61がらの出力光の強弱をも判断−[ることかできる。
なお、以上の説明ではレーザ光の出力を報知するのに発
光手段を用いたが、発光手段に代えて音発生手段を設け
、音発生手段を半導体レーザの出力に対応して駆動させ
、報知音を発生させたり、L S Iを用いた音成合成
回路を用いてレーザの出力に同調して特定メツセージ、
例えば「レーザ光が出ています」等と発声させるように
することができるのはいうまでもない。
■)効果 以上説明してきたように、本発明によれば、半導体レー
ザの光出力装置に関連して発光手段または音発生手段を
設け、半導体レーザからの出力に同調して発光手段を発
光させるかまたは音発生手段から音を発生させるように
したので、出力光が可視し匈いような半導体レーザを用
いた機器等におけるレーザからの出力の発生状態を目視
または聴覚により容易に認知することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明半導体レーザ装置として発光部材をレー
ザビームプリンタに配置した二側を示す斜視図、第2図
は半導体レーザのチップ部が外部から知見できるような
装置の場合に適用した本発明半導体レーザ装置の第2実
施例を示す断面図、第3図は一般の半導体レーザにおけ
るレーザ光の放散角度と放射強度との関係を示す特性n
4P第4図は第2図の例にならった半導体レーザの場合
に適用した本発明の第3実施例の断面図、第5図(4)
および(B)は第4図の例の場合における半導体レーザ
と発光部材との接続を並列および直列とした例をそれぞ
れ示す回路図である。 1 ・・・・・・・・・ レーザ発振器1A・・・・・
・・・・ 光学窓 2.6・・・ レンズ 5 ・・・・・・・・・ 回転鏡 6 ・・・・・・・・・ モータ 7・・・・・・・・・軸 8 ・・・・・・・・・ レンズ 9 ・・・・・・・・・ 感光ドラム 10 ・・・・・・・・・ レーザビーム11・・・・
・・・・・紙 21、22・・・ 発光ダイオード 23 ・・・・・・・・・ ディスプレイ、24・x7
25  ・・・・・・・・・ 駆動回路60  ・・・
・・・・・・ レーザ出力装置61  ・・・・・・・
・・ レーザ素子62  ・・・・・・・・・ マウン
ト63 ・・・・・・・・・ ベース 64  ・・・・・・・・・ ペルチェ素子34A、 
34B・・・電極 65  ・・・・・・・・・ 温度検出素子36  ・
・・・・・・・・ メタルキャップ36A・・・・・・
・・・ キャップ 36B・・・・・・・・・ 頭部壁 67  ・・・・・・・・・ 断熱材 68 ・・・・・・・・・ 空間 69  ・・・・・・・・・ 光学窓 40  ・・・・・・・・−発光部材 50  ・・・・・・・・・ 可視LED51  ・・
・・・・・・・ 仕切板 52  ・・・・・・・・・ 螢光体 53.54・・・ 駆動回路 特許出願人  キャノン株式会社 第2図 第3図 角 度  (&) 第4図 第5図 (A)             (B)ス1

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)半導体レーザ素子を内蔵し、光学窓よりレーザ光を
    出力する半導体レーザ装置において、前記半導体レーザ
    素子から出力するレーザ光の光路の近傍に配置され、当
    該レーザ光が出力されたことを検知する手段と、該検知
    手段からの出力に応じて当該レーザ光が出力されたこと
    を報知する手段とを設けたことを特徴とする半導体レー
    ザ装置。 2、特許請求の範囲第1項記載の半導体レーザ装置にお
    いて、前記報知手段は発光手段であることを特徴とする
    半導体レーザ装置。 3)特許請求の範囲第1項記載の半導体レーザ装置にお
    いて、前記報知手段は音発生手段であることを特徴とす
    る半導体レーザ装置。 4)特許請求の範囲第2項記載の半導体レーザ装置にお
    いて、前記発光手段を前記光学窓の少なくとも中心部を
    除く周囲部に設けて、前記レーザ光に応動して可視光を
    発光するようにしたことを特徴とする半導体レーザ装置
    。 5)特許請求の範囲第2項記載の半導体レーザ装置にお
    いて、前記発光手段には前記半導体素子への駆動信号を
    供給して、前記非導体レーザ素子より前記レーザ光が発
    生するときに前記発光手段から可視光を発光するように
    なし、その可視光を装置外部に導くようにしたことを特
    徴とする半導体レーザ装置。 6)特許請求の範囲第5項記戦の半導体レーザ装置にお
    いて、前記半導体レーザ素子と前記発光手段とを互いに
    遮光し、前記発光手段からの可視光を装置外部から目視
    可能となしたことを特徴とする半導体レーザ装置。
JP16083582A 1982-09-17 1982-09-17 半導体レ−ザ装置 Pending JPS5950590A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16083582A JPS5950590A (ja) 1982-09-17 1982-09-17 半導体レ−ザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16083582A JPS5950590A (ja) 1982-09-17 1982-09-17 半導体レ−ザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5950590A true JPS5950590A (ja) 1984-03-23

Family

ID=15723436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16083582A Pending JPS5950590A (ja) 1982-09-17 1982-09-17 半導体レ−ザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5950590A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4849980A (en) * 1986-12-29 1989-07-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser beam recording method and apparatus
JP2008235744A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Nichia Corp 半導体レーザ装置
JP2009105125A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Nichia Corp 半導体レーザ装置
JP2009272576A (ja) * 2008-05-12 2009-11-19 Nichia Corp 半導体発光装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4849980A (en) * 1986-12-29 1989-07-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser beam recording method and apparatus
JP2008235744A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Nichia Corp 半導体レーザ装置
JP2009105125A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Nichia Corp 半導体レーザ装置
JP2009272576A (ja) * 2008-05-12 2009-11-19 Nichia Corp 半導体発光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3975637A (en) Device for storage and display of a radiation image
JP4900736B2 (ja) 光源装置及びプロジェクタ
JP5910850B2 (ja) 光源装置、プロジェクタ、及び、光源装置の製造方法
JP5257687B2 (ja) 光源装置及びプロジェクタ
JP5500339B2 (ja) 光源装置及びプロジェクタ
JP6172538B2 (ja) 電子装置、投影装置及び電子装置の製造方法
JP6547861B2 (ja) 光源装置及び投影装置
JP2015007751A (ja) 光学ホイール装置及び投影装置
JP6402906B2 (ja) 光源装置及び投影装置
JP2013051126A (ja) 光源装置、プロジェクタ、及び、光源装置の製造方法
JP2011134668A (ja) 光源装置及びプロジェクタ
US10585341B2 (en) Light source unit and projector
JP2015043109A (ja) 光源装置及びプロジェクタ
CN109521636A (zh) 电子装置、光源装置以及投影装置
CN109557755A (zh) 防尘壳体、光源装置以及投影装置
JP2011133778A (ja) 半導体光源装置及びプロジェクタ
JP5780325B2 (ja) 光源装置及びプロジェクタ
JPS5950590A (ja) 半導体レ−ザ装置
JP6924392B2 (ja) シール構造及び投影装置
JP2018097312A (ja) 電子装置、投影装置及び電子装置の製造方法
JP6112333B2 (ja) 光源装置及びプロジェクタ
JP5618130B2 (ja) 発光ユニット及びプロジェクタ
JP6660551B2 (ja) 光源装置及び投影装置
JP6768205B2 (ja) 光源装置及び投影装置
JP6094631B2 (ja) 光源装置及びプロジェクタ