JPS5948100A - 結晶缶の自動煎糖装置 - Google Patents
結晶缶の自動煎糖装置Info
- Publication number
- JPS5948100A JPS5948100A JP14666782A JP14666782A JPS5948100A JP S5948100 A JPS5948100 A JP S5948100A JP 14666782 A JP14666782 A JP 14666782A JP 14666782 A JP14666782 A JP 14666782A JP S5948100 A JPS5948100 A JP S5948100A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow rate
- sugar solution
- sugar
- crystal
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Saccharide Compounds (AREA)
- Apparatuses For Bulk Treatment Of Fruits And Vegetables And Apparatuses For Preparing Feeds (AREA)
- Meat, Egg Or Seafood Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は真空結晶缶内で糖液を蒸発濃縮して砂糖の結
晶を析出育成する制御を自動的に行う片晶缶の自動煎糖
装置に関する。
晶を析出育成する制御を自動的に行う片晶缶の自動煎糖
装置に関する。
〈従来技術〉
真空結晶缶による煎糖処理は例えば第１図に示すように
、カランドリア型の加熱部２を有する直立結晶缶１内に
、煎糖されるべき糖液３がＭ１２１節弁４全弁して下部
より供給される０加熱用蒸気５は調節弁６を介して結晶
缶１内の加熱部２に与えられる。糖液を加熱蒸発させて
濃縮すると共に糖液の補充を行ない、結晶析出が可能な
起晶没度に達した時に、その糖液に対して稗晶を、投入
器２０から弁２１を介して添加して各品朴に適した結晶
核を発生させる。その後はこの結晶核が相互に結合した
り、希望しない各種の結晶核（偽晶）がａｌだに発生す
ることを避けるため、缶内の様イを監視しながら差水或
は糖液の供給を行い、濃縮と結晶育成を続ける。成る一
程度まで結晶が育成し、崖位体積尚シの白下（糖液を結
晶の混合液）内の結晶の体積が成る値以上になシ、結晶
が互にＯＪ Ｉ戊り接近して来ると、偽晶が比較的発生
し都くなシ、これによシ更に濃縮し、結晶が育成し易く
すると共に糖液の供給を行い、缶内のその容積が一定値
まで増加し結晶の粒度が所要の大きさまで成長すると、
缶内の白下７が排出弁８よシ排出される。排出された白
下は遠心分離機によシ結晶と糖液とに分離され、その糖
液は再び煎糖に利用されることが繰返される。煎糖中に
白下の濃度を適当な値にするため、差水１０を弁１１を
通じて、又は糖液３を弁４を通して缶１内に供給するこ
とができ、缶１内の状態はのぞき窓１３を通じて監視す
ることができる。
、カランドリア型の加熱部２を有する直立結晶缶１内に
、煎糖されるべき糖液３がＭ１２１節弁４全弁して下部
より供給される０加熱用蒸気５は調節弁６を介して結晶
缶１内の加熱部２に与えられる。糖液を加熱蒸発させて
濃縮すると共に糖液の補充を行ない、結晶析出が可能な
起晶没度に達した時に、その糖液に対して稗晶を、投入
器２０から弁２１を介して添加して各品朴に適した結晶
核を発生させる。その後はこの結晶核が相互に結合した
り、希望しない各種の結晶核（偽晶）がａｌだに発生す
ることを避けるため、缶内の様イを監視しながら差水或
は糖液の供給を行い、濃縮と結晶育成を続ける。成る一
程度まで結晶が育成し、崖位体積尚シの白下（糖液を結
晶の混合液）内の結晶の体積が成る値以上になシ、結晶
が互にＯＪ Ｉ戊り接近して来ると、偽晶が比較的発生
し都くなシ、これによシ更に濃縮し、結晶が育成し易く
すると共に糖液の供給を行い、缶内のその容積が一定値
まで増加し結晶の粒度が所要の大きさまで成長すると、
缶内の白下７が排出弁８よシ排出される。排出された白
下は遠心分離機によシ結晶と糖液とに分離され、その糖
液は再び煎糖に利用されることが繰返される。煎糖中に
白下の濃度を適当な値にするため、差水１０を弁１１を
通じて、又は糖液３を弁４を通して缶１内に供給するこ
とができ、缶１内の状態はのぞき窓１３を通じて監視す
ることができる。
缶１内の蒸気はコンデンサ１４に弁１５を介し、空気ポ
ンプ１６によシ引かれ、このコンデンサ１４は弁１７を
通じる水１８によシ冷却される。白下７を排出した後、
缶内に抗告蒸気弁１９を通じて蒸気を供給して洗滌する
。
ンプ１６によシ引かれ、このコンデンサ１４は弁１７を
通じる水１８によシ冷却される。白下７を排出した後、
缶内に抗告蒸気弁１９を通じて蒸気を供給して洗滌する
。
との煎糖工程において部品を発生させると、粒度が揃わ
ず、結晶と糖液との分離が悪くなシ、砂糖に不純物が付
着しやすくなる。濃縮を急に行うと部品が発生し易く、
遅くすれば装置の使用効率が慾くなる。このため糖液き
工程においては結晶缶ｌ内の白下７の流動間又はがたさ
Ｐｖを流動爪針（例えばレオメータ）２２で測定し、第
２図Ａの曲線３１に示すように測定かたさＰＶが曲線３
２で示す設定値ＳＶ＋に達すると、第２図Ｃに示すよう
に一定期間Ｔｏの間だけ弁４を開き、糖液３を結晶缶１
へ供給して缶内の白下７のかたさを下げると共に設定か
たさＳＰを前回よシも高い値、ＳＰ！に設定する。
ず、結晶と糖液との分離が悪くなシ、砂糖に不純物が付
着しやすくなる。濃縮を急に行うと部品が発生し易く、
遅くすれば装置の使用効率が慾くなる。このため糖液き
工程においては結晶缶ｌ内の白下７の流動間又はがたさ
Ｐｖを流動爪針（例えばレオメータ）２２で測定し、第
２図Ａの曲線３１に示すように測定かたさＰＶが曲線３
２で示す設定値ＳＶ＋に達すると、第２図Ｃに示すよう
に一定期間Ｔｏの間だけ弁４を開き、糖液３を結晶缶１
へ供給して缶内の白下７のかたさを下げると共に設定か
たさＳＰを前回よシも高い値、ＳＰ！に設定する。
以下同様に測定かださＰｖが設定値ＳＰに達するごとに
一定量の糖液を供給すると共に設定かたさＳＰを上げる
ことを繰返す。これら設定値ＳＰ＋ 。
一定量の糖液を供給すると共に設定かたさＳＰを上げる
ことを繰返す。これら設定値ＳＰ＋ 。
ＳＰｉ 、 ＳＰｓは予めプログラムされである。結晶
缶１内の白下７のレベルは１４２ ｋｌ Ｂに示すよう
に糖液３の供給によシ階段状に上昇する。例えば１工程
で設定値ＳＰを３回上げる場合に、設定かたさＳＰの変
化幅を５％、白下７のレベルの変化幅を５チとすると、
１工程でかたさは５％ｘ３＝１５％、レベルは５％Ｘ３
＝１５チ変化する。
缶１内の白下７のレベルは１４２ ｋｌ Ｂに示すよう
に糖液３の供給によシ階段状に上昇する。例えば１工程
で設定値ＳＰを３回上げる場合に、設定かたさＳＰの変
化幅を５％、白下７のレベルの変化幅を５チとすると、
１工程でかたさは５％ｘ３＝１５％、レベルは５％Ｘ３
＝１５チ変化する。
この従来の装置においては、糖液３の？１谷度のばらつ
きによシ供給した時の白下流両度の低Ｌ−１つまり第２
図においてＳＰ＋からＰＶ、への低下！ｒ＋ 。
きによシ供給した時の白下流両度の低Ｌ−１つまり第２
図においてＳＰ＋からＰＶ、への低下！ｒ＋ 。
Ｆ３ＰｓからＰＶ２への低下量は必ずしも一定しない。
予定した量よシも大きく流動間が低下した場合に、次の
設定流動間を予定通シの値にすると、例えば糖液の供給
によシ、測定流動間ＰｖがＰＶＩより下の値ＰＶｌとな
った場合に、正常の測定流動間ＰＶ＋に対して予定した
設定流動間ＳＰｘを設定して制御を続けると、白下７の
濃縮を急に行うことになり、部品が発生する。また白下
７中の結晶の粒径が小さい場合に予定したものよシもう
すい糖液を供給すると、結晶が溶解してしまうこともあ
る。従って従来においては供給する糖液が所定の濃度の
ものであるように常に注意する必要があった。
設定流動間を予定通シの値にすると、例えば糖液の供給
によシ、測定流動間ＰｖがＰＶＩより下の値ＰＶｌとな
った場合に、正常の測定流動間ＰＶ＋に対して予定した
設定流動間ＳＰｘを設定して制御を続けると、白下７の
濃縮を急に行うことになり、部品が発生する。また白下
７中の結晶の粒径が小さい場合に予定したものよシもう
すい糖液を供給すると、結晶が溶解してしまうこともあ
る。従って従来においては供給する糖液が所定の濃度の
ものであるように常に注意する必要があった。
〈発明の概要〉
この発明の目的は糖液き工程において供給される糖液の
濃度がばらついても、部品が発生するおそれがなく、か
つ結晶が溶解してしまうおそれもない結晶缶の自動煎糖
装置を提供することにある。
濃度がばらついても、部品が発生するおそれがなく、か
つ結晶が溶解してしまうおそれもない結晶缶の自動煎糖
装置を提供することにある。
この発明によれば糖液供給時に白下の流動間の低下が所
定値以上になると、その糖液の供給を停止して結晶缶内
の結晶が溶解してしまうのを防止し、また次の設定流動
間を予めプログラムされていた値よシ下げて急な濃縮を
うることなく、部品が発生しないようにしている。
定値以上になると、その糖液の供給を停止して結晶缶内
の結晶が溶解してしまうのを防止し、また次の設定流動
間を予めプログラムされていた値よシ下げて急な濃縮を
うることなく、部品が発生しないようにしている。
〈実施例〉
例えば第３図ＡＫ示すように白下７の流動間の測定値Ｐ
ｖが設定流動間ＳＰＩになると一定量の糖液を供給し、
その後設定流動間をＳＰ２にする場合に、これら設定流
８１１Ｉ朋ＳＰＬ 、 ＳＰ２に苅し、その５チをそれ
ぞれ引いた１１＾を下限設定１ｔ／４． ＳＢ＋ 、
ＳＢ２として設ける。６１１１定流動度ＰＶが時点１．
に股定流動度ＳＰＩに遵すると、第３図Ｃに示すように
弁４を開いて糖液３を結晶缶１へ供給するが、その供給
によシ缶内の白下流動間Ｐｖが下限設定値ＳＢ＋に達す
ると、予め決められた弁４の開期間Ｔｏを終了しない場
合でも、下限設定値ＳＢｌになった時点ｔ２に弁４を閉
じて糖液の供給を停止する。このため従来においては測
定流動間Ｐｖが設定流動度ＳＰＫ達すると一定期間Ｔｏ
だけ弁４が開かれ、白下流動間ＰＶが下限設定値ＳＢよ
シ点腺で示すように下シ、白下の中の結晶が溶解しχし
まうおそれがあったが、この発明ではそのようなおそれ
はない０ このように白下流動度Ｐｖが下限設定値に達し、糖液の
供給を途中で停止した場合には次に設定する流動度ＳＰ
を予めプログラムされている値ＳＰ２よシも低い値ＳＰ
’２に設定する。この新たな設定流動度ＳＰ′２は例え
ば次のようにして決定する。即ち測定流動度ＰＶが設定
流動度ＳＰ＋に達し、本来は弁４を期間Ｔｏの間だけ開
くところを流動度Ｐｖが下限設定値に達して期間Ｔ’Ｏ
シか開カナイ場合ハ、だけＳＰ＋よシ大な値、即ち新た
な設定流動度ＳＰ’１をＳＰｌ＋ΔＳ′１に設定する。
ｖが設定流動間ＳＰＩになると一定量の糖液を供給し、
その後設定流動間をＳＰ２にする場合に、これら設定流
８１１Ｉ朋ＳＰＬ 、 ＳＰ２に苅し、その５チをそれ
ぞれ引いた１１＾を下限設定１ｔ／４． ＳＢ＋ 、
ＳＢ２として設ける。６１１１定流動度ＰＶが時点１．
に股定流動度ＳＰＩに遵すると、第３図Ｃに示すように
弁４を開いて糖液３を結晶缶１へ供給するが、その供給
によシ缶内の白下流動間Ｐｖが下限設定値ＳＢ＋に達す
ると、予め決められた弁４の開期間Ｔｏを終了しない場
合でも、下限設定値ＳＢｌになった時点ｔ２に弁４を閉
じて糖液の供給を停止する。このため従来においては測
定流動間Ｐｖが設定流動度ＳＰＫ達すると一定期間Ｔｏ
だけ弁４が開かれ、白下流動間ＰＶが下限設定値ＳＢよ
シ点腺で示すように下シ、白下の中の結晶が溶解しχし
まうおそれがあったが、この発明ではそのようなおそれ
はない０ このように白下流動度Ｐｖが下限設定値に達し、糖液の
供給を途中で停止した場合には次に設定する流動度ＳＰ
を予めプログラムされている値ＳＰ２よシも低い値ＳＰ
’２に設定する。この新たな設定流動度ＳＰ′２は例え
ば次のようにして決定する。即ち測定流動度ＰＶが設定
流動度ＳＰ＋に達し、本来は弁４を期間Ｔｏの間だけ開
くところを流動度Ｐｖが下限設定値に達して期間Ｔ’Ｏ
シか開カナイ場合ハ、だけＳＰ＋よシ大な値、即ち新た
な設定流動度ＳＰ’１をＳＰｌ＋ΔＳ′１に設定する。
或は測定流動度Ｐｖが設定流動度ＳＰＫ達した時の糖液
の供給を、予めプログラムされている白下レベル増加分
だけ行う場合は次のようにする０即ち時点ｔ１で糖液の
供給を開始し、第３図Ｂに示すように白下レベルがΔＬ
１％増加した時点で糖液の供給を停止するところを、糖
液供給中に白下流動度が下限設定値以下になったため、
白下レベルがΔＬ１％増加した時点で糖液の供給を停止
したとする。仁の場合は次の設定曲、動度ＳＰ’２を下
記のように決定する。
の供給を、予めプログラムされている白下レベル増加分
だけ行う場合は次のようにする０即ち時点ｔ１で糖液の
供給を開始し、第３図Ｂに示すように白下レベルがΔＬ
１％増加した時点で糖液の供給を停止するところを、糖
液供給中に白下流動度が下限設定値以下になったため、
白下レベルがΔＬ１％増加した時点で糖液の供給を停止
したとする。仁の場合は次の設定曲、動度ＳＰ’２を下
記のように決定する。
例えばΔＬ＋ ＝＝ ５％、ΔＬ′ｌ＝３チ、ΔＳ＋
”” ５チの堝１ 合ΔＳ′１は ×５チ＝３％となる０５％ このように糖液供給によシ、白下流、＄ｌ＋１＋ １隻
Ｐｖが下限設定値ＳＢより下ると、次の設定流動度ＳＰ
を本来の値よシも低くするため息な鎖線が行われず、部
品が生じない程度のステップで設定流動度が上昇される
だめ部品が発生しない。
”” ５チの堝１ 合ΔＳ′１は ×５チ＝３％となる０５％ このように糖液供給によシ、白下流、＄ｌ＋１＋ １隻
Ｐｖが下限設定値ＳＢより下ると、次の設定流動度ＳＰ
を本来の値よシも低くするため息な鎖線が行われず、部
品が生じない程度のステップで設定流動度が上昇される
だめ部品が発生しない。
例えは第１図において演別による設定流動度ＳＰ１下限
設定値ＳＢを発生する設定器２３が設けられ、これら設
定流動度Ｓ））及び下限設定値ＳＢと流動１１ｊ削２２
の測定流動度Ｐｖとが制御部２４で比較され、その比較
結果に応じて弁４が制御される。寸／ζ前Ｍｌ＋設定流
動度ＳＰの変更は設定器２３で行われる。
設定値ＳＢを発生する設定器２３が設けられ、これら設
定流動度Ｓ））及び下限設定値ＳＢと流動１１ｊ削２２
の測定流動度Ｐｖとが制御部２４で比較され、その比較
結果に応じて弁４が制御される。寸／ζ前Ｍｌ＋設定流
動度ＳＰの変更は設定器２３で行われる。
なお１工程における白下レベル変化伊は一定とする。例
えば第２図について説明したように１７１−程に３回の
糖液供給を行い、１回にレベルを５チずつ上げ、１工程
で１５％レベル上昇させる場合においては、この１工程
中で最初のレベルに対し１５チレベル上昇した時に、そ
の工程を終了とする。
えば第２図について説明したように１７１−程に３回の
糖液供給を行い、１回にレベルを５チずつ上げ、１工程
で１５％レベル上昇させる場合においては、この１工程
中で最初のレベルに対し１５チレベル上昇した時に、そ
の工程を終了とする。
設定流動度ＳＰＩ 、 ＳＰ２．８Ｐｓの設定は例えば
５チずつ上昇させる場合、５％、６％、７％と上昇率を
高くする場合など各種の手法をとることができる。同様
に糖液の供給量も、一定量ずつ行う場合と異る量ずつ行
う場合とがある０股定下限値も設定流動度より−＞２％
以下、或は一定値以下などに設定できる。
５チずつ上昇させる場合、５％、６％、７％と上昇率を
高くする場合など各種の手法をとることができる。同様
に糖液の供給量も、一定量ずつ行う場合と異る量ずつ行
う場合とがある０股定下限値も設定流動度より−＞２％
以下、或は一定値以下などに設定できる。
く効果〉
以上述べたようにこの発明によれば、白下流動度が設定
下限値以下になると糖液供給を停止するため白下中の結
晶が溶解してしまうおそれがなく、また次の設定流動度
を、予定していたイ（＾よシも低く設定するととにより
部品の発生を防止でき、更に供給穂数の濃度が所定範囲
内にあるか否かを気にせずに使用できる０
下限値以下になると糖液供給を停止するため白下中の結
晶が溶解してしまうおそれがなく、また次の設定流動度
を、予定していたイ（＾よシも低く設定するととにより
部品の発生を防止でき、更に供給穂数の濃度が所定範囲
内にあるか否かを気にせずに使用できる０
第１図はこの発明による一結晶缶の自動煎糖装置。
の−例を示すプｂツク図、第２図は従来装置における制
御例を示すタイムグーヤード、第３図はこの発明の装置
による制御例を示すタイムチャートである。 １：結晶缶、４：糖液供給弁、７：白Ｆ１２２：流動度
計、２３：設定器、２４ ： ｊｌｉ制御部。 特ｆｆ出願人 株式会社北辰１に機謂り作所代理人
草野 卓
御例を示すタイムグーヤード、第３図はこの発明の装置
による制御例を示すタイムチャートである。 １：結晶缶、４：糖液供給弁、７：白Ｆ１２２：流動度
計、２３：設定器、２４ ： ｊｌｉ制御部。 特ｆｆ出願人 株式会社北辰１に機謂り作所代理人
草野 卓
Claims (1)
- （１）結晶缶内の白下流動度を測定する流動度測定手段
と、その測定流動度が設定流動度になると上記結晶缶内
に糖液を供給する糖液供給手段と、その糖液供給ごとに
上記設定流動度の変更を予め決められたプログラムに従
って行う制御手段とを備えた結晶缶の自動煎糖装置にお
いて、上記各設定流動度と対応した下限設定値を発生す
る手段と、上記糖液供給時に白下流動度が対応する■限
設定値に達するとその糖液供給を停止する手段と、下限
設定値に達したことによシ糖液供給を停止した場合に、
次の設定流動度を、上記プログラムで予め決められた値
よシも低く設定する手段とを具備する結晶缶の自動煎糖
装ｆ１．０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14666782A JPS5948100A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 結晶缶の自動煎糖装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14666782A JPS5948100A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 結晶缶の自動煎糖装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948100A true JPS5948100A (ja) | 1984-03-19 |
| JPS622800B2 JPS622800B2 (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15412890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14666782A Granted JPS5948100A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 結晶缶の自動煎糖装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948100A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS558160A (en) * | 1978-07-04 | 1980-01-21 | Seiko Epson Corp | Oscillation circuit |
-
1982
- 1982-08-23 JP JP14666782A patent/JPS5948100A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS558160A (en) * | 1978-07-04 | 1980-01-21 | Seiko Epson Corp | Oscillation circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS622800B2 (ja) | 1987-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101522276B (zh) | 大晶体产品的连续生产方法 | |
| JPH07505087A (ja) | ドラフト管バッフルクリスタライザーにおける結晶化方法 | |
| Nývlt et al. | The periodic behaviour of continuous crystallizers | |
| US3900292A (en) | Automatic control of crystal size distribution | |
| Lal et al. | Collision breeding of crystal nuclei | |
| US2827366A (en) | Crystallization apparatus | |
| JPS5948100A (ja) | 結晶缶の自動煎糖装置 | |
| US3999564A (en) | Continuous etching and etched material recovery system | |
| JP4117106B2 (ja) | マンガン含有水の処理方法及び装置 | |
| US4009045A (en) | Continuous crystallization process and apparatus | |
| US2883273A (en) | Crystallization | |
| Davies et al. | The precipitation of silver chloride from aqueous solutions. Part I | |
| US8414843B2 (en) | Forced-circulation crystallizer | |
| JPS59107248A (ja) | 溶液の飽和温度を測定する方法および装置 | |
| US3628341A (en) | Process for separating and purifying crystals from a crystal suspension | |
| JP4918971B2 (ja) | 流動床式晶析装置 | |
| JPH01320230A (ja) | 四フッ化ウランの製造方法 | |
| US3010805A (en) | Classifying crystallizers and systems | |
| EP0173029B1 (en) | Method for the programme control of the crystallization in a vacuum vessel | |
| US2856270A (en) | Crystallizer | |
| US2819154A (en) | Apparatus for producing crystalline materials | |
| JPS58175500A (ja) | 結晶缶制御方法 | |
| US3630692A (en) | Method of producing large kc1 crystals | |
| JPS606898A (ja) | 改良型流量制御装置 | |
| US3077746A (en) | Crystallization process and apparatus |