JPS5947363B2 - 磁気記録媒体にアドレスを書込む方法 - Google Patents

磁気記録媒体にアドレスを書込む方法

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JPS5947363B2
JPS5947363B2 JP52030522A JP3052277A JPS5947363B2 JP S5947363 B2 JPS5947363 B2 JP S5947363B2 JP 52030522 A JP52030522 A JP 52030522A JP 3052277 A JP3052277 A JP 3052277A JP S5947363 B2 JPS5947363 B2 JP S5947363B2
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track
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JP52030522A
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クロ−ド・ルネ・カルド−
ジヤツク・ピエ−ル・ドロウ
アンドレ・ジヤン・マリ・オワゼル
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ANTERUNASHONARU PUURU RANFUORUMATEIKU SEE I I HANIIUERUBURU CO
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ANTERUNASHONARU PUURU RANFUORUMATEIKU SEE I I HANIIUERUBURU CO
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B27/00Editing; Indexing; Addressing; Timing or synchronising; Monitoring; Measuring tape travel
    • G11B27/10Indexing; Addressing; Timing or synchronising; Measuring tape travel
    • G11B27/102Programmed access in sequence to addressed parts of tracks of operating record carriers
    • G11B27/105Programmed access in sequence to addressed parts of tracks of operating record carriers of operating discs
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B2220/00Record carriers by type
    • G11B2220/20Disc-shaped record carriers

Description

【発明の詳細な説明】 ノ発明の分野 この発明は磁気記録媒体にアドレスを書込む方法に関す
る。
特にこの発明は磁気ディスクメモリに応用できる。発明
の前提及び先行技術 今日では、使用されているデータ処理装置はほとんど磁
気ディスクメモリで造られている。
それは、それらの蓄積容量と、磁気読取り/書込みへツ
ドが前記データ処理装置からこの情報を呼出すための指
令を受けた瞬間からデイスク上の任意の所にある情報を
呼出すのに比較的短時間であるためである。磁気デイス
クが、lミリメートルの数百分の1を越えない幅を有し
、デイスクの両面に形成されている同心円状の記録トラ
ツクにコード化された情報を有しているものであること
は、よく知られている。
記録トラツクは、それらに0ないしN−1の連続番号j
(jは整数)を配分することにより識別される。こ・に
、Nは記録トラツクの総数である。前記トラツクの連続
番号jのコード表示されたものはアドレスと呼ばれる。
よく使用されるコードとしては2進コードがある。メモ
リが多数のデイスクを有する (非常に大きい蓄積容量
に対して)ときには、ある1個のデイスクの一方の面は
、デイスクの他の全ての面にあるトラツクのアドレスを
その上に記録するために確保される。
前記トラツクには、前記データ処理装置によつて処理す
るようにされたデータのみが含まれている。他方、1個
あるいは2個のデイスクのみが含まれる、より小さい蓄
積容量のメモリにおいては、デイスクの一方の面上のト
ラツクのアドレスは次のように記録される。
即ち、その同一面にデータ.を記録するための最大限の
空間が確保されるように、また、該アドレスの記録のた
め、および、トラツクに対する磁気へツドの位置をサー
ボ制御するために必要とされる情報の記録のためには最
小限の空間が確保されるように、前記アドレスは記録さ
れる。現在のやり方では、位置のサーボ制御のための情
報は、少なくともトラツクの数に等しい数の複数個の基
準ゾーン内で記録され、また、デイスクの全面にわたつ
て一様に分布されるものである。
各基準ゾーンは多数のセルに分割され、その各各はデイ
スク上のへツドの位置をサーボ制御するのに必要な情報
を含む。このことは、1975年2月18田こ国立芸術
専門学校(COnservatOireNatiO−N
alDesArtsetMetiers)で発表された
’’へツドによつて読取られた特定の情報を使用した、
磁気デイスク上のトラツクへの読取りへツドの位置のサ
ーボ制御’’と題するエム・カードツト (M.Car
dOt)の論文で説明されている。磁気デイスクに情報
の一連の項目を記録するために、デイスクの各トラツク
上に、基礎磁気区域(Elementarymagne
ticareas)と称され、トラツクの全長に渡つて
分布される連続した小さな磁区が造られ、その中に誘起
した磁気は連続的に反対の値で、且つデイスクの表面に
並行方向に配向されることは周知である。
また、それらの磁化方向は反対である。各セルにお・い
て、位置のサーボ制御のための情報は、2個の所定位置
の1個においてあり得る磁化方向の変化によつて形成さ
れる。
これらの磁化方向の変化は、例えば、後述されるセルC
,ないしC9における位置P1と位置P2との間の区域
の場合のように、各セルの第1の基礎磁気区域の磁化方
向が常に同じであるような態様で、あるセルから次に続
くセルへとくり返されるものである。
そのために、各セル内において、調整変化(Adjus
tingchange)と呼ばれる磁化方向の第2の変
化が必要とされることになる。先行技術の問題点 現在のやり方では、これらの調整変化は、常に各セル内
に同一の位置を占有し、従つて、情報として使用できず
、これは磁気デイスク上に全くむだなある場所が取られ
るという欠点を有している。
発明の概要この発明はこのような欠点を克服する。
この発明は、簡単で、経済的で且つ信頼性があり、しか
もアドレスの各ビツトの値に従つてそれらの位置を変動
することにより、前記調整変化を使つてアドレスをコー
ド化する。’゛リビツト’’なる語は、2進数1または
0の双方を表わすものであり、また磁気記録または電気
信号のいずれかの形式でこの2進数を表わすものである
ことが想起されるべきである。
この発明によれば、下記のとおりの磁気記録媒体にアド
レスを書込むための方法が提供される。
磁気記録媒体上にアドレスを書込むための方法であつて
、情報の項目は磁気へツドによつて2進コードで書込は
れ、該情報の項目の一方は複数個のデータ・トラツクに
よつで保持され、また、その他方は複数個の基準ゾーン
によつて保持され、前記基準ゾーンには該磁気へツドの
位置をサーボ制御するためのサーボ情報(パリテイ・ビ
ツトとしても用いられる)およびデータ・トラツク・ア
ドレスが含まれており、各データ・トラツクは関連のデ
ータ・トラツクからシフトされている少なくとも1個の
基準ゾーンと関連づけられて、個別的なゾーンの間の境
界は該データ・トラツク上の軸であるようにされ、各ゾ
ーンには複数個の基本セルが含まれ、各基本セルには2
個の互いに反対の磁化方向の変化(磁気的変移と呼ばれ
る)であつて、夫々に、第1の変化および第2の変化と
呼ばれるものが含まれ、該第1の変化はサーボ情報を定
義づけ、該セルの全てについての該第1の変化の全ては
同一方向にされており、各ゾーンにおける各セルの該第
1の変化は関連したデータ・トラツクのパリテイ・ビツ
トに相当するものであつて、これは、データ・トラツク
が偶数番であるときには第1の所定と位置を占め、また
、データ・ソラツクが奇数番であるときには第2の所定
の位置を占めるものであり、各ゾーンにおける各セルの
該第2の変化は関連したデータ・トラツクのアドレスの
アドレス・ビツトを定義づけるものであつて、これは各
セルにおける2個だけの所定の位置の1個を占めるもの
であり、各アドレス・ビツトの値は各セルにおける前記
第2の変化によつて占められる位置によつて表わされる
ことを特徴とする、磁気記録媒体上にアドレスを書込む
ための方法。発明の実施例 この発明の好ましい実施例で、アドレスを書込むのに使
用されるコードはグレイコードとしで周知の重み付けさ
れた2進コードである。
次に、この発明の一実施例を示す添付図面を参照してこ
の発明をさらに詳述する。
この発明に従つて、アドレスが磁気記録媒体に如何にし
て書込みされるかをより良く理解するために、一方で情
報が磁気デイスクの表面に如何にして書込みされるかと
いうこと、そして他方で磁気デイスク上に情報を分配す
る好ましい方法を示す第1図a、第1図bおよび第2図
a−dにより幾つかの事実を検討することは有益である
第1図aおよび第1図bは磁気デイスクメモリの磁気デ
イスクDの一部を示す。第1図aおよび第1図bを簡単
にするために、トラツクjは長方形として示される。磁
気デイスクDは、磁性材料CMの薄膜が付着される非磁
性金属ベースSMから成る。磁性材料を磁化するために
、まず磁性材料は磁気読取り/書込みへツドTにより発
生される磁界にさらされ、その密度は磁性材料を飽和す
るために十分な大きさであり、換言すれば磁性材料に誘
起される磁気に対して十分な大きさで、磁界の強さHが
ある値Hsに達するとすぐに制限値Bsに達するという
ことが想起されるだろう。それから磁界はしや断される
。磁性材料には、その後、残留磁束密度と称する零以外
の誘導磁気が残り、そのレベルBrは使用される磁性材
料に依存する。磁気デイスクDの連続番号の各トラツク
jに情報を書込むために、複数個の基礎磁気区域Alj
,A2j,A3j,A4j,A5j、等が磁気読取り/
書込みヘツドTにより生成される。基礎磁気区域Alj
ないしA5j内の誘導磁気の方向を決める磁化軸Flj
ないしF5jは非磁性金属ベースSMに並行であり、連
続して互いに反対向きである。
従つて、磁化軸Fljの方向は磁化軸F2jの方向と反
対であり、磁化軸F2jは磁化軸F3jの方向と反対で
あり、以下同様である。基礎磁気区域内の誘導磁気のレ
ベルは+Brまたは−Brに等しい。従つて、基礎磁気
区域Aljの誘導磁気のレベルが+Brであるならば、
基礎磁気区域A2jの誘導磁気のレベルは−Brであり
、以下同様である。基礎磁気区域の長さは変動するかも
しれない。第2図aは失印Fの方向に回転する磁気デイ
スクDを示し、その有効な記録区域は円d1およびD2
によつて境界がつけられる。この磁気デイスク上に、円
の一部を形成するn個の等しいセクタ(SectOr)
SO・・・・・・S1・・・・・・Snが決定される。
第2図bでさらに明らかなように、各セクタS1は2つ
の部分SDOlおよびSADlに分割され、これらには
、メモリを有するデータ処理装置によつて処理するため
のデータおよびトラツクの軸Axjに対する磁気へツド
Tのサーボ位置制御に必要な情報(前述のエム・カード
ツトの論文参照)がそれぞれ記録される。部分SAD,
の部分SDO、の区域より非常に小さい。第2図cおよ
び第2図dは、セクタS,の部分SAD,が如何に作ら
れるかを詳細に示す。
図面は円c内に含まれるセクタS,の部分SADiを拡
大して示す。セクタS、の各部分SADlはN個のゾー
ンZRPiO・・・・・・ZRPij・・・・・・ZR
PiNに分割され、Nは磁気デイスクD上の磁気トラツ
クの数である。第2図cおよび第2図dにおいて、簡略
化するため、最初の5つのゾーンZRPiOないしZR
Pi4が示される。種々のゾーンZRPij間の境界は
磁気トラツクの円形状の軸Axjである。
連続番号jおよび軸Axjの各磁気トラツクは、それと
関連するゾーンZRPijを有する。従つて、トラツク
0はそれと関連するゾーンZRPi。を有し、トラツク
1はそれと関連するゾーンZRPilを有し、以下同様
である。ゾーンZRPijは位置決め基準ゾーンと呼ば
れる。第2図dを簡単にするため、各ゾーンZRPij
は長方形として示される。またこの発明によれば、各ゾ
ーンZRPijはそれと関連するトラツクのアドレスを
含む。第2図dで理解できるように、ゾーンZRPiO
はトラツク0のアドレスを含みゾーンZRPi)はトラ
ツク1のアドレスを含み、以下同様である。各トラツク
のアドレスは2進コードで表わされ、ビツト数Kは磁気
デイスクDの記録トラツクの数Nの関数である。
従つて記録トラツクの数Nが例えば400ならば、2進
コードは9ビツト (400以上−である29=512
を与える)となるだろう。2゛は常にNより大きい。
幾つかの2進コードひ関する説明がなされており、例え
ば、1961年にデユナド(DunOd)社により発行
されたエツチ・ソービイーカムイ (H.SOu−.B
ies−Camy)の著書(LesTechnique
setlatraitementded’InfOrm
atiOn)第253ページないし第256ページで説
明が行われている。
第3図はこの発明の好ましい実施例において、位置決め
基準ゾーンが如何に構成されているかを・示す。
第2図dにおけるように、位置決め基準ゾーンZRPi
jは長方形の形状で示される。位置決め基準ゾーンZR
Pijは、トラツクのアドレスを書くのに要するビツト
数に等しい数の複数個の個別セルで構成され、この実施
例では9個の素子C,ない.しC9が記述されている。
各々のビツトには1個のセルが対応しており、セルCl
は最上位ビツトと関連し、セルC,は最下位ビツトと関
連する。各セルは左から右へす・む番号順に示され、こ
れらは、各セルが磁気へツドTにより書込まれ(そして
読出され)る (時間的な)順番に対応する。これらの
セルC1ないしC9は、全て同じ長さである。セルの各
々は4つの美しい部分CPI,CP2,CP3,CP4
に分割され、これらの境界は位置Pl,P2,P3,P
4にあるように決定され、位置P1は部分CPIおよび
CP2間の境界にあり、以下同様である。各セルの磁性
材料層における磁化方向の変化は2個所で生起される。
例えば、第3図におけるセルC1についてみると、位置
P1において変化が生じ、続けて位置P3で変化が生じ
ていることが認められる。このような磁化変化の生起す
る個所は、この第3図においては、2重線で示されてい
る。各変化の各々は2つの位置を占有し得る。すなわち
第1の変化は磁政へツドTの位置のサーボ制御に要する
情報の項目である。それは位置P,またはP2のいずれ
かを占有し得る。また、それはアドレスのパリテイを示
す。第3図においては、全てのセルC1ないしC9の位
置P1に2重線が配されるように例示されている。
そして、この第3図を左から右へみて、磁化方向の−B
rから+Brへの変化を第1の変化、+Brから−Br
への変化を第2の変化とすると、この第3図においては
、全てのセルC1ないしC9の位置P1には第1の変化
が生じていることになり、このときには、ゾーンZRP
ijと関連するトラツクjは偶数番のものであるとされ
る。なお、全てのセルC1ないしC9の位置P2に第1
の変化が生じているときには、関連するトラツクjは奇
数番のものであることになる。第2の変化は、位置3ま
たは位置4のいずれさを占有する。
この第2の変化は、位置P。の場合に0,位置P4の場
合に1というように、アドレスのビツト値を示す。第3
図において、誘導磁気のレベル素子C1ないしC,の部
分CPIないしCP4の各各に示される。また、磁性材
料層の磁化方向の第2の変化は調整変化と呼ばれる。つ
まり、それが存在すると、各個別のセルが、1セルから
次のセルへ同一である状態に再記憶できるようにし、そ
の結果セルC1ないしC,の各々の部分CP,の誘導磁
気の値は−Brに等しくなる。第3図で理解できるよう
に、セルC1およびC,の調整変化は位置P3を占有す
るので、これらのァドレスビツトは0であり、これに対
してセルC2の調整変化は位置P4を占有するので、対
応するアドレスビツトは1である。
セクタSiの各基準ゾーンZRPijはゾーンZBiに
よつて先行され、このゾーンZBiの誘導磁気は一定で
ある(説明している実施例の+Brに等しい)。
このように、空白ゾーンと称するこのゾーンZBiはセ
クタSi−1の部分SDOi−1と基準ゾーンZRPi
jの間に配置される。従つて、ゾーンZRPijの最初
のセルC1は位置P。を占有する磁化方向に付加的変化
MARCを含み、この誘導磁気は、第3図からもわかる
ように、値B=+Brから値B=−Brへ変化している
。要するに、ゾーンZRPijは9個のセルからなる一
組を含み、その各々は、層の磁化方向の2つの変化を決
める2個の基礎磁気区域を含んでいる。これらの基礎磁
気区域の長さはアドレスのビツトの関数として変化し得
る。この発明の好ましい実施例では、トラツクのアドレ
スはグレイコードとして知られる反射2進コードで書込
まれる。
このコードは、例えば前述のエツチ・ソービイーカムイ
の著書第253ページおよび第254ページに説明され
ている。2つのアドレスの一例すなわちグレイコードで
書かれたこれらのトラツク124および125は第4図
および第5図に示される。
第4図aおよび第5図aは2進形式で表された数124
および125を示し、これらは第4図bおよび第5図b
に示すようにゾーンZRPil24およびZRPil2
5において磁気デイスクに書込みされる。第4図bに示
されているように、全てのセルC1ないしC9の位置P
1には第1の変化が生じるようにされでいる。
このことから、第4図はトラツクが偶数番のものである
場合が例示されていることとなる。すなわち、この第4
図にはトラツク124の場合が例示されている。なお、
このような全てのセルC1ないしC9の位置P1あるい
は位置P2を占める第1の変化はサーボ情報であると同
時にパリテイ・ピツトを表わしているものである。そし
て種々の調整変化はセルCl,C2,C4,C5,C6
,C7およびC9で位置P3を占有し、セルC3および
C8で位置P4を占有する。同様にして、第5図bにお
いてトラツクは奇数であるので、第1の変化はセルC1
ないしC9の位置P2を占有し、そして種々の調整変化
はセルCl,C2,C4,C5,C6,C7で位置P3
を占有し、セルC3,C8およびC9で位置P4を占有
する。
【図面の簡単な説明】
第1図は情報が磁気デイスクに如何にして書込まれたか
を示す概略図、第2図は磁気デイスクの表面に情報の各
項目を分配する好ましい方法を示す図、第3図はこの発
明によつてトラツクのアドレスを書込む方法を示す図、
第4図および第5図はこg発明によつてグレイコードで
2つのアドレスを書込む方法の一例を示す図である。 図中、Tは磁気読取り/書込みへツド、CMは磁性材料
、Dは磁気デイスク、SMは非磁性金属ベース。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 磁気記録媒体上にアドレスを書込むための方法であ
    つて、情報の項目は磁気ヘッドによつて2進コードで書
    込まれ、該情報の項目の一方は複数個のデータ・トラッ
    クによつて保持され、また、その他方は複数個の基準ゾ
    ーンによつて保持され、前記基準ゾーンには該磁気ヘッ
    ドの位置をサーボ制御するためのサーボ情報であつてパ
    リテイ・ビットとして兼用されるものおよびデータ・ト
    ラック・アドレスが含まれており、各データ・トラック
    は関連のデータ・トラックからシフトされている少なく
    とも1個の基準ゾーンと関連づけられて、個別的な基準
    ゾーンの間の境界は該データ・トラック上の軸であるよ
    うにされ、各基準ゾーンには複数個の基本セルが含まれ
    、各基本セルには2個の互いに反対の磁化方向の変化で
    あつて、夫々に、第1の変化および第2の変化と呼ばれ
    るものが含まれ、該第1の変化はサーボ情報を定義づけ
    、該セルの全てについての該第1の変化の全ては同一方
    向にされており、各基準ゾーンにおける各セルの該第1
    の変化は関連したデータ・トラックのパリテイ・ビット
    にも相当するものであつて、これは、データ・トラック
    が偶数番であるときには第1の所定の位置を占め、また
    、データ・トラックが奇数番であるときには第2の所定
    の位置を占めるものであり、各ゾーンにおける各セルの
    該第2の変化は関連したデータ・トラックのアドレスの
    アドレス・ビットを定義づけるものであつて、これは各
    セルにおける2個だけの所定の位置の1個を占めるもの
    であり、各アドレス・ビットの値は各セルにおける前記
    第2の変化によつて占められる位置によつて表わされる
    ことを特徴とする、磁気記録媒体上にアドレスを書込む
    ための方法。
JP52030522A 1976-03-31 1977-03-22 磁気記録媒体にアドレスを書込む方法 Expired JPS5947363B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR000007609357 1976-03-31
FR7609357A FR2346806A1 (fr) 1976-03-31 1976-03-31 Mode d'ecriture d'adresses sur un support d'enregist rement magnetique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS52119913A JPS52119913A (en) 1977-10-07
JPS5947363B2 true JPS5947363B2 (ja) 1984-11-19

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ID=9171224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52030522A Expired JPS5947363B2 (ja) 1976-03-31 1977-03-22 磁気記録媒体にアドレスを書込む方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4151571A (ja)
JP (1) JPS5947363B2 (ja)
DE (1) DE2714445A1 (ja)
FR (1) FR2346806A1 (ja)
GB (1) GB1531185A (ja)
IT (1) IT1174352B (ja)

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