JPS5947270B2 - Light reflector detection device - Google Patents

Light reflector detection device

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JPS5947270B2
JPS5947270B2 JP54013586A JP1358679A JPS5947270B2 JP S5947270 B2 JPS5947270 B2 JP S5947270B2 JP 54013586 A JP54013586 A JP 54013586A JP 1358679 A JP1358679 A JP 1358679A JP S5947270 B2 JPS5947270 B2 JP S5947270B2
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light
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photosensors
detected
photosensor
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義文 原
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はアルミ箔小片などの光の反射体を検知する光反
射体検知装置に関し、例えば書留郵便自動引受機の書留
番号票の検知器などに応用できる装置である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a light reflector detection device for detecting a light reflector such as a small piece of aluminum foil, and is a device that can be applied to, for example, a registered mail number slip detector for an automatic registered mail acceptance machine.

従来の光反射体検知装置について説明する。A conventional light reflector detection device will be explained.

第1図はその概略構成図を示し、1はフォトセンサブロ
ックであり、Sl、S2.Snからなる指向性が広く感
度のほぼ等しい太陽電池等の平面状のフォトセンサ2を
二平面上に貼りつげている。
FIG. 1 shows a schematic configuration diagram thereof, in which 1 is a photosensor block, Sl, S2 . Planar photosensors 2 made of Sn, such as solar cells with wide directivity and approximately equal sensitivity, are pasted on two planes.

一方線状の光源であるフィラメントランプ3からでた光
はレンズ4で絞られて被検知物5の上では細い筋状の光
束6となる。
On the other hand, light emitted from a filament lamp 3, which is a linear light source, is condensed by a lens 4 and becomes a thin streak-like light beam 6 on an object 5 to be detected.

その反射光7が被検知物5の傾きによっているいろの方
向に向かうので、フォトセンサブロック1は大きな面積
を有しており、被検知物5上の光反射体8から反射光7
を必ず受光するようになっている。
Since the reflected light 7 goes in various directions depending on the inclination of the detected object 5, the photosensor block 1 has a large area, and the reflected light 7 is directed from the light reflector 8 on the detected object 5.
It is designed to always receive light.

光反射体8のアルミ箔に光束があたる時は、よく光を反
射するので、フォトセンサブロック1のいずれかのセン
サ2には被検知物の他の部分からの反射光に比べ、相当
強い光が当る。
When the light beam hits the aluminum foil of the light reflector 8, it reflects well, so one of the sensors 2 of the photosensor block 1 receives a considerably stronger light than the light reflected from other parts of the object to be detected. is correct.

第2図は従来の検知装置の回路構成図で、フォトセンサ
2のsl、s2・・曲snはダイオードDA1゜DA2
・・・・・・DAnで構成される最大値選択回路9に接
続され、被検知物5からの反射光Tの内最も強い光を受
けたフォトセンサ2は最も高い出力電圧を出すこととな
る。
Fig. 2 is a circuit diagram of a conventional detection device, in which sl, s2, and sn of the photosensor 2 are diodes DA1 and DA2.
. . . The photosensor 2 connected to the maximum value selection circuit 9 composed of DAn and receiving the strongest light among the reflected light T from the object to be detected 5 will output the highest output voltage. .

その出力電圧Aは増幅器10に入力されて増幅され、コ
ンデンサ11と抵抗12で構成される微分回路を通った
その出力Bは比較器13でE□なる比較電圧と比べられ
る。
The output voltage A is input to an amplifier 10 and amplified, and the output B, which has passed through a differentiator circuit composed of a capacitor 11 and a resistor 12, is compared with a comparison voltage E□ by a comparator 13.

第1図で被検知物5を矢印X方向へ動かした場合の出力
A、 Bと比較器13の出力Cの関係を第3図に示す
FIG. 3 shows the relationship between the outputs A and B and the output C of the comparator 13 when the detected object 5 is moved in the direction of the arrow X in FIG. 1.

被検知物5表面にフィラメントランプ3の光があたった
時の最大値選択回路9の出力Aをelとし、光反射体8
に光があたった時をe2とし、下記の(1)式の条件が
満足されるように比較電圧E4を調節すると、光反射体
8であるアルミ箔を検出した時のみ比較器12の出力C
にパルス状の電圧が得られる。
The output A of the maximum value selection circuit 9 when the light from the filament lamp 3 hits the surface of the object to be detected 5 is el, and the light reflector 8
If e2 is the time when light hits the surface of
A pulse-like voltage is obtained.

el〈El〈e2−el ・・曲(1)ところ
で、従来のこのような検知装置においては、次のような
問題がある。
el<El<e2-el...Song (1) By the way, such a conventional detection device has the following problem.

被検知物5の厚みの大きな、反射光の多い白封筒等では
、フィラメントランプ3と被検知物5、被検知物5とフ
ォトセンサブロック1との距離が減少するため、被検知
物5からの反射光7の量が増す。
If the detected object 5 is a white envelope or the like with a large thickness and a lot of reflected light, the distances between the filament lamp 3 and the detected object 5 and between the detected object 5 and the photosensor block 1 will decrease, so that the distance from the detected object 5 will be reduced. The amount of reflected light 7 increases.

そのためe 1>Elとなる場合があって、第4図のよ
うに比較器13の出力CにミスパルスEpが出て来る。
Therefore, there is a case where e1>El, and a miss pulse Ep appears at the output C of the comparator 13 as shown in FIG.

また被検知物5にセロハンテープが貼られていると、光
がその表面で反射して、所定の光反射体8の検知時と同
様な出力Aが出ることがあり、検知ミスが起こる。
Furthermore, if cellophane tape is attached to the object to be detected 5, light may be reflected on the surface and an output A similar to that obtained when a predetermined light reflector 8 is detected may occur, resulting in a detection error.

さらにアルミ箔がいろいろな方向を向いていてもその反
射光を検知させるためには、フォトセンサブロック1と
して相当大きなものが必要で、センサの数が多くなり、
コスト高となる。
Furthermore, in order to detect the reflected light even when the aluminum foil is facing in various directions, a fairly large photo sensor block 1 is required, which requires a large number of sensors.
The cost will be high.

本発明はこれらの検知ミスを解決し、センサの数も減ら
すことのできる光反射体検知装置を提案するもので、以
下その一実雉例について説明する。
The present invention proposes a light reflector detection device that can solve these detection errors and reduce the number of sensors, and a practical example thereof will be described below.

第5図a、 b、 cにおいて、14は被検知物、
15は被検知物14上に設けた光反射体としてのアルミ
箔、16はセンサユニットである。
In Figures 5a, b, and c, 14 is the object to be detected;
15 is an aluminum foil as a light reflector provided on the object to be detected 14, and 16 is a sensor unit.

センサユニット16は被検知物14の移動用ベルトコン
ベア17に対向して設置され、センサユニット16の基
板18上にはレンズ等のついた指向性の強いフォトセン
サ19が等間隔で被検知物140幅に1列に配列され、
その両側には、フィラメントランプ20、すりガラス2
1内側を白色塗装したカバー22とで構成した面光源ユ
ニット23が配置されて構成される。
The sensor unit 16 is installed facing the belt conveyor 17 for moving the detected object 14, and on the substrate 18 of the sensor unit 16, highly directional photosensors 19 equipped with lenses etc. are arranged at equal intervals to move the detected object 140. Arranged in one column across the width,
On both sides, there are 20 filament lamps and 2 frosted glasses.
A surface light source unit 23 composed of a cover 22 whose inner side is painted white is disposed.

例えば定形郵便物は長さ14〜23.5crrls幅9
〜12Crrlx厚さ1crn以下の大きさであり、長
さ方向(第6図および第10図の矢印Y方向)にベルト
コンベア17で被検知物14を動かし、センサユニット
16で検知させるようにすると、センサユニット16の
検知範囲はカイト24および25内の12crnに限ら
れる。
For example, standard size mail is 14 to 23.5 crrls in length and 9 in width.
~12 Crrl x thickness 1 crn or less, and when the detected object 14 is moved in the length direction (direction of arrow Y in FIGS. 6 and 10) by the belt conveyor 17 and detected by the sensor unit 16, The detection range of sensor unit 16 is limited to 12 crn within kites 24 and 25.

1列に配置された81〜S21の各フォトセンサ19は
指向性が約9度のものであり、その真下の被検知物14
0表面の状態しか感知せず、例えば第5図aのセンサユ
ニット16と被検知物14との距離りが30mmでは約
10mrnの円の中、距離りが20mmでは約6m1!
の円の中しか感知しない。
Each of the photosensors 19 81 to S21 arranged in one row has a directivity of about 9 degrees, and the detected object 14 directly below it has a directivity of about 9 degrees.
For example, when the distance between the sensor unit 16 and the detected object 14 is 30 mm in FIG.
It senses only inside the circle.

フォトセンサ19の取付ピッチpは6tnxであり、ア
ルミ箔15の大きさは12mm×12mmであるので、
第5図aのようにフォトセンサS5の直下にアルミ箔1
5があるときは隣りのフォトセンサS4やS6はアルミ
箔を少し感知するものの83やS7は感知しない。
The mounting pitch p of the photosensor 19 is 6tnx, and the size of the aluminum foil 15 is 12mm x 12mm, so
As shown in Figure 5a, place an aluminum foil 1 directly under the photosensor S5.
5, the adjacent photosensors S4 and S6 slightly detect the aluminum foil, but the photosensors 83 and S7 do not.

またフォトセンサS5と86のちょうど中間にアルミ箔
が来た場合は、フォトセンサS5と86のどちらにも同
じ強さの反射光が入るが、これら両隣りのフォトセンサ
S4*S7は反射光を感知しない。
Also, if the aluminum foil is placed exactly between photosensors S5 and 86, the same intensity of reflected light will enter both photosensors S5 and 86, but the photosensors S4*S7 on both sides will receive reflected light. Not detected.

第6図のように、アルミ箔15が傾いた場合には、各フ
ォトセンサは斜線の範囲の指向性しかないが、面光源ユ
ニット23から下向きに、いろんな方向の光が出るので
、反射光な受光することができる。
As shown in Fig. 6, when the aluminum foil 15 is tilted, each photosensor has directivity only within the shaded range, but since light is emitted downward from the surface light source unit 23 in various directions, reflected light and Can receive light.

前述のように定形郵便物は幅が12cmに限られるので
、この場合にはフォトセンサS□〜S2□の合計21個
となる。
As mentioned above, the width of a regular mail piece is limited to 12 cm, so in this case, there will be a total of 21 photosensors S□ to S2□.

第7図は検知回路の構成図であり、図に従って検知原理
を説明する。
FIG. 7 is a block diagram of the detection circuit, and the detection principle will be explained according to the diagram.

面光源ユニット23中の光源L□〜L4は電源E3で発
光する。
The light sources L□ to L4 in the surface light source unit 23 emit light from the power source E3.

フォトセンサ81〜S2□は3つおきに4つのブロック
に分けられ、それぞれがダイオードDD、〜DD6.D
E1〜I)E5.DFl−DF5.DG□〜DG5で構
成されるセンサの最大値選択回路26〜29に接続され
る。
Photosensors 81 to S2□ are divided into four blocks every third, and each block has diodes DD, to DD6. D
E1-I) E5. DFl-DF5. It is connected to maximum value selection circuits 26 to 29 of sensors configured by DG□ to DG5.

金弟5図aのようにフォトセンサS5の真下にアルミ箔
15があり、被検知物14に他の光反射体がないとすれ
ば、4つの最大値選択回路26〜29の出力D−Gは、
出力りにあってはアルミ箔15を検知したフォトセンサ
S5の出力値となり、出力Eにあっては被検知体15上
の文字や模様を検知しているので、出力りに比べて小さ
い。
If there is an aluminum foil 15 directly below the photosensor S5 as shown in Fig. 5a of Kintetsu 5, and there is no other light reflector on the object 14 to be detected, the outputs D-G of the four maximum value selection circuits 26 to 29 teeth,
The output value is the output value of the photosensor S5 that has detected the aluminum foil 15, and the output E is smaller than the output value since the characters and patterns on the detected object 15 have been detected.

出力FKあってはS6 の出力、出力GにあってはS
4の出力となるが、これらはアルミ箔の一部と郵便物の
文字や模様を検知しているからその出力値は出力Eより
大きいものの、出力りより小さく、はぼ同程度の大きさ
となる。
Output FK is the output of S6, and output G is S6.
4 is the output, but since these are detecting a part of the aluminum foil and the letters and patterns on the mail, the output value is larger than the output E, but it is smaller than the output E, and is about the same size. .

30〜33は差動増幅器で、入力差が零の時はその出力
は零である。
30 to 33 are differential amplifiers whose output is zero when the input difference is zero.

そして出力り、 Eは差動増幅器30.31に図のよう
に入力され、出力F、 Gは差動増幅器32.33に図
のように入力されるので、差動増幅器30の出力は正の
最大、差動増幅器31は負の最大、差動増幅器32と3
3の出力はほぼ零となる。
The output E is input to the differential amplifier 30.31 as shown in the figure, and the outputs F and G are input to the differential amplifier 32.33 as shown in the figure, so the output of the differential amplifier 30 is positive. Maximum, differential amplifier 31 is negative maximum, differential amplifier 32 and 3
The output of 3 is almost zero.

するとダイオードDH1〜DH4で構成される最大値検
出回路34の出力Hには差動増幅器30の出力が選択さ
れる。
Then, the output of the differential amplifier 30 is selected as the output H of the maximum value detection circuit 34 composed of diodes DH1 to DH4.

そして比較電圧E2 に比べて出力Hの値が大きいとき
、比較器35の出力Jが現われる。
When the value of the output H is larger than the comparison voltage E2, the output J of the comparator 35 appears.

したがって、第5図aのように、アルミ箔15がフォト
センサS5 の真下を通過する場合の各出力D−Jの
タイミングチャートは第8図のようになる。
Therefore, when the aluminum foil 15 passes directly under the photosensor S5 as shown in FIG. 5a, the timing chart of each output DJ is as shown in FIG. 8.

次にフォトセンサS5と86の中間をアルミ箔15が通
過する場合について説明する。
Next, a case where the aluminum foil 15 passes between the photosensors S5 and 86 will be described.

この場合、フォトセンサS5と86は反射光を感知して
、出力りとFに出力が現れるが、前述のようにフォトセ
ンサS4と87 は反射光を感知しない。
In this case, the photosensors S5 and 86 sense the reflected light, and outputs appear at the outputs F and F, but as described above, the photosensors S4 and 87 do not sense the reflected light.

よって差動増幅器30と32の出力が、アルミ箔の通過
時にほぼ同じ値で最大となり、出力Hが現われる。
Therefore, the outputs of the differential amplifiers 30 and 32 reach a maximum value at approximately the same value when passing through the aluminum foil, and an output H appears.

そして出力Hと比較電圧E2 が比較され、検出出力J
が現われる。
Then, the output H and the comparison voltage E2 are compared, and the detection output J
appears.

その時のタイミングチャートを第9図に示す。A timing chart at that time is shown in FIG.

第8図の出力Hと第3図の出力Bを対比するとわかるよ
うに、本実施例においては被検知物14の通過の初めに
ミスパルスがでない。
As can be seen by comparing the output H in FIG. 8 with the output B in FIG. 3, in this embodiment, there is no miss pulse at the beginning of the passage of the object 14 to be detected.

さらに第10図のようにセンサユニット16に対して被
検知物14上のセロハンテープ36や窓あき封筒の透明
窓のセロハン37により光を反射する場合においては反
射体であるセロハン37の大きさがフォトセンサの間隔
より大きい。
Furthermore, when light is reflected to the sensor unit 16 by the cellophane tape 36 on the detected object 14 or the cellophane 37 in the transparent window of a window-perforated envelope as shown in FIG. Greater than the photo sensor spacing.

したがって隣り合うフォトセンサ19が受ける受光量の
差を比較しているため、差が零となり、このような場合
にも誤差出力パルスが現われ難い、この結果例えば封筒
などの処理においてアルミ箔15よりなる番号票を貼っ
ていない封筒の番号票検知ミスがほとんどなくなった。
Therefore, since the difference in the amount of light received by adjacent photosensors 19 is compared, the difference becomes zero, and error output pulses are unlikely to appear even in such a case.As a result, for example, when processing envelopes, etc. Errors in detecting number tags on envelopes without number tags have almost disappeared.

なお、フォトセンサ出力の差を検出しているため、フォ
トセンサ19と被検知物14との距離を約20〜30m
mと近くとることができ、このため第6図のようにアル
ミ箔15の傾きがあっても比較的指向性の狭いセンサユ
ニット16で検知でき、フォトセンサ19の数も合計2
1個と少なくでき、面光源ユニット23を含めてもコス
トを安くできる。
Note that since the difference in photosensor output is detected, the distance between the photosensor 19 and the detected object 14 is approximately 20 to 30 m.
Therefore, even if the aluminum foil 15 is tilted as shown in FIG.
The number can be reduced to one, and even if the surface light source unit 23 is included, the cost can be reduced.

上記では、21個のフォトセンサを4つのブロックに分
けた実施例の回路図を示したが、第11図に示す実施例
のように2つおきに3つのブロックに分げても同様な原
理にてアルミ箔15の検出が可能である。
The circuit diagram of an embodiment in which 21 photosensors are divided into four blocks is shown above, but the same principle can be applied even if every two photosensors are divided into three blocks as in the embodiment shown in Fig. 11. The aluminum foil 15 can be detected.

すなわち、第11図のようにフォトセンサをダイオード
DK□〜DK7.DLIDL7゜DM1〜DM7で構成
されるセンサの最大値選択回路38〜40に接続し、そ
れらの出力に、L、Mをそれぞれ差動増幅器41〜46
へ接続する。
That is, as shown in FIG. 11, the photosensor is connected to diodes DK□ to DK7. DLIDL7゜ is connected to the sensor maximum value selection circuits 38 to 40 composed of DM1 to DM7, and their outputs are connected to differential amplifiers 41 to 46 for L and M, respectively.
Connect to.

今、第5図aのようにフォトセンサS5の真下をアルミ
箔15が通過すると、第12図に示すように出力しはフ
ォトセンサS5 の出力値となり、出力K。
Now, when the aluminum foil 15 passes directly under the photosensor S5 as shown in FIG. 5a, the output becomes the output value of the photosensor S5 as shown in FIG. 12, which is the output K.

Mにあっては、アルミ箔15の端の一部を検知している
フォトセンサS4.S6の出力値となるが、その値は、
出力りに比べ小さい値となり、はぼ等しい。
In the photo sensor S4.M, the photo sensor S4 detects a part of the edge of the aluminum foil 15. The output value of S6 is
The value is smaller than the output, and they are almost equal.

したがって、差動増幅器42と45の出力がほぼ等しく
最大となり、この値が47の最大値選択回路の出力Nと
なる。
Therefore, the outputs of the differential amplifiers 42 and 45 are almost equally maximum, and this value becomes the output N of the maximum value selection circuit 47.

出力Nが比較電圧E4と比較され、比較器の出力pが現
われる。
The output N is compared with the comparison voltage E4 and the output p of the comparator appears.

第13図には、フォトセンサS5と86の中間をアルミ
箔15が通過した場合のタイミングチャートを示す。
FIG. 13 shows a timing chart when the aluminum foil 15 passes between the photosensors S5 and 86.

このときも前記実施例と同様に検知可能であることは明
らかであろう。
It will be clear that detection is possible in this case as well in the same manner as in the above embodiment.

以上は、フォトセンサを3つまたは4つのブロックに分
けた場合の実施例であるが、差動増幅器の数を増して、
5つ以上のブロックに分けても同様な原理でアルミ箔の
検知が可能である。
The above is an example in which the photosensor is divided into three or four blocks, but by increasing the number of differential amplifiers,
Aluminum foil can be detected using the same principle even if divided into five or more blocks.

さらにこれまでの説明では、121rLm角のアルミ箔
の小片の検知について限ったが、その形は丸や三角でも
よく、その大きさも12mrnに限られるものではなく
、検知対象の大きさにあわせて、フォトセンサの配置の
ピッチや、検知対象とフォトセンサの距離を変えること
により簡単に検知できる。
Furthermore, in the explanation so far, we have limited to the detection of a small piece of aluminum foil with a square size of 121 rLm, but its shape may be round or triangular, and its size is not limited to 12 mrn. Detection can be easily performed by changing the pitch of the photosensor arrangement and the distance between the detection target and the photosensor.

またセンサユニット16を固定し、被検知物14を移動
する場合を説明したが、逆に被検知物14を固定し、セ
ンサユニット16を移動しても同様に検知できる。
Further, although the case where the sensor unit 16 is fixed and the detected object 14 is moved has been described, the detection can be performed in the same way even if the detected object 14 is fixed and the sensor unit 16 is moved.

光源については、ELセルなどの面光源でもよい。The light source may be a surface light source such as an EL cell.

以上本発明によれば、センサユニットは比較的単純な構
成で良くまたフォトセンサの配置ピッチを光反射体の大
きさと対応させることができ、所定の大きさ以上の他の
光反射体で光が反射した場合は打ち消されて誤検出がな
く、また被検知物の初めで誤検出等も起こらず、正確な
検出動作が可能であると同時にセンサユニット自体も最
小限の安価なものとすることができ、工業的にも優れた
光反射体検知装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, the sensor unit may have a relatively simple configuration, and the arrangement pitch of the photosensors can be made to correspond to the size of the light reflector. If it is reflected, it will be canceled and there will be no false detection, and there will be no false detection at the beginning of the object to be detected, making it possible to perform accurate detection operations and at the same time, the sensor unit itself can be made as inexpensive as possible. Therefore, it is possible to provide an industrially excellent light reflector detection device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の光反射体検知装置の要部構成斜視図、第
2図は従来例の回路構成図、第3図および第4図はその
タイミングチャート、第5図a。 b、 cは本発明の一実施例を示し、センサユニット
と被検知物の配置を示す断面図、センサユニツ)ノ下面
図およびセンサユニットの側面図、第6図は光反射体が
傾いた場合を説明する要部断面図、第7図は本実施例の
回路構成図、第8図および第9図はそのタイミングチャ
ート、第10図はセンサユニットと被検知物の配置を示
す平面図、第11図は本発明の他の実施例の回路構成図
、第12図第13図はそのタイミングチャートである。 14・・・・・・被検知物、15・・・・・・アルミ箔
(光反射体)、16・・・・・・センサユニット、18
・・・・・・取付基L 19. s1〜S21・・・
・・・フォトセンサ、23・・・・・・面光源ユニット
、26〜29・・・・・・最大値選択回路、30〜33
・・・・・・差動増幅器、34・・・・・・最大値検出
回路、35・・・・・・比較回路、38〜40・・・・
・・最大値選択回路、41〜46・・・・・・差動増幅
器、47・・・・・・最大値検出回路、48・・・・・
・比較回路。
FIG. 1 is a perspective view of the main part configuration of a conventional light reflector detection device, FIG. 2 is a circuit configuration diagram of the conventional example, FIGS. 3 and 4 are timing charts thereof, and FIG. 5a. b and c show an embodiment of the present invention; FIG. 6 shows a cross-sectional view showing the arrangement of the sensor unit and the object to be detected; a bottom view of the sensor unit; and a side view of the sensor unit; FIG. 6 shows a case where the light reflector is tilted; 7 is a circuit configuration diagram of this embodiment, FIGS. 8 and 9 are timing charts thereof, FIG. 10 is a plan view showing the arrangement of the sensor unit and the object to be detected, and FIG. The figure is a circuit configuration diagram of another embodiment of the present invention, and FIGS. 12 and 13 are timing charts thereof. 14...Detected object, 15...Aluminum foil (light reflector), 16...Sensor unit, 18
...Mounting base L 19. s1~S21...
... Photo sensor, 23 ... Surface light source unit, 26-29 ... Maximum value selection circuit, 30-33
... Differential amplifier, 34 ... Maximum value detection circuit, 35 ... Comparison circuit, 38 to 40 ...
...Maximum value selection circuit, 41-46...Differential amplifier, 47...Maximum value detection circuit, 48...
・Comparison circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 特定の形状をもつ光反射体の有無を検知する装置で
あって、検知すべき光反射体に光を照射するための面光
源と、前記光反射体の前記面光源からの反射光を受光す
るためのフォトセンサと、前記フォトセンサを一直線上
に配置して固定するための基板と、前記フォトセンサを
2個以上の整数個おきに順に選んでセンサブロックとし
、各センサブロックごとにその中で最も強い反射光を受
光したフォトセンサの出力を選択する第1の最大値選択
回路と、前記第1の最大値選択回路の相互の出力電圧の
差を検出する差動回路と、前記左動回路の出力の中の最
大直を検出する第2の最大値選択回路と、第2の最大値
選択回路の出力とあらかじめ設定された電圧値を沈鉱す
る沈鉱回路とを有し、前記フォトセンサの取付間隔及び
前記光反射体の反射面とフォトセンサとの距離を、前記
光反射体の全面積からの反射光を受光するフォトセンサ
の数が最大でも3個以下となるよう設定した光反射体検
知装置。
1 A device for detecting the presence or absence of a light reflector having a specific shape, which includes a surface light source for irradiating light onto the light reflector to be detected, and receiving light reflected from the surface light source of the light reflector. a substrate for arranging and fixing the photosensors in a straight line, and selecting the photosensors every integer of two or more to form a sensor block, and forming a sensor block for each sensor block. a first maximum value selection circuit that selects the output of the photosensor that has received the strongest reflected light; a differential circuit that detects a difference in output voltage between the first maximum value selection circuit; It has a second maximum value selection circuit that detects the maximum voltage among the outputs of the circuit, and a settling circuit that sets the output of the second maximum value selection circuit and a preset voltage value, and The sensor installation interval and the distance between the reflective surface of the light reflector and the photosensor are set so that the number of photosensors that receive reflected light from the entire area of the light reflector is 3 or less at most. Reflector detection device.
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