JPS5946887B2 - 燐酸・濾過洗浄装置のスケ−ル生成防止法 - Google Patents
燐酸・濾過洗浄装置のスケ−ル生成防止法Info
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- JPS5946887B2 JPS5946887B2 JP3197375A JP3197375A JPS5946887B2 JP S5946887 B2 JPS5946887 B2 JP S5946887B2 JP 3197375 A JP3197375 A JP 3197375A JP 3197375 A JP3197375 A JP 3197375A JP S5946887 B2 JPS5946887 B2 JP S5946887B2
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- scale
- filtrate
- scale formation
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、燐酸製造における濾過・洗浄装置のスケール
生成防止に関するものである。
生成防止に関するものである。
従来、燐酸製造法において、半水石膏を含有する燐酸ス
ラリーの濾過・洗浄工程のその濾過機および洗浄濾液の
輸送パイプにスケールの生成が甚しく、このスケールの
生成は連続操業の障害になることは勿論、スケールを除
去するためには、相当の労力および時間を浪費すること
となるので、スケール生成防止は燐酸製造のひとつの課
題である。
ラリーの濾過・洗浄工程のその濾過機および洗浄濾液の
輸送パイプにスケールの生成が甚しく、このスケールの
生成は連続操業の障害になることは勿論、スケールを除
去するためには、相当の労力および時間を浪費すること
となるので、スケール生成防止は燐酸製造のひとつの課
題である。
本発明の方法は、従来の燐酸製造法に適用できるもので
あり、更に、近年、採用されつつある半水濾過−工水法
の二段法にも適用されるものである。
あり、更に、近年、採用されつつある半水濾過−工水法
の二段法にも適用されるものである。
すなわちこの二段法とは、特定条件で燐鉱石を燐酸およ
び硫酸で分解して半水石膏を含有する燐酸スラリーとし
、次いで、このスラリーを濾過・洗浄の段階において、
洗浄を行ない、その半水石膏をリパルプし、低濃度の混
酸中で再結晶して三水石膏に変えた後、濾過水洗して高
濃度燐酸と良質の副生石膏を製造する方法である。
び硫酸で分解して半水石膏を含有する燐酸スラリーとし
、次いで、このスラリーを濾過・洗浄の段階において、
洗浄を行ない、その半水石膏をリパルプし、低濃度の混
酸中で再結晶して三水石膏に変えた後、濾過水洗して高
濃度燐酸と良質の副生石膏を製造する方法である。
本発明者らは、前記スケール生成防止について種々検討
した。
した。
例えば、スケール物質を分析して、その主成分がＮａ２
ＳｉＦ６であることを見い出すとともに、燐酸溶液中に
おけるＮａ２５ｔＦａの溶解度も調査した。
ＳｉＦ６であることを見い出すとともに、燐酸溶液中に
おけるＮａ２５ｔＦａの溶解度も調査した。
スケール物質の分析表を第１表に示す。
Ｎａ２ ｓｉＦ’６の溶解度については、湿式燐酸浴・
液における場合と試薬用燐酸溶液における場合について
調査した。
液における場合と試薬用燐酸溶液における場合について
調査した。
結果を第２表に示す。第２表に示すように、Ｎａ２Ｓｉ
Ｆ６の燐酸濃度変化による溶解度の勾配は、試薬用燐酸
溶液よりも湿式燐酸溶液の方が大きいことを見い出した
。
Ｆ６の燐酸濃度変化による溶解度の勾配は、試薬用燐酸
溶液よりも湿式燐酸溶液の方が大きいことを見い出した
。
すなわち、試薬用燐酸溶液よりも湿式燐酸溶液の方が、
燐酸濃度が高くなるに従いＮａ２ＳｉＦ６の溶解度低下
が甚しく、スケールが生成し易いことおよび溶液の温度
低下によってもＮａ２ ｓｉＦ’６の溶解度が低下し、
Ｎａ２５ｉＦａが生成し易くなることが判った。
燐酸濃度が高くなるに従いＮａ２ＳｉＦ６の溶解度低下
が甚しく、スケールが生成し易いことおよび溶液の温度
低下によってもＮａ２ ｓｉＦ’６の溶解度が低下し、
Ｎａ２５ｉＦａが生成し易くなることが判った。
このため、燐酸溶液におけるＮａ２５ｉＦａを主成分と
するスケールは、燐酸の濃度変化と燐酸濾液の温度低下
とが相乗的に作用し生成されるものと推定される。
するスケールは、燐酸の濃度変化と燐酸濾液の温度低下
とが相乗的に作用し生成されるものと推定される。
燐酸製造におけるスケール生成防止対策としては、燐酸
濾液の温度を低下させないために、また濾液液面の温度
を維持するため、濾過機の一部および輸送用パイプにジ
ャケットを併設し、これに温水またはスチームを通じて
強制的に加温する方法も考えられている。
濾液の温度を低下させないために、また濾液液面の温度
を維持するため、濾過機の一部および輸送用パイプにジ
ャケットを併設し、これに温水またはスチームを通じて
強制的に加温する方法も考えられている。
しかしながら、前記のように燐酸濾液を単に加温しただ
けではスケール生成防止法としてはまだ不充分である。
けではスケール生成防止法としてはまだ不充分である。
すなわち第２表を用いて説明した通りスケールの生成を
防止するには、燐酸濾液の温度低下を防止するとともに
燐酸の濾液濃度の変化に留意することが必要であり、特
に真空濾過を行う場合は真空蒸発によって濾液の濃度が
高くならないように配慮する必要がある。
防止するには、燐酸濾液の温度低下を防止するとともに
燐酸の濾液濃度の変化に留意することが必要であり、特
に真空濾過を行う場合は真空蒸発によって濾液の濃度が
高くならないように配慮する必要がある。
。本発明者らは、前記知見にもとすきスケールの生成を
防止するため種々研究を行った結果新たにスケール生成
防止法を開発し、ここに提供するものである。
防止するため種々研究を行った結果新たにスケール生成
防止法を開発し、ここに提供するものである。
本発明の燐酸濾過・洗浄装置のスケール生成防止法は、
燐酸製造における石膏を含むスラリーの濾過・洗浄工程
において、洗浄濾液の温度を低下させないように該濾過
・洗浄装置のセンターバルブ、濾液導管および気液分離
器を加温するとともに珪弗化ソーダを主成分とするスケ
ール物質を溶解するため該濾過・洗浄装置内に水、温水
または薄酸を該スケール物質を析出せしめなくするのに
充分な最少量で噴射することを特徴とするものである。
燐酸製造における石膏を含むスラリーの濾過・洗浄工程
において、洗浄濾液の温度を低下させないように該濾過
・洗浄装置のセンターバルブ、濾液導管および気液分離
器を加温するとともに珪弗化ソーダを主成分とするスケ
ール物質を溶解するため該濾過・洗浄装置内に水、温水
または薄酸を該スケール物質を析出せしめなくするのに
充分な最少量で噴射することを特徴とするものである。
すなわち、本発明のスケール生成防止法は半水石膏濾過
機および洗浄濾液輸送用パイプを加温して濾液の温度を
低下しないようにするとともに少量の水、温水、または
系内から得られる薄酸をスケールの生成し易い該濾過機
および濾液輸送用パイプ内に噴射して濾液の濃度が上昇
するのを抑制し、この両者の併用によってスケールの生
成を防止するものである。
機および洗浄濾液輸送用パイプを加温して濾液の温度を
低下しないようにするとともに少量の水、温水、または
系内から得られる薄酸をスケールの生成し易い該濾過機
および濾液輸送用パイプ内に噴射して濾液の濃度が上昇
するのを抑制し、この両者の併用によってスケールの生
成を防止するものである。
以下本発明のスケール生成防止法を図面により説明する
。
。
第１図は高濃度燐酸製造の濾過・洗浄工程の模式図であ
り、第２図は第１図中の半水石膏濾過機の拡大平面図で
あり、第３図は第１図のセンターバルブより気液分離器
に至る間のスケール生成状況を示す断面図である。
り、第２図は第１図中の半水石膏濾過機の拡大平面図で
あり、第３図は第１図のセンターバルブより気液分離器
に至る間のスケール生成状況を示す断面図である。
導管１より燐酸を含有するスラリーを半水石膏濾過機（
パンフィルターを使用）２の第１セクシヨン１２に導入
して濾過し、濾液はセンタバルブ６を通り導管３により
製品タンク４に移送する。
パンフィルターを使用）２の第１セクシヨン１２に導入
して濾過し、濾液はセンタバルブ６を通り導管３により
製品タンク４に移送する。
次に、半水石膏濾過機２は、第２図のように円板状のも
のであり、半水石膏濾過機２は半回転して第２セクシヨ
ン１３の位置に移行して導管５よりの洗浄酸により洗浄
される。
のであり、半水石膏濾過機２は半回転して第２セクシヨ
ン１３の位置に移行して導管５よりの洗浄酸により洗浄
される。
この洗浄濾液は、センターバルブ６を通り導管７および
気液分離器８を経て濾液密閉タンク９に移送される。
気液分離器８を経て濾液密閉タンク９に移送される。
気液分離器８で分離された空気は、導管１０を経て真空
ポンプにより吸引される。
ポンプにより吸引される。
更に半水石膏濾過機２は大きく回転して第３セクシヨン
１４の位置に達すると、ひつくり返えされて半水石膏ケ
ーキが除去される。
１４の位置に達すると、ひつくり返えされて半水石膏ケ
ーキが除去される。
上記の如き高濃度燐酸の濾過・洗浄工程において、スケ
ール生成の甚しいのはセンターバルブ６から気液分離機
８を経て濾液密閉タンク９に至る間においてである。
ール生成の甚しいのはセンターバルブ６から気液分離機
８を経て濾液密閉タンク９に至る間においてである。
そのスケール生成の状況は、第３図に示すように、セン
タバルブ６内部、センターバルブ６より気液分離器８に
至る導管７の継ぎ目と曲折部および気液分離器８内の下
部において甚しい。
タバルブ６内部、センターバルブ６より気液分離器８に
至る導管７の継ぎ目と曲折部および気液分離器８内の下
部において甚しい。
このため、本発明のスケール生成防止法は、センターバ
ルブ６の下部にノズル数個を有する馬蹄形の噴射装置ｆ
１を挿入し、導管７の内部を通過する導管１２と連通さ
せて、系外より水、温水または薄酸を噴射装置１１のノ
ズルより噴射し、濾液の濃度上昇によるスケールの生成
を抑制するものである。
ルブ６の下部にノズル数個を有する馬蹄形の噴射装置ｆ
１を挿入し、導管７の内部を通過する導管１２と連通さ
せて、系外より水、温水または薄酸を噴射装置１１のノ
ズルより噴射し、濾液の濃度上昇によるスケールの生成
を抑制するものである。
なお、センターバルブ６導管７および気液分離器８は外
部から加温されることは勿論である。
部から加温されることは勿論である。
以下実施例によって、本発明を具体的に説明する。
実施例 １
第１図の如き、高濃度燐酸の濾過・洗浄装置を使用して
、半水石膏ケーキ量１３．６２７ＫＰ／時間、ケーキ中
のＰ２Ｏ５濃度４５％、洗浄酸量（Ｐ２Ｏ５濃度：１５
％）７４５９ＫＰ／時間、洗浄濾液９６１１に２／時間
の条件で１２０時間稼動したところ、スケール生成量は
１．５ ＫＰ／時間であった。
、半水石膏ケーキ量１３．６２７ＫＰ／時間、ケーキ中
のＰ２Ｏ５濃度４５％、洗浄酸量（Ｐ２Ｏ５濃度：１５
％）７４５９ＫＰ／時間、洗浄濾液９６１１に２／時間
の条件で１２０時間稼動したところ、スケール生成量は
１．５ ＫＰ／時間であった。
次に、半水石膏濾過機２の一部、導管７および気液分離
器８を８０〜１００℃程度の温度に強制加温（以下同じ
）し、濾液の温度が低下しないようにして、前記と同様
の操業条件で３５０時間稼動したところ、スケール生成
量は０．４〜０．６ Ｋ？／時間であった。
器８を８０〜１００℃程度の温度に強制加温（以下同じ
）し、濾液の温度が低下しないようにして、前記と同様
の操業条件で３５０時間稼動したところ、スケール生成
量は０．４〜０．６ Ｋ？／時間であった。
更に、本発明のスケール生成防止法により、前記と同様
に濾過・洗浄装置を強制加温するとともに噴射装置１１
より温水を３００〜４００Ｋｙ／時間を噴射し、前記と
同様の操業条件で６００時間稼動したところ、スケール
生成量はｏ、６５Ｋｐ／時間以下に抑制することができ
た。
に濾過・洗浄装置を強制加温するとともに噴射装置１１
より温水を３００〜４００Ｋｙ／時間を噴射し、前記と
同様の操業条件で６００時間稼動したところ、スケール
生成量はｏ、６５Ｋｐ／時間以下に抑制することができ
た。
実施例 ２
実施例１と同様の濾過・洗浄装置を使用し、半水石膏ケ
ーキ量１３．６２７Ｋｐ／時間、ケーキ中のＰ２Ｏ５濃
度４５％、洗浄酸量（Ｐ２Ｏ５濃度：２０％）７８７７
ＫＰ／時間、洗浄濾液９６１１Ｋｐ／時間の条件で１２
０時間稼動したところ、スケール生成量は１． Ｉ Ｋ
ｙ、７時間であった。
ーキ量１３．６２７Ｋｐ／時間、ケーキ中のＰ２Ｏ５濃
度４５％、洗浄酸量（Ｐ２Ｏ５濃度：２０％）７８７７
ＫＰ／時間、洗浄濾液９６１１Ｋｐ／時間の条件で１２
０時間稼動したところ、スケール生成量は１． Ｉ Ｋ
ｙ、７時間であった。
次に、半水石膏濾液機２の一部、導管７および気液分離
器８を強制加温し、濾液の温度が低下しないようにして
、前記と同様の操業条件で３５０時間稼動したところ、
スケール生成量は０．２〜０、４ Ｋｐ／時間であった
。
器８を強制加温し、濾液の温度が低下しないようにして
、前記と同様の操業条件で３５０時間稼動したところ、
スケール生成量は０．２〜０、４ Ｋｐ／時間であった
。
更に、本発明のスケール生成防止法により、前記と同様
に濾過・洗浄装置を強制加温するとともに噴射装置１１
より水２００〜３０ ｏ Ｋｔ／時間を噴射し、前記と
同様の操業条件で６００時間稼動したところ、スケール
生成量は０．０５Ｋｐ／時間以下に抑制することができ
た。
に濾過・洗浄装置を強制加温するとともに噴射装置１１
より水２００〜３０ ｏ Ｋｔ／時間を噴射し、前記と
同様の操業条件で６００時間稼動したところ、スケール
生成量は０．０５Ｋｐ／時間以下に抑制することができ
た。
以上のように、従来の方法では１週間の連続操業で装置
内に約５０ｍｍの厚さのスケールが生成し、装置内部を
定期的に掃除しなければならなかったが、本発明のスケ
ール生成防止法を採用すれば、２ケ月に１回に掃除の回
数を少くすることができる。
内に約５０ｍｍの厚さのスケールが生成し、装置内部を
定期的に掃除しなければならなかったが、本発明のスケ
ール生成防止法を採用すれば、２ケ月に１回に掃除の回
数を少くすることができる。
また、高濃度燐酸の濾過・洗浄装置は、スケールの生成
によって圧力損失が大きくなるため、濾過面の真空度が
低下し濾過性が悪くなるのが通常であるが、本発明のス
ケール生成防止法によれば、スケールの生成が少いため
圧力損失が少なく、濾過面の真空度が高くなり濾過性を
良好に保つことができる。
によって圧力損失が大きくなるため、濾過面の真空度が
低下し濾過性が悪くなるのが通常であるが、本発明のス
ケール生成防止法によれば、スケールの生成が少いため
圧力損失が少なく、濾過面の真空度が高くなり濾過性を
良好に保つことができる。
なお、本発明方法によって得られる洗浄濾液の燐酸濃度
は、濾過時の加温によるまたは真空濾過による水分の蒸
発によって失われる水量と、水、混水または薄酸の噴射
によって供給される水量かはゾ゛一致するため、従来の
洗浄濾液の濃度と同程度である。
は、濾過時の加温によるまたは真空濾過による水分の蒸
発によって失われる水量と、水、混水または薄酸の噴射
によって供給される水量かはゾ゛一致するため、従来の
洗浄濾液の濃度と同程度である。
第１図は高濃度燐酸製造の濾過・洗浄工程の模式図、第
２図は第１図中の半水石膏濾過機の拡大平面図、第３図
は第１図のセンターバルブより気液分離器に至る間のス
ケール生成状況を示す断面図である。 図中の１．３，５，７，１０．１２・・・・・・導管、
２・・・・・・半水石膏濾過機、４・・・・・・製品タ
ンク、６・・・センターバルブ、８・・・・・・気液分
離器、９・・・・・・濾液密閉タンク、１１・・・・・
・噴射装置、１２・・・・・・半水石膏濾過機の第１セ
クシヨン、１３・・・・・・半水石膏濾過機の第２セク
シヨン、１４・・・・・・半水石膏濾過機の第３セクシ
ヨン、をあられす。
２図は第１図中の半水石膏濾過機の拡大平面図、第３図
は第１図のセンターバルブより気液分離器に至る間のス
ケール生成状況を示す断面図である。 図中の１．３，５，７，１０．１２・・・・・・導管、
２・・・・・・半水石膏濾過機、４・・・・・・製品タ
ンク、６・・・センターバルブ、８・・・・・・気液分
離器、９・・・・・・濾液密閉タンク、１１・・・・・
・噴射装置、１２・・・・・・半水石膏濾過機の第１セ
クシヨン、１３・・・・・・半水石膏濾過機の第２セク
シヨン、１４・・・・・・半水石膏濾過機の第３セクシ
ヨン、をあられす。
Claims (1)
- １ 燐酸製造における石膏を含むスラリーの濾過・洗浄
工程において、濾液の温度を低下させないように該濾過
・洗浄装置のセンターバルブ、濾液導管および気液分離
器を加温するとともに珪弗化ソーダを主成分とするスケ
ール物質の析出付着を予防するため該濾過・洗浄装置の
センターバルブ内に水、温水または薄酸を噴射すること
を特徴とする燐酸・濾過洗浄装置のスケール生成防止法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3197375A JPS5946887B2 (ja) | 1975-03-17 | 1975-03-17 | 燐酸・濾過洗浄装置のスケ−ル生成防止法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3197375A JPS5946887B2 (ja) | 1975-03-17 | 1975-03-17 | 燐酸・濾過洗浄装置のスケ−ル生成防止法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51106698A JPS51106698A (en) | 1976-09-21 |
| JPS5946887B2 true JPS5946887B2 (ja) | 1984-11-15 |
Family
ID=12345880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3197375A Expired JPS5946887B2 (ja) | 1975-03-17 | 1975-03-17 | 燐酸・濾過洗浄装置のスケ−ル生成防止法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946887B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3059574A1 (fr) * | 2016-12-07 | 2018-06-08 | Ocp Sa | Systeme d'evacuation de phosphogypse |
-
1975
- 1975-03-17 JP JP3197375A patent/JPS5946887B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51106698A (en) | 1976-09-21 |
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