JPS5946748A - イオンシヤワ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置製造工程における微細なパターン
形成のためのエツチングに用いるイオンジャワ装置に関
するものである。

この種イオンジャワ装置は、プラズマを発生させてイオ
ン企生成するプラズマ室と、このプラズマ室の構成面の
一部に設けられ、プラズマ室からイオンを引出してジャ
ワ状イオンビームを形成するイオン引出し電極と、その
ジャワ状−ｒオンビームを試料表面に照射するようにし
た試料室とを有する。かかるイオンジャワ装置は、イオ
ンエツチング法、反応性イオンエツチング法として半導
体装置の製造工程に広く用いられている。

第１ｅは、＝れまで広く用いられているイオンジャワ装
置のｔｒＩ、’ｊ構成概略示すものである。かがる装置
は例えは「Ｉｏｎ　Ｍｉｌｌｉｎｇ　ｆｏｒ　Ｓｅｍ１
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒＰｒＯｄｕｃ目ｏｎ　Ｐ’ｒｏｃｅ
ｓｓｅｓ　Ｊ　（Ｌ、Ｄ、Ｂｏｌｌｉｎｇｅｒ；５ｏｌ
ｉｄＳｔａｔｅ　　’Ｉ’ｅｃｈｎｏｌｏｇＶ、Ｎｏ’
ｖ、、Ｐ、ＡＡへηθ（／り７７））に詳細１に示され
ている。あ／　［ｆｌ＋において、／はプラズマ室、２
は試ｆＩ室、３は熱電子陰極、夕は陽極、３はエツチン
グガスの導入口、６および７は、２枚構成の−ｒオン引
出し電極系、ｇは試料台、９は試料、１０はプラズマ、
／／はジャワ状イオンビーム、／、２はソレノイド磁石
、／３はマスクを示している。

イオン源が動作する時、エツチングガスがガス導入口３
を通ってプラズマ室／に供給され、このエツチングガス
は熱電子陰極３がら陽極グに加速された電子によってイ
オン化される。ここで、ソレノイド磁石／コによりイオ
ン化効率を高める。プラズマ１０の中のイオン化された
ごツチングガスは上部のイオンリ＋４１ｊＬ電極６と下
部のイオン引出し電極７との間に印加ぎれたｇ７圧によ
って試料−室一にす１出され、ジャワ状イオンビーム／
／として、マスク／、？を介して、試料台ｇの上の試料
りに衝突し、試料９を物理的または物理化学的にエツチ
ングする。マスク／３はジャワ状イオンビームと容易に
反応しないような材料から選択される。

この私装置のプラズマ室／がら試Ｆ：を室コへ１７１１
８されるイオン電流の電流密度（Ｊ）と、２枚のイオン
引出し電極６と７との間に印加されブこ電圧（Ｖ）との
関係はチャイルドの法則によって次式のように近似され
る。

Ｔ　ＯＣｙ　３／２．　ｉ　ま ただし、ｌは２枚の電極乙と７との間の粗部Ｃを示す。

第１図に示したイオンジャワ装置においては、一枚の電
極６および７の全体の直径は得ようとするジャワ状イオ
ンビームの直径と同等かもしくはこれ以上とし、通常は
り〜／θインチの大きさである。さらにこのように大き
い直径を有する２枚の電極乙と７との間隔ｌを全面にわ
たって一定とみなせるようにする刀：めに、かかる電極
のに４ｈａは１〜．？　ｍｒｎとしている。このため、
実用的なエツチング速度を得るための電流密度Ｊを得よ
うとすると、一枚の電％乙と７との間に印加する電圧■
を大きくする必要があった。

第１図に示すイオンジャワ装置に、導入ロタより弗化炭
素ガス（Ｃ２Ｆ６１　Ｃ４Ｆ８など）を導入して５ｉ０
２膜をエツチングした賜金、Ω枚の１ロおよび７に１ｏ
ｏｏ　ｖの電圧を印加した時５ｉ０２膜のエツチング速
度および５１０２膜のエツチング速度と３．のエツチン
グ速度との比は比較的大きい値が得られた。しかし、２
枚の電極乙と７との間に印加する電圧を夕ＯＯｖ以下に
すると、５ｉ０２膜のエツチング速度およびＳ　１０２
膜と（ｔｌＪ材判とのエツチング速度比が小さくなり、
実用的な値は得られなかった。このように高電圧により
イオンを引き出してエツチングすることはエツチング速
度およびエツチング速度比の点では有利であるが、高電
圧により引出されたイオンはエツチング表面の結晶性に
損傷を与えて欠陥層を形成するので、半導体装置として
の機能を劣下させる。従って、一枚の電極を有するイオ
ンジャワ装置には使用範囲が限定されるという欠点があ
った。

第一図は、このような欠点を補うために提案された上部
の引出し電極を省略した一枚電極によるイオンジャワ装
置のイオン源部分の構成概略を示すものである。これは
、例えば−「Ｌｏｗ　ＥｎｅｒｇｙＩｏｎ　Ｂｅａｍ　
ＥｔｃｈｉｎｇＪ　（Ｊ、Ｍ、Ｅ、Ｈａｒｐｅｒ　ｅｔ
　ａｌ；Ｊ。

Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、、　ｖｏｌ　、　１
２ｇ、　Ｎｏｏｋ、　Ｐ−／θ７７〜１０ｇ３（１９ｇ
／））にも詳細に示されている。図中の参照番号のうち
、第１図と同じ番号は同様の個所を示す。本例では上部
の引出し電極乙を省略する。／グはプラズマシース、／
！はシース界面である。本装置では、シース界面／３が
第１図における上側のイオン引出し電極乙に、またプラ
ズマシース／／Ｉの厚さが第１図における一枚の電極乙
と７との間隔ｌに相当する。プラズマシース／ｌＩの厚
さは引出し電極７に印加する電圧に依存するが、例えば
印加電圧ｌθθＶで０Ｊ〜θ。２門程度である。このた
め、チャイルドの法則によって低電圧でも大きな電流密
度が得られるという利点を有していた。

しかし、第一図に示したイオンジャワ装置では、引出し
電極７に電圧を印加するとそれによって生ずる電界はプ
ラズマ室／内全体に及び、プラズマを生成するための熱
電子陰極３および陽極りによる放電用電界を大幅に乱し
、プラズマ生成を安定に実現できない。さらにまた、バ
ージエンの法則によれば、引出し電極７とプラズマ室／
の壁面のある特定部分との間に火花（スパーク）放電が
生じるため、引出しＷＪ、Ｆｉ！７にｉｏｏ〜、２ｏｏ
　ｖ以上の高電圧を印加して安定にイオンビームを形成
することはできない。このため、第１図のような一枚電
極の場合に比較して、’　ｉｏθ〜ｓｏｏ　ｖ以下の電
圧で電流密度が増加したとしても、実用的なエツチング
速度および他の材料との良好な工゛ンチンク゛速度比は
得られない。

さらに加えて、本装置では、方向性の高し１ジヤワ状イ
オンビーム／／を形成するためにり１出し電極７のアパ
ーチャの大きさをプラズマシースの厚さくＯＪ〜Ｏ，ａ
能）と同程度にしている。このため、引出し電極７に微
細・高精度な加工を施すことが要求され、これが実用上
の障害となっていたＯさらに、このような微細なアパー
チャを構成するリムもアパーチャの大きさと同等かそれ
以下にするので、熱的な損傷を受けやすく、大電流を引
き出せないという欠点があった。

そこで、本発明の目的は、これらの欠点を除、去し、印
加電圧に制限されず、高電流のイオンが安定に得られる
イオンジャワ装置を提供することにある０ 本発明の他の目的は、半導体装置を構成する種々の材料
に対して、実用的なエツチング速度およびエツチング選
択性を、材料に物理的損傷を与えずに、実現してエツチ
ングを行うのに供することのできるイオンジャワ装置を
提供することにある。

かかる目的を達成するために、本発明イオンジャワ装置
は、プラズマを発生させてイオンを生成するプラズマ室
と、このプラズマ室の構成面の一部に設けられ、プラズ
マ室からイオンを引出してジャワ状イオンビームを形成
する１つのイオン引出しＩｌｉと、そのジャワ状イオン
ビームを試料表面に照射するようにした試料室と、プラ
ズマ室内においてイオン引出し電極の近くであり、しか
もイオン引出し電極上に生ずるプラズマシースの厚さよ
りも離れた位置に、プラズマが通過可能であり、しかも
イオン引出し電極によって発生する電界がプラズマ室の
他の領域にほとんど及ばない構成のシールド電極とを具
備する。

ここで、上述のプラズマは、熱電子陰極を用いた放電、
あるいはマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴によ
り発生させることができる。

上述のイオン引出し電極は炭素またはシリコンで形成す
るのが好適である。

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第３図は本発明の基本構成例であり、ここ゛Ｃ１第１図
または第２図と同様の部分には同一符号を付す。すなわ
ち、ｌはプラズマ室、λは試料室、７は７つのイオン引
出し電極、ｇは試料台、９は試料、１０はプラズマ、／
／はジャワ状イオンビーム、／グはプラズマシース、／
３はシース界面である。本発明では、プラズマ室／内に
おいて、イオン引出し電極りの近くであり、しかもこの
電極り上に生ずるプラズマシース／ｑのｊ７さよりも離
れたイ１１ｍ、ニ、プラズマ１０が通過可能であって、
しかもイ詞ンリ１出し電極７によって発生する電界がプ
ラズマ室／の他の領域にほとんど及ばない構成のシール
ド電極２ノをプラズマ室ｌと同電位に配設する。

このような構成のイオンジャワ装置を動作させるにあた
っては、プラズマ室／の中に生成されたプラズマ１０か
ら７枚のイオンぢ１出し電極７によってイオンが引き出
され、試料室−の中の試料台ｇの上の試料ワにジャワ状
イオンビーム／ｌが照射される。ここで、プラズマ１０
からイオンを引き出すにあたって、引出し電極７を接地
１４位とし、ブラズマ室／に正の電圧を印加するか、あ
るいはプラズマ室／を接地電位として引出し電極７に負
の電圧を印加する。このときプラズマシース／１１．と
、９−ス界面／３が形成され、シース界面／Ｓと引出し
電極りの両者によって２枚電極のイオンジャワ装置と同
じ原理でジャワ状イオンビーム／／を得ることができる
。

この場合、プラズマ室／と引出し電極りとの間に′電圧
を印加したことによって生ずる電界が、たとえプラズマ
１０が生成されていない場合でも、シールド電極２／お
よび引出し電極７の間の領域にのみ限定されて、プラズ
マ室／の他の部分には及ばないことが必要である。

更にまた、バージエンの法則によれば、平等電界ギャッ
プにおいて火花放電の起きる電圧（火花電圧）はガス種
、ガス圧力およびギャップ間隔により異なる。例えば、
Ａｒガス／　×１Ｏ−３Ｔｏｒｒ　、ギャップ間隔／θ
ＯＣｍにおける火花電圧は約λθＯＶである。火花放電
の生じるギャップ間隔および火花電圧はすでに電子やイ
オンが存在する場合やプラズマ中の発光による紫外線照
射、加熱により著しく小さくなって、火花放電を発生し
やすくなることが知られている。ここで、種々の形状の
イ目対する電極間隔は、等電位面に対して垂直の電気力
線の長さでほぼ規定できる。

以上の考察から、イオンジャワ装置においでは、プラズ
マ／θが引出し電極りの方向に自由に移動でき、かつ、
引出し電極７からシールド電極コ／に至る電気力線の長
さがバージエンの法則によるギャップ間隔よりも充分短
かくなるようにシールド１ｕ極コ／の格子の形状、寸法
およびシールド′ｆＫ　極、２／と引出し電極７との間
隔を定めることが重要である。

ここで、当然のことながら、引出し電極７のイオン引出
し特性に影響を与えないように、シールド１極コ／と引
出し電極７との間隔はプラズマシース／りの厚さより十
分大きいことが必要である。

第り図は本発明の一実施例におけるイオン源部の構成を
示す。このイオンジャワ装置では、熱ｔＵ子陰極により
プラズマを生成する。ここで、第１図および第３図と同
様の個所には同−参照番号をトｊす。すなわち、／はプ
ラズマ室、−は試料糸、３は熱電子陰極、夕は陽極、左
はガス導入口、クハ引出し電極、／２はソレノイド磁石
１．２／はシールド電極である。更に、〃は電極りと、
２／との間に設けた絶縁スペーサである。

かかるイメン源を動作させるにあたっては、−例として
、Ａｒガスをガスン〃入口５からプラズマ室ｌに導入し
て八〇×／θ−’　Ｔｏｒｒとし、熱電子陰極３にコ／
Ａの直流電流を供給し、陽極夕に／９Ｖの直流電圧を印
加してプラズマを生成した。このとき、ソレノイド磁石
／、２に八（１）Ａの直流電流を流してイオン化効率を
高めた０イオン引出し電極７は接地電位とし、絶縁スペ
ーサココを介して、プラズマ室ｌに直流′ｉＶＬ圧を印
加した。イオン引出し電極７は直径　ｙのモリブテン板
（Ｏ，！ｒｍｍ厚さ）となし、このモリブデン板には直
径３鮎のアパーチャをｌ闘間隔で格子状に形成しておい
た０シールド電極２／としては、ｒｂ、荏／ａｎのモリ
ブデン線により３賃羅角の正方格子を形成したものを用
い、イオン引出し電極７との間隔を２０　ｖ＋ｍとした
０また、シールド１ｕ極コ／はプラズマ室／と同電位に
なるようにした。

実験では、プラズマ室／に１ｏｏｏｖの電圧を印加して
もイオン源は正常に動作し、安定してジャワ状イオンビ
ームを杉威できた。また、左θθＶの電圧を印加した場
合、プラズマシースの厚さは約す匠ｒｍだった。このた
め、引出し電極に３朋のアパーチャを形成してもシース
界面と引／−（：Ｉｓ、　Ｌ電極７とは平行な二面を形
成し、方向性の高いジャワ状イオンビームを形成できた
。

８１￥Ｓ図は本発明の他の実施例におけるイオン源部の
構成を示す。このイオンジャワ装置では、マイクロ波に
よる電子ザイクロトロン共鳴ヲ用いてプラズマを生成す
る。ここで、第３図と同様の部分には同−符＠をイζ］
すことにする。Ｔなわち、／はプラズマ室、コは試料室
、Ｓはガス導入し１．７は引出し電極である。電子サイ
クロトロン共鳴を用いてプラズマを生成する構成として
は、例えば、特願昭界−６／グＯ？号に詳細に示された
装置を用いるものとし、ここで、／λはソレノイド磁石
１．！３は高透磁率材料、評は絶縁スペーサ、コＳおよ
び、２６け絶縁体、ｕ７はマイクロ波導入窓１．！ｇは
矩形導波管１．２９はマイクロ波結合窓、３θはマイク
ロ波反射板を兼ねたシールド電極、３／は冷却水の給水
口、３．２は排水口である。

かかるイオン源を動作させるにあたっては、−例として
、０２Ｆ６ガスをガス導入口Ｓからプラズマ室／に導入
し、ｌ×１０ＴＯｒｒのガス圧とし、周波数４゜／Ｉ左
ＧＨ７，＋パワーコθＯＷのマイクロ波を矩形導波管３
ｇ１マイクロ波導入窓、２７およびマイクロ波結合窓、
２９を介してプラズマ室ｌに導入し、それと同時にプラ
ズマ室ｌの内部において少なくとも一部で電子ヴイクロ
トロン共鳴条件を満たすｇ７左Ｇａｕｓｓの磁界をソレ
ノイド磁石により与えた。また、プラズマが発生しプラ
ズマ室ｌが加熱されることを防ぐために給水口３／およ
び排水口３２の間に冷却水を流した。ソレノイド磁石／
コの上部と外周を取り囲んで高透磁率材料ユ３を配置し
て、プラズマ室ｌの中に引出し電極りの方向に弱くなる
発散磁界を形成して、プラズマ室／の中のイオンが引出
し電極７の方向に移動し易くする。また、プラズマ室ｌ
はマイクロ波電力をプラズマに効率良く吸収させるため
にマイクロ波空胴共振器の条件を満たすように、例えば
、内のり寸法で高さ、２０θｆｆ１ｌＩｌｓ直径／７０
話（’ＴＥ４１３）とした。マイクロ波反射板を兼ねた
シールド電極３θによって、マイクロ波を反射しマイク
ロ波空胴共Ｓ器の高さを決めるとともに、プラズマ室／
の終焔に絶縁スペーサ一りを介して配置された引出し電
極りによる電界がプラズマ室／の内部に及ぶのを防止す
る。マイクロ波反射板を兼ねたシールド電極３０は、例
えば、周期〃朋、太さ２市角の正方格子ステンレス板と
し、イオン引斗宛極７は厚さＯ，Ｓ門で直径／ｇＯＴｌ
ｒｎのステンレス板であり、このステンレス板の全面に
直径、２１Ｒ１１１周期コ。ｔ　ｘｉのアパーチャをあ
けたものとした。また、マイクロ波反射板を兼ねたシー
ルド電極３０と引出し電極７との間隔は例えば３０　ｒ
ａｍとし、引出し電極りを接地電位にし、プラズマ室／
に直流電圧を印加した。

第Ａ図は第左図に示したイオンジャワ装置によるイオン
電流特性の実験結果を示している。マイクロ波反射板を
兼ねたシールド電極３０は安定なプラズマ生成や火花放
電防止に有効であり、１０００Ｖの電圧を印加しても安
定してジャワ状イオンビームが形成された。イオン電流
密度は、印加電Ｈ】の増加にともなって、はぼ直線的に
増加し、印加電圧ｔｉｏｏ　ｖにおいて１ｒｎＡ／Ｃ請
、１０θθＶにおいてＪ　ｍＡ　／ｒ、Ａが安定して得
られた。引出し電極７は剛性高く構成されているため、
このように大きい電流密度でイオンを引き出しても、引
出しＮ極りがイオン衝撃による加熱で変形すうことはな
かった。

第７図は本発明における５ｉ０２選択エツチングの実験
例であって、第Ｓ図に示したイオンジャワ装置による各
種材料のエツチング速度の測定結果を示すものである。

エツチング速度を抑制したいＳｌのエツチング速度の印
加電圧依存性は非常に小さく、印加電圧／θｏｏ　ｖで
も約／３０　（Ａ／ｍ＋ｎであった。これに対して、５
１０２膜のエツチング速度は印加電圧の増加が大きく寄
与する。エツチング速度はグθθ■で１０００　Ａ／ｍ
ｉｎ　、　１０００　Ｖで、２７θＡ／ｍｉｎときわめ
て能率のよい値を示した。エツチングの選択性を示す５
ｉ０２膜のエツチング速度とｓｌのエツチング速度の比
は印加電圧１００　Ｖで約３であったが、ｙｏｏ　ｖで
７０．１０００　Ｖで／ざと非常ニ大きくなった。５ｉ
０２膜のエツチングマスクとして用いるＰＭＭＡ　（ポ
リメチルメタクリレート）レジストのエツチング速度は
Ｊ□ｚ　膜とＳｉの特性の中間的な特性を示した。印加
電圧りＯＯＶでは５ＩＯ２膜とのエツチング速度比は約
−と実用的な値であった。

本発明の実施例においては、７枚で構成する引出し電極
材料として、炭素またはシリコンを使うことがエツチン
グすべき試料の金属汚染防止に有効である。これは、引
出し電極りに入射したイオンがこの電極りをスパッタし
、これが試料表面についたとしても同系の材料からなる
半導体装置においては表面の汚染につながらないからで
あり、これら材料はエツチングすべき試料の金属汚染防
止のために非常に有効である。これらの材料は耐熱性は
高いが、脆弱であるため、薄板で、しがも微細なアパー
チャを形成する必要のあった従来のイオンジャワ装置に
は使用できず、本発明によってはじめて容易に使用でき
るようになった。

以上説明したように、本発明によれば、プラズマ室に生
成されたイオンを７枚のイオン引出し電極で加速して試
料室に引き出すイオンジャワ装置において、パージエン
の法則で規定される距離よりも充分小さく、かつ７枚の
イオン引出し電極上に生じるプラズマシースの厚さより
も充分大きい距離でかかるイオン引出し電極のプラズマ
室側にシールド電極を配設することにより、１枚のイオ
ン引出し電極に印加する電圧を高範囲に設定でき、しか
もまた安定に大きな電流密度が得られる。このため、本
発明イオンジャワ装置を半導体装置の製造に適用した場
合、基板に与える物理的損傷の許される範囲において自
由にイオンエネルギーを選択することができる。しかも
、本発明イオンジャワ装置は、半導体装置製造の分野だ
けでなく、従来この種装置によっては処理速度が遅く、
化学液等による処理に頼らざるを得なかった他の分野、
研摩、表面改質などに対しても実用的な処理速度をもっ
て適用できるなどの利点がある。

なお、本発明は、イオン化のためのプラズマ生成にあた
って高周波放電など他の方法を用いるイオンジャワ装置
にも適用できることは明らかである。更にまた、本発明
はエツチングのためだけでなく、イオンビーム付着によ
る膜形成を目的としたイオンビーム装置としても適用で
きること明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１１ズは従来の２枚電極からなるイオンジャワ装置の
構成の概略を示す線図、第一図は従来の単枚電極からな
るイオンジャワ装置のイ剖ン源の構成の概略を示す８図
、第３図は本発明イオンジャワ装置の基本構成の概略を
示す線図、第グ図は本発明の一実施例として熱電子陰極
を用いたイオンジャワ装置の構成の概略を示す線図、第
Ｓ図は本発明の他の実施例としてマイクロ波によるｉ１
χ子サイクロトロン共鳴放電を用いたイオンジャワＹ　
ｆｉＴの構成、の概略を示す断面図、第６図は本発明イ
オンジャワ装置におけるイオン電流特性の実験結果を示
す特性曲線図、第７図は本発明イオンジャワ装置のエツ
ヂング特性の実験結果を示寸特性曲線図である。 ／・・・プラズマ室、 λ・・・試料室、 ３・・・熱電子陰極、 ｑ・・・（髄ｆｉ′１１、 夕・・・ガス導入口、 乙・・・上部イオン引出し電極− ７・・・下部イオン引出し電極１ ざ・・・試料台、 ？・・・試料、 ／θ・・・プラズマ、 ／／・・・ジャワ状イオンビーム、 ／λ・・・ソレノイドｍ石、 特 ／３・・・マスク、 ／り・・・プラズマシース、　　　　　　伏／り・・・
シース界面１ ．２）・・・シールド電極１ ．２ユ・・・絶縁スペーサ２ ．２３・・・高透磁率材料１ ．２グ・・・絶縁スペーサ、 Ｊ、ム・・・絶縁体１ ．２７・・・マイクロ波導入窓、 −ｇ・・・矩形導波管、 ２り・・・マイクロ波結合窓、 ３θ・・・マイクロ波反射板を兼ねた シールド電極、 ３／・・・冷却水の給水口、 Ｊ２・・・排水口。 許出願人　　日本電信電話公社 １理。 ガス 羽ト詐 第２図 第５図 第６図 ０　　　　　２００　　　４００　　　６００　　　８
００　　　　＋０００印加電圧〔■〕

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ／）プラズマを発生させてイオンを生成するプラズマ室
   と、該プラズマ室の描成面の一部に設けられ、前記プラ
   ズマ室からイオンをり［出してジャワ状イオンビームを
   形成する７つのイオンク１出し電極と、前記ジャワ状イ
   オンビームを試料表面に照射するようにした試料室と、
   前記プラズマ室内において前記イオン引出し電極の近く
   であり、しかも前記イオン引出し箪極上に生ずるプラズ
   マシースのＩ’Ｘさよりも離れた位置に、前記プラズマ
   が通過可能であり、しかも前ＨＣ１イオン引出し電極に
   よって発生する電界が前記プラズマ室の他の領域にほと
   んど及ばない構成のシールド電極とを具備したことを特
   徴とするイオンジャワ装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載のイオンジャワ装置にお
   いて、前記プラズマ室において熱電子陰極を用いた放電
   により前記プラズマを発４三させるようにしたことを特
   徴とするイ号ンシーＶ゛ワ装置０ ３）特許請求の範囲第１項記載のイオンシャ１７装雷に
   おいて、前記プラズマ室において、マイクロ波による電
   子サイクロトロン共＠１．こより前記プラズマを発生さ
   せるようにしたことを特徴とするイオンジャワ装置。 ＜ｚ）　　特許請求の範囲第１項記載のイオンジャワ防
   雪において、前記イオン引出し電極を炊米またはシリコ
   ンで形成したことを特徴とするイオユ・ジャワ装置。