JPS5945951U - 半導体レ−ザの駆動回路 - Google Patents

半導体レ−ザの駆動回路

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JPS5945951U
JPS5945951U JP14174782U JP14174782U JPS5945951U JP S5945951 U JPS5945951 U JP S5945951U JP 14174782 U JP14174782 U JP 14174782U JP 14174782 U JP14174782 U JP 14174782U JP S5945951 U JPS5945951 U JP S5945951U
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JP
Japan
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semiconductor laser
drive circuit
laser drive
protection circuit
transistor
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Pending
Application number
JP14174782U
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English (en)
Inventor
一郎 森下
Original Assignee
アルプス電気株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は半導体レーザを用いたピックアップの基本構成
を示す構成図、第２図は従来の半導体レーザの駆動回路
の実施例を示す回路図、第３図は本考案による半導体レ
ーザの駆動回路の実施例を示す回路図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・フォトダイオード、３
・・・コリメータレンズ、４・・・偏光ビームスプリッ
タ、５・・・１７４波長板、６・・・対物レンズ、７・
・・ディスク、８・・・集光レンズ、９・・・シリンド
リカルレンズ、１３・・・定電圧ダイオード、１４・・
・可変抵抗器、１６・・・演算増幅器、１Ｂ、　２２．
２Ｂ、　３０゜３３．３４・・・抵抗、２１・・・複合
トランジスタ、２７・・・第１の保護回路、２９・・・
トランジスタ、３１・・・第２の保護回路、３２・・・
温度検出素子。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 過電流により開閉するトランジスタから構成された第１
    の保護回路と、温度検出素子から構成され半導体レーザ
    の温度を検出して基準電位を設定する第２の保護回路と
    を備えたことを特徴とする半導体レーザの駆動回路。
JP14174782U 1982-09-18 1982-09-18 半導体レ−ザの駆動回路 Pending JPS5945951U (ja)

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JP14174782U JPS5945951U (ja) 1982-09-18 1982-09-18 半導体レ−ザの駆動回路

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JPS5945951U true JPS5945951U (ja) 1984-03-27

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ID=30316937

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