JPS5944822A - ウエ−ハを傾斜支承する拡散治具 - Google Patents

ウエ−ハを傾斜支承する拡散治具

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JPS5944822A
JPS5944822A JP15478082A JP15478082A JPS5944822A JP S5944822 A JPS5944822 A JP S5944822A JP 15478082 A JP15478082 A JP 15478082A JP 15478082 A JP15478082 A JP 15478082A JP S5944822 A JPS5944822 A JP S5944822A
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JP
Japan
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wafer
support
wafers
wafer support
slant
Prior art date
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Pending
Application number
JP15478082A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinji Sekiya
臣二 関家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TEKUNISUKO KK
Original Assignee
TEKUNISUKO KK
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Filing date
Publication date
Application filed by TEKUNISUKO KK filed Critical TEKUNISUKO KK
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Priority to EP83107498A priority patent/EP0100539A3/en
Priority to KR1019830003575A priority patent/KR920001025B1/ko
Publication of JPS5944822A publication Critical patent/JPS5944822A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はシリコンウェーハ等の半導体物質に不純物を拡
散させる加エエ稈に使用する拡散治具に関し、特に厚さ
の異なったウェーハの何れにも合うようにウェーハを傾
斜させて支承するようにした拡散治具に係る。
一般に拡散工程では、不純物金属を高温炉中においてガ
ス化させて炉内で半尋体ウェーハ中(−拡散させること
によって接合を作るものであり、治具の素材として石英
ガラスやシリコン等が知られており、その形状としては
第1図及び第2図に示すように、同情式と組立式とがあ
り、また滴宜支承体1とそれ(−横架したウェーハ支持
体2.2・・・・・・ とから構成され、それら何れの
ウェーハ支持体2.2・・・・・・にもその長手方向に
用1則的に並列したウェーハ支承溝3.3 ・・・が適
数個形成されており、かつウェーハ支持体2.2・・・
・・・は水平に支承されている。
しかしてウェーハ支持体2.2・・・・は上方に2個が
並列し、その中央でかつ下方に他の1個が1−下に並列
されていて、いわゆる三点支持の形で各ウェーハ支祇溝
3.3.3・・・・・・に円形のウェーハPを委直状(
=嵌挿して支承している。
前記ウェーへの直径は例えば3インチ、4インチ等の各
々異なった直径のものがあり、それら径の異なる缶に適
宜の厚さ、例えば0.5ミ’J、0、8 ミ!I等の厚
さが適宜選択されて製作されているので、前記ウェーハ
支承溝3.3・・・・・・もそれらの各サイズに合わせ
て各々個別の溝幅に形成されている。従って例えば溝幅
0.8ミ!Iのウェーハ支承溝に厚さ0.3ミリのウェ
ーハを支承させるとウェーハはぐらついて安定性が悪く
、炉内へ入れる過程、炉から取り出して検品位置までに
運吊する過程などでウェーハを落下或いは揺動による損
傷等を起生じやすいし、ウェーハの各サイズに合わせて
ウェーハ支承溝の各サイズを取り揃えることも費用の点
で大変なものである。
特にウェーハは一枚何十万円もする高価なものもあり、
1つの拡散治具に50枚とか70枚とか多数をセットし
ていて、ウェーハ支承溝の幅が広いものに厚さの薄いウ
ェーハを支承させていて、ちょっとしたはずみでウェー
ハをぐら大きな損害を起生ずることになる。
本願発明はそういう難点を解消したものであり、ウェー
ハの厚さが厚くても薄くても支=ikできる拡散治具を
提供することを目的としており、その構成は複数個のウ
ェーハ支持体と、これを並行状(二゛溝架支承する趨宜
支承休とで一体に構成される拡散治具において、各ウェ
ーハ支持体には長手方向に規則的に並列してウェーハの
、一定クラスにおける壺大級厚さに適する幅を有する複
数個のウェーハ支承溝を形成すると共(二、各ウェーハ
支持体はその長手方向において一方に傾斜するよう構成
し、前記ウェーハ支承溝にその溝幅より薄いウェーハを
支承するにつき、該ウェーハ広面方向へ傾斜状に支承す
るよう構成して成ることを特徴としている。
本発明は上述のように構成したので、例えばウェーハ支
承溝の幅を0.8ミ!7メートルに形成しておけば、ウ
ェーハの厚さが02〜0.8ミリメートルの間のものす
べてをウェーハ支持体の低い方に傾斜させて安定した支
承をさせることができるものである。
以下本願発明の実施例を図について説明する。
狛′33図は本111・II発明拡散治具の斜視図、第
4図は側面図である。
本1〜(6発明に係る拡1tk治興は支承体4.4′に
ウェーハ支持体5.5.5を1黄架して体に構成し、該
ウェーハ支持体5.5.5はその長手方向において一方
に傾斜させである。
前記支承体4.4′は略方形板状に形成し、その二個を
直立させて並列し、各対向広面には両側端部に各−個の
ウェーハ支持体嵌合部6・・・・・・、6′・・・・を
@通形成し、その画成合部の中央で下方に位置して他の
ウェーハ支持体嵌合部6.6を各−個Ni通形成しであ
る。しかして、図中左方の支承体4の三個のウェーハ支
持体嵌合部6・・・・・・・・・は全般に低目位置(−
形成し、図中右方の支承体4′の三個のウェーハ支持体
嵌合部6′・・・・・・は前記図中左方のウェーハ支持
体嵌合部6.6.6の同配置であるが高目位置に形成し
である。
前記ウェーハ支持体5.5.5は略角柱状で、その横置
時の上面にウェーハ支承溝7.7・・・・・を刻設しで
ある。該ウェーハ支承溝7.7・・・・・は支持体の長
手方向に規則的に並列形成し、切nりはV字状もしくは
略Y字形に切刻している。
しかして略Y字形切溝の下部切溝幅は幅広に刻設してい
る。
PiQ記2個の支承体4.4′をその広面を対向させ゛
C並列し、その中間にウェーハ支持体5.5.5を配し
、その両端部を各々対向する支承体4.4′のウェーハ
支持体嵌合部6・・・6′・・・・・・に1代挿し、そ
の嵌合部ど支持体先端部との間隙に固定部材としての楔
8.8.・・・・・・を置台させて一体に固定する。こ
のt!h合、前述した略Y字形のウェーハ支承溝を形成
したウェーハ支持体は下方だけに一木を用いる場合と、
二本を−L両側に用いる場合とがある。
第4図は組立て完了時の正向を示し、ウェーハ支持体5
.5、は図中左方が低く傾斜している。また下方に略Y
字形切溝のウェーハ支承溝を形成したウェーハ支持体を
配し、かつその支if< 、1.lνの幅は広く形成し
である。
従って、この支承7mの幅より薄いウェーハPを嵌挿さ
せると第4図(=示すように、ウェーハPはその広面方
向でかつウェーハ支持体5の傾斜している方向(図中左
方)に側糸′1して支承される。従来のウェーハ支持体
はすべて水平状に支承されているから、ウェーハの厚さ
よりもつニー八支承溝の切溝幅が幅広であると、ウェー
ハはその両店面方向に不安定に揺動するが、本発明にあ
ってはウェーハ支承溝の溝幅が広くてもウェーハ支持体
を傾斜させて支承体に支承させたためにウェーハは初め
から傾斜して支承され、その下端部が支承溝壁面で係止
されて安定が保たれる。
そのため、ウェーハ支承溝の切溝幅を或程度広くしてお
いてもy専いウェーハがぐらつくということがないため
、本拡散治具は一基で数種の異った厚さのウェーハ支承
に利用することができる効果がある。
なお、本発明は上記実施例に示す構成に限定されるもの
ではなく、溶接代のもの(二も当然に実施できる。
また、第5図に示すように支承体9のウェーハ支持体嵌
合部10.10.10は」−下に太きく形成しておき、
該嵌合部10・・・・・・の下部に高さ調顛座台11.
11・・・・・・を嵌着できるようにして、ウェーハ支
持体12、・・・・・・を水平状にも傾斜状にもするこ
とができるようにすることもできる。
第6図は他の実施例を示し、一方の支承体1:3の下端
部に高さ調節用座台14を装若してウェーハ支持体15
を傾斜さぜるようにしである。
該座台14は直方体の上面に支承体13の面会する置台
溝14aを形成して嵌合させる形状でもよいし、また、
支承体13の下面(:ネジ孔を螺刻して座台ネジを螺合
させるよう4・1−1成してもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は従来の拡散冶具斜視図、第3図以下は
本願発明に係り、第3図は斜視図、’64図は正面図、
第5図は他の実施例を示す側面図、第6図はその実施例
を示す要部正面図。 4.4′ ・・・・支承体  5・・・・・・ ウェー
ハ支持体6.6′ ・ ウェーハ支持体嵌合部 7 ・・・・・ ウェーハ支承溝 8 ・・・ 固定部材 P ・・・・・・ ウェーハ 10  ・・・・・ ウェーハ支持体嵌合部11  ・
・・・・・座台 12  ・・・・・・ ウェーハ支持体13  ・・・
・・・ 支承体 14  ・・・・・・座台 15  ・・・・・・ウェーハ支持体 特許出願人  株式会社 テクニスコ −9?

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数個のウェーハ支持体と、これを並行状(=横架支承
    する滴宜支承体とで一体に構成される拡散治具において
    、各ウェーハ支持体には長平方向に規則的に並列してウ
    ェーハのそのクラスにおける最大級厚さに適する幅を有
    する複数個のウェーハ支承?Mを形成すると共に、各ウ
    ェーハ支持体はその長手方向において一方に傾斜するよ
    う構成し、前記ウェーハ支承溝にその溝幅より薄いウェ
    ーハを支承する(二つき、該ウェーハを一広面側へ傾斜
    させて支承するよう構成して成ることを特徴とするウェ
    ーハを傾斜支承する拡散治鴎。
JP15478082A 1982-07-30 1982-09-06 ウエ−ハを傾斜支承する拡散治具 Pending JPS5944822A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15478082A JPS5944822A (ja) 1982-09-06 1982-09-06 ウエ−ハを傾斜支承する拡散治具
EP83107498A EP0100539A3 (en) 1982-07-30 1983-07-29 Assembled device for supporting semiconductor wafers or the like
KR1019830003575A KR920001025B1 (ko) 1982-07-30 1983-07-30 반도체 웨이퍼 지지용 조립장치

Applications Claiming Priority (1)

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JP15478082A JPS5944822A (ja) 1982-09-06 1982-09-06 ウエ−ハを傾斜支承する拡散治具

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JPS5944822A true JPS5944822A (ja) 1984-03-13

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ID=15591731

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JP15478082A Pending JPS5944822A (ja) 1982-07-30 1982-09-06 ウエ−ハを傾斜支承する拡散治具

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52131454A (en) * 1976-04-28 1977-11-04 Hitachi Ltd Thermal treating method of wafer
JPS5540539B1 (ja) * 1970-03-10 1980-10-18

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5540539B1 (ja) * 1970-03-10 1980-10-18
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