JPS5943372A - Apparatus for diagnosis of element obstacle of thyristor valve - Google Patents

Apparatus for diagnosis of element obstacle of thyristor valve

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JPS5943372A
JPS5943372A JP15348082A JP15348082A JPS5943372A JP S5943372 A JPS5943372 A JP S5943372A JP 15348082 A JP15348082 A JP 15348082A JP 15348082 A JP15348082 A JP 15348082A JP S5943372 A JPS5943372 A JP S5943372A
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JP
Japan
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thyristor
circuit
voltage detection
valve
thyristor valve
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JP15348082A
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Japanese (ja)
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Hidetoshi Ino
伊野 秀俊
Tadashi Takahashi
忠 高橋
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/263Circuits therefor for testing thyristors

Abstract

PURPOSE:To enhance space efficiency and economical effect, in a high voltage thyristor converter constituted by stacking thyristor valves in a plurality of stages, by performing the diagnosis of an element obstacle by a reduced number of microcomputers. CONSTITUTION:The voltage detecting sigansl au1-auN of thyristor valves U1 can be taken in a time sharing manner by a microcomputer MC and, after one or more logical data of voltage detection are taken in at every each value to be stored in an RAM circuit 22, the obstacle discrimination program preliminarily stored in an ROM circuit 24 is practiced to perform the discrimination of the element obstacles of the valves U1, X1. When the obstacle of a thyristor element is discovered, obstacle data such as an obstacle signal, the number of obstacles or the like are sent out as an output signal C from an I/O circuit 23. By this mechanism, the diagnosis of the element obstacle can be performed by a reduced number of the microcomputers and the enhancement in space efficiency and economical effect can be achieved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はサイリスタバルブの素子故障診断装置に係り、
特に高電圧サイリスタ変換器の全てのサイリスタ素子の
状態をマイクロコンピュータ等を用いて監視し、論理判
断に基いてサイリスタ素子の故障診断を行うに好適な素
子故障診断装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an element failure diagnosis device for a thyristor valve.
In particular, the present invention relates to an element failure diagnosis apparatus suitable for monitoring the states of all thyristor elements of a high voltage thyristor converter using a microcomputer or the like and diagnosing failures of the thyristor elements based on logical judgment.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

直流送電、周波数変換等の高電圧サイリスタバルブには
直列または直並列に接続された多数のサイリスタ素子が
使用されている。一方、サイリスタ素子はそれ自体また
はゲート回路管の故障により、破損に至る可能性がある
ため、一般には所定の数のサイリスタ素子をマージンと
して直列に接続している。従って、サイリスタ素子が故
障して故障素子数がこのマージンサイリスタの数に達し
た場合は、サイリスタバルブを運転不能として停止し、
故障サイリスタ素子を交換する必要がある。
A large number of thyristor elements connected in series or series-parallel are used in high-voltage thyristor valves for DC power transmission, frequency conversion, etc. On the other hand, since thyristor elements may be damaged due to failure of themselves or the gate circuit tube, a predetermined number of thyristor elements are generally connected in series with a margin. Therefore, if a thyristor element fails and the number of failed elements reaches this number of margin thyristors, the thyristor valve is deemed inoperable and stopped.
It is necessary to replace the faulty thyristor element.

この様な保守を行うためには、サイリスタ素子の故障を
監視し、故障素子数を常時知る事が重要となって来る。
In order to carry out such maintenance, it is important to monitor failures of thyristor elements and to know the number of failure elements at all times.

かかる要求に対して、近年サイリスタ素子の故障の監視
にマイクロコンピュータを応用したサイリスタ素子の故
障診断装置が利用される様になって来ている。第1図は
周知の素子故障診断装置のブロック図で、複数個の各サ
イリスタ素子S1〜SNにはコンデンサ、抵抗等から成
る分圧回路2が並列接続され、名サイリスタ素子S1〜
SNの順方向印加電圧を検出するための発光素子11と
電流制限用抵抗12の直列回路も併せて並列接続される
In response to such demands, in recent years, thyristor element failure diagnosis apparatuses that apply microcomputers to monitor thyristor element failures have come into use. FIG. 1 is a block diagram of a well-known device failure diagnosis device, in which a voltage divider circuit 2 consisting of capacitors, resistors, etc. is connected in parallel to each of a plurality of thyristor elements S1 to SN.
A series circuit of a light emitting element 11 and a current limiting resistor 12 for detecting the forward applied voltage of SN is also connected in parallel.

一方、発光素子11には逆電圧防止用のダイオード13
が並列に接続される。各発電素子11は通電により光を
発生するが、この光信号はライトガイド14を通じて故
障診断部15内に導入され、光電変換回路16で電気信
号a1〜aNに変換される。この電気信号a1〜aNは
各サイリスタ素子S1〜SNに電圧が印加された場合に
対応して出力される電圧検出信号となる。各電圧検出信
号a1〜aNはオア回路17並びにラッチ回路21に入
力される。ラッチ回路21は電圧検出信号a1〜aNを
データとして保持するが、このデータはCPU(中央処
理装置)25を介してRAM(ランダムアクセスメモリ
)回路22に格納される。■/O(入力/出力)回路2
3はCPU25と外部の間でインターフェースを行なう
作用を有し、一方ROM(リードオンメモリ)回路24
はデータの読み込みや素子故障判別の為のプログラムを
内蔵する。なお、ラッチ回路21、CPU25、RAM
回路22、ROM回路24、I/O回路23は併せてマ
イクロコンピュータ部MCを構成する。ところで、オア
回路17の出力信号bはI/O回路23に与えられるが
、これはラッチ回路21にデータ読み込みを指示する信
号として作用する。また、I/O回路23からは、素子
故障信号、素子故障数、故障素子番号等が出力信号cと
して出力されることとなる。
On the other hand, the light emitting element 11 is equipped with a diode 13 for preventing reverse voltage.
are connected in parallel. Each power generating element 11 generates light when energized, and this optical signal is introduced into the failure diagnosis section 15 through the light guide 14 and converted into electrical signals a1 to aN by the photoelectric conversion circuit 16. The electrical signals a1 to aN become voltage detection signals output in response to voltage being applied to each of the thyristor elements S1 to SN. Each voltage detection signal a1 to aN is input to an OR circuit 17 and a latch circuit 21. The latch circuit 21 holds the voltage detection signals a1 to aN as data, and this data is stored in the RAM (random access memory) circuit 22 via the CPU (central processing unit) 25. ■/O (input/output) circuit 2
3 has the function of interfacing between the CPU 25 and the outside, while a ROM (read-on memory) circuit 24
has built-in programs for reading data and determining element failure. In addition, the latch circuit 21, CPU 25, RAM
The circuit 22, ROM circuit 24, and I/O circuit 23 together constitute a microcomputer section MC. By the way, the output signal b of the OR circuit 17 is given to the I/O circuit 23, which acts as a signal instructing the latch circuit 21 to read data. Further, the I/O circuit 23 outputs an element failure signal, the number of element failures, a failure element number, etc. as an output signal c.

かかる構成に於いて、サイリスタバルブに順方向電圧が
印加されている時、サイリスタ素子S1が正常であれば
発光素子11が光信号を発生するので、電圧検出信号a
1は順電圧期間中、出力“1”を発生する。これに対し
て、例えばサイリスタ素子SNが故障している場合、発
光素子11は光信号を発生しないので、電圧検出信号a
Nは出力“0”を発生しないことになる。また、サイリ
スタ素子S1〜SNのうち、正常なサイリスタ素子によ
り、電圧検出信号a1〜aNのうちいずれかが出力“1
”を発生するが、この出力はオア回路17の出力信号b
を“1”にする。マイクロコンピュータ部MCはこの出
力信号bをI/O回路23を介して判別し、ラッチ回路
21に対するデータ読み込み信号を発生する。ランチ回
路21はデータ読み込み信号が発生した時点の各電圧検
出信号a1〜aNを電圧検出論理データとして記憶する
。この場合、電圧検出信号a1〜aNが“0”ならデー
タ“0”として、“1”ならデータ“1”として配信さ
れることとなる。
In this configuration, when a forward voltage is applied to the thyristor bulb, if the thyristor element S1 is normal, the light emitting element 11 generates an optical signal, so the voltage detection signal a
1 produces an output "1" during the forward voltage period. On the other hand, if the thyristor element SN is out of order, for example, the light emitting element 11 does not generate an optical signal, so the voltage detection signal a
N will not generate an output "0". Further, among the thyristor elements S1 to SN, one of the voltage detection signals a1 to aN is output "1" by a normal thyristor element.
”, but this output is the output signal b of the OR circuit 17.
Set to “1”. The microcomputer section MC discriminates this output signal b via the I/O circuit 23 and generates a data read signal for the latch circuit 21. The launch circuit 21 stores each of the voltage detection signals a1 to aN at the time when the data read signal is generated as voltage detection logic data. In this case, if the voltage detection signals a1 to aN are "0", the data will be delivered as "0", and if they are "1", the data will be delivered as the data "1".

この様にして、ラッチ回路21に記憶された電圧検出論
理データはプログラム制御によってRAM回路22に格
納され、しかる後にROM回路24の故障判別プログラ
ムにより素子故障の診断が行なわれることとなる。故障
診断の結果、例えば素子故障が発見された場合、素子故
障信号、素子故障数、故障サイリスタ番号等がI/O回
路23から出力信号cとして出力されることとなる。
In this way, the voltage detection logic data stored in the latch circuit 21 is stored in the RAM circuit 22 under program control, and then the failure determination program in the ROM circuit 24 diagnoses an element failure. If, for example, an element failure is discovered as a result of the failure diagnosis, an element failure signal, the number of element failures, a failure thyristor number, etc. will be output from the I/O circuit 23 as an output signal c.

以上述べた如く、第1図の構成によれば、サイリスタ素
子が多数あるにもかかわらず、短時間でサイリスタバル
ブ内の全サイリスタ素子の故障診断を行うことが可能で
ある。
As described above, according to the configuration shown in FIG. 1, even though there are a large number of thyristor elements, it is possible to diagnose the failure of all the thyristor elements in the thyristor valve in a short time.

〔背景技術の問題点〕 ところで、第2図(a)に示す如く、サイリスタバルブ
U1、V1、W1、X1、Y1、Z1がブリッジ接続さ
れている場合、サイリスタバルプU1、V1、W1、X
1、Y1、Z1を多段積み構成とするのが一般的である
。例えば、第2図(b)に示す如く、サイリスタバルブ
U1、X1、サイリスタバルブV1、Y1、サイリスタ
バルブW1、Z1の各々を2段積み構成として配置する
。この様な場合、各バルブに対応する素子故障診断部1
5−U1、15−X1、15−V1、15−Y1、15
−W1、15−Z1が設けられるが、各素子故障診断部
15−U1〜15−Z1は2段積みバルブの下部近傍に
2個ずつ配置する必要があるため、バルブ下部近傍に大
きなスペースを要する。ちなみに、各バルブU1〜Z1
からは、ライトガイド14によって光信号が導出される
が、これらは例えば第2図(c)に示す如く、それぞれ
対応する素子故障診断部15−U1〜15−Z1に連結
される。また、素子故障診断部15−U1〜15Z1は
サイリスタバルブU1〜Z1の数に見合った台数準備す
る必要があり、コストが高くなり経済的でない。また、
故障診断に要する時間は短時間のため、マイクロコンピ
ュ−タMCの待ち時間が長くなってしまい、効率的な運
用の妨げとなっていた。
[Problems in the Background Art] By the way, as shown in FIG. 2(a), when the thyristor valves U1, V1, W1, X1, Y1, and Z1 are bridge-connected,
1, Y1, and Z1 are generally stacked in multiple stages. For example, as shown in FIG. 2(b), thyristor valves U1 and X1, thyristor valves V1 and Y1, and thyristor valves W1 and Z1 are each arranged in a two-tiered configuration. In such a case, the element failure diagnosis section 1 corresponding to each valve
5-U1, 15-X1, 15-V1, 15-Y1, 15
-W1 and 15-Z1 are provided, but two of each element failure diagnosis section 15-U1 to 15-Z1 must be placed near the bottom of the two-stage valve, so a large space is required near the bottom of the valve. . By the way, each valve U1~Z1
From there, optical signals are derived by the light guide 14, and these are connected to corresponding element failure diagnosis units 15-U1 to 15-Z1, respectively, as shown in FIG. 2(c), for example. Further, it is necessary to prepare the element failure diagnosis sections 15-U1 to 15Z1 in a number corresponding to the number of thyristor valves U1 to Z1, which increases cost and is not economical. Also,
Since the time required for fault diagnosis is short, the waiting time of the microcomputer MC becomes long, which hinders efficient operation.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

従って、本発明の目的は前記従来技術の問題点を解決し
、多段積みのサイリスタバルブ構成に対しても、コンパ
クトで且つ経済性に優れた構造で対応可能であり、更に
素子故障診断機能が不能になった場合もこれを検出し得
る信頼性に優れた素子故障診断装置を堤供することにあ
る。
Therefore, an object of the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, to be able to cope with a multi-tiered thyristor valve configuration with a compact and economically efficient structure, and to be able to provide an element failure diagnosis function. It is an object of the present invention to provide an element failure diagnosis device with excellent reliability that can detect this even when it occurs.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

上記目的を達成するために、本発明はそれぞれ複数個の
サイリスタ素子から成り、それぞれ異なる位相で動作す
る複数個のサイリスタバルブと、各サイリスタバルブを
構成するサイリスタ素子のそれぞれの電圧を検出するべ
く各サイリスタバルブ毎に対応して設けられた複数個の
電圧検出手段と、各サイリスタバルブの動作タイミング
に合せて対応する電圧検出手段の出力をデータとして格
納すると共に格納データに基いてサイリスタ素子の故障
診断を行う診断手段とを備えたサイリスタバルブの素子
故障診断装置を提供するものである。
In order to achieve the above object, the present invention includes a plurality of thyristor valves each consisting of a plurality of thyristor elements and operating in different phases, and a plurality of thyristor valves each comprising a plurality of thyristor elements, each of which is configured to detect the voltage of each of the thyristor elements constituting each thyristor valve. A plurality of voltage detection means are provided corresponding to each thyristor valve, and the output of the corresponding voltage detection means is stored as data in accordance with the operation timing of each thyristor valve, and failure diagnosis of the thyristor element is performed based on the stored data. The present invention provides a device for diagnosing a thyristor valve element failure, which is equipped with a diagnosing means for performing the following.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、図面を参照しながら発明の実施例を説明する。 Embodiments of the invention will be described below with reference to the drawings.

第3図(a)、(b)は本発明の一実施例に係る素子故
障診断装置の配置図並びにブロック図を示すもので、サ
イリスタバルブU1、X1の両方に対応して素子故障診
断部15−UX1が配置されている。
FIGS. 3(a) and 3(b) show a layout diagram and a block diagram of an element failure diagnosis apparatus according to an embodiment of the present invention. -UX1 is placed.

つまり、2段積みされたサイリスタバルブU1、X1の
それぞれとライトガイド14を介して1個の素子故障診
断部15−UX1が接続され、各サイリスタバルブU1
、X1で検出された各々のサイリスタ素子の電圧は光信
号の形で素子故障診断部15−UX1に導入される。
That is, one element failure diagnosis unit 15-UX1 is connected to each of the two stacked thyristor valves U1 and X1 via the light guide 14, and each thyristor valve U1
The voltage of each thyristor element detected by , X1 is introduced into the element failure diagnosis section 15-UX1 in the form of an optical signal.

各サイリスタバルブU1、X1からのライトガイド14
は光電々換回路16に接続され、バルブU1の電圧検出
信号aU1〜aUN並びにパルプX1の電圧検出信号a
X1〜aXNが得られる。なお、電圧検出信号aU1〜
aUNはオア回路17Uに入力され、オア論理をとられ
、出カ信号bU1がI/O回路23に出力される。一方
、電圧検出信号aX1〜aXNはオア回路17Xに入力
され、オア論理をとられ、出カ信号by1がI/O回路
23に出力される。また、電圧検出信号aU1〜aUN
、aX1〜aXNはラッチ回路21にデータとして入力
される。マイクロコンピュータ部MCはI/O回路23
を介して入力されるオア回路17U、17Xの出力信号
bU1、bX1に基いて電圧検出信号aU1〜aU1、
aX1〜aXNをデータとしてラッチ回路21に取り込
み、ROM回路24に内蔵された故障診断プログラムに
従って素子故障の診断動作を実施する。
Light guide 14 from each thyristor valve U1, X1
is connected to the photoelectric conversion circuit 16, and receives the voltage detection signals aU1 to aUN of the valve U1 and the voltage detection signal a of the pulp X1.
X1 to aXN are obtained. Note that the voltage detection signal aU1~
aUN is input to the OR circuit 17U, subjected to OR logic, and output signal bU1 is output to the I/O circuit 23. On the other hand, the voltage detection signals aX1 to aXN are input to the OR circuit 17X, subjected to OR logic, and output signal by1 is output to the I/O circuit 23. In addition, voltage detection signals aU1 to aUN
, aX1 to aXN are input to the latch circuit 21 as data. Microcomputer section MC is I/O circuit 23
Voltage detection signals aU1 to aU1, based on output signals bU1, bX1 of OR circuits 17U, 17X input via
AX1 to aXN are taken into the latch circuit 21 as data, and an element failure diagnosis operation is performed according to a failure diagnosis program built in the ROM circuit 24.

かかる構成に於いて、いまサイリスタバルブU1に順電
圧が加わった場合を考える。この場合、オア回路17U
の出カ信号bU1がI/O回路23への入力となってい
るので、マイクロコンピュータ部MCはラッチ回路21
へのデータ読み込み動作を実行する。その結果、電圧検
出信号aU1〜aUN、aX1〜aXNがラッチ回路2
1を通じて取り込まれ、RAM回路22にデータとして
格納される。つまり、サイリスタバルブU1に順電圧が
印加された時点で、その電圧検出信号aU1〜aUNが
RAM回路22へ電圧検出の論理データとして格納され
る。一方、サイリスタバルブX1に順電圧が印加される
と、この時点でオア回路17Xの出力信号bX1がI/
O回路23への入力となり、同様にしてサイリスクバル
ブX1の電圧検出信号aX1〜aXNがRAM回路22
に電圧検出の論理データとして記憶される。
In this configuration, consider the case where a forward voltage is applied to the thyristor valve U1. In this case, OR circuit 17U
Since the output signal bU1 is input to the I/O circuit 23, the microcomputer section MC
Execute the data loading operation to. As a result, the voltage detection signals aU1 to aUN, aX1 to aXN are output to the latch circuit 2.
1 and stored as data in the RAM circuit 22. That is, at the time when a forward voltage is applied to the thyristor valve U1, the voltage detection signals aU1 to aUN are stored in the RAM circuit 22 as logic data for voltage detection. On the other hand, when a forward voltage is applied to the thyristor valve X1, at this point the output signal bX1 of the OR circuit 17X becomes I/
The voltage detection signals aX1 to aXN of the cyrisk valve X1 are input to the O circuit 23, and in the same way,
is stored as logical data for voltage detection.

この場合、電圧検出信号aU1〜aUNと電圧検出信号
aX1〜aXNのマイクロコンピュータ部MCへの取り
込みタイミングは第4図のタイムチャートに示す通りで
ある。ちなみに、第4図(a)はサイリスタバルブU1
のアノード・カソード間電圧波形、同図(b)はサイリ
スタバルブX1のアノード・カンード間電圧波形、同図
(c)はオア回路17Uの出力信号bU1のタイミング
、同図(d)はオア回路17Xの出力信号bX1のタイ
ミングである。
In this case, the timing at which the voltage detection signals aU1 to aUN and the voltage detection signals aX1 to aXN are taken into the microcomputer section MC is as shown in the time chart of FIG. By the way, Fig. 4(a) shows the thyristor valve U1.
, the anode-cathode voltage waveform of the thyristor valve X1, (b) the anode-cando voltage waveform of the thyristor valve This is the timing of the output signal bX1.

つまり、1個のマイクロコンピュータ部MCに、時分割
的にサイリスタバルブU1の電圧検出信号aU1〜aU
N並びにサイリスタバルブX1の電圧検出信号aX1〜
aXNを取り込む事が可能であり、従って各サイリスタ
バルブU1、X1毎にマイクロコンピュータを設置する
必要はない。
In other words, one microcomputer unit MC receives the voltage detection signals aU1 to aU of the thyristor valve U1 in a time-sharing manner.
N and the voltage detection signal aX1 of the thyristor valve X1
aXN can be taken in, so there is no need to install a microcomputer for each thyristor valve U1, X1.

上述の如くして、電圧検出の論理データを各バルブ毎に
1個または複数個取り込み、これらをRAM回路22に
格納した後に、ROM回路24に予め格納してある故障
判別プログラムを実行することにより、各サイリスタバ
ルブU1、X1の一サイリスタ素子故障判別が行なわれ
ることとなる。そして、サイリスタ素子の故障が発見さ
れた場合、故障信号並びに故障数等の故障データが出カ
信号cとして■/O回路23より送出される。
As described above, one or more pieces of voltage detection logic data are taken in for each valve, and after storing these data in the RAM circuit 22, a fault determination program stored in advance in the ROM circuit 24 is executed. , one thyristor element failure determination for each thyristor valve U1, X1 will be performed. When a failure of the thyristor element is discovered, a failure signal and failure data such as the number of failures are sent out from the /O circuit 23 as an output signal c.

以上述べた如く、サイリスタバルブU1、X1に加わる
順電圧の位相はそれぞれ異なっているので、各電圧検出
信号aU1〜aUN、aX1〜aXNを受けているオア
回路17U、17Xの出カ信号bU1、bX1の位相も
当然異なる。従って、マイクロコンピュータ部MCはI
/O回路23への信号bU1、bX1の入力により、サ
イリスタバルブU1、X1の各電圧検出信号aUl〜a
UN、aX1〜aXNを個別のデータとして読み取るこ
とが可能である。また、名サイリスタバルブU1、X1
についてその故障判別は同じ故障判別プログラムを用い
て実行可能であるため、プログラムステップの増大を招
くこともない。
As described above, the phases of the forward voltages applied to the thyristor valves U1 and X1 are different, so the output signals bU1 and bX1 of the OR circuits 17U and 17X receiving the respective voltage detection signals aU1 to aUN and aX1 to aXN Of course, the phases of are also different. Therefore, the microcomputer section MC is I
By inputting the signals bU1 and bX1 to the /O circuit 23, the voltage detection signals aUl to a of the thyristor valves U1 and X1 are
It is possible to read UN, aX1 to aXN as individual data. Also, the name thyristor valve U1, X1
Since the fault determination can be executed using the same fault determination program, the number of program steps does not increase.

更に、サイリスタバルブU1、X1の電圧検出論理デー
タを全てRAM回路22に記憶した後に素子故障判別プ
ログラムを実行する代りに、電圧検出論理データの取り
込み及び素子故障判別プログの実行という一連の動作を
各サイリスタバルブU1、X1毎に行なってもよい。即
ち、オア回路17Uの出カ信号bU1によってサイリス
タバルプU1の電圧検出論理データを1個もしくは複数
個、RAM回路22に記憶し、しかる後にサイリスタバ
ルブU1に関する故障判別プログラムを実行してサイリ
スタ素子の故障判別を行ない、次にオア回路17Xの出
力信号bx1によってサイリスタバルブX1の電圧検出
論理データを1個もしくは複数個、RAM回路22に記
憶し、しかる後にサイリスタバルブX1に関する故障判
別プログラムを実行してサイリスタ素子の故障判別を行
なう。この様にサイリスタバルブう1、X1に関する故
障判別を個別に行うことにより、RAM回路22の容量
を小さくすることが可能である。
Furthermore, instead of storing all the voltage detection logic data of the thyristor valves U1 and X1 in the RAM circuit 22 and then executing the element failure determination program, a series of operations of importing the voltage detection logic data and executing the element failure determination program are performed individually. It may be performed for each thyristor valve U1, X1. That is, one or more pieces of voltage detection logic data of the thyristor valve U1 are stored in the RAM circuit 22 by the output signal bU1 of the OR circuit 17U, and then a failure determination program regarding the thyristor valve U1 is executed to detect a failure of the thyristor element. After making the determination, one or more pieces of voltage detection logic data for the thyristor valve X1 are stored in the RAM circuit 22 using the output signal bx1 of the OR circuit 17X, and then a failure determination program regarding the thyristor valve X1 is executed to detect the thyristor valve X1. Performs element failure determination. By separately determining the failure of the thyristor valves 1 and 1 in this manner, it is possible to reduce the capacity of the RAM circuit 22.

以上述べた如く、第3図の構成によれば、1個のマイク
ロコンピュータ部MCで2段積みサイリスタバルブU1
、X1の素子故障判別を行うことが可能であり、経済的
で構造的に小型の装置を実現することが出来るものであ
る。
As described above, according to the configuration shown in FIG. 3, one microcomputer unit MC can operate the two-stage thyristor valve U1.
, X1, and it is possible to realize an economical and structurally compact device.

なお、第5図は電気角で夫々30°の位相差を有するサ
イリスタバルブブリッジの直列接続構成図を示すもので
あるが、本発明はかかるサイリスタバルブU1、U2、
V1、V2、W1、W2、X1、X2、Y1、Y2、Z
1、Z2を多段積みにした所謂4段積バルブに対しても
適用可能である。
Note that FIG. 5 shows a series connection configuration diagram of thyristor valve bridges each having a phase difference of 30 degrees in electrical angle, and the present invention is applicable to such thyristor valves U1, U2,
V1, V2, W1, W2, X1, X2, Y1, Y2, Z
It is also applicable to a so-called four-stage valve in which the valves 1 and Z2 are stacked in multiple stages.

第6図は第5図のサイリスタバルブ中、U2、X2、U
1、X1を4段積みにした構成に本発明を適用した場合
の配置図を示すものである。かかる構成に於ける、各バ
ルブのアノード・カソード間の電圧位相及び順電圧検出
タイミングを第7図に示す。ちなみに、第7図(A)〜
(D)はそれぞれサイリスタバルブU1、X1、U2、
X2の各アノード・カソード間電圧波形、第7図(E)
〜(H)はそれぞれサイリスタバルブU1、X1、U2
、X2の順電圧検出のタイミングを示すものである。な
お、第6図中、15−UX12は1個のマイクロコンピ
ュータ部MCを内蔵する素子故障診断部である。
Figure 6 shows U2, X2, and U in the thyristor valve in Figure 5.
Fig. 1 shows a layout diagram when the present invention is applied to a configuration in which 1 and X1 are stacked in four stages. FIG. 7 shows the voltage phase and forward voltage detection timing between the anode and cathode of each bulb in this configuration. By the way, Figure 7 (A) ~
(D) are thyristor valves U1, X1, U2, respectively,
Voltage waveform between each anode and cathode of X2, Fig. 7 (E)
~(H) are thyristor valves U1, X1, and U2, respectively.
, X2 shows the timing of forward voltage detection. In FIG. 6, 15-UX12 is an element failure diagnosis section that includes one microcomputer section MC.

第7図からも明らかな如く、サイリスタバルブU1さX
1、U2とX2にそれぞれ電気角で180°位相が異な
り、サイリスタバルブU1とU2、X1とX2はそれぞ
れ電気角で30°位相が異なる。
As is clear from Fig. 7, the thyristor valve U1
1. U2 and X2 each have a phase difference of 180 degrees in electrical angle, and thyristor valves U1 and U2, and X1 and X2 each have a phase difference of 30 degrees in electrical angle.

従って、各サイリスタバルブU1、U2、X1、X2の
順電圧検出のタイミングも夫々異なるため、1個の素子
故障診断部15−UX12で各サイリスタバルブ単位の
電圧検出論理データの取り込み並びに素子故障診断を行
うことが可能である。
Therefore, since the forward voltage detection timing of each thyristor valve U1, U2, X1, and X2 is different, one element failure diagnosis section 15-UX12 can import voltage detection logic data for each thyristor valve and perform element failure diagnosis. It is possible to do so.

一方、各サイリスタバルブU1、U2.X1、X2の位
相関係が予め定まっているならば、次の様な電圧検出論
理データの取り込みも可能である。
On the other hand, each thyristor valve U1, U2. If the phase relationship between X1 and X2 is determined in advance, it is also possible to take in the following voltage detection logic data.

つまり、サイリスタバルブU2とU1が電気角で30°
の位相差、サイリスタバルブU1とX1並びにU2とX
2が電気角で180°の位相差がある事に着目すれば、
先ず第7図(c)に(1)で示す時点でサイリスタバル
ブU2の順電圧検出信号、つまり第7図(G)のタイミ
ングで電圧検出論理データをメモリして、次に、第7図
(G)のタイミングより電気角で30°遅れた時点、つ
まり第7図(A)に(2)で示す時点でサイリスタパル
プU2の電圧検出論理データをメモリすればよく、この
タイミングを得るためにサイリスタバルブU2の順電圧
検出信号を必要としない。同様にして、サイリスタバル
ブX2、X1の電圧検出論理データの取り込み及びメモ
リのタイミングを、それぞれ第7図(G)のタイミング
より180°遅れた時点、つまり第7図(D)に(3)
で示す時点と210°遅れた時点、つまり第7図(B)
に(4)で示す時点にとれば、サイリスタバルブX2、
X1の順電圧検出信号に用いる事なくそれぞれの電圧検
出論理データの取り込みが可能である。
In other words, the thyristor valves U2 and U1 are 30° in electrical angle.
phase difference between thyristor valves U1 and X1 and U2 and X
If we pay attention to the fact that 2 is an electrical angle and there is a phase difference of 180°, we get
First, the forward voltage detection signal of the thyristor valve U2 at the time point (1) shown in FIG. 7(c), that is, the voltage detection logic data at the timing shown in FIG. It is sufficient to memorize the voltage detection logic data of the thyristor pulp U2 at a time point delayed by 30 degrees in electrical angle from the timing of G), that is, at the time point (2) in FIG. No forward voltage detection signal of valve U2 is required. Similarly, the timing of acquiring the voltage detection logic data of the thyristor valves X2 and X1 and the memory timing is set to a point 180 degrees later than the timing of FIG. 7(G), that is, the timing of FIG. 7(D) (3).
The time shown in Figure 7 (B) is 210 degrees behind the time shown in Figure 7 (B).
If we take the point shown in (4), the thyristor valve X2,
It is possible to take in each voltage detection logic data without using it for the forward voltage detection signal of X1.

なお、上の説明ではサイリスタバルブU2の順電圧検出
信号のタイミングを基準にして、他のサイリスタバルブ
U1、X2、X1の電圧検出論理データの取り込みタイ
ミングを決定する場合を例示したが、他のサイリスタバ
ルブを基準にしても位相関係が異なるだけで、全く同様
な効果を得ることが出来るものである。また、この様な
タイミングの設定方法は2段積みサイリスタバルブの場
合も全く同様に適用し得るものである。
Note that in the above explanation, the timing of capturing the voltage detection logic data of the other thyristor valves U1, X2, and X1 is determined based on the timing of the forward voltage detection signal of the thyristor valve U2. Even if the valve is used as a reference, it is possible to obtain exactly the same effect with only a different phase relationship. Moreover, such a timing setting method can be applied in exactly the same way to the case of a two-stage thyristor valve.

また、上記各実施例では電圧検出信号としてサイリスタ
バルブを構成するサイリスタ素子の順電圧を用いる場合
を例示したが、これは逆電圧を用いてもよく全く同様効
果を得ることが出来るものである。
Further, in each of the above embodiments, the forward voltage of the thyristor element constituting the thyristor valve is used as the voltage detection signal, but a reverse voltage may also be used and exactly the same effect can be obtained.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上述べた如く、本発明によればサイリスタバルブを2
段ないし4段と多段積みに構成した高電圧サイリスタ変
換器に於いて、少ない数のマイクロコンピュータで素子
故障の診断を行う事を可能ならしめた、スペース効率、
経済効果の優れた素子故障診断装置を得ることが出来る
ものである。
As described above, according to the present invention, the thyristor valve is
In high-voltage thyristor converters configured in multi-stage or four-stage stacks, space efficiency has been achieved, making it possible to diagnose element failures with a small number of microcomputers.
This makes it possible to obtain an element failure diagnosis device with excellent economical effects.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は周知の素子故障診断装置のブロック図、第2図
(a)はサイリスタバルブのブリッジ接続図、第2図(
b)は第2図(a)の接続に対して第1図の故障診断装
置を適用した場合の配置図、 第3図(a)、(b)は本発明の一実施例に係る素子故
障診断装置の配置図並びにブロック図、第4図は第3図
(b)の構成の動作を説明するためのタイムチャート。 第5図はサイリスタバルブの直列接続構成図、第6図は
第5図のサイリスタバルブ中4個を4段積みした構成に
本発明を適用した場合の配置図、第7図は第6図の構成
の動作を説明するためのタイムチャートである。 1・・・サイリスタ素子、11・・・発光素子、14・
・・ライトガイド、15・・・素子故障診断部、17・
・・オア回路、MC・・・マイクロコンピュータ部、2
1・・・ラッチ回路、22・・・RAM回路、23・・
・I/O回路。 出願人代用1人   猪  1役     清第1 図 12 栴3図 (0) 爾4図
Figure 1 is a block diagram of a well-known element failure diagnosis device, Figure 2 (a) is a bridge connection diagram of a thyristor valve, and Figure 2 (a) is a bridge connection diagram of a thyristor valve.
b) is a layout diagram when the failure diagnosis device of FIG. 1 is applied to the connection of FIG. 2(a), and FIGS. 3(a) and (b) are element failures according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a layout diagram and a block diagram of the diagnostic device, and a time chart for explaining the operation of the configuration shown in FIG. 3(b). Fig. 5 is a series connection configuration diagram of thyristor valves, Fig. 6 is a layout diagram when the present invention is applied to a configuration in which four of the thyristor valves in Fig. 5 are stacked in four stages, and Fig. 7 is a diagram of the arrangement of the thyristor valves in Fig. 6. It is a time chart for explaining the operation of the configuration. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Thyristor element, 11... Light emitting element, 14...
...Light guide, 15...Element failure diagnosis section, 17.
...OR circuit, MC...microcomputer section, 2
1...Latch circuit, 22...RAM circuit, 23...
・I/O circuit. Applicant substitute 1 Boar 1 role Kiyo 1 Figure 12 Sakai 3 (0) Er 4

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)それぞれ複数個のサイリスタ素子から成り、それ
ぞれ異なる位相で動作する複数個のサイリスタバルブと
、各サイリスタバルブを構成するサイリスタ素子のそれ
ぞれの電圧を検出するべく各サイリスタバルブ毎に対応
して設けられた複数個の電圧検出手段と、各サイリスタ
バルブの動作タイミングに合せて対応する電圧検出手段
の出力をデータとして格納すると共に格納データに基い
てサイリスタ素子の故障診断を行う診断手段とを備えた
ことを特徴とするサイリスタバルブの素子故障診断装置
(1) A plurality of thyristor valves each consisting of a plurality of thyristor elements and operating in different phases, and a corresponding one for each thyristor valve to detect the respective voltages of the thyristor elements constituting each thyristor valve. and diagnostic means for storing the output of the corresponding voltage detecting means as data in accordance with the operation timing of each thyristor valve and diagnosing a failure of the thyristor element based on the stored data. A device for diagnosing a thyristor valve element failure.
(2)診断手段が各サイリスタバルブの動作タイミング
を電圧検出手段出力に基いて判定する論理手段を有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の素子故
障診断装置。
(2) The device failure diagnosis device according to claim 1, wherein the diagnostic means includes logic means for determining the operation timing of each thyristor valve based on the output of the voltage detection means.
(3)診断手段が各サイリスタバルブの動作タイミング
を特定のサイリスタバルブの動作タイミングとの位相差
から判定する手段を備えていることを特徴とする特許請
求の範囲第1項に記載の素子故障診断装置。
(3) Element failure diagnosis according to claim 1, characterized in that the diagnostic means includes means for determining the operation timing of each thyristor valve from the phase difference with the operation timing of a specific thyristor valve. Device.
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