JPS5940105A - Pattern measuring device - Google Patents

Pattern measuring device

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JPS5940105A
JPS5940105A JP14998282A JP14998282A JPS5940105A JP S5940105 A JPS5940105 A JP S5940105A JP 14998282 A JP14998282 A JP 14998282A JP 14998282 A JP14998282 A JP 14998282A JP S5940105 A JPS5940105 A JP S5940105A
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JP
Japan
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pattern
measured
light
shadow mask
value
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JP14998282A
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Japanese (ja)
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JPS6341483B2 (en
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Hidekazu Sekizawa
秀和 関沢
Akito Iwamoto
岩本 明人
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6341483B2 publication Critical patent/JPS6341483B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness

Abstract

PURPOSE:To determine the size of an object to be measured at a high speed, by calculating beforehand the correlation between the shadow of a known reference pattern and the objects to be measured of various sizes and comparing the numerical values and the results of measurement. CONSTITUTION:The pattern of a black stripe 32 has the pattern of the apertures of a shadow mask 15 as a reference pattern. When R, i.e., the ratio between the max. value and min value of the quantity of the incident light to a detector 18 is determined, the width B of the black stripe 32 is determined by using a precalculated R-B curve. A signal processing unit 21 consists basically of a CPU and an ROM. The CPU has the functions of changing the angle of a galvanomirror 13, assigning the address of the ROM by using the ratio R between the max. value and min. value in the section where the angle changes, after the change in the angle attains 1/3 of the aperture pitch (p) of the mask 15, fetching the data stored thereon and transmitting the same to a display device 22 and the function of controlling a moving device 17. The R-B curve is stored in the ROM. When the angle of the mirror 13 is known, the incident angle of the parallel luminous fluxes is assigned and to which stripe 32 the fluxes correspond is known.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野J この発明は、はぼ規則的に繰り返し配列されるパターン
の寸法を測定するパターン測定装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field J to which the invention pertains] This invention relates to a pattern measuring device for measuring the dimensions of patterns that are regularly and repeatedly arranged.

〔発明の技術的背景及びその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

「従来、パターンの寸法を測定する装置としては、被測
定パターンをレンズにして、ccD等の撮像素子に結像
し、光電変換しその電気信号より測定するものがあった
。この装置では、被測定パターy像を撮像素子に正確に
結像しなければ測定ができず、自動焦点合せ機構が必要
であった。自動焦点合せ機構は、一般に複雑であシ、装
置の高格化をもたらしヤいた。さらに、3次元的な曲面
上のパターンの測定では、焦点合せに時間がかがるため
、測定スピードがあげられなかった。またこのような測
定では、一点一点の測定であるので、パターンの端が不
規則に乱れている場合傾は、多数点の測定を行い、その
平均値を求める必要があった。し九がってこの場合には
、さらに時間が掛る等、多くの問題点があった。
``Conventionally, as a device for measuring the dimensions of a pattern, there was a device that used the pattern to be measured as a lens, focused the image on an image pickup device such as a CCD, photoelectrically converted it, and measured the electrical signal. Measurement cannot be performed unless the measurement pattern y image is accurately focused on the image sensor, and an automatic focusing mechanism is required.Automatic focusing mechanisms are generally complex, require sophisticated equipment, and are expensive. Furthermore, when measuring patterns on three-dimensional curved surfaces, it was difficult to increase the measurement speed because it took time to focus.Also, in such measurements, measurement was performed point by point. When the edge of a pattern is irregularly disturbed, it is necessary to measure the slope at multiple points and find the average value. There was a problem.

又、被測定パターンにレープ光を照射し、その透過光又
は、反射光をレンズを用いて7−リエ変換し、そのフー
リエ変換パターンの特定周波数成分の強度によシ、パタ
ーン幅を測定するパターン計測装置(%願昭55−27
321)がある。この装置では被測定パターンに対して
焦点合せの必要もなく、また照射するレーザ光のビーム
径内に含まれるパターンの全ての平均値がただちに求め
られる等、多くの利点を有していた。しかし、スリガラ
スのような光学的に不均質な拡散板や、紙等の不透明な
物に印刷されたパターン等の測定では、フーリエ変換パ
ターンを求めるとS/Nが低く、測定が不可能であった
Also, there is a pattern in which a pattern to be measured is irradiated with rape light, the transmitted light or reflected light is subjected to 7-lier transform using a lens, and the pattern width is measured according to the intensity of a specific frequency component of the Fourier transform pattern. Measuring device (% Gansho 55-27
321). This device had many advantages, such as no need for focusing on the pattern to be measured, and the average value of all patterns included within the beam diameter of the irradiated laser light could be immediately determined. However, when measuring optically inhomogeneous diffusers such as ground glass or patterns printed on opaque materials such as paper, the S/N ratio is low when determining the Fourier transform pattern, making measurement impossible. Ta.

さらに被測定対象を、カラーブラウム管フェースプレー
ト上のブラックストライプ(東京芝浦電気株式会社登録
商標)パターンの測定に限れば、細く絞ったレーザビー
ム光を、ブラックストライプ上で走査しその透過光強度
を検出器で検出し、その信号の時間幅で測定する装置本
ある。(野中他、テレビジョン学会誌34 A2 pp
、141〜146(1980年))この装置では、ブラ
ックストライプ幅に対して十分細くレーザビームを絞る
ことが困難で、電気信号よシバターン幅を検出する時に
誤差が生じやすい欠点があった。またレーザビームを被
測定パターン上で均一に絞るには、レーザプレートの曲
面の曲率中心の位置に正確にセットしなければならない
と言う欠点もあった。さらに、この装置もまた、一点一
点の測定であるのでブラックストライプパターンの基本
パターンである直線ストライプの端付近に生じている不
期則な乱れがあるパターンの測定には、多数点の測定後
平均化する必要があシ、−個所の測定にも多くの時間を
必要とした。このように、この装置においても多くの問
題点があった。
Furthermore, if the object to be measured is limited to the measurement of a black stripe (registered trademark of Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd.) pattern on a color Braum tube face plate, a narrowly focused laser beam is scanned over the black stripe and the transmitted light intensity is measured. There is a device that detects the signal using a detector and measures the time width of the signal. (Nonaka et al., Journal of the Society of Television Engineers 34 A2 pp.
, 141-146 (1980)) This device had the disadvantage that it was difficult to focus the laser beam sufficiently narrowly relative to the width of the black stripe, and errors were likely to occur when detecting the width of the electric signal and the shiver turn. Another drawback is that in order to focus the laser beam uniformly on the pattern to be measured, it must be set accurately at the center of curvature of the curved surface of the laser plate. Furthermore, since this device also measures point by point, it is necessary to measure multiple points when measuring irregular patterns that occur near the edges of straight stripes, which are the basic pattern of the black stripe pattern. It was necessary to perform averaging after that, and it also took a lot of time to measure the points. As described above, this device also had many problems.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は上記の欠点を解消するためになされたもので
、焦点合せを必要とせず、さらに測定部分の平均パター
ンサイズを直接高速に測定することが出来、また拡散板
等の乃至は光学的に不均一な媒体や不透明な物に印刷さ
れたパターンをも、測定することが可能で高速かつ高精
度な測定を可能とするパターン測定装置を提供すること
を目的とする。
This invention was made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks, and it does not require focusing and can directly measure the average pattern size of the measurement area at high speed. It is an object of the present invention to provide a pattern measuring device that can measure even patterns printed on non-uniform media or opaque objects, and can perform high-speed and highly accurate measurements.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明では、光束を11基準パターンに照射する。さ
らに、この基準パターンを透過等して、基準パターン情
報を担った光を被測定パターンに照射する。次に被測定
パターンの後方に置かれた光電変換素子で、この基準パ
ターンと被測定パターンを通過した光量を電気信号に変
える。このとき、ガルバノミラ−やレンズ等を用いて基
準パターンに入射する光の角度のみを変化させる。する
と基準パターンの影は被測定パターン上を移動すること
になる。したがってこの基準パターンと被測定パターン
を通過した光量を光電変換した電気信号は、基準パター
ンの影と被測定パターンとの相関関数を現わした信号と
なる。
In this invention, a light beam is irradiated onto 11 reference patterns. Furthermore, the pattern to be measured is irradiated with light that passes through this reference pattern and carries the reference pattern information. Next, a photoelectric conversion element placed behind the pattern to be measured converts the amount of light that has passed through the reference pattern and the pattern to be measured into an electrical signal. At this time, only the angle of the light incident on the reference pattern is changed using a galvanometer mirror, a lens, or the like. Then, the shadow of the reference pattern moves on the pattern to be measured. Therefore, an electric signal obtained by photoelectrically converting the amount of light that has passed through the reference pattern and the pattern to be measured becomes a signal representing a correlation function between the shadow of the reference pattern and the pattern to be measured.

そこで、この基準パターンの寸法が既知であり、かつ被
測定パターンの形が未知である場合には、この電気信号
の最大値と最小値とから被測定パターンの寸法を求める
ことが可能である。すなわち、この既知である基準パタ
ーンの影と、各寸法の被測定パターンとの相関関数をあ
らかじめ計算し、この数値と測定結果とを比較すること
により、被測定物の寸法サイズを求めることが可能とな
る。
Therefore, if the dimensions of this reference pattern are known and the shape of the pattern to be measured is unknown, it is possible to determine the dimensions of the pattern to be measured from the maximum and minimum values of this electrical signal. In other words, by calculating in advance the correlation function between the shadow of this known reference pattern and the measured pattern of each dimension, and comparing this value with the measurement results, it is possible to determine the size of the measured object. becomes.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明では、基準パターンの影と被測定パターンとの相
関で寸法サイズを求めている。また基準パターンと被測
定パターンとの距離がほぼ一定に保たれた系では、この
相関は一義的に決ま−る。したがって基準パターンと被
測定パターンとの距離を一定に保ち、かつその透過光の
全て、もしくは一部を検出器で光電変換する系にあって
は、照明系の位置や検出器の位置にほとんど影響される
ことなく測定が可能となる。すなわち、焦点合せの必要
のない測定が可能となる。そこで例えば、カラーブラウ
ン管のフェースプレートの内面に、ノくターンニングさ
れたブラックストライプノくターンのように、三次元曲
面上のパターンでも、基準ノ(ターンをこの曲面に対し
て一定の距離に保たれる物を選べば、なんら焦点合せを
行わなくても測定が可能となる。
In the present invention, the size is determined by the correlation between the shadow of the reference pattern and the pattern to be measured. Furthermore, in a system where the distance between the reference pattern and the pattern to be measured is kept substantially constant, this correlation is uniquely determined. Therefore, in a system where the distance between the reference pattern and the measured pattern is kept constant and all or part of the transmitted light is photoelectrically converted by the detector, the position of the illumination system and the position of the detector have little effect. Measurements can be made without being affected. That is, measurement without the need for focusing becomes possible. For example, even if the pattern is on a three-dimensional curved surface, such as the black stripe turned on the inner surface of the face plate of a color cathode ray tube, the reference number (turn) is kept at a constant distance from this curved surface. If you choose an object that is dripping, you can measure it without any focusing.

次に相関信号は、照明された領域内の全ての)(ターン
の平均値を求めているので、例えば)くタ−ンの端に不
規則な乱れが生じていても、照明された領域内の正確な
パターンの平均寸法を測定することができる。
The correlation signal then calculates the average value of all (turns) within the illuminated area, so even if irregular disturbances occur at the edges of (for example) The average dimensions of the exact pattern can be measured.

まだ被測定パターンが拡散板や紙等の不透明な物の上に
パターンニングされていて、透過する光が拡散する場合
でも、本発明は基準パターンと被測定パターンとの透過
光量の最大値と最小値の比のみで求めているので、なん
ら影響を受けることなく測定することが可能となる。こ
のように本発明は多くの利点を持った極めて実用性の高
い測定装置を構成することが可能となる。
Even if the pattern to be measured is patterned on an opaque object such as a diffuser plate or paper, and the transmitted light is diffused, the present invention can determine the maximum and minimum amount of transmitted light between the reference pattern and the pattern to be measured. Since it is determined only by the ratio of values, it is possible to measure without being influenced in any way. In this way, the present invention makes it possible to construct an extremely practical measuring device with many advantages.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

次に、この発明の一実施例を図面に従って説明する。こ
の実施例では、カラーブラウン管のフェスグレートの内
面に形成されたブラケットストライプのパターンの測定
を行うものである。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, a pattern of bracket stripes formed on the inner surface of a face plate of a color cathode ray tube is measured.

まず、この実施例をよりよく理解するためにブラックス
トライプについて簡単に説明する。通常のカラーテレビ
ジョンでは、基本構造として、多数の細孔(アパーチャ
ーと呼ばれる。)を持ったマスク、すなわちンヤドクマ
スクとその個々のアパーチャーに対応して形成された3
色けい光面を有し、シャドウマスクのアパーチャーに入
射する3本の電子ビームのそれぞれの入射角度によって
色選択を行う。この実施例では、シャドウマスクとして
、縦長方形状の穴を持つスロットマスクを用いる。
First, the black stripe will be briefly explained in order to better understand this embodiment. In a normal color television, the basic structure is a mask with a large number of pores (called apertures), that is, a mask with 3 holes formed corresponding to each aperture.
It has a colored luminous surface, and colors are selected by the angle of incidence of each of the three electron beams incident on the aperture of the shadow mask. In this embodiment, a slot mask having vertical rectangular holes is used as the shadow mask.

このようなシャドウマスクをカラーブラウン管の画面と
なるフェースプレートに装着する。フェースプレートの
内面には、螢光体細条が設けられ、各螢光体間に黒色光
吸収体、すなわち、ブラックストライプが設けられてい
る。このとき、各螢光体細条の幅が等しくないと、色バ
ランスがくずれてしまう。
Such a shadow mask is attached to the face plate of the color cathode ray tube. The inner surface of the faceplate is provided with phosphor strips with a black light absorber or black stripe between each phosphor. At this time, if the widths of the phosphor strips are not equal, the color balance will be disrupted.

−− −1lii このフェースプレート内面に、ブラックス
トライプ及び螢光体細条を設けるには、次のように後、
シャドウマスクを装着する。
---1lii To provide black stripes and phosphor strips on the inner surface of this faceplate, proceed as follows.
Put on the shadow mask.

次に、3本の電子ビームが配置される3点のうち1点に
超高圧水銀灯等を設け、露光を行う。この露光を3点で
行い、現像によってブラックストライプを形成する。こ
のブラックストライプは、製法から明らかなように、シ
ャドウマスクのアパーチャーの開口ピッチの3分の1の
周期を有する。
Next, an ultra-high pressure mercury lamp or the like is provided at one of the three points where the three electron beams are placed, and exposure is performed. This exposure is performed at three points, and black stripes are formed by development. As is clear from the manufacturing method, this black stripe has a period that is one third of the opening pitch of the apertures of the shadow mask.

言い換えると、ブラックストライプのパターンは。In other words, the black stripe pattern is.

シャドウマスクのアパーチャーのパターンを基準パター
ンとしている。
The aperture pattern of the shadow mask is used as a reference pattern.

このようにしてブラックストライプが形成された後、3
色の螢光体細条をやはり、写真印刷の技術によシ設ける
。すなわち、再びシャドウマスクを離脱し1色の螢光体
及び感光結合剤とを混合したスラリー(scurry)
をフェースプレート内面に回転塗布し、乾燥後シャドウ
マスクを装置する。そして超高圧水銀灯等により露光を
行い現像によって所定の位置に1色目の螢光体パターン
を形成する。これをR、G 、 Hの3色について繰り
返す。
After the black stripes are formed in this way, 3
Colored phosphor strips are also provided by photographic printing techniques. That is, after leaving the shadow mask again, a slurry containing one color of phosphor and a photosensitive binder is formed.
Spray it on the inner surface of the face plate, and after drying, apply it as a shadow mask. Then, exposure is performed using an ultra-high pressure mercury lamp or the like, and a phosphor pattern of the first color is formed at a predetermined position by development. Repeat this for the three colors R, G, and H.

ここで、フェースプレートの内面から、ブラックストラ
イプ、螢光体細条の順序で塗布されているので、ブラッ
クストライプを正確に設けることによって、螢光体細条
の塗布精度にかかわらず、白バランスは、良好なものと
なる。これは、ブラックストライプの利点のひとつとさ
れている。
Here, the coating is applied in the order of the black stripe and the phosphor strips from the inner surface of the faceplate, so by accurately providing the black stripes, the white balance can be maintained regardless of the coating accuracy of the phosphor strips. , it will be good. This is considered to be one of the advantages of black stripes.

このようなフェースプレートのパターン測定装置は、第
1図に示されるように、コヒーレント光であるレーザー
光を発するレーザー光(I])と、このレーザー光源(
illからのレーザー光のビーム径を−迂拡大させ、再
び収束させるコリメートレンズ(12a)、(12bン
と、このコリメートレンズ(12a)。
As shown in FIG. 1, such a face plate pattern measuring device uses a laser beam (I) that emits a coherent laser beam, and a laser light source (I) that emits a coherent laser beam.
Collimating lenses (12a) and (12b) that expand the beam diameter of the laser light from ill and converge it again, and this collimating lens (12a).

(12b)からのレーザー光の進行方向を変化させるガ
ルバノミラ−(+3)と、このガルバノミラ−03から
Dレーザー光の収束する位置がその前焦点位置であるレ
ンズ(14)と、このレンズ側からの平行線束が照射さ
れる基準パターンとしてのシャドウマスク(IQと、こ
のシャドウマスク(19が一体に取り付けられているカ
ラーブラウン管のフェスプレートaeと、このフェース
プレー) (ill9を移動させる移動装置面と、フェ
ースプレート0eからの透過光を受光し、電気信号に変
換する検出器崗と、この検出器(Ieか+11からのア
ナログ信号をディジタル信号に変換するA−D変換器(
イ)と、このA−Di換器(」からのディジタル信号に
後述する処理を施す信号処理装置taと、この信号処理
装置Cυでの清果を可視化する表示装置a3と、信号処
理装置&I)により制御されガルバノミラ−(霞を駆動
させ、レーザー光の反射角度を変化させるドライブ回路
1231とから成る。
A galvano mirror (+3) that changes the traveling direction of the laser beam from (12b), a lens (14) whose front focal point is the position where the D laser beam from this galvano mirror 03 converges, and a A shadow mask (IQ) as a reference pattern to which parallel ray bundles are irradiated, a face plate ae of a color cathode ray tube to which this shadow mask (19 is integrally attached, and this face plate) (a moving device surface for moving ill9, A detector that receives the transmitted light from the face plate 0e and converts it into an electrical signal, and an A-D converter that converts the analog signal from this detector (Ie or +11) into a digital signal.
a), a signal processing device ta that performs the processing described below on the digital signal from this A-Di converter (), a display device a3 that visualizes the results of this signal processing device Cυ, and a signal processing device &I) It is controlled by a galvanometer mirror (a drive circuit 1231 that drives a mist and changes the reflection angle of the laser beam).

この装置において、フェースプレート1161内面には
、7ヤドウマスクO0のアパーチャーのみを介して、平
行線束が照射される。すなわち、フェースプレート01
31内面には、シャドウマスクθ9の影絵が投影される
In this device, the inner surface of the face plate 1161 is irradiated with a parallel beam only through the aperture of the 7-Yado mask O0. That is, face plate 01
A silhouette of a shadow mask θ9 is projected onto the inner surface of the mask 31.

この様子をこの発明の原理と共に説明する。This situation will be explained together with the principle of this invention.

レーザー光源(1υから発したレーザー光は、コリ嘴 メートレンズ(12a)、(12b) 、ガルバノミラ
−(1漕、レンズ(1沿を介して、基準パターンである
シャドウマスク09上でガルバノミラ−(1濠の鏡面が
ほぼ結像する。但し、厳密に結像関係にある必要はない
The laser light emitted from the laser light source (1υ) passes through the collimator lenses (12a), (12b), the galvano mirror (1 row), and the galvano mirror (1 row) on the shadow mask 09 which is the reference pattern. The mirror surface of the moat almost forms an image.However, it is not necessary that there is a strict image formation relationship.

レンズ0滲からの平行線束は、シャドウマスク119を
通過し、ブラックストライプが形成されているフェース
プレー)(151上に入射する。この時、フェースグレ
ートαのを通過した光は、電気信号に変換される。この
電気信号は、シャドウマスク(19の影のパターンとブ
ラックストライプとの相関信号である。
The parallel beam from the lens 0 passes through the shadow mask 119 and enters the face plate (151) on which the black stripe is formed.At this time, the light passing through the face plate 151 is converted into an electrical signal. This electrical signal is a correlation signal between the shadow pattern of the shadow mask (19) and the black stripe.

この状態で、ガルバノミラ−(131を振動させると、
平行線束は、シャドウマスク(151への入射角度が変
化する。すると相関信号も変化し、この変化から被測定
パターンであるブラックストライプの寸法を測定する。
In this state, when the galvanometer mirror (131) is vibrated,
The incident angle of the parallel beam flux to the shadow mask (151) changes.Then, the correlation signal also changes, and from this change, the dimension of the black stripe, which is the pattern to be measured, is measured.

更に、第2図を用いて詳説する。直径D=2乃至3φで
ある平行線束Gl)が、開口ピッチ、すなわち、スロッ
トの中心間隔p=750μmであるシャドウマスクa5
に入射する。螢光体細条の中心間隔L=250μmであ
る。説明の都合上平行線束Gυは、シャドウマスクt+
51及びフェースグレートaeに垂直に入射するものと
する。
Further, a detailed explanation will be given using FIG. 2. A shadow mask a5 in which the parallel line flux Gl) having a diameter D = 2 to 3φ has an aperture pitch, that is, a slot center spacing p = 750 μm.
incident on . The center spacing of the phosphor strips L=250 μm. For convenience of explanation, the parallel line flux Gυ is the shadow mask t+
51 and face grating ae perpendicularly.

この時、平行線束6υは、シャドウマスク09のスロッ
トを通過した光束01のみが、フェースプレー) (+
61の内面に入射する。入射光のうち、ブラックストラ
イプ02に照射した光は、フェースプレート(IGを通
過しない。ブラックストライプ04の間に設けられた螢
光体細条に照射した光のみがフェースプレー)(I[9
を通過し、検出器111に達する。又、フェースプレー
トaeの内面には粗面である拡散面(16a)が設けら
れている。この拡散面(16a)は4フエースプレー)
(IG+の表面から、内側が透けて見えないように設け
られている。視聴者にとっても内側が見えないことが好
ましく、更に、光の拡散によシ発色状態が好ましいもの
となる。又、この拡散面(16a)の粗面を利用して、
スラリー等がはがれにくいようにもなっている。このよ
うな拡散面(16a)があるため、コヒーレント光を使
い、フーリエ回折によシ測定を行うことができない。こ
の発明は、全体の説明からもわかる通り、フーリエ回折
を用いているのではなく、2つのパターンの相関関数を
利用している点が特徴である。
At this time, of the parallel beam 6υ, only the beam 01 that has passed through the slot of the shadow mask 09 is the face plate) (+
It is incident on the inner surface of 61. Of the incident light, the light irradiated on the black stripe 02 does not pass through the face plate (IG. Only the light irradiated on the phosphor strips provided between the black stripes 04 passes through the face plate) (I[9
and reaches the detector 111. Further, a rough diffusion surface (16a) is provided on the inner surface of the face plate ae. This diffusion surface (16a) is a 4-face spray)
(It is provided so that the inside cannot be seen from the surface of IG+. It is preferable that the inside cannot be seen by the viewer, and furthermore, the coloring state is favorable due to the diffusion of light. Also, this Utilizing the rough surface of the diffusion surface (16a),
It also makes it difficult for slurry etc. to peel off. Because of the presence of such a diffusing surface (16a), it is not possible to perform measurements using coherent light and Fourier diffraction. As can be seen from the overall description, this invention is characterized in that it does not use Fourier diffraction, but rather uses a correlation function between two patterns.

又、後述するようにこの実施例では、透過光量の最大値
及び最小値の比ので求めているので、拡散面(16a)
が存在するための影響を受けることなく測定できる。
In addition, as will be described later, in this example, the ratio of the maximum value and the minimum value of the amount of transmitted light is calculated, so the diffusing surface (16a)
can be measured without being affected by the existence of

さて、定性的に透過光量変化を説明すると、光束(至)
がブラックストライプG2を覆う時には、最小となる。
Now, to qualitatively explain the change in the amount of transmitted light, the luminous flux (to)
When it covers the black stripe G2, it becomes the minimum.

逆に、光束(至)が螢光体細条に入射する時に最大とな
る。
Conversely, the luminous flux is at its maximum when it is incident on the phosphor strips.

更に、留意する点は、第2図にも示されるように、1本
の平行線束l31)はシャドウマスク叫の複数のスロッ
ト、フェースプレートαQ内面の複数のブラックストラ
イプ(33に対して、照射される点である。即ち、個別
のブラックストライプ(ゆではなく、複数のブラックス
トライプ(17Jに対して、その平均値が測定されるこ
とになる。
Furthermore, it should be noted that, as shown in FIG. In other words, the average value is measured for a plurality of black stripes (17J) rather than for individual black stripes (boils).

以上の点に留意しつつ、よシ解析的な議論を行う。今、
シャドウマスク(151の影、すなわち、シャドウマス
クa9のフレネル回折パターンをf (x)とし、ブラ
ックストライプ(3渇のパターンをg (x) (光を
透過する領域の分布を示す。)とすれば、フェースプレ
ー)IJIlGを透過し、検出器(国に達する光量工(
T)は、 となる。但し、a=D/2(Dは、前述のようにシャド
ウマスク(1つに入射する平行線束0Dの直径である。
Keeping the above points in mind, we will conduct a detailed analytical discussion. now,
Let f(x) be the shadow mask (151 shadow, that is, the Fresnel diffraction pattern of shadow mask a9), and let the black stripe pattern be g(x) (indicating the distribution of light-transmitting areas). , face plate) passes through the IJIlG and reaches the detector (country).
T) becomes . However, a=D/2 (D is the diameter of the parallel line bundle 0D incident on the shadow mask (one) as described above.

)、τは第2図に示されるようにシャドウマスクlIS
に対し垂直方向から入射した平行線束C(Qによるフェ
ースプレート(1秒内面への投影〕々ターンとシャドウ
マスク([9に対し、その垂直方向からθだけ傾いて入
射した平行線束c四による投影)(ターンとの移動距離
である ここで、τは、シャドウマスク([つとフェースプレー
ト(leの内面までの距離をqとすると、τ== q 
tanθ    ・・・・・・・・・・・・(2)とな
る。以下の議論のために、シャドウマスク(1つに対し
、その法線方向から平行線束Gυが入射した時の光量、
■(0)によって、■(τ)を規格化し、この関数をφ
(τ)とすると、 となる。更に、平行線束のビーム径りがシャドウマスク
(15のスロットのピッチpより充分大きいので φ(T)=               ・・・・・
・・・・(4)となる。φ(τ)は、光量の比でもよい
し、検出器(1εからの出力信号の比でもよい。又、こ
のφ(τ)は、照明光のビームサイズ(直径)に依存し
ない。
), τ is the shadow mask lIS as shown in FIG.
Parallel ray bundle C incident from the perpendicular direction to the face plate (projected onto the inner surface for 1 second by ) (where τ is the distance traveled from the turn to the shadow mask
tanθ ・・・・・・・・・(2). For the following discussion, we will use the shadow mask (the amount of light when a parallel ray bundle Gυ is incident on one from its normal direction,
■ Normalize ■(τ) by (0) and define this function as φ
(τ), then . Furthermore, since the beam diameter of the parallel ray bundle is sufficiently larger than the pitch p of the shadow mask (15 slots), φ(T) = ...
...(4). φ(τ) may be a ratio of light amounts or a ratio of output signals from the detector (1ε). Also, this φ(τ) does not depend on the beam size (diameter) of the illumination light.

次に、前述のように、ブラックストライプ0擾のパター
ンを表わすg(2)は、シャドウマスクα9の開レピッ
チpの3分の1の周期で、かつ、0,1の2値関数であ
る。これに対しs  f(x)は、前述のように、フレ
ネル回折パターンである。以上に留意し、(4)式を実
際に計算してみると、第3図に示されるようになる。
Next, as described above, g(2) representing the pattern of 0 black stripes has a cycle that is one third of the aperture pitch p of the shadow mask α9, and is a binary function of 0 and 1. On the other hand, s f(x) is a Fresnel diffraction pattern, as described above. Taking the above into consideration, when formula (4) is actually calculated, the result is shown in FIG. 3.

定性的に検出器ll81からの出力は、ブラックストラ
イプ鏝の幅によって左右されることは明らかである。例
えば、第4図に示すように7ヤドウマスク4暖のスロッ
トを通過した平行線束(■の中央に7エースプレート1
6)の内面のブラックストライプ(脅が位置する畔、検
出器(1秒からの出力は最小になる。
It is clear that qualitatively the output from detector ll81 depends on the width of the black stripe trowel. For example, as shown in FIG.
6) The inner black stripe (the edge where the threat is located, the output from the detector (1 second) is minimum.

逆に、第5図に示されるように、ブラックストライプ0
邊が塗布されていす螢光体が塗布されている領域に、平
行線束(1の中央が位置する時、検出器(舟からの出力
は最大となる。すなわち、検出器(1秒の出力の最大及
び最小値は、ブラックストライプ(個の中心位置と、ブ
ラックストライプ国の間隔とに影響されることが、簡単
な定性的議論から椎察される。
Conversely, as shown in FIG.
When the center of the parallel beam bundle (1) is located in the area where the sides are coated and the phosphor is coated, the output from the detector (vessel) is maximum. It can be seen from a simple qualitative discussion that the maximum and minimum values are influenced by the center position of the black stripe and the spacing of the black stripe countries.

これを定量的に扱う。フェースプレート(teの内面で
のシャドウマスク(151のフレネル回折パターンは、
解析的に非常に複雑であるが三角関数により非常によく
近似できることがわかった。例えば、第6図に示される
ように、前述のqの値を適当に設定したとき、実線Uで
示される波形となる。この波形を第6図に示される点線
−で近似したところ、この実施例では誤差が少ない。
We will treat this quantitatively. The shadow mask (151) Fresnel diffraction pattern on the inner surface of the face plate (te is
Although it is analytically very complex, it was found that it can be approximated very well using trigonometric functions. For example, as shown in FIG. 6, when the value of q mentioned above is set appropriately, a waveform shown by a solid line U is obtained. When this waveform is approximated by the dotted line - shown in FIG. 6, there is little error in this embodiment.

そこで、フレネル回折パターンf (x)と三角関数例
えばl+amaXで近似する。更に、前述のような位置
関係にある時に(4)式を計算し、最大値と最小値との
比を実際に計算してみると、 となる。但し、aは、シャドウマスク0均の開口サイズ
、αは、フレネル回折パターンを三角関数で近似したと
きの係数である。qがl Q l1m前後のとき、α=
0.768度において、フレネル回折パターンで計算し
たときと最も良く一致した。この三角関数はフレネル回
折パターンの1火成分とも考えられる。
Therefore, the Fresnel diffraction pattern f (x) is approximated by a trigonometric function, for example, l+amaX. Furthermore, when formula (4) is calculated when the positional relationship is as described above, and the ratio between the maximum value and the minimum value is actually calculated, it becomes as follows. However, a is the aperture size of the shadow mask with zero average, and α is a coefficient when the Fresnel diffraction pattern is approximated by a trigonometric function. When q is around l Q l1m, α=
At 0.768 degrees, there was the best agreement with the calculation using the Fresnel diffraction pattern. This trigonometric function can also be considered as one component of the Fresnel diffraction pattern.

通常、ブラックストライプ(2)パターンの測定に際し
ては、それ以前に、シャドウマスク(15)の検査が終
了しておシ、シャドウマスクu9の関口サイズaは既知
である。従って(5)式において、α+ a + P 
+は既知である。
Normally, before measuring the black stripe (2) pattern, the inspection of the shadow mask (15) has been completed and the Sekiguchi size a of the shadow mask u9 is known. Therefore, in equation (5), α + a + P
+ is known.

そこで、Bを独立変数とし、Rを図示すると第7図のよ
うになる。この図は、より有益な情報を含んでいる。す
なわち、φ(τ)の最大値及び最小値の比であるRが求
まると、第7図を用いてブラックストライプ0湯の幅B
が求まることになる。
Therefore, when B is taken as an independent variable and R is illustrated, it becomes as shown in FIG. 7. This diagram contains more useful information. That is, when R, which is the ratio of the maximum value and minimum value of φ(τ), is determined, the width B of the black stripe 0 can be determined using FIG.
will be found.

以上がこの実施例の基本的態様である。更に第1図に示
されるガルバノミ9−!+3)を微小回転させると、第
2図に示されるように、平行線束のシャドウマスクf1
51への入射拘置が変化し、シャドウマスクu9の法線
方向からθだけ傾いた方向に平行線束G)3が移動する
。これにつれて、シャドウマスク(国に達する光量も変
化し、第3図に示されるようにτの増大方向に沿って検
出器agの出力波形も変化する。
The above is the basic aspect of this embodiment. Furthermore, the galvanic chisel 9-! shown in FIG. +3) is slightly rotated, the shadow mask f1 of the parallel line bundle is created as shown in FIG.
51 changes, and the parallel ray bundle G)3 moves in a direction inclined by θ from the normal direction of the shadow mask u9. Accordingly, the amount of light reaching the shadow mask also changes, and as shown in FIG. 3, the output waveform of the detector ag also changes along the increasing direction of τ.

この時の最初の3組の最大値及び最小値から赤、緑、青
の螢光体細条を任切っているブラックスト2イブ6カの
幅を与えられる。例えば、点ff1)での値11゜と点
@での値■2との比から赤に対応するブラックストライ
プG2の幅が点崗での値工3と点(74での値■4との
比から、緑に対応するブラックストライプ0つの幅が、
点(79での値■5と点(761での値工6との比から
青に対応するブラックストライプC33の幅がそれぞれ
求まる。ここで、どのプラ・ツクスト、ライプC3力に
対応するかは、フェースプレー) (+1内面に、螢光
体細条及びブラックストライプC3諺を形成時にわかる
The maximum and minimum values of the first three sets then give a width of 2 and 6 blacksts containing red, green, and blue phosphor strips. For example, from the ratio of the value 11° at point ff1) and the value ■2 at point @, the width of the black stripe G2 corresponding to red is the difference between the value 3 at point ff1 and the value ■4 at point (74). From the ratio, the width of 0 black stripes corresponding to green is
The width of the black stripe C33 corresponding to blue can be determined from the ratio of the value 5 at point (79) and the value 6 at point (761). , Face Play) (On the +1 inner surface, phosphor stripes and black stripes C3 are visible when forming.

更に、シャドウマスクa!19の回折)(ターンの移動
量τは、(2)式によって、平行線束のシャドウマスク
(151への入射角θで表わされる。従って、第3図に
示されるφ(τ)は、θで表現され、φψ)となる。
Furthermore, Shadow Mask a! Diffraction of 19) (The movement amount τ of the turn is expressed by the angle of incidence θ of the parallel ray bundle on the shadow mask (151) according to equation (2). Therefore, φ(τ) shown in FIG. 3 is expressed as θ. expressed as φψ).

このようにφ(θ)と表わされることがら、後述するよ
うに、信号処理装置C29,ドライブ回路Q3によって
ガルバノミラ−(【3の角度を指定することにょシ、測
定量がどのブラックストライプ(34に対応しているか
がわかる。
Since it is expressed as φ (θ) in this way, as will be described later, the signal processing device C29 and drive circuit Q3 determine which black stripe (34 You can see if it is compatible.

以上この実施例での測定原理について説明したが、次に
、これを実現する構成について詳述する。
The measurement principle in this embodiment has been explained above, and next, the configuration for realizing this will be explained in detail.

第1図に示されるように、フェースプレート6Q〕らの
光は、検出器(111増幅器tll、A−D変換器(譲
を介してディジタル信号として信号処理装置Qυに取シ
入れられる。
As shown in FIG. 1, the light from the face plate 6Q is input as a digital signal to the signal processing device Qυ via a detector (111, an amplifier tll, and an A-D converter).

信号処理装置シυは、基本的にCPU (Centra
ぎprocessing unit)とROM (Re
ad only memory)とから成る。Cpuの
機能は、A−D変換器i′2cJから信号が入力する度
に最大値及び最小値の検出を行う機能と、この最大値及
び最小値との検出が終了する度にドライブ回路(ハ)を
介してガルバノミラ−(13)の角度を変化させる機能
と、この最大値及び最/J%値との検出が終了する度に
ドライブ回路1四を介して、ガルバノミラ−(131の
角度を変化させる機能と、この角度変化がシャドウマス
ク(Isの開口ピッチpの3分の1に達した後、この区
間での最大値及び最小値の比をとる機能と、この比を用
いて頭のアドレス指定を行う機能と、この頭内のアドレ
ス指定された番地に収納されているデータを取シ出し表
示装置(2′IJに送出する機能と及び移動装置(17
)を制御する機能とを有する。
The signal processing device υ is basically a CPU (Central
processing unit) and ROM (Re
ad only memory). The functions of the CPU are to detect the maximum value and minimum value each time a signal is input from the A-D converter i'2cJ, and to detect the maximum value and minimum value each time the detection of the maximum value and minimum value is completed. ), and the function of changing the angle of the galvano mirror (131) via the drive circuit 14 every time the detection of the maximum value and the maximum /J% value is completed. After this angle change reaches one-third of the aperture pitch p of the shadow mask (Is), a function that calculates the ratio of the maximum value and minimum value in this section, and a function that uses this ratio to calculate the head address. A function for specifying, a function for extracting data stored at the specified address in this head and sending it to the display device (2'IJ), and a function for moving the data (17).
).

ここで、ROMICは、第7図に示されるR−B曲線が
記憶されている。但し、アドレス指定は前述のように、
最大値及び最小値との比Rによって行う。
Here, the R-B curve shown in FIG. 7 is stored in the ROMIC. However, as mentioned above, the address specification is
This is done by the ratio R between the maximum value and the minimum value.

又、ガルバノミラ−(19の角度がわかると、シャドウ
マスク住9への平行線束の入射角度が指定される。する
と前述のように、どのブラックストライプ(34に相当
するかがわかる。
Furthermore, once the angle of the galvano mirror (19) is known, the angle of incidence of the parallel beam flux to the shadow mask holder 9 is designated.Then, as described above, it is known which black stripe (34) corresponds to.

移動装置αnは、シャドウマスクα9が取シ付けられて
いるフェースプレー) (149を移動させ、測定位置
を変化させる。通常、測定はフェースプレートaQの内
面全体に対して行う必要はなく、10点程度で充分であ
る。この移動装置([nも、その程度の数の位置設定を
行う能力があればよい。
The moving device αn moves the face plate (149) to which the shadow mask α9 is attached to change the measurement position.Normally, the measurement does not need to be performed on the entire inner surface of the face plate aQ, but at 10 points. It is sufficient that this moving device ([n) also has the ability to perform position settings to that extent.

従−)で、移動装置(17)及びドライブ回路1ソ(資
)の制御をCPUが行うことによって1表示装置(功に
は、単にブランクスドライブ(3々の幅という情報のみ
ではなく測定位置及びブラックストライプぐ3りの種類
捷でを与えることができ、これらを表示できる。
The CPU controls the moving device (17) and the drive circuit (substrate), so that the display device (function) can display not only information on the blank drive (not only the width of the blanks but also the measurement position and information). Black stripes can be given different types of characters, and these can be displayed.

父、この実施例では、レーザー光を使用しているので、
検出器1181に入射する光量が多いため外光に対して
強い。さらに外光に対して安定に動作させるには、@1
図において検出器fl&の前面にレーザー光のみを通過
させる色素フィルタ又は干渉フィルタを使用すれば良い
。第1図において、レーザー光#、Gl)のかわりに白
色慰球等のインコヒーレントな光源を用いても同様に測
定ができる。
Father, this example uses laser light, so
Since the amount of light incident on the detector 1181 is large, it is resistant to external light. In order to operate more stably against external light, @1
In the figure, a dye filter or an interference filter that allows only the laser beam to pass may be used in front of the detector fl&. In FIG. 1, measurements can be made in the same way by using an incoherent light source such as a white ball instead of the laser light #, Gl).

又、シャドウマスク(15)に入射する光束は完全に平
行でなくともよい。
Furthermore, the light beams incident on the shadow mask (15) do not have to be completely parallel.

〔発明の他の実施例〕[Other embodiments of the invention]

第8図は本発明の他の実施例である。基本的には第1図
の実施例と同様であるが、この実施例では、同一のブラ
ウン管フェースプレートにあっては被測定物を固定した
ままで、被測定物であるブラウン管フェースプレートの
全面の測定を可能としたものである。すなわち、ブラウ
ン管フェースプレートの曲面の曲率中心近くに、偏向用
ガルバノミラ−(13a)を配置tL1.さらにこのガ
ルバノミラ−(13a)をモータ(8υで回転させ、2
次元走査を可能としたものである。(23a)はガルバ
ノミラ−(13a)およびモータ[F]υを信号処理装
置01)の信号で制御するドライブ回路である。次に光
の検出は、フレネルレンズ等の集光器鏝により検出器(
[8)に光を集める。このとき外光も集光される可能性
があるため、干渉フィルタ(ハ)を用いてレーザ光のみ
を受光している。このようにしてレーザ光をガルバノミ
ラ−(13a)で走査することによシ、被測定物を固定
したままで全面の測定が可能となる。なお他の動作は第
1図の実施例と同様である。
FIG. 8 shows another embodiment of the present invention. The embodiment is basically the same as the embodiment shown in FIG. This made measurement possible. That is, the deflection galvanometer mirror (13a) is placed near the center of curvature of the curved surface of the cathode ray tube face plate tL1. Furthermore, this galvano mirror (13a) is rotated by a motor (8υ),
This enables dimensional scanning. (23a) is a drive circuit that controls the galvanometer mirror (13a) and the motor [F]υ with signals from the signal processing device 01). Next, the light is detected by a detector (
[8] Collect light. At this time, since there is a possibility that external light is also collected, only the laser light is received using an interference filter (c). By scanning the laser beam with the galvanometer mirror (13a) in this manner, it is possible to measure the entire surface of the object while keeping it fixed. The other operations are similar to the embodiment shown in FIG.

〔発明の他の実施例〕[Other embodiments of the invention]

第9図は本発明の他の実施例である。この実施例も第1
図の実施例と本質的には同じであるが、シャドウマスク
に入射する光の方向を変える手段として多数の光源を使
用している点が異なる。すなわち光源として例えばLE
Dや半導体レーザ等を用いて第9図に示されるように光
源19υ、+92.(931を配置し、それぞれを切替
えてドライブする切替ドライブ回路(94)を用いて発
光させることにより、シャドウマスクに入射する光の方
向を変化させる。このようにすることにより極めて高速
で測定することが可能となる。他は第1図の実施例と全
く同様である。ここで発光素子の配列を一次元ではなく
、第10図のように配列した場合には、ブラックストラ
イプではなく、ブラックマトリックスの開口径を測定す
ることも可能となる。なお光源の数を3ではなく、多数
用いた方が光源とシャドウマスクとの相対角度ずれに対
して安定した測定が可能となる。また第9図で光源を移
動させて測定しても良い。さらには光源を移動させる代
りに光ファイバーを用いて、光ファイバーを用いて、光
ファイバーを移動させても同様に測定することができる
FIG. 9 shows another embodiment of the present invention. This example is also the first
This embodiment is essentially the same as the illustrated embodiment, except that multiple light sources are used as a means of changing the direction of light incident on the shadow mask. In other words, as a light source, for example, LE
As shown in FIG. 9, light sources 19υ, +92. (By arranging 931 and emitting light using a switching drive circuit (94) that switches and drives each of them, the direction of the light incident on the shadow mask is changed.By doing this, it is possible to perform measurements at extremely high speed. The rest is exactly the same as the embodiment shown in Fig. 1.If the light emitting elements are arranged not one-dimensionally but as shown in Fig. 10, a black matrix will be formed instead of a black stripe. It is also possible to measure the aperture diameter of the shadow mask.In addition, using a large number of light sources instead of three makes it possible to perform stable measurements against relative angular deviations between the light sources and the shadow mask.Also, as shown in FIG. Furthermore, instead of moving the light source, an optical fiber may be used, and measurements can be made in the same way by using an optical fiber and moving the optical fiber.

以上いくつかの実施例ではカラーブラウン管の内面にパ
ターンニングされたブラックストライプの幅測定の場合
について述べたが、これに限定されるものではない。例
えば、セラミック基板に印刷されたパターンの測定等に
おいても基準パターンを用意すれば、本実施例と同様に
測定することが可能となる。又、ブラックストライプの
ピッチも測定すること、は可能となる。
In the above several embodiments, the width measurement of a black stripe patterned on the inner surface of a color cathode ray tube has been described, but the present invention is not limited to this. For example, if a reference pattern is prepared in the measurement of a pattern printed on a ceramic substrate, it becomes possible to perform the measurement in the same manner as in this embodiment. It is also possible to measure the pitch of black stripes.

又、この発明では、基準パターンと被測定パターンとの
重畳信号が必要なのであるから、被測定パターンを通過
した光ばかりでなく、反射光でもよいことは当然である
。このように、この発明の趣旨を逸脱しない限りどのよ
うな変形をもこの発明に含まれるのは当然である。
Further, since the present invention requires a superimposed signal of the reference pattern and the pattern to be measured, it is natural that not only the light passing through the pattern to be measured but also the reflected light may be used. As described above, it is natural that any modifications are included in the present invention as long as they do not depart from the spirit of the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図乃至第7図は、一実施例を示し、第1図は、その
全体の構成を示す図、第2図乃至M7図る。 aυ・・・レーザ光源 (13・・・ガルバノミラ− 11す・・・レンズ (15・・・シャドウマスク +t5・・・フェースプレート 118)・・・検出器 ell)・・・信号処理装置 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (tjか1名) 第  1 図 第2図 第3図 第7図 第4図 第  5 図 第6図 第8図 −lゴ □ ■ 31− 第9図 if      第10図 ヂ2 ム
FIGS. 1 to 7 show one embodiment, with FIG. 1 showing the overall configuration, and FIGS. 2 to M7. aυ... Laser light source (13... Galvano mirror 11... Lens (15... Shadow mask + t5... Face plate 118)... Detector ell)... Signal processing device agent Patent attorney Noriyuki Chika (TJ or 1 person) Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 7 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 8-l Go □ ■ 31- Figure 9 if Figure 10 2 Mu

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (17光源と、この光源からの光束が照射され°る基準
パターンと、この基準パターンへの前記光束の入射方向
を変化させる光学系と、前記基準パターンから所定距離
能れて設けられ、前記基準パターンと有意な相関を有す
る被測定パターンと、この被測定パターンと前記基準パ
ターンとの重畳光量を電気信号に変換する検出器と、こ
の検出器からの電気信号の最大値及び最小値を用いて被
測定パターンの寸法を算出する信号処理装置とを備える
ことを特徴とするパターン測定装置。
(17) a light source, a reference pattern on which the light beam from the light source is irradiated, an optical system for changing the direction of incidence of the light beam on the reference pattern, and a reference pattern provided at a predetermined distance from the reference pattern; A pattern to be measured that has a significant correlation with the pattern, a detector that converts the amount of superimposed light between the pattern to be measured and the reference pattern into an electrical signal, and the maximum and minimum values of the electrical signal from this detector are used. A pattern measuring device comprising: a signal processing device that calculates dimensions of a pattern to be measured.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01143334A (en) * 1987-11-30 1989-06-05 Toshiba Mach Co Ltd Method and apparatus for inspecting defect of mask
US5837354A (en) * 1995-06-30 1998-11-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Flexible metallized products and process for producing the same
US9254721B2 (en) 2012-05-25 2016-02-09 Bridgestone Corporation Base tire and tire built on base tire

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