JPH01143334A - Method and apparatus for inspecting defect of mask - Google Patents
Method and apparatus for inspecting defect of maskInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、マスクの欠陥を検査する技術に係わリ、特に
テレビジョンCRTのシャドウマスクのように線対称を
なすパターンで形成された大型マスクを簡単に検査でき
るマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a technique for inspecting defects in masks, and particularly relates to a technique for inspecting defects in masks, particularly in large-sized masks formed with line-symmetrical patterns, such as the shadow masks of television CRTs. The present invention relates to a mask defect inspection method and a defect inspection apparatus that can easily inspect masks.
(従来の技術)
従来、テレビジョンCRTのシャドウマスクのような大
型マスク(一般には300mmφ以上)を自動検査する
のは困難であり、目視検査に頼っているのが現状である
。この目視検査では、検査技術者に多大な精神的緊張を
強いると云う労務管理上の問題、欠陥の見落としが生じ
易いと云う品質管理上の問題、更には検査に長時間が掛
かると云う生産効率上の問題がある。これらの問題は、
マスク欠陥を目視検査でなく自動的に検査すれば一気に
解決し得るものであり、従って自動検査装置の実現が強
く要望されている。(Prior Art) Conventionally, it has been difficult to automatically inspect large masks (generally 300 mmφ or more) such as the shadow mask of a television CRT, and the current situation is to rely on visual inspection. This visual inspection poses problems in terms of labor management, such as putting a great deal of mental stress on the inspection engineer, quality control problems in that defects are easily overlooked, and production efficiency problems in that the inspection takes a long time. I have the above problem. These problems are
If mask defects are automatically inspected instead of visually, the problem can be solved at once, and therefore there is a strong demand for an automatic inspection device.
一方、LSI製造用マスクを検査するには、ダイ比較検
査方式、データベース比較検査方式の検査装置か広く用
いられている。このような方式を流用して大型マスクの
欠陥検査の自動化をはかることが考えられるが、この場
合次のような問題がある。即ち、データベース比較方式
の場合、データを入力し記憶し、撮像データと比較する
ための何らかのリアルタイムデータ処理を必要とするた
め、ミニコンクラスの計算機が必要である。さらに、通
常リアルタイムデータ処理が検査速度のネックになり、
高速化は困難である。また、ダイ比較方式の場合、1枚
のマスクに複数個のパターンを配置する方式でなければ
適用できない。さもなければ、同一パターンの2枚のマ
スクで比較が必要となり、装置が大型化する。On the other hand, to inspect masks for LSI manufacturing, inspection apparatuses using a die comparison inspection method or a database comparison inspection method are widely used. It is conceivable to utilize such a method to automate the defect inspection of large masks, but in this case there are the following problems. That is, in the case of the database comparison method, a minicomputer-class computer is required because data is input, stored, and requires some kind of real-time data processing for comparison with imaging data. Furthermore, real-time data processing is usually the bottleneck for inspection speed.
Speeding up is difficult. Further, in the case of the die comparison method, it cannot be applied unless it is a method in which a plurality of patterns are arranged on one mask. Otherwise, it would be necessary to compare two masks with the same pattern, which would increase the size of the apparatus.
(発明が解決しようとする問題点)
このように従来、大型マスクの欠陥を自動検査するには
、ミニコンクラスの計算機が必要になる、高速化が困難
である、装置が大型化する等の問題があり、欠陥検査を
容易に行うことは困難であった。(Problems to be solved by the invention) Conventionally, in order to automatically inspect defects on large masks, there have been problems such as requiring a minicomputer-class computer, difficulty in increasing the speed, and the need for larger equipment. Therefore, it was difficult to conduct defect inspection easily.
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、大型マスクの欠陥検査を自動的に、且
つ容易に行うことのできるマスクの欠陥検査方法及び欠
陥検査装置を提供することにある。The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and its purpose is to provide a mask defect inspection method and a defect inspection apparatus that can automatically and easily inspect large masks for defects. There is a particular thing.
(問題点を解決するための手段)
本発明の骨子は、線対称パターンからなるマスクを、対
称パターン同士で比較照合することにある。(Means for Solving the Problems) The gist of the present invention is to compare and match masks made of line-symmetric patterns with each other.
即ち本発明は、線対称のパターンを有する被検査マスク
の欠陥検査を行うマスクの欠陥検査方法において、線対
称をなす方向に分けた一方の撮像パターンをミラー反転
して他方の撮像パターンと比較するようにした方法であ
る。That is, the present invention provides a mask defect inspection method for inspecting a mask to be inspected having a line-symmetrical pattern for defects, in which one imaged pattern divided in a line-symmetrical direction is mirror-inverted and compared with the other imaged pattern. This is how I did it.
また本発明は、上記方法を実施するためのマスクの欠陥
検査装置において、線対称のパターンを有する被検査マ
スクのパターンを撮像する撮像手段と、前記マスクの線
対称をなす方向に分けた一方のパターンの一部又は全体
を撮像して得られるイメージ信号を記憶する一時記憶手
段と、他方のパターンを撮像して得られるイメージ信号
と該信号に対応する前記一時記憶手段から読出されたイ
メージ信号とを比較する比較手段と、この比較手段によ
る比較結果が一致しない部分に関して線対称をなすいず
れかの側に欠陥があると判定する判定手段とを設けるよ
うにしたものである。The present invention also provides a mask defect inspection apparatus for carrying out the above method, including: an imaging means for imaging a pattern of a mask to be inspected having a line-symmetrical pattern; temporary storage means for storing an image signal obtained by imaging a part or the entire pattern; an image signal obtained by imaging the other pattern and an image signal read from the temporary storage means corresponding to the signal; and determining means for determining that there is a defect on either side that is symmetrical with respect to the portion where the comparison results obtained by the comparing means do not match.
(作 用)
本発明によれば、対称をなすパターンの一方を一時記憶
手段に記憶し、他方のパターンと一時記憶手段から逆読
みして得られるパターンとの比較照合により、マスクの
欠陥検査を行うことができる。このため、データベース
方式と異なり、予めマスクパターンの全てのデータを記
憶しておく必要はなく、さらに撮像データとしてもマス
クパターンの全てのイメージ信号を記憶する必要はない
。(Function) According to the present invention, one of the symmetrical patterns is stored in the temporary storage means, and the other pattern is compared with the pattern obtained by reading backwards from the temporary storage means, thereby inspecting the mask for defects. It can be carried out. Therefore, unlike the database method, it is not necessary to store all the data of the mask pattern in advance, and furthermore, it is not necessary to store all the image signals of the mask pattern as imaging data.
従って、記憶容量の大幅な減少をはがり得る。しかも、
一時記憶手段に記憶されたデータを逆読みすることによ
り、リアルタイムの比較照合を行うことができ、欠陥検
査を高速に且つ容易に行うこ゛とが可能である。また、
ダイ比較方式と異なり、同一パターンの2枚のマスクを
必要とすることもなく、装置の大型化を抑制することが
可能である。Therefore, storage capacity can be significantly reduced. Moreover,
By reading the data stored in the temporary storage means backwards, comparison and verification can be performed in real time, and defect inspection can be performed quickly and easily. Also,
Unlike the die comparison method, there is no need for two masks with the same pattern, and it is possible to suppress the increase in size of the device.
(実施例) 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。(Example) Hereinafter, details of the present invention will be explained with reference to illustrated embodiments.
本実施例はレーザビームで被検査マスクを走査し、透過
光をフォトセンサで受光する方式であり、第1図はその
主走査光学系を模式的に示す概略構成図である。レーザ
発振器1]から出たレーザビームは集束ミラー]2で反
射し、モータ13で駆動されて回転するポリゴンミラー
14で反射されて走査ビームとなる。これがfθレンズ
15aを通過し、反射ミラー]、 6 aで方向を変え
てマスク17をX方向に走査する。その透過ビームは反
射ミラー16bで方向を変え、Fθレンズ15bで略1
点に集光され、フォトセンサ18で撮像される。モータ
13と同軸回転するエンコーダ19はX方向(主走査方
向)のビーム位置を検知する役割を持つ。This embodiment uses a method in which a mask to be inspected is scanned with a laser beam and the transmitted light is received by a photosensor, and FIG. 1 is a schematic configuration diagram schematically showing the main scanning optical system. A laser beam emitted from a laser oscillator 1 is reflected by a focusing mirror 2, and then reflected by a polygon mirror 14 driven and rotated by a motor 13 to become a scanning beam. This passes through the fθ lens 15a, changes direction at the reflection mirror 6a, and scans the mask 17 in the X direction. The transmitted beam changes its direction by a reflection mirror 16b, and is changed by approximately 1
The light is focused on a point and imaged by the photosensor 18. An encoder 19 that rotates coaxially with the motor 13 has the role of detecting the beam position in the X direction (main scanning direction).
第2図(a)は副偏向を受持つステージ部の上面図、同
図(b)はステージ駆動部をも含めた側面図である。ス
テージ20は2本のガイドウェイ21上をX方向に送り
ネジ22の回転により移行でき、送りネジ22はモータ
23で駆動される。ステージ20の上にはマスクホルダ
24があり、これに前記マスク17がセットされる。マ
スクホルダ24は、支点25を軸にモータ26によりθ
方向に若干回転できる。Y駆動モータ23と同軸にエン
コーダ27が取イ」けられており、これでステージ20
のY位置が検出される。なお、28はステージ20の原
点位置を求めるための原点センサを示している。FIG. 2(a) is a top view of the stage section responsible for sub-deflection, and FIG. 2(b) is a side view including the stage drive section. The stage 20 can be moved in the X direction on the two guideways 21 by rotation of a feed screw 22, and the feed screw 22 is driven by a motor 23. There is a mask holder 24 on the stage 20, on which the mask 17 is set. The mask holder 24 is rotated by a motor 26 around a fulcrum 25.
It can be rotated slightly in the direction. An encoder 27 is installed coaxially with the Y drive motor 23, and with this the stage 20
The Y position of is detected. Note that 28 indicates an origin sensor for determining the origin position of the stage 20.
第3図に本検査装置の制御系を示す。主制御ユニット3
]はマイクロコンピュータを内蔵しており、コンソール
32の入出力及び検査シーケンス全体を制御する。駆動
ユニット33は、前記ポリゴンミラー駆動モータ]3.
ステージ駆動モータ23及びθ駆動モータ26の各ドラ
イバを内蔵し、主制御ユニット31からの速度、方向及
び5TART/5TOP等の指令に応じて各々のモータ
13゜23.26を駆動する。比較ユニット34は、前
記フォトセンサ18.エンコーダ1’9.27及び原点
センサ28からの信号を入力して後述する如くパターン
の比較照合を行うものであり、主制御ユニット31によ
りその検査シーケンスが制御される。Figure 3 shows the control system of this inspection device. Main control unit 3
] has a built-in microcomputer and controls the input/output of the console 32 and the entire inspection sequence. The drive unit 33 is the polygon mirror drive motor]3.
It has built-in drivers for a stage drive motor 23 and a θ drive motor 26, and drives each motor 13°23.26 according to commands such as speed, direction, and 5TART/5TOP from a main control unit 31. The comparison unit 34 includes the photosensor 18. Signals from the encoder 1'9.27 and the origin sensor 28 are input to compare and match patterns as described later, and the main control unit 31 controls the inspection sequence.
第4図は比較ユニット34をブロック図で示し、第5図
はその主要動作をタイムチャートで示したものである。FIG. 4 shows the comparison unit 34 in a block diagram, and FIG. 5 shows its main operations in a time chart.
前記フォトセンサ18で検出される画像信号はADC4
1でA/D変換され、画像メモリ42に次のようにして
記憶されていく。前記ポリゴンミラー14と一体に回転
するエンコーダ19からは各々の鏡面の始点で発生する
フェース原点パルスが入力され、これてX位置カウンタ
43をプリセットし、フリップ・フロップ(F F)4
4とFIFOレジスタ45をクリアする。もう一方のパ
ルス列は、分周器46て分周され、その出力(実施例で
は 1ハμ77Z)がX位置カウンタ43に入力されカ
ウントダウンする。X位置カウンタ43の出力が画像メ
モリ42をアドレスし、ライトモードでデジタル画像デ
ータを記憶していく。X位置カウンタ43が0になる時
点を0デイテクタ47が検知し、FF44をセットして
、X位置カウンタ43をカウントアツプモードに、画像
メモリ42をリードモードにする。このX位置が、線対
称パターンを有するマスクの中心線を通る位置に相当す
る。The image signal detected by the photosensor 18 is sent to the ADC 4
1, and is stored in the image memory 42 as follows. A face origin pulse generated at the starting point of each mirror surface is inputted from the encoder 19 which rotates together with the polygon mirror 14, which presets the X position counter 43 and flips the flip-flop (FF) 4.
4 and clear the FIFO register 45. The frequency of the other pulse train is divided by a frequency divider 46, and its output (in the embodiment, 1 hμ77Z) is input to the X position counter 43 and counted down. The output of the X position counter 43 addresses the image memory 42, and digital image data is stored in the write mode. The 0 detector 47 detects the point in time when the X position counter 43 becomes 0, and sets the FF 44 to put the X position counter 43 in count-up mode and the image memory 42 in read mode. This X position corresponds to a position passing through the center line of a mask having a line-symmetric pattern.
これ以降は、ADC41の出力と画像メモリ出力(逆読
み)とが比較回路48で比較(引算)され、主制御ユニ
ット31から設定されているスレッショルド値を越える
ことがあればデフェクト信号を出力し、FIFOレジス
タ45にその時点のX位置をストアしていく。1個でも
デフエクト信号が出るとFF49がセットするので、主
制御ユニット31は次のFACE (次の走査)の原点
を告げる割込みを受けてFF49をチエツクし、これが
セットしていれば、FIFOレジスタ45の内容(欠陥
検出したX座標)とY位置カウンタ5]の内容(欠陥検
出したX座標)を読み、欠陥情報ファイルにストアして
おく。なお、第4図において52は、主制御ユニット3
1からのXオフセットをラッチしX位置カウンタ43に
与えるラッチ回路である。After this, the output of the ADC 41 and the output of the image memory (reverse reading) are compared (subtracted) in the comparison circuit 48, and if the threshold value set by the main control unit 31 is exceeded, a defect signal is output. , the current X position is stored in the FIFO register 45. If even one defect signal is output, the FF 49 is set, so the main control unit 31 receives an interrupt that tells the origin of the next FACE (next scan), checks the FF 49, and if it is set, the FIFO register 45 is set. (X coordinate where the defect was detected) and the contents of the Y position counter 5 (X coordinate where the defect was detected) are read and stored in the defect information file. In addition, in FIG. 4, 52 is the main control unit 3.
This is a latch circuit that latches the X offset from 1 and provides it to the X position counter 43.
ところで、この種の欠陥検査に際しては、検査前にアラ
イメントが必要となるが、このアライメントは次のよう
にして行う。第6図は自動アライメントを可能にするた
めにマスク上に予め描画しておく4個のアライメントマ
ークを示す。オペレータが前記コンソール32からこれ
らのアライメントマーク座標を入力することにより、ま
ずMlとM2マークのY座標に位置決めし、ビームを走
査してM]とM2が比較される。前記主制御ユニット3
1はXオフセットデータを少しずつ変化させて欠陥が検
出されないXオフセット値を決める。Incidentally, in this type of defect inspection, alignment is required before the inspection, and this alignment is performed as follows. FIG. 6 shows four alignment marks previously drawn on the mask to enable automatic alignment. By inputting these alignment mark coordinates from the console 32 by the operator, the positions are first determined at the Y coordinates of the Ml and M2 marks, and the beam is scanned to compare M] and M2. The main control unit 3
1 changes the X offset data little by little to determine the X offset value at which no defects are detected.
次いで、前記ステージ20をM3.M4のY座標に位置
決めし、今度はθ軸を微小送りして欠陥が検出されない
ようになればアライメントが完了する。Next, the stage 20 is set to M3. After positioning at the Y coordinate of M4, the θ-axis is moved slightly, and if no defects are detected, the alignment is completed.
かくして本実施例によれば、テレビジョンCRTのシャ
ドウマスク等の大型マスクであっても、欠陥検査を自動
的に行うことができる。そしてこの場合、]ライン毎に
線対称パターンの一方と他方とを比較照合しているので
、メモリ容量が極めて少なくて済むと共に、リアルタイ
ムの処理が可能となる。また、予めマスクパターンの全
てのデータを記憶しておく必要もなく、さらに複数枚の
マスクを用いる必要もなく、マスクの欠陥検査を容易に
且つ高速で行うことができる。つまり、従来のデータベ
ース方式やダイ比較方式でそのまま装置を大型化するの
ではなく、本実施例では簡単で安価な欠陥検査装置を実
現することかできる。Thus, according to this embodiment, even a large mask such as a shadow mask of a television CRT can be automatically inspected for defects. In this case, one side of the line-symmetric pattern is compared and verified for each line, so the memory capacity is extremely small and real-time processing is possible. Furthermore, there is no need to store all the data of mask patterns in advance, and there is no need to use multiple masks, making it possible to inspect masks for defects easily and at high speed. In other words, instead of simply increasing the size of the device using the conventional database method or die comparison method, this embodiment can realize a simple and inexpensive defect inspection device.
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。第7図は第1図の変形で、反射ミラー16で反射し
た光をハーフミラ−71を通してマスク17に照射し、
マスク17から反射した光をハーフミラ−71で分離し
、ミラー72で投光ビームと逆向きに元の方向に戻し、
第2の集束ミラー73でフォトセンサ18に投影して撮
像する方式である。このような方式であっても、先の実
施例と同様の効果が得られる。また、光の代りに電子ビ
ームを用いて欠陥検査を行うことも可能である。この場
合、第8図に示すように、電子銃= 12 −
81から発射された電子ビームは、電磁レンズ82でマ
スク面に焦点を結び、偏向コイル83でX方向に走査さ
れる。マスク17からの反射電子を光電倍増管84で電
気信号に変換し、イメージ信号とする。第9図(a)は
偏向コイル83に印加される走査電流で、これを時分割
した同図(b)に示すクロックで画像メモリに記憶また
は読出しをし、且つこれをカウントすることにより、X
方向の位置カウンタとする。Note that the present invention is not limited to the embodiments described above. FIG. 7 is a modification of FIG. 1, in which the light reflected by the reflection mirror 16 is irradiated onto the mask 17 through the half mirror 71,
The light reflected from the mask 17 is separated by a half mirror 71, and returned to the original direction by a mirror 72 in the opposite direction to the projected beam.
This method uses a second focusing mirror 73 to project the image onto the photosensor 18 and capture the image. Even with such a system, the same effects as in the previous embodiment can be obtained. It is also possible to perform defect inspection using an electron beam instead of light. In this case, as shown in FIG. 8, the electron beam emitted from the electron gun 12-81 is focused on the mask surface by the electromagnetic lens 82 and scanned in the X direction by the deflection coil 83. The reflected electrons from the mask 17 are converted into electrical signals by a photomultiplier tube 84 and used as image signals. FIG. 9(a) shows the scanning current applied to the deflection coil 83, which is stored in or read out from the image memory using the time-divided clock shown in FIG. 9(b) and counted.
Let it be a position counter in the direction.
また、実施例では1ライン毎に欠陥の検査を行ったが、
複数ライン毎に欠陥検査を行うことも可能である。さら
に、透過光の代りに反射光、反射電子ビームの代りに2
次電子ビームを利用することも可能である。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施する
ことができる。In addition, in the example, defects were inspected for each line, but
It is also possible to perform defect inspection for each of multiple lines. Furthermore, instead of transmitted light, reflected light, and instead of reflected electron beam, 2
It is also possible to use secondary electron beams. In addition, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
(発明の効果)
以上詳述したように本発明によれば、線対称をなすパタ
ーンの一方を一時記憶手段に記憶し、他方のパターンと
一時記憶手段から逆読みして得られるパターンとの比較
照合により、マスクの欠陥検査を行うことができる。従
って、テレビジョンCRTのシャドウマスク等の大型マ
スクであってもその欠陥検査を自動的に、且つ容易に行
うことができ、その有用性は絶大である。(Effects of the Invention) As detailed above, according to the present invention, one of the line-symmetrical patterns is stored in the temporary storage means, and the other pattern is compared with a pattern obtained by reading backwards from the temporary storage means. By comparison, it is possible to inspect the mask for defects. Therefore, even large masks such as shadow masks for television CRTs can be automatically and easily inspected for defects, and are extremely useful.
第1図は乃至第6図はそれぞれ本発明の一実施例に係わ
るマスク欠陥検査装置を説明するためのもので、第1図
は主走査光学系を模式的に示す概略構成図、第2図はス
テージ部の構成を示す上面図及び側面図、第3図は制御
系の構成を示すブロック図、第4図は比較ユニットの構
成を示すブロック図、第5図は比較ユニットの動作を示
すタイミングチャート、第6図はアライメントマークの
配置例を示す平面図、第7図乃至第9図はそれぞれ変形
例を説明するための図である。
11・・・レーザ発振器、14・・・ポリゴンミラー、
17・・・被検査マスク、18・・・フォトセンサ、1
9゜27・・・エンコーダ、20・・・ステージ、28
・・・原点センサ、3″′1・・・主制御ユニット、3
3・・・駆動ユニット、34・・・比較ユニット、42
・・・画像メモリ、43・・・X位置カウンタ、48・
・・比較回路、51・・・Y位置カウンタ。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
弓 、0FIGS. 1 to 6 are for explaining a mask defect inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a schematic configuration diagram schematically showing a main scanning optical system, and FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the control system, FIG. 4 is a block diagram showing the configuration of the comparison unit, and FIG. 5 is a timing diagram showing the operation of the comparison unit. The chart, FIG. 6 is a plan view showing an example of arrangement of alignment marks, and FIGS. 7 to 9 are diagrams for explaining modified examples, respectively. 11... Laser oscillator, 14... Polygon mirror,
17... Mask to be inspected, 18... Photo sensor, 1
9°27...Encoder, 20...Stage, 28
...Origin sensor, 3'''1...Main control unit, 3
3... Drive unit, 34... Comparison unit, 42
...Image memory, 43...X position counter, 48.
...Comparison circuit, 51...Y position counter. Applicant's agent Patent attorney Yumi Suzue Takehiko, 0
Claims (4)
査を行うに際し、線対称をなす方向に分けた一方の撮像
パターンをミラー反転して他方の撮像パターンと比較す
ることを特徴とするマスクの欠陥検査方法。(1) When performing defect inspection of a mask to be inspected having a line-symmetrical pattern, one of the imaged patterns divided in the line-symmetrical direction is mirror-inverted and compared with the other imaged pattern. Defect inspection method.
ンを撮像する撮像手段と、前記マスクの線対称をなす方
向に分けた一方のパターンの一部又は全体を撮像して得
られるイメージ信号を記憶する一時記憶手段と、他方の
パターンを撮像して得られるイメージ信号と該信号に対
応する前記一時記憶手段から読出されたイメージ信号と
を比較する比較手段と、この比較手段による比較結果が
一致しない部分に関して線対称をなすいずれかの側に欠
陥があると判定する判定手段とを具備してなることを特
徴とするマスクの欠陥検査装置。(2) An imaging means for imaging a pattern of a mask to be inspected having a line-symmetrical pattern, and storing an image signal obtained by imaging a part or the whole of one pattern divided in the line-symmetrical direction of the mask. and a comparison means that compares an image signal obtained by imaging the other pattern with an image signal read from the temporary storage means corresponding to the signal, and a comparison result by the comparison means does not match. What is claimed is: 1. A mask defect inspection apparatus, comprising: determining means for determining that there is a defect on either side that is line symmetrical with respect to the portion.
ルの移動方向と直交する方向に1条の光ビームで該マス
クを走査し、その透過又は反射光を1点に集光して光セ
ンサで撮像し、先に走査して得られるイメージ信号を一
時記憶手段に記憶し、後から走査して得られるイメージ
信号と該一時記憶手段から逆読みして得られるミラーイ
メージ信号とを比較することを特徴とする特許請求の範
囲第2項記載のマスクの欠陥検査装置。(3) Mount the mask to be inspected on a portable table, scan the mask with a single light beam in a direction perpendicular to the direction of movement of the table, and condense the transmitted or reflected light to one point. An image is captured by a sensor, an image signal obtained by scanning first is stored in a temporary storage means, and an image signal obtained by scanning later is compared with a mirror image signal obtained by reading backwards from the temporary storage means. A mask defect inspection device according to claim 2, characterized in that:
ルの移動方向と直交する方向に1条の電子ビームで該マ
スクを走査し、その反射電子又は2次電子を電子センサ
で撮像し、先に走査して得られるイメージ信号を一時記
憶手段に記憶し、後から走査して得られるイメージ信号
と該一時記憶手段から逆読みして得られるミラーイメー
ジ信号とを比較することを特徴とする特許請求の範囲第
2項記載のマスク欠陥検査装置。(4) Mount the mask to be inspected on a portable table, scan the mask with a single electron beam in a direction perpendicular to the direction of movement of the table, and image the reflected electrons or secondary electrons with an electronic sensor; The image signal obtained by scanning first is stored in a temporary storage means, and the image signal obtained by scanning later is compared with the mirror image signal obtained by reverse reading from the temporary storage means. A mask defect inspection device according to claim 2.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62299763A JPH01143334A (en) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | Method and apparatus for inspecting defect of mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62299763A JPH01143334A (en) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | Method and apparatus for inspecting defect of mask |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01143334A true JPH01143334A (en) | 1989-06-05 |
Family
ID=17876675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62299763A Pending JPH01143334A (en) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | Method and apparatus for inspecting defect of mask |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01143334A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05249656A (en) * | 1992-01-09 | 1993-09-28 | Toshiba Corp | Mask inspecting device |
US5636029A (en) * | 1995-07-21 | 1997-06-03 | Bmc Industries, Inc. | Elliptical laser probe for shadow mask |
JP2002365233A (en) * | 2001-06-05 | 2002-12-18 | Nec Corp | Defect inspection method |
JP2014085269A (en) * | 2012-10-25 | 2014-05-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Dimension measurement device |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1987
- 1987-11-30 JP JP62299763A patent/JPH01143334A/en active Pending
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