JPS5938169B2 - 透明強誘電体薄膜の形成方法 - Google Patents
透明強誘電体薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS5938169B2 JPS5938169B2 JP54121728A JP12172879A JPS5938169B2 JP S5938169 B2 JPS5938169 B2 JP S5938169B2 JP 54121728 A JP54121728 A JP 54121728A JP 12172879 A JP12172879 A JP 12172879A JP S5938169 B2 JPS5938169 B2 JP S5938169B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- substrate
- cathode
- target material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ＰｂＴｉ０３（チタン酸鉛）からなる強誘
電体磁器薄膜を高周波スパッタリング法によつて透明に
形成するための改良された方法に関するものである。
電体磁器薄膜を高周波スパッタリング法によつて透明に
形成するための改良された方法に関するものである。
最近のオプトエレクトロニクスの分野では、透明な強誘
電体薄膜の出現が強く望まれている。
電体薄膜の出現が強く望まれている。
例えばＥＬ（エレクトロルミネッセンス）を利用した薄
膜構造の表示デバイスでは、駆動電圧低減のために高誘
電率透明絶縁膜の開発が待たれているし、光通信用光導
波路の設計においてもそのような薄膜が要求されている
。一方従来より強誘電体材料であるＰｂ（Ｚに−Ｔｉ）
Ｏｓ（ＰＺＴ）を始めとしたチタン酸鉛系磁器について
薄膜化の試みも種々発表されるに及んでいるが、透明な
磁器薄膜の安定した成膜技法は未だ確立していないのが
現状である。ここにおいて本発明者等は、高周波スパッ
タリング法を用いたＰｂＴｉ０３の薄膜化の実験から、
スパッタ膜の透明性が付着率によつて変化する点に着目
し、ＰｂＴｉＯ３からなる緻密で透光性の優れた強誘電
体磁器薄膜を再現性良く形成するための新しい条件を見
い出した。
膜構造の表示デバイスでは、駆動電圧低減のために高誘
電率透明絶縁膜の開発が待たれているし、光通信用光導
波路の設計においてもそのような薄膜が要求されている
。一方従来より強誘電体材料であるＰｂ（Ｚに−Ｔｉ）
Ｏｓ（ＰＺＴ）を始めとしたチタン酸鉛系磁器について
薄膜化の試みも種々発表されるに及んでいるが、透明な
磁器薄膜の安定した成膜技法は未だ確立していないのが
現状である。ここにおいて本発明者等は、高周波スパッ
タリング法を用いたＰｂＴｉ０３の薄膜化の実験から、
スパッタ膜の透明性が付着率によつて変化する点に着目
し、ＰｂＴｉＯ３からなる緻密で透光性の優れた強誘電
体磁器薄膜を再現性良く形成するための新しい条件を見
い出した。
すなわち簡単に述べるとこの発明は、冷却手段を備えた
カソード上にＰｂＯとＴｉＯ２との混合粉末をターゲッ
ト材料として載置し、対向する基板上にＰｂＴｉ０３の
薄膜を高周波スパッタリング法によシ形成する際に、前
記ターゲット材料とカソードとの間にカソード冷却手段
の冷却効果を抑制する手段を介在させることによシ前記
ターゲット材料を適切な温度にするとともに、その付着
率を３０λ／ｍｉｎ以下に制御することによυ透明なＰ
ｂＴｉＯ３の薄膜を形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
カソード上にＰｂＯとＴｉＯ２との混合粉末をターゲッ
ト材料として載置し、対向する基板上にＰｂＴｉ０３の
薄膜を高周波スパッタリング法によシ形成する際に、前
記ターゲット材料とカソードとの間にカソード冷却手段
の冷却効果を抑制する手段を介在させることによシ前記
ターゲット材料を適切な温度にするとともに、その付着
率を３０λ／ｍｉｎ以下に制御することによυ透明なＰ
ｂＴｉＯ３の薄膜を形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
このようにして形成したＰｂＴｉ０３の薄膜は、膜厚略
０．６μｍにおいて１６０程度の誘電率を有し、しかも
可視域において８０％以上の良好な透光性を呈するもの
となる。またこのＰｂＴｉ０３は、白金やサフアイヤの
基板に対してのみならず、溶融石英やＩｎ２ｏ３の透明
導電膜を形成した溶融石英ならびに耐熱性ガラス上にお
いても高い誘電率と良好な透光性をもつて成膜力何能な
ところから、基板選択の自由度が広がＶ、それに応じて
応用分野の拡張が可能となる。以下この発明の好ましい
実施例につき図面を参照してさらに詳細に説明する。第
１図は高周波スパッタリング装置における基板とターゲ
ツト材料とのセツトされた状態を概念的に示す模式図で
、基板１はアノード側に設けられた基板ホルダ２に支持
されており、その後ろには基板１を所定の温度まで加熱
するためのヒータ３が設置されている。
０．６μｍにおいて１６０程度の誘電率を有し、しかも
可視域において８０％以上の良好な透光性を呈するもの
となる。またこのＰｂＴｉ０３は、白金やサフアイヤの
基板に対してのみならず、溶融石英やＩｎ２ｏ３の透明
導電膜を形成した溶融石英ならびに耐熱性ガラス上にお
いても高い誘電率と良好な透光性をもつて成膜力何能な
ところから、基板選択の自由度が広がＶ、それに応じて
応用分野の拡張が可能となる。以下この発明の好ましい
実施例につき図面を参照してさらに詳細に説明する。第
１図は高周波スパッタリング装置における基板とターゲ
ツト材料とのセツトされた状態を概念的に示す模式図で
、基板１はアノード側に設けられた基板ホルダ２に支持
されており、その後ろには基板１を所定の温度まで加熱
するためのヒータ３が設置されている。
他方、ターゲツト材料４としては、形成すべきＰｂＴｉ
Ｏ３膜の化学量論的組成比となるように秤量したＰｂＯ
とＴｉＯ２の混合粉末を用い、これを石英シヤーレ５に
入れた状態で別の石英板６を介して水冷されたカソード
７の上に載置してある。ここでカソード７と石英シャー
レ５との間に挿人した別の石英板６は、断熱サポートの
役をなしカソード７に対する冷却効果によつてターゲツ
ト材料の温度が過度に低下するのを防止する。
Ｏ３膜の化学量論的組成比となるように秤量したＰｂＯ
とＴｉＯ２の混合粉末を用い、これを石英シヤーレ５に
入れた状態で別の石英板６を介して水冷されたカソード
７の上に載置してある。ここでカソード７と石英シャー
レ５との間に挿人した別の石英板６は、断熱サポートの
役をなしカソード７に対する冷却効果によつてターゲツ
ト材料の温度が過度に低下するのを防止する。
すなわち一般にＰｂ系磁器薄膜の高周波スバツタリング
においては、成膜中のＰｂ成分が不足するので着膜後Ｐ
ｂＯ雰囲気中における熱処理を必要としていたのである
が、上述のごとく石英板６を介在せしめてカソードの冷
却効果を遮断すれば、Ｐｂ成分の蒸発が促進されて熱処
理なしで良好なペロブスカイト構造の磁器膜が得られる
ようになる。他方スパツタリングの条件としては、ター
ゲット４と基板１間の距離を４０ｍｍにとり、基板温度
を４５０〜６６０℃、プレート電…を１．２〜２．２Ｋ
Ｖ、ガス（（Ａｒ＋０２）の圧力を（２〜１２）×１０
２Ｔ０ｒｒ１付着率を７〜７０Ｋ／Ｍｉｎの範囲で調整
できるようにした。そして白金、サフアイア、溶融石英
およびＩｎ２Ｏ３（酸化インジウム）の透明導電膜をコ
ートした溶融石英の４種類の基板について、上述のよう
なＰｂＯとＴｉＯ２の化学量論的組成比の混合粉末をタ
ーゲツト材料としてのスパツタリングを試みた。第２図
は白金基板を用いた場合の基板温度とスパツタ膜の結晶
構造との関係を示し、５８０℃以上の基板温度において
正方晶系のベロブスカイト構造が得られることを示して
いる。
においては、成膜中のＰｂ成分が不足するので着膜後Ｐ
ｂＯ雰囲気中における熱処理を必要としていたのである
が、上述のごとく石英板６を介在せしめてカソードの冷
却効果を遮断すれば、Ｐｂ成分の蒸発が促進されて熱処
理なしで良好なペロブスカイト構造の磁器膜が得られる
ようになる。他方スパツタリングの条件としては、ター
ゲット４と基板１間の距離を４０ｍｍにとり、基板温度
を４５０〜６６０℃、プレート電…を１．２〜２．２Ｋ
Ｖ、ガス（（Ａｒ＋０２）の圧力を（２〜１２）×１０
２Ｔ０ｒｒ１付着率を７〜７０Ｋ／Ｍｉｎの範囲で調整
できるようにした。そして白金、サフアイア、溶融石英
およびＩｎ２Ｏ３（酸化インジウム）の透明導電膜をコ
ートした溶融石英の４種類の基板について、上述のよう
なＰｂＯとＴｉＯ２の化学量論的組成比の混合粉末をタ
ーゲツト材料としてのスパツタリングを試みた。第２図
は白金基板を用いた場合の基板温度とスパツタ膜の結晶
構造との関係を示し、５８０℃以上の基板温度において
正方晶系のベロブスカイト構造が得られることを示して
いる。
また第３図は、各基板についてのプレート電圧とスパツ
タ膜の結晶構造の関係を示し、溶融石英面上では線１の
ように基板温度が６６０℃と高いにもかかわらず、プレ
ート電圧１．６ＫＶ以下ではパイロクロア形の結晶構造
となつて誘電率も光透過率も低下する。
タ膜の結晶構造の関係を示し、溶融石英面上では線１の
ように基板温度が６６０℃と高いにもかかわらず、プレ
ート電圧１．６ＫＶ以下ではパイロクロア形の結晶構造
となつて誘電率も光透過率も低下する。
これに対しＩｎ２Ｏ３をコートした溶融石英やサフアイ
アのごとく基板面に結晶性のある場合には線２および３
のように基板温度５８０℃においてプレート電圧には無
関係にペロブスカイト構造の強誘電体磁器薄膜が得られ
る。さらに第４図は、スパツタ時のガスの圧力とスパツ
タ膜の結晶構造との関係を示し、サフアイア基板上では
△印で示すように圧力に無関係にペロブスカイト構造と
なるが、Ｉｎ２Ｏ３をコートした溶融石英面上では○印
で示すごとく圧力が６Ｘ１０２Ｔ０ｒｒ以上になるとペ
ロブスカイトとパイロクロアの混晶形態を経てパイロク
ロア単独構造になることが判る。これは圧力がある程度
？上高くなるとターゲツト材料からのＰｂ成分の蒸発が
押えられ、基板に飛釆するＰｂが減少してスパツタ膜の
組成がペロブスカイト固溶組成からずれるためで、サフ
アイア基板のように基板面が完全な結晶構造を持つ場合
には固溶組成の多信のずれは無関係となるものの、Ｉｎ
２Ｏ３をコートした躊融石英基板では表面が多結晶であ
るため純粋なペロブスカイト構造にな９にくいものと考
えられる。かくしてＰｂＴｉＯ３の薄膜化の条件は、着
膜する基板の種類によつて異なる依存性を示すのである
が、本発明者等は、当該ＰｂＴｉＯ，膜の透明性が付着
率によつて異なることを見出した。すなわち、第５図は
付着率を２０λ／Ｍｉｎに設定した状態で′．３種類の
基板面にそれぞれ０．５μｍの厚みで形成したＰｂＴｉ
Ｏ３薄膜の光透過率を示してお９、線１が躊融石英基板
を用いた場合、線２がＩｎ２Ｏ３をコートした溶融石英
基板を用いた場合線３がサフアイア基板を用いた場合の
光透過率カーブに対応している。この第５図から明らか
なように、いずれの場合においても各膜は無色で可視域
の略全部または１部において８０％以上の光透．過率を
示し、各種の光学的用途に対して充分な透明性を持つ。
しかしながらこのような透明性も付着率が３０Ａ／Ｍｉ
ｎ以上になると次第に失われて、褐色に着色した膜とな
る．従つて無色透明な薄膜を得るためには、付着率を３
０八／Ｍｉｎ以下、好ましくは２０Ａ／Ｍｉｎ程度に設
定することが必要となる。第５図の線４は付着率４０λ
／Ｍｉｎの場合を示している。なお電気的特性の１例と
して、Ｉｎ２Ｏ３をコートした溶融石英基板上に上述の
ようにして形成した厚み０．５μｍのＰｂＴｉＯ３膜は
、誘電率１６０誘電体正接１〜２（ｆ）の特性を有する
ペロブスカイト構造の強誘電体磁器膜となつた。
アのごとく基板面に結晶性のある場合には線２および３
のように基板温度５８０℃においてプレート電圧には無
関係にペロブスカイト構造の強誘電体磁器薄膜が得られ
る。さらに第４図は、スパツタ時のガスの圧力とスパツ
タ膜の結晶構造との関係を示し、サフアイア基板上では
△印で示すように圧力に無関係にペロブスカイト構造と
なるが、Ｉｎ２Ｏ３をコートした溶融石英面上では○印
で示すごとく圧力が６Ｘ１０２Ｔ０ｒｒ以上になるとペ
ロブスカイトとパイロクロアの混晶形態を経てパイロク
ロア単独構造になることが判る。これは圧力がある程度
？上高くなるとターゲツト材料からのＰｂ成分の蒸発が
押えられ、基板に飛釆するＰｂが減少してスパツタ膜の
組成がペロブスカイト固溶組成からずれるためで、サフ
アイア基板のように基板面が完全な結晶構造を持つ場合
には固溶組成の多信のずれは無関係となるものの、Ｉｎ
２Ｏ３をコートした躊融石英基板では表面が多結晶であ
るため純粋なペロブスカイト構造にな９にくいものと考
えられる。かくしてＰｂＴｉＯ３の薄膜化の条件は、着
膜する基板の種類によつて異なる依存性を示すのである
が、本発明者等は、当該ＰｂＴｉＯ，膜の透明性が付着
率によつて異なることを見出した。すなわち、第５図は
付着率を２０λ／Ｍｉｎに設定した状態で′．３種類の
基板面にそれぞれ０．５μｍの厚みで形成したＰｂＴｉ
Ｏ３薄膜の光透過率を示してお９、線１が躊融石英基板
を用いた場合、線２がＩｎ２Ｏ３をコートした溶融石英
基板を用いた場合線３がサフアイア基板を用いた場合の
光透過率カーブに対応している。この第５図から明らか
なように、いずれの場合においても各膜は無色で可視域
の略全部または１部において８０％以上の光透．過率を
示し、各種の光学的用途に対して充分な透明性を持つ。
しかしながらこのような透明性も付着率が３０Ａ／Ｍｉ
ｎ以上になると次第に失われて、褐色に着色した膜とな
る．従つて無色透明な薄膜を得るためには、付着率を３
０八／Ｍｉｎ以下、好ましくは２０Ａ／Ｍｉｎ程度に設
定することが必要となる。第５図の線４は付着率４０λ
／Ｍｉｎの場合を示している。なお電気的特性の１例と
して、Ｉｎ２Ｏ３をコートした溶融石英基板上に上述の
ようにして形成した厚み０．５μｍのＰｂＴｉＯ３膜は
、誘電率１６０誘電体正接１〜２（ｆ）の特性を有する
ペロブスカイト構造の強誘電体磁器膜となつた。
また同様に白金板上に厚み０．９μｍで形成した磁器膜
も純粋なペロブスカイト構造を持ち、誘電体は２００、
誘電体正接は３％であつた。而してこの発明によれば、
ＰｂＴｉＯ３からなる誘電率１００以上の強誘電体薄膜
を透明に形成することができるので、透明性の要求され
る電気光学的用途に対して広範な応用が可能となる。
も純粋なペロブスカイト構造を持ち、誘電体は２００、
誘電体正接は３％であつた。而してこの発明によれば、
ＰｂＴｉＯ３からなる誘電率１００以上の強誘電体薄膜
を透明に形成することができるので、透明性の要求され
る電気光学的用途に対して広範な応用が可能となる。
例えばＩｎ２Ｏ３の透明導電膜を形成した耐熱性ガラス
基板上に成膜が可能な点を利用して、ＥＬ表示装置のＥ
Ｌ層をサンドウイツチ状に挾む絶縁膜にこのＰｂＴｉＯ
３の透明強誘電体薄膜を用いれば、これの誘電率が格段
に大きなものとなるので外部から印加する発光に要する
駆動電圧を大幅に低減することができる。ちなみに、溶
融石英上にＩｎ２Ｏ３の透明電極を形成し、その上にＰ
ｂＴｉＯ３の薄膜をこの発明に従つて０．５μｍの厚み
で形成し、さらにその上に０．２５μｍの厚みのＺｎＳ
：ＭｎからなるＥＬ層とＡｌの上部電極とを形成したＥ
Ｌ表示装置においては、周波数５ＫＨｚの正弦波電圧で
駆動したとき、印加電圧約２５で発光を確認でき、４８
Ｖで約１０００Ｃｄ／Ｍ２の輝度を得ることができた。
これは、従来のＥＬ表示装置が２００前後の高い１駆動
電圧を要するのに比べて驚異的な効果である。鳩上のよ
うに本発明によれば、ＰｂＴｉＯ，からなる強誘電体磁
器薄膜を透明に形成することができるとともに、混合粉
末に対してカソード冷却手段の冷却効果を抑制してスパ
ツタリングを行なうので、Ｐｂ成分の蒸発を促進するこ
ととな９、従来の如きＰｂＯ雰囲気中での後熱処理が不
要となる。
基板上に成膜が可能な点を利用して、ＥＬ表示装置のＥ
Ｌ層をサンドウイツチ状に挾む絶縁膜にこのＰｂＴｉＯ
３の透明強誘電体薄膜を用いれば、これの誘電率が格段
に大きなものとなるので外部から印加する発光に要する
駆動電圧を大幅に低減することができる。ちなみに、溶
融石英上にＩｎ２Ｏ３の透明電極を形成し、その上にＰ
ｂＴｉＯ３の薄膜をこの発明に従つて０．５μｍの厚み
で形成し、さらにその上に０．２５μｍの厚みのＺｎＳ
：ＭｎからなるＥＬ層とＡｌの上部電極とを形成したＥ
Ｌ表示装置においては、周波数５ＫＨｚの正弦波電圧で
駆動したとき、印加電圧約２５で発光を確認でき、４８
Ｖで約１０００Ｃｄ／Ｍ２の輝度を得ることができた。
これは、従来のＥＬ表示装置が２００前後の高い１駆動
電圧を要するのに比べて驚異的な効果である。鳩上のよ
うに本発明によれば、ＰｂＴｉＯ，からなる強誘電体磁
器薄膜を透明に形成することができるとともに、混合粉
末に対してカソード冷却手段の冷却効果を抑制してスパ
ツタリングを行なうので、Ｐｂ成分の蒸発を促進するこ
ととな９、従来の如きＰｂＯ雰囲気中での後熱処理が不
要となる。
第１図は高周波スパツタリング装置における基板とター
ゲツト材料とのセツトの一態様を示す模式図、第２図は
基板温度とスパツタ膜の結晶構造との関係を示す図、第
３図はプレート電圧と結晶構造の関係を示す図、第４図
はスパツタ時のガス圧力と結晶構造との関係を示す図、
第５図は４種類の基板面に形成した薄膜の光透過率特性
を示す線図である。 １・・・基板、２・・・基板ホルダ、３・・・ヒータ、
４・・・ターゲット材料、５・・・石英シャーレ、６・
・・石英板、７・・・カソード。
ゲツト材料とのセツトの一態様を示す模式図、第２図は
基板温度とスパツタ膜の結晶構造との関係を示す図、第
３図はプレート電圧と結晶構造の関係を示す図、第４図
はスパツタ時のガス圧力と結晶構造との関係を示す図、
第５図は４種類の基板面に形成した薄膜の光透過率特性
を示す線図である。 １・・・基板、２・・・基板ホルダ、３・・・ヒータ、
４・・・ターゲット材料、５・・・石英シャーレ、６・
・・石英板、７・・・カソード。
Claims (1)
- １ 冷却手段を備えたカソード上にＰｂＯとＴｉＯ＿２
との混合粉末をターゲット材料として載置し、対向する
基板上にＰｂＴｉＯ＿３の薄膜を高周波スパッタリング
法により形成する際に、前記ターゲット材料とカソード
との間にカソード冷却手段からの冷却効果を抑制する部
材を介在させて前記ターゲット材料の過度の温度低下を
防止すると共に、付着率を３０Å／ｍｉｎ以下に制御し
た状態で、スパッタリングをなすことにより、ＰｂＴｉ
Ｏ＿３の透明な薄膜を形成するようにしたことを特徴と
する透明強誘電体薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54121728A JPS5938169B2 (ja) | 1979-09-20 | 1979-09-20 | 透明強誘電体薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54121728A JPS5938169B2 (ja) | 1979-09-20 | 1979-09-20 | 透明強誘電体薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5645827A JPS5645827A (en) | 1981-04-25 |
| JPS5938169B2 true JPS5938169B2 (ja) | 1984-09-14 |
Family
ID=14818403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54121728A Expired JPS5938169B2 (ja) | 1979-09-20 | 1979-09-20 | 透明強誘電体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5938169B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326234U (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-20 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59141104A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-13 | 松下電器産業株式会社 | 強誘電体薄膜の製造方法 |
| US5567940A (en) * | 1995-05-23 | 1996-10-22 | National Science Council | Infrared ray sensor and its producing method |
-
1979
- 1979-09-20 JP JP54121728A patent/JPS5938169B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326234U (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5645827A (en) | 1981-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3358893B2 (ja) | ガリウム−インジウム酸化物を含む透明導電体 | |
| US5558946A (en) | Multilayered thin ferroelectric film | |
| JP2532381B2 (ja) | 強誘電体薄膜素子及びその製造方法 | |
| US6819044B2 (en) | Thin-film EL device and composite substrate | |
| EP1215946A2 (en) | EL device and making method | |
| JPS5938169B2 (ja) | 透明強誘電体薄膜の形成方法 | |
| JP2539214B2 (ja) | ガラスセラミツクスおよびその製造方法 | |
| CN104817320A (zh) | 压电组合物和压电元件 | |
| JPH045874A (ja) | 強誘電体薄膜およびその製造方法 | |
| JPS5849995B2 (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| JP4422678B2 (ja) | 蒸着法を用いた強誘電性単結晶膜構造物の製造方法 | |
| KR20050111311A (ko) | 후막 유전체 전자발광 디스플레이를 위한 장벽 층 | |
| JPS59121119A (ja) | 強誘電体薄膜の製造方法 | |
| JPS5824915B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| KR950001294B1 (ko) | 박막적외선센서 제조방법 | |
| JPH0333680B2 (ja) | ||
| JPH0193088A (ja) | 強誘電薄膜の形成方法 | |
| JPS6246074B2 (ja) | ||
| KR930005763B1 (ko) | 얇은막 el 표시소자 | |
| JPS59141104A (ja) | 強誘電体薄膜の製造方法 | |
| JPS636519B2 (ja) | ||
| JPH05229850A (ja) | 導電性透明薄膜材料及びその製造方法 | |
| KR960030746A (ko) | 청색발광용 전계발광소자(eld) 및 그 제조방법 | |
| KR0162300B1 (ko) | 강유전체 박막 제조방법 | |
| JPS6260799B2 (ja) |